DE2158756A1 - Schaltungsanordnung zur umsetzung von gleichstromzeichen in eine traegerfrequenzlage mit bandbegrenzung - Google Patents

Schaltungsanordnung zur umsetzung von gleichstromzeichen in eine traegerfrequenzlage mit bandbegrenzung

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DE2158756A1
DE2158756A1 DE19712158756 DE2158756A DE2158756A1 DE 2158756 A1 DE2158756 A1 DE 2158756A1 DE 19712158756 DE19712158756 DE 19712158756 DE 2158756 A DE2158756 A DE 2158756A DE 2158756 A1 DE2158756 A1 DE 2158756A1
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carrier frequency
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DE19712158756
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Inventor
Hans-Robert Dipl Ing Schemmel
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Tekade Felten and Guilleaume Fernmeldeanlagen GmbH
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L27/00Modulated-carrier systems
    • H04L27/02Amplitude-modulated carrier systems, e.g. using on-off keying; Single sideband or vestigial sideband modulation
    • H04L27/04Modulator circuits; Transmitter circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Amplitude Modulation (AREA)

Description

  • Schnltungsanordnung zur Umsetzung von Gleichstromzeichen in eine Trägerfrequenzlage mit Bandbegrenzung Um Gleichstromzeichen in eine Trägerfrequenzlage zu bringen, ist es in der Trägerfrequenz-Übertragungstechnik erforderlich, daß die Hüllkurve des Wechselstromzeichens in -ihrem Zeitverhältnis möglichst genau dem des Gleichstromzeichens entspricht.
  • Für die Eintastung von Gleichstromzeichen ist. eine Anordnung bekannt, die im wesentlichen auf dem Prinzip eines Einfach-Gegentaktmodulators mit kleinen Variationen beruht (siehe Ring: "Einführung in die Trägerfrequenztechnik", Brd.10, S.12).
  • Hierbei ist eine Bandbegrenzung des Trägerfrequenzzeichens üblich; sie erfolgt durch Nachschaltung eines LC-Filters, im einfachsten Fall ist hier ein Parallel-Schwingkreis verwendbar.
  • Da aber in solchen Anlagen das über eine Tastleitung eingespeiste Gleichstromzeichen häufig über kapazitätsbehaftete Leitungen führt, ist es erforderlich, eine Verzerrungskorrektur vorzunehmen. In der angeführten Anordnung ist aber eine solche Verzerrungskorrektur nicht durchführbar.
  • Erstrebenswert ist es auch, daß die über die Gleichstromleitung eingekoppelten .9törspannungen möglichst wenig Einfluß auf das Zeichen haben.
  • Dieses Ziel, einschließlich der erforderlichen Bandbegrenzung, wird durch eine weitere vorgeschlagene Anordnung erreicht(Patentanmeldung P 20 13 000.1).
  • Bei dieser Anordnung sind jedoch für die Ein- und Abschaltflanken verschiedene Zeitkonstanten wirksam, was sich im besonderen bei starker Bandbegrenzung störend als Zeic-henverzerrung bemerkbar macht.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, unsymmetrische Ein- bzw. Ausschaltflanken bei starker Bandbegrenzung zu vermeiden und eine einfache Arbeits- bzw. Ruhestromschaltung mit vorzusehen.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Modulationsanordnung, mit zwei Transistoren, an deren Basen die Zeichenträgerfrequenz und über deren Emitter der Gleichstromzeichen-Eingang (Modulationsspannung) angekoppelt sind, daß zwischen den beiden Emittern ein veränderlicher Widerstand angeordnet ist und im spannungsführenden Gleichstromzweig ein dritter Transistor und eine Umschaltvorrichtung angeordnet sind, über deren Kontakte und der Basis- bzw. der Emitter-Strecke des dritten Transistors eine Gleichstromzeichen-Umkehr für Arbeitsstromverfahren bzw. Ruhestromverfahren erfolgt und daß die Basis-Kollektor-Strecke durch eine bandbegrenzende und verzerrungskorrizierende Reihensehaltung eines Widerstandes und einer \r-lsc:non zwischen Kollektor-und Mass-pol Massopol Kapazltat uDererucxt ist und parallel zum dritten transistor/ eine weitere bandbegrenzende Kapazität angeordnet ist.
  • Die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung wird anhand der Zeichnung im folgenden näher erläutert: Die Einspeisung der Zeichenträgerfrequenz vollzieht sich vom Übertrager ti über die Basen der Transistoren T1 und T2. Die Zuführung der Gleichstromzeichen wird über die beiden Emittereingänge der genannten Transistoren vorgenommen, die durch einen den Trägerfrequenz-Ausgangspegel regulierenden veränderlichen Widerstand R1 überbrückt sind. Die Einspeisung des Gleichstromzeichens geht überneine Umschaltvorrichtung 5 und über einen dritten TransistorSin der Weise vor sich, daß bei Einspeisung über die Kontakte 3/1 und über die Basis-Strecke des Transistors T3 bzw. über die Kontakte 3/2 und über die Emitter-Strecke des Transistors T3 eine Gleichstromzeichen-Umkehr für Arbeits- bzw. Ruhestromverfahren ermöglicht wird.
  • Die Bandbegrenzung des Wechselstromzeichens erfolgt bei annähernd linearer Modulatoranordnung bereits auf der Gleichstromseite im wesentlichen durch den Kondensator C1, der parallel zum Transistor T3 zwischen Kollektor und Massepol angeordnet.
  • ist und der durch den Transistor T3 aufgeladen wird. Eine zusämtliche Bandbegrenzung wird durch das Glied R2/C2 erreicht.
  • R2/C2 hat außerdem die Aufgabe, die gewünschte Zeichenverzerrung einzustellen.

Claims (1)

  1. Patentanspruch
    Schaltungsanordnung zur Umsetzung von Gleichstromzeichen in eine Trägerfrequenziage mit Bandbegrenzung, in der die Hüllkurve des Wechselstromzeichens (Trägerfrequenz) in ihrem Zeitverhältnis weitgehend genau dem des Gleichstromzeichens entspricht, gekennzeichnet durch eine Modulatoranordnung mit zwei Transistoren (T1 und T2), an deren Basen die Zeichenträgerfrequenz und über deren Emitter der Gleichstromzeichen-Eingang (Modulationsspannung) angekoppelt sind, daß zwischen den beiden Emittern ein veränderlicher Widerstand (R1) angeordnet ist und im spannungsführenden Gleichstromzweig ein dritter Transistor (T3) und eine Umschaltvorrichtung (S) angeordnet sind, über deren Kontakte (3/i bzw. 3/2) und der Basis- bzw. der Emitter-Strecke des dritten Transistors (T3) eine Gleichstromzeichen-Umkehr für Arbeitsstromverfahren bzw. Ruhestromverfahren erfolgt und daß die Basis-Kollektor-Strecke durch eine bandbegrenzende und verzerrungskorrigierende Reihenschaltung eines Widerstandes (R2) und einer Kapazität (C2) zwishen Kollektor und Masepol Massenol überbrückt ist und parallel zum dritten Transistor 4f3)t eine weitere bandbegrenzende Kapazität (C1) angeordnet ist.
    Leerseite
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