DE2151414C3 - Verfahren zum Zerteilen einer Halbleiterscheibe In einzelne HaIbleiterplättchen - Google Patents

Description

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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Zerteilen einer Halbleiterscheibe in einzelne Halbleiterplättchen, bei dem die Halbleiterscheibe auf einer Folie aus thermoplastischem, dehnbarem Material durch Ankleben befestigt, durch Ritzen unterteilt und gebrochen wird, und durch Dehnen der Folie bei Wärmeanwendung die durch die Unterteilung entstandenen Halbleiterplättchen unter Beibehaltung ihrer Ordnung in Abstand voneinander gebracht werden.

Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen werden bei den vielfach verwendeten Verfahren, z. B. der Planartechnik, auf einer Scheibe aus Halbleitermaterial zahlreiche Einzelelemente gleichzeitig aufgebaut. Das hat den Vorteil, daß zahlreiche Halbleiterelemente gleichzeitig den einzelnen Verfahrensschritten unterworfen werden können. Zu einem späteren Zeitpunkt werden die einzelnen Halbleiterelemente voneinander getrennt, so daß dann für die Endmontage einzelne Halbleiterplättchen vorliegen.

Zum Trennen der einzelnen Halbleiterelemente wird die Halbleiterscheibe gewöhnlich durch Ritzen unterteilt und anschließend durch Ausübung von Druck an den Ritzstellen gebrochen, so daß danach einzelne Halbleiterplättchen vorliegen. Da diese anschließend noch weiteren Verfahrensschritten einschließlich der Endmontage unterworfen werden, ist es wünschenswert, diese in geordneter Form vorliegen zu haben. Zu diesem Zweck werden die Halbleiterscheiben auf einer Folie, z. B. durch Kleben befestigt, auf der die getrennten Halbleiterplättchen nach dem bekannten Ritz- und Brechvorgang haften bleiben. Ein solches Verfahren ist z. B. in der deutschen Offenlegungsschrift 19 32 371 beschrieben. Die Verwendung von gewöhnlichen Klebemitteln hat jedoch den Nachteil, daß an diesen auch andere Teile, die während der Vorbereitung verwendet werden, in unerwünschter Weise haften bleiben. Außerdem müssen die einzelnen Halbleiterpiättchen zur späteren Weiterverarbeitung von der Folie wieder entfernt werden, d. h. die Haftfestigkeit des Klebemittels darf nicht zu groß sein.

In der deutschen Offenlegungsschrift 17 52 331 ist ebenfalls ein Verfahren zum Ritzen und Brechen von Halbleiterscheiben beschrieben, bei dem nach dem Ritzen und Brechen die vereinzelten Halbleiterplättchen durch Strecken einer Folie voneinander entfernt werden, damit sie bei späteren Arbeitsvorgängen und beim Entfernen der Plättchen von der Folie besser gehandhabt werden können und sich gegenseitig nicht stören. Bei diesem Verfahren wird die Haftung der Plättchen z. B. durch Anbringen eines Vakuums oder Anpressen an die Folie unter Wärmeeinwirkung erzielt, was aufwendig ist. Außerdem können die einzelnen Halbleiterplättchen durch die Druckausübung beschädigt werden.

In der deutschen Offenlegungsschrift 17 52 866 ist ein Verfahren beschrieben, bei dem eine zweite elektrostu tisch aufiadbare Folie über die auf einer ersten Folie liegende Halbleiterscheibe gelegt wird. Beim Abheben dieser Folie nach dem Zerbrechen bleiben die ein/einen Halbleite-plättchen infolge der elek'rostatischen Anziehungskraft haften. Dieses Verfahren hat jedoch den Nachteil, daß die Oberflächeneigenschaften von Plastikfolien nicht definiert reproduzierbar sind. Die Haftfestigkeit der einzelnen Plättchen unterliegt deshalb erheblichen Schwankungen. Das kann zu erheblichen Verlusten beim Transport der Folien mit den daran haftenden Halbleiterplättchen zur weiteren Verarbeitungführen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das bekannte mit Klebemitteln arbeitende Verfahren zu vereinfachen. Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß vor dem Auflegen der Halbleiterscheibe auf die Oberfläche der Folie, auf der die Halbleiterscheibe befestigt werden soll, eine Schicht von Kolophonium aufgebracht wird, dessen Klebewirkung erst bei der für das Dehnen der Folie angewendeten Temperatur auftritt und des>en Haftfestigkeit nach dem Erkalten entsprechend eingestellt wird.

Das Kolophonium kann in einer alkoholischen Lösung durch Aufstreichen, Aufsprühen oder Auftropfen auf die Folie aufgebracht werden und bleibt nach dem Verdampfen des Alkohols als Kolophoniumschicht auf der Oberfläche der Folie zurück.

Ein solches Klebemittel hat den Vorteil, daß es leicht und gleichmäßig aufgebracht werden kann, daß vor der Wärmebehandlung zum Dehnen der Folie keine Klebewirkung besteht und daß die Erweichungstemperatur unterhalb der für die Erwärmung liegenden Dehnungstemperatur liegt. Die Klebewirkung nach der Wärmebehandlung ist ausreichend, ohne daß die Halbleiterplättchen 2:usätzlich angepreßt werden müssen und ermöglicht eine rückstandslose Abtrennung der Halbleiterplättchen von der Folie. Außerdem ist die Haftwirkung des Klebemittels einstellbar, was im folgenden in Zusammenhang mit der Beschreibung der Zeichnung näher erläutert wird.

In der Zeichnung stellt

Fig. 1 schematisch die auf einer Folie befestigten Halbleiterplättchen nach dem Ritzen und Brechen,

Fi g. 2 die Halbleiterplättchen auf der Folie nach der Dehnung während der Wärmebehandlung dar.

Auf eine übliche im Handel erhältliche thermoplasn sehe Kunststoffolie 3 wird eine Kolophoniumschicht aufgebracht, indem Kolophonium in Alkohol. / H. in Methanol, gelöst und die Losung entweder aufgestrichen oder aufgesprüht oder ein Tropfen aufgebracht und durch Schleudern verteilt wird. Nach dem Verdunsten des Alkohols bleibt ein gtcichmalJigcr Kolophoniumbelag xuruck.de keine Klebewirkung hat und die Arbeiten vor der Wärmebehandlung nicht behindert. Auf eine solche mit einer Kolophonium- to schicht versehene Folie wird eine gern/u HalbleiterscheiLt aufgelegt und nach einem bekannten Verfahren gebrochen, indem d;c Halbleiterscheibe /. Ii. durch Abdecken mit einer weiteren Folie festgehalten und durch Quetschen in einer Mulde oder durch /.!«hen über ein Profil gebrochen wird. Ks entstehen dabei ait: einzelnen Halbleiterplättchen J. I ig 1 \α_:'ώ dit-v-f: Zustand vor der Wärmebehandlung dar

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Claims (4)

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Zerteilen einer Halbleiterscheibe in einzelne Halbleiterplättehen, bei dem die Halbleiterscheibe auf einer Folie aus thermoplastischem, dehnbarem Material durch Ankleben befestigt, durch Ritzen unterteilt und gebrochen wird und durch Dehnen der Folie bei Wärmeanwendung die durch die Unterteilung entstandenen Halbleiterplättchen unter Beibehaltung ihrer Ordnung in Abstand voneinander gebracht werden, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Auflegen der Halbleiterscheibe auf die Oberfläche der Folie (3), auf der die Halbleiterscheibe befestigt werden soll, eine Schicht (2) von Kolophonium aufgebracht wird, dessen Klebewirkung erst bei der für das Dehnen der Folie (3) angewendeten Temperatur auftritt und dessen Haftfestigkeit nach dem Erkalten entsprechend eingestellt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Lösung von Kolophonium in Alkohol durch Aufstreichen, Aufsprühen oder Auftropfen auf die Folie aufgebracht wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Haftwirkung der Kolophoniumschicht durch die Konzentration des Kolophoniums in der Lösung eingestellt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Haftwirkung der Kolophoniumschicht durch Wahl der bei der Foliendehnung angewendeten Temperatur eingestellt wird.