DE2148445A1 - Elektrisches geraet - Google Patents

Elektrisches geraet

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DE2148445A1
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electrical
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    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage

Landscapes

  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

  • t'Elektrisches Gerät Die Erfindung bezieht sich auf- ein elektrisches Gerät, dessen Eingang von einem Element Uberbrückt ist, welches das Gerät gegen zu hohe Eingangsspannungen schützt.
  • Es ist bekannt, als Element zum Schutz gegen Überspannungen eine Diode oder eine Glimmlampe zu verwenden.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen besseren Überspannungsschutz zu schaffen.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Element ein P-Kanal MOS-Transistor (Metalloxid-Uransistor) oder ein P-Kanal FE-Transistor (Feldeffekt-Transistor) ist, dessen Drain mit dem einen Eingangskontakt des elektrischen Gerätes, dessen Source mit dem anderen Eingangskontakt des elektrischen Gerätes und dessen Steuerelektrode mit einer der beiden Eingangskontakte des elektrischen Gerätes verbunden ist.
  • Ein in der vorgeschlagenen Weise mit dem elektrischen Gerä-t verbundener Transistor hat die Eigenschaft, daß er unterhalb einer bestimmten am Gerät anliegenden Eingangsspannung einen extrem hohen Widerstand zwischen Drain und Source aufweist, und daß oberhalb dieser bestimmten Spannung der Widerstand zwischen Drain und Source sehr niedrig ist, wobei der Äiiderungsbereich klein ist. Die vorgeschlagene Schaltung ist insofern hervorragend als Überspannungsschutz für elektrische Geräte geeignet.
  • Dort, wo die Steuerelektrode angeschlossen ist, wird die negative Spannung begrenzt. Wenngleich auch ein FEiTränsistor verwendet werden kann, so ist doch zu beachten, daß ein MOS-Transistor einem FE-ransistor überlegen ist.
  • Eine Weiterentwicklung der Erfindung besteht darin, daß parallel zu dem ersten Transistor ein zweiter Transistor geschaltet ist, der entgegengesetzt zu dem ersten Transistor mit den Eingängen des elektrischen Gerätes verbunden ist.
  • Auf diese Weise kann die Eingangsspannung des Gerätes nach beiden Richtungen hin begrenzt werden.
  • In der einzigen Figur der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel veranschaulicht. Mit 1 ist ein Widerstand, mit 2 ist eii erster P-Kanal MOS-Transistor (oder FE-Transistor), mit 3 ist ein zweiter P-Eanal MOS-Transistor (oder FE-Transistor), mit 4 ist ein elektrisches Gerät und mit 5 sind die Steuerelektroden der Transistoren bezeichnet.

Claims (2)

P a t e n t a n s p r ü c h e :
1. Elektrisches Gerät, dessen Eingang von einem Element überbrückt ist, welches das Gerät gegen zu hohe Eingangsspannungen schützt, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß das Element ein P-Eanal 1405-Transistor (2) oder ein P-Eanal PE-Transistor ist, dessen Drain mit dem einen Eingangskontakt des elektrischen Gerätes (4), dessen Source mit dem anderen Eingangskontakt des elektrischen Gerätes und dessen Steuerelektrode (5) mit einem der beiden Bingangskontakte des elektrischen Gerätes (4) verbunden ist.
2. Elektrisches Gerbt nach Anspruch 1, dadurch g e -k e n n z e 1 c h n e t , daß parallel zu dem ersten Drain sistor (2) ein zweiter Transistor (3) geschaltet ist, der entgegengesetzt zu den ersten Transistor (2) mit den Eingängen des elektrischen Gerätes (4) verbunden ist.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2323232A1 (fr) * 1975-09-08 1977-04-01 Siemens Ag Montage pour proteger les entrees de circuits mos integres
DE3803259A1 (de) * 1987-02-12 1988-08-25 Mitsubishi Electric Corp Schaltungsanordnung zum schuetzen vor ueberspannungen

Cited By (3)

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