DE2148175A1 - Integrierte halbleiterschaltung - Google Patents

Integrierte halbleiterschaltung

Info

Publication number
DE2148175A1
DE2148175A1 DE19712148175 DE2148175A DE2148175A1 DE 2148175 A1 DE2148175 A1 DE 2148175A1 DE 19712148175 DE19712148175 DE 19712148175 DE 2148175 A DE2148175 A DE 2148175A DE 2148175 A1 DE2148175 A1 DE 2148175A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zones
individual elements
circuit according
semiconductor circuit
interconnections
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19712148175
Other languages
English (en)
Inventor
Karl Dipl Ing Dr Goser
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19712148175 priority Critical patent/DE2148175A1/de
Priority to FR7233613A priority patent/FR2154553A1/fr
Priority to IT2951972A priority patent/IT967738B/it
Priority to NL7212962A priority patent/NL7212962A/xx
Priority to JP9654672A priority patent/JPS4842688A/ja
Publication of DE2148175A1 publication Critical patent/DE2148175A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
    • H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/535—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including internal interconnections, e.g. cross-under constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
    • H01L27/0705—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type
    • H01L27/0727—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with diodes, or capacitors or resistors
    • H01L27/0738—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with diodes, or capacitors or resistors in combination with resistors only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

Integrierte Halbleiterschaltung
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiterschaltung, insbesondere eine monolithisch integrierte Schaltung,
Bei bisher bekannten monolithischen integrierten Schaltungen, insbesondere bei Halbleiter-Speicherschaltungen mit MOS-Transistoren liegen die Zuleitungen zu den Speicherelementen gemäß den gebräuchlichen Technologien zur Herstellung von Elektroden für die einzelnen in dem Monolithen enthaltenen Schaltelementen auf der Oberseite des die Elemente enthaltenden Halbleiterkörpers .
Bei dieser Art der Anbringung der Elektroden ist es dann in aller Hegel erforderlich, metallische Verbindungen zwischen den Elektroden der Einzelelemente, welche einen Teil der Verbindungen zur Realisierung der Gesamtschaltung bilden, in mehrere Lagen auf der Oberseite des Halbleiterkörpers isoliert voneinander (sog, Mehrlagenverdrahtung) aufzubringen. Sind die metallischen Verbindungen auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers in sog. Einlagenverdrahtung herstellbar, so ergibt sich dabei ein großer Flächenbedarf.
Der vorliegenden Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, eine Möglichkeit der elektrischen Verbindung von Einzelelementen in einer monolithischen integrierten Schaltung zu schaffen, welche einfacher und platzsparender ist. ·
Diese Aufgabe wird bei einer integrierten Halbleiterschaltung der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß wenigstens ein Teil der für die Einzelelemente erforderlichen Elektroden auf der Seite des die Einzelelemente enthaltenden Halbleiterkorpers
VPA 9/501/50/1 Τικ/Roh
309814/0439
~ 2 —
BAD ORIGINAL
2U8175
vorgesehen ist, welche von der Seite,.an die die Einzelelemente angrenzen, abgekehrt ist, und daß zwischen Verbindung der Elektroden der Einzelelemente über Zonen im Halbleiterkörper vorgenommen ist, welche zwischen diesen Elektroden und den Einzelelementen durch den Halbleiterkörper .verlaufen. Diese Zonen können als diffundierte Zonen oder durch Ionenimplantation, insbesondere unter Anwendung des Channeling-1?f f ektes dotierte Zonen genommen werden, die sich durch besonders kleine Abmessungen auszeichnen. Für die Ionenimplantation ist die Scheltung bis auf die zu
implantierenden Stellen mit einer dicken SiO0- oder Aiii
Schicht abzudecken.
Weitere Merkmale und Einzelheiten der Erfindxmg ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren.
!Rei dem in Figur 1 dargestellten Ausführungsbeispiel sind in einem Halbleiterkörper bzw. -substrat zwei MOS-Transistoren vorgesehen, welche einen Teil einer integrierten Speicher schaltung bilden können. Dabei bilden Zonen 2, 3 und 4, 5 mit gegenüber dem Substrat 1 entgegengesetztem Leitungstyp jeweils die Quellen- und Senkenzone jeweils eines der beiden. MOS-Transistoren. Die Zonen 2, 3 können in V/eiterbildung der Erfindung sowohl durch Diffusion oder durch Ionenimplantation - im letzteren Falle insbesondere unter Ausnutzung des "Channeling'i-Effektes hergestellt sein. Diese Zonen sind mittels Elektroden 7, 8 und 11, 12 kontaktiert. Auf den zwischen den Zonen 2, 3 sowie 4, 5 liegenden Bereichen des Substrats 1 ist jeweils eine Isolationsschicht 6 bzw. 10 vorgesehen, auf die eine Elektrode 9 bzw. 13 aufgebracht ist. Diese Kombination aus Isolationsschicht und Elektrode 6, bzw. 10, 13 bildet die Steuerelektrode der MOS-Transistoren.
Im Substrat ist weiterhin eine zwischen den beiden MOS-Transistoren liegende diffundierte oder durch
VVK 9/501/504 309814/0439 _ 3 _ BAD
" 3 " . -2H8175
Ionenimplantation hergestellte Zone 14 mit gegenüber dem Substrat 1 entgegengesetztem leitimgstyp vorgesehen, welche zur Zuführung der Versorgungsspannung für die MOS-Transistören dient. Die Zone 14 steht über eine weitere Zone 15, welche den gleichen Leitungstyp wie sie besitzt und über die gesamte Breite des Substrats verläuft, mit einer Metallelektrode 16 auf der Rückseite des Substrats 1 in Verbindung, an welche die Versorgungsspannung angelegt wird. Um die Tiefe der Zone 14 und dami t deren Durchmesser klein zu halten, ist im vorliegenden Ausführungsbeispiel das Substrat 1 als möglichstdünne epitaktische Schicht auf der Schicht 15 aufgebracht. Auf der Oberseite des Substrats 1 i?t die diffundierte Zone 14 mittels einer Elektrode 17 kontaktiert, welche auf Ipolationsschichten 18 und 19 übergreift.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in Figur 2 dargestellt, in der gleiche Elemente wie in Figur 1 mit gleichen Bezugszeichen versehen sind. In diesem Au.sführungsbeispiel ist die eindiffundierte oder in diesem Fall vorteilhafter diirch Tonenimplantation hergestellte Zone 14 so hochohmig aufgeführt, da3 sie als Lastwiderstand für einen MOS-Transistor (linker Transistor nach Fig. 1) dienen kann. Durch die Ausführungsform wird es in vorteilhafter V.reise möglich, in einer integrierten Speicherschaltung statt eines MOS-Transistors einen Widerstand im Leitungszuge des aktiven MOS-Transistors zu verwenden, d.h. es wird ein Transistor eingespart. Daraus ergibt sich der Vorteil einer Flächeneinsparung für die integrierte Schaltung.
Im Pahmen der Erfindung ergibt sich dabei gleichzeitig der weitere Vorteil, daß die die elektrischen ZwischenverbindTingen bzw. Lastwiderstände bildenden Zonen aktive Teile der Bauelemente bilden. So bildet beispielsweise bei der Ausführungsform nach Figur 2 die Zone 14 zusammen mit der Elektrode 8 eine Zone (Quelle oder Senke) des MOS-Transistors.
3098U/0A39
VPA 9/501/504 - 4 -
BAD
4 2H817 5
Um den Wert eines Lastwiderstands, der durch eine hochohmige Zone nach Art der Zone 14 im Ausführungsbeispiel nach Figur 2 gebildet wird, genau einstellen zu können, ist es zweckmäßig, in der Zone eine weitere Inselzone mit entgegengesetztem Leitungstyp vorzusehen, wodurch der Querschnitt der den Widerstand bildenden Zone an der Oberfläche eingeengt und damit ihr Widerstand erhöht wird.
Ein derartiges Ausführungsbeispiel ist in J1IgUr 3 dargestellt, in der gleiche Elemente wie in Fig. 1 ebenfalls mit gleichen Bezugszeichen versehen sind. Bei diesem /. isführungsbeispiel ist die den hochohmigen Lastwiderstend bildende Zone 14 an der Oberfläche des Substrats 1 aufgeweitet. Tn diesen aufgeweiteten Teilbereich ist eine weitere Zone 20 mit gegenüber der Zone 14 entgegengesetztem Leitungstyp eindiffundiert, welche die beabsichtigte Einengung dex· Zone 14 in Bereichen 21 und 22 herbeiführt.
Es sei erwähnt, daß die Art der Ausbildung von Verbindlangen zwischen Einzelelementen in einer integrierten Schaltung und die gleichzeitige Ausbildung derartiger Verbindungen als Widerstand nicht auf MOS-Schel+kreise beschränkt ist, sondern vielmehr auch auf integrierte Schaltungen in bipolarer Technik angewendet werden kann. Der wesentliche Vorteil ist darin fe zu ersehen, daß aiifgrund der einfacheren und platzsparenden Auslegung der Verbindung zwischen Einzelelementen in einer integrierten Schaltung die Packungsdichte der Elemente im . Substrat erhöht werden kann.
6 Patentansprüche 3 Figuren
VPA 9/501/504 309814/0439
^iPfiSft

Claims (5)

  1. 2U8175
    Patentansprüche
    ( 1.Jlntegrierte Halbleiterschaltung, insbesondere monolithische ^~^^ integrierte Schaltung, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Teil der für die in ihr enthaltene?! Einzelelemente erforderlichen Elektroden auf der Seite des die Einzelelemente bildenden Halbleiterkörpers vorgesehen ist, welche von der Seite, an die die Einzelelemente angrenzen, abgekehrt ist und daß elektrische Zwischenverbindungen dieser Elektroden der Einzelelemente über Zonen vorgenommen sind, welche zwischen diesen Elektroden und den Einzelelementen durch, den Halbleiterkörper verlaufen.
  2. 2. Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die die elektrischen Zwischenverbindungen darstellenden Zonen durch Diffusion hergestellt sind.
  3. 3. Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die die Zwischenverbindungen bildenden Zonen durch. Ionenimplantation hergestellt sind.
  4. 4. Halbleiterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die die Zwischenverbindungen bildenden Zonen hinsichtlich ihrer Abmessungen und ihrer Leitfähigkeit so bemessen sind, daß sie als Lastwiderstand für aktive Einzelelemente verwendbar sind.
  5. 5. Halbleiterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die die elektrischen Zwischenverbindungen darstellenden Zonen aktive Teile
    } von Bauelementen der integrierten Halbleiterschaltung sind. j
    ' 6. flalbleiterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, d a durch gekennzeichnet, daß in den diffundierten Zonen auf der Seite des Halbleiterkörpers an die Einzelelemente angrenzen, weitere Zonen mit gegenüber den * diffundierten Zonen entgegengesetztem leitungstyn derart vorgesehen sind, daß sich in den diffundierten Zonen Pfade definierter Abmessungen und definierten Widerstandes ergeben.
    Leerseife
DE19712148175 1971-09-27 1971-09-27 Integrierte halbleiterschaltung Pending DE2148175A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19712148175 DE2148175A1 (de) 1971-09-27 1971-09-27 Integrierte halbleiterschaltung
FR7233613A FR2154553A1 (de) 1971-09-27 1972-09-22
IT2951972A IT967738B (it) 1971-09-27 1972-09-22 Circuito a semiconduttori integrato
NL7212962A NL7212962A (de) 1971-09-27 1972-09-25
JP9654672A JPS4842688A (de) 1971-09-27 1972-09-26

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19712148175 DE2148175A1 (de) 1971-09-27 1971-09-27 Integrierte halbleiterschaltung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2148175A1 true DE2148175A1 (de) 1973-04-05

Family

ID=5820674

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19712148175 Pending DE2148175A1 (de) 1971-09-27 1971-09-27 Integrierte halbleiterschaltung

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS4842688A (de)
DE (1) DE2148175A1 (de)
FR (1) FR2154553A1 (de)
IT (1) IT967738B (de)
NL (1) NL7212962A (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5565466A (en) * 1978-11-13 1980-05-16 Fujitsu Ltd Mos device
JPS5861672A (ja) * 1981-10-09 1983-04-12 Nec Corp 絶縁ゲ−ト型電界効果半導体集積回路装置およびその製造方法
JPS59107563A (ja) * 1982-12-13 1984-06-21 Hitachi Ltd スタテイツク型半導体メモリ装置

Also Published As

Publication number Publication date
IT967738B (it) 1974-03-11
FR2154553A1 (de) 1973-05-11
JPS4842688A (de) 1973-06-21
NL7212962A (de) 1973-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2745290A1 (de) Integriertes speicherfeld
DE2334405B2 (de) Hochintegrierte (LSI-) Halbleiterschaltung und Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl derartiger Halbleiterschaltungen
DE2338239A1 (de) Integrierte halbleiterschaltung
DE1764274C3 (de) Monolithisch integrierte Halbleiterstruktur zur Zuleitung von Versorgungsspannungen für nachträglich zu integrierende Halbleiterbauelemente und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3486077T2 (de) Integrierte halbleiterschaltungsanordnung.
DE19811604A1 (de) Halbleitereinrichtung mit hoher Durchbruchspannung
DE2554612A1 (de) Integrierte halbleiterschaltung
DE1912177A1 (de) Halbleiterbauelement
DE2658090C2 (de) Monolithisch integrierter bipolarer Transistor mit niedrigem Sättigungswiderstand
DE69032419T2 (de) Halbleiterspeicher mit metallischer Verbindungsschicht vom selben Potential wie Wortleitung und verbunden mit dieser ausserhalb des Speichergebietes
DE2801285A1 (de) Integrierte schaltung
DE2148175A1 (de) Integrierte halbleiterschaltung
DE1614250C3 (de) Halbleiteranordnung mit Gruppen von sich kreuzenden Verbindungen
DE2540350A1 (de) Halbleiter-bauelement
EP0000472B1 (de) Hochintegrierte Halbleiteranordnung enthaltend eine Dioden-/Widerstandskonfiguration
DE2451364A1 (de) Digitalsteuerbarer kondensator
DE2128014C3 (de)
DE2105475C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltung
DE2133980C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung
DE2909820A1 (de) Halbleiterspeicher mit eintransistorzellen in v-mos-technologie
DE2348262A1 (de) Integrierte halbleiterschaltung
DE3807162C2 (de)
DE2363577A1 (de) Kombination aus einem bipolaren transistor und einem mos-feldeffekttransistor
DE2848632C2 (de) Integrierte logische Schaltung
DE2106579C3 (de) Halbleiterspeicher