DE2132886A1 - Bipolarlateraltransistor - Google Patents

Bipolarlateraltransistor

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DE2132886A1
DE2132886A1 DE19712132886 DE2132886A DE2132886A1 DE 2132886 A1 DE2132886 A1 DE 2132886A1 DE 19712132886 DE19712132886 DE 19712132886 DE 2132886 A DE2132886 A DE 2132886A DE 2132886 A1 DE2132886 A1 DE 2132886A1
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Germany
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diffused
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conductivity type
semiconductor
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Pending
Application number
DE19712132886
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German (de)
English (en)
Inventor
Akio Hayasaka
Ichiro Imaizumi
Kenji Taniguchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10D10/60—Lateral BJTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/64—Double-diffused metal-oxide semiconductor [DMOS] FETs
    • H10D30/65—Lateral DMOS [LDMOS] FETs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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EP0036319A1 (en) * 1980-03-19 1981-09-23 Hitachi, Ltd. Semiconductor device

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