DE2101322A1 - Verfahren zum Herabsetzen bzw zur vollständigen Unterdrückung von Ausdiffu sionserscheinungen bei der Herstellung von epitaktischen Halbleiterschichten
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Verfahren zum Herabsetzen bzw zur vollständigen Unterdrückung von Ausdiffu sionserscheinungen bei der Herstellung von epitaktischen Halbleiterschichten
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Verfahren zum Herabsetzen bzw zur vollständigen Unterdrückung von Ausdiffu sionserscheinungen bei der Herstellung von epitaktischen Halbleiterschichten
Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls, Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Silicium-Wafers, Silicium-Einkristall, und epitaktischer Silicium-Wafer
Verfahren zum Herabsetzen bzw zur vollständigen Unterdrückung von Ausdiffu sionserscheinungen bei der Herstellung von epitaktischen Halbleiterschichten