DE2061990B2 - Schaltungsanordnung für einen elektronischen Koppelpunkt in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen - Google Patents

Description

55 trixleitungen angeschlossen ist und von denen das

andere η Stufen aufweist und an die horizontalen

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung Matrixleitungen angeschlossen ist. Um das Schließen für einen elektronischen Koppelpunkt aus MOS-FeId- oder das Öffnen der Koppelpunktanordnung Xjk voreffekt-Transistoren, die von ihnen zugeordneten Rip- zubereiten, werden die in der Stufe / des ersten J₁ flop-Schaltungen gesteuert werden, für Fernmelde-, 60 Schieberegisters vorgesehene Flipflop-Schaltung und Vi insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen. Eine die in der Stufe k des zweiten Schieberegisters vor-H derartige Schaltungsanordnung ist durch die franzö- gesehene Flipflop-Schaltung in den Schaltzustand 1 sischen Patentschriften 1555 813 und 94 440 be- gebracht. Der Ausführungsbefehl wird danach durch kanntgeworden. . Anlegen eines Signals über eine der für das öffnen

Feldeffekttransistoren und insbesondere solche ,mit 65 und Schließen des Koppelpunktes vorgesehenen zwei isolierter Steuerelektrode, die kurz als »MOS-Tran- Steueradern gegeben. In einer Koppelmatrix dieses sistoren« bezeichnet werden, weisen bei der Verwen- Typs werden also m ■ η Halte-Ripflop-Schaltungen ι ^f3 dung als Schaltelemente interessante Kennlinien auf. und m + η Stufen der Schieberegister benötigt.

Grundsätzlich hängt der Preis einer monolithischen integrierten Großschaltung von zwei Parametern ab: von der Größe des Chips und von der Zahl der Kon-L-Lknerungen. Wird ein Koppelfeld bzw. eine Koppelmatrix auf einem einzigen Chip untergebracht, so beträgt die. notwendige. Oberfläche. ^fü.:. dl·;. Ko'ipkuerungen ein Vielfaches der notwendigen Oberfläche für die MOS-Transistoren. Daher hängt die Chipgröße vor allem von der Zahl der Kontaktierungen ab. Die Chipgröße hängt selbstverständlich auch, wenn auch in einem geringeren Maß, von der Zahl der aufzubringenden MOS-Transistoren ab. Die Effektivität einer monolithischen, integrierten Großschaltung für ein Koppelfeld kann durch das Verhältnis der Zahl der Koppelpunkte zur Zahl der Kontaktierungen angegeben werden.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Schaltungsanordnung der eingangs erwähnten Art zu schaffen, bei der diese Effektivität größer als bei den genannten bekannten Schaltungsanordnungen ist.

Dies wird gemäß der Erfindung dadurch erreicht, daß jeder Koppelpunkttransistor große Kristallabmessungen und eine dementsprechend große Steuerelektroden-Substrat-Kapazität aufweist, daß seine. Steuerelektrode mit einer der Elektroden der gesteuerten Strecke eines ihm individuell zugeordneten, kleine Kristallabmessungen aufweisenden und normalerweise leitend gesteuerten MOS-Transistors verbunden ist, daß die andere Elektrode der gesteuerten Strecke dieses MOS-Transistors über eine Steuerader an den 1-Ausgang der zugeordneten Flipflop-Schaltung angeschlossen ist und daß der MOS-Transistor für eine solche Dauer sperrbar ist, daß in ihr die Aufrcclitcrhaltung des vor der Sperrung angetroffenen Schaltzustands des zugeordneten Koppelpunkttransistors durch die Ladung der Steuerelektroden-Substrat-Kapazität dieses Koppelpunkt-Transistors gewährleistet ist.

Eine weitere Ausbildung der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektroden aller zwischen Koppelpunkttransistoren und Flipflop-Schaltungen angeordneter MOS-Transistoren an eine gemeinsame Steuerader angeschlossen sind, daß die Flipflop-Schaltungen ein Schieberegister bilden, welches bei einer Koppelpunktneueinstellung seine gespeicherte Information einem Markierer übergibt und nach Veränderung dieser Information im Markierer die geänderte Information wieder speichert, und daß die genannten MOS-Transistoren für die Dauer der Informationsausspeicherung, -verarbeitung und -einspeicherung mittels eines entsprechenden Potentials auf der gemeinsamen Steuerader gesperrt werden.

Sofern die Verbindungsleitung mehrere Adern aufweist, die durchzuschalten sind, wird jeder dieser Adern ein Koppelpunkttransistor mit großen Kristallabmessungen zugeordnet. Die einem Koppelpunkt zugeordneten Koppelpunkttransistoren werden dann mit ihren Steuerelektroden mit der betreffenden Elektrode eines einzelnen MOS-Transistors verbunden, welcher mit seiner gesteuerten Strecke zwischen diesen Steuerelektroden und der betreffenden Flipflop-Schaltung angeordnet ist.

Bei der vorliegenden Erfindung weist die aus MOS-Transistoren bestehende Koppelpunktanordnung nur die zur Durchschaltung der Verbindungsleitung verwendeten Koppelpunkttransistoren und einen zusätzlichen MOS-Transistor auf; die Auswahlfunktion ■wird durch ein einzelnes Schieberegister erfüllt, welches m · η Stufen aufweist. Jede Stufe ist einer Koppelpunktanordnung zugeordnet, und der Schaltzustand 1 oder 0 einer solchen Stufe verursacht die Durchschaltung oder Sperrung der Koppelpunkttransistoren sowie den Verbleib der Koppelpunkttran- ^Uloven . ^:n>, DuiorscpaUi- >j.er ^c>;r!-yu₍starjö... ^-vv Schieberegister gewährleistet das Halten des Durchschalte- oder Sperrzustandes während derjenigen Zeit, in der überhaupt keine Veränderungen der ίο Schaltzustände der Koppelpunkttransistoren in der Koppelmatrix erfolgen oder erfolgen sollen.

Wenn jedoch der Zustand eines Koppelpunktes geändert werden muß, dann wird die im Schieberegister gespeicherte Zustandsinformation zu einem Markierer übertragen, wo sie verarbeitet wird; die veränderte Zustandsinformation wird dann zum Schieberegister zurück übertragen. Das Halten des Durchschalte- oder Sperrzustandes der Koppelpunkte wird während dieser Änderungsphase durch die in der Steuerelektroden - Substrat - Kapazität der Koppelpunkttransistoren gespeicherten Ladung übernommen. Es sei darauf hingewiesen, daß der Wert dieser Kapazität verhältnismäßig groß ist, weil die Kristallabmessungen der Koppelpunkttransistoren eine solas ehe Größe aufweisen, daß niedrige Übergangswiderstände der durchgcschalteten gesteuerten Strecken der Koppelpunkttransistorcn erreicht werden.

Die Erfindung wird nun an Hand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert. Es zeigt F i g. 1 die einem Koppelpunkt zugeordneten Schaltungen,

Fig. 2 das Symbol für eine Koppelpunktanordnung,

F i g. 3 eine Koppelmatrix,
F i g. 4 a und 4 b Taktsignale und

F i g. 5 die Schaltungsanordnung für eine Stufe eines statischen Schieberegisters.

Vor der Beschreibung der Erfindung werden kurz die Haupteigenschaften des MOS-Transistors und seine Funktionsweise beschrieben.

MOS-Feldeffekt-Transistoren sind fast völlig symmetrisch; die Kollektorelektrode und die Emitterelektrode können vertauscht werden, ohne daß die Arbeitsweise in logischen Schaltungen geändert wird. Bei der Beschreibung der Funktion eines MOS-Feldeffekt-Transistors (im folgenden kurz MOS-Transistor genannt) werden folgende Spannungsbezeichnungen verwendet:

Durchbruchsspannung K₇-, Kollektorspannung V₀, Steuerspannung V₀. Die Spannungen V₀ und V₀ werden gegen das Emitterpotential V_s = 0 gemessen und sind negativ. Die Durchbruchsspannung V_T ist ein innerer Parameter des Transistors und für einen MOS-Ph-Transistor negativ.

Ein Transistor dieses Typs wird gesperrt, wenn V₀ > V_T ist. In diesem Zustand besitzt er einen Kollektor-Emitter-Widerstand R_DS von fast unbegrenzter Höhe (etwa 10⁷Ohm). Ein MOS-Ph-Transistor leitet, wenn V₀ < V₇ ist (das Zeichen »<« bedeutet hier »negativer als«). In diesem Zustand arbeitet er als passiver Widerstand mit dem Wert

wobei K ein Proportionalitätsfaktor ist. In diesem Fall können zwei Schaltzustände unterschieden werden:

1. Der Schaltzustand mit niederohmigem Widerstand (nicht gesättigter Bereich), wenn 0> F₀ > V_G — V₇ ist; in diesem Zustand hat der Kollektor-Emitter-Widerstand R_DS Werte zwischen 50 und 400 Ohm; im folgenden wird der Schaltzustand, den ein Transistor in diesem Bereich hat, als niederohmiger Ein-Zustand bezeichnet;

2. der Schaltzustand mit Tiochohmigem Widerstand (gesättigter Bereich), wenn V_D < V₀ — V_T <0 ist, wobei der Kollektor-Emitter-Widerstand R_DS verhältnismäßig groß ist.

Wenn ein MOS-Ph-Transistor eine Durchbruchsspannung von V_T = —4 V hat und wenn eine Spannung V_G = 0 an die Steuerelektrode angelegt wird, dann wird der Transistor gesperrt. Wenn andererseits eine Spannung V₀ = —24 V und eine Spannung V_D zwischen 0 und —20 V an die entsprechenden Elektroden angelegt werden, dann gerät der Transistor in den niederohmigen Ein-Zustand. Will man eine gute Linearität des Widerstandes R_DS erreichen, so muß man die kleineren Werte der Spannungen V_D wählen. Der Widerstand R_DS erreicht dann seinen Geringstwert, und der Transistor gewährleistet dann einen doppelt gerichteten Fluß von Analoge oder Digitalsignalen zwischen dem Kollektor und dem Emitter.

MOS-Transistoren können auch Widerstände ersetzen, so daß reine monolithische integrierte Schaltungen entstehen. Die MOS-Transistoren können al; passive Elemente vom negativen oder positiven Leitfähigkeitstyp sein. Wenn beispielsweise ein Transistoj durch eine geeignete, dauernd angelegte Vorspannung (V_D^> Vq — V_T) in den niederohmigen Ein-Zustand gesteuert und in Reihe mit einem invertierenden Transistor geschaltet ist, dann erscheint am gemeinsamen Verbindungspunkt beider Transistoren die Spannung V₀ oder eine leicht negative Spannung

ίο V_M, was davon abhängt, ob der genannte invertierende Transistor gesperrt (V₀ > F₇-) oder leitend (V₀ < F₇-) ist. Wenn in diesem letzten Fall V_M> V₇ ist, kann ein anderer MOS-Transistor ohne jede Schwierigkeit gesteuert werden; im folgenden wird

as zur Vereinfachung angenommen, daß V_M — 0 ist.

In den verschiedenen Figuren der Zeichnungen tragen die MOS-Transistoren die Bezeichnung »ß«, wenn sie aktive Elemente sind, und die Bezeichnung »R«, wenn sie als Laslwiderstände benutzt werden.

Es ist klar, daß die Verwendung der MOS-Transistoren als Lastwiderstände nur einen Sinn bei integrierter Bauweise hat, wo sich Vorteile vom Gesichtspunkt der Herstellung ergeben. Selbstverständlich kann jeder MOS-Transistor, der das Bezugszeichen

»2?« trägt und der somit als Widerstand verwendet

wird, durch einen üblichen Widerstand mit gleichem

Wert ersetzt werden. -,

Die an die Schaltungen gemäß den Fig. 1, 4a,

4 b, 5 angelegten Spannungen sind in der folgenden

Tabelle wiedergegeben: '

Symbol

Vj

Wert
(Spannung)

Erläuterung

— 4" Durchbruchsspannung des MOS-Transistors

— 20 hoher Wert der den Transistoren zugeführten Spannungen und der logischen Signale (EN, H, H, DI, DO usw.)

V_M 2^0 niedriger Wert der den Transistoren zugeführten Span

nungen und der logischen Signale

— 28 Vorspannung an der Steuerelektrode des als Widerstand

betriebenen MOS-Transistors (R2, R3, R4, Fig. 5,
und R11, Fig. 1)

2ü|l,5| Potentialdifferenz zwischen den Adern H'k (H"k) und

Vj(Vj)

E_d,E_s Q>E_S>—10 an die horizontalen und vertikalen Matrixleitungen angelegte Spannungen

Bemerkung: »<« bedeutet hier »negativer als«.

F i g. 1 zeigt diejenigen Schaltungen, die einem Kreuzpunkt zugeordnet sind; dieser Kreuzpunkt wird durch die Schnittpunkte der horizontalen Matrixleitungen H'k, H"k und der vertikalen Matrixleitungen Vj und V"j gebildet; an die horizontalen Matrixleitungcn H'k, H"k wird das Potential E_d angelegt, während den vertikalen Matrixleitungen Vj und V"j das Potential E₅ zugeführt wird (s. Tabelle). Jedes dieser Matrixleitungspaare H'k, Vj und H"k, V"j ermöglicht die Übertragung von Informationen in einer Richtung, wie in der französischen Patentschrift 1 555 813 geschildert worden ist.

Die Schaltungen in F i g. 1 enthalten:

1. Die Koppelpunktanordnung Xjk mit den MOS-Ph-Transistoren Q' und Q", die für die Verbindung der Matrixleitungspaare vorgesehen sind, und mit dem Steuertransistor Q1, der vom selben Typ ist;

1/2. die Halte-Flipflop-Schaltung Wjk, die an ihrem Jj . Ausgang 1 ein großes Signal oder ein kleines Si Signal abhängig davon abgibt, ob sie sich im •| Zustand 1 oder im Zustand 0 befindet; der Aus- χ Ii gang dieser Flipflop-Schaltung ist über die Ader j ^l' wjk mit dem Transistor Q1 verbunden; ;'

3. den Inverter (Umkehrstufe) N 2 mit den Transistoren β 11 und RW, welcher über die Ader e zur Steuerung des Transistors Ql ein kleines oder großes Signal abgibt;

4. den Transistor QO, dessen Rolle im folgenden erläutert wird.

Alle diese Schaltungen sind so ausgeführt, daß sie in einer monolithischen integrierten Schaltung (auf

als
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sie
(auf

einem einzigen Chip) mit einem gemeinsamen, Erdpotential führenden Substratanschluß angeordnet werden können.

In der Koppelpunktanordnung Xjk haben die Transistoren Q und Q" verhältnismäßig große Dimensionen, um einen niedrigen Widerstand R_DS im niederohmigen Ein-Zustand zu gewinnen, so daß die Kapazität C_g! zwischen der Steuerelektrode und dem Substratanschluß einen ziemlich hohen Wert hat. Daraus ergibt sich, daß bei der Sperrung des Steuertransistors Ql während einer gewissen Zeitspanne die Kapazität C_gt die Steuerspannung aufrechterhält, welche an die Transistoren Q' und Q" vor der Blokkierung angelegt war. Bekanntlich ist die Kollektor-Emitter-Strecke eines MOS-Transistors äquivalent mit zwei Dioden, die in Reihe und gegeneinander geschaltet und beide gesperrt sind, wobei der gemeinsame Verbindungspunkt dieser beiden Dioden durch den Substratanschluß gebildet wird. Der Transistor Q1 hat jedoch kleine Kristallabmessungen (mit einem verhältnismäßig hohen Kollektor-Emitter-Widerstand), so daß der Sperrstrom der Kollektor-Substrat-Diode sehr klein ist und sich die Kapazität C_gt praktisch nicht während der Sperrung des Transistors Q1 entlädt, wenn er vorher auf ein Potential U aufgeladen worden ist.

Es wird nun die Funktionsweise der Koppelpunktanordnung Xjk in Abhängigkeit vom Zustand des Transistors Q1 beschrieben. Wenn die Ader e Erdpotential führt, wird der Transistor Ql, dessen Kollektor und dessen Emitter gleiches oder etwas negativeres Potential (O und U) als die Steuerelektrode führen, gesperrt; die .Steuerelektrodenspannung der Transistoren Q' und Q" wird in diesem Fall durch die in der Kapazität C_s, gespeicherte Ladung aufrechterhalten.

Wenn die Ader e das Potential U führt, können zwei Fälle unterschieden werden, wobei als Ausgangselektroden der Kollektor und der Emitter des Transistor Q1 gelten:

1. Die Ausgangselektroden haben dasselbe Potential, wobei diese Potentiale durch die Ladung der Kapazität C_Rt und durch den Zustand der Flipflop-Schaltung Wjk festgehalten werden: Es fließt daher kein Strom im Transistor Ql, ganz gleich, ob dieser leitend oder gesperrt ist;

2. die Ausgangselektroden haben unterschiedliche Potentiale, O und U: Der Transistor Ql ist dann leitend, es fließt kein Kollektorstrom, und die geerdete Elektrode arbeitet als Kollektor. Die Kapazität C₁, wird dann auf eine Spannung aufgeladen, die an der Ader wjk liegt. VVenn die Flipflop-Schaltung Wjk sich im Zustand 1 befindet, sind die Transistoren Q' und Q" leitend, und die Information wird über die Matrixleitungen Vj, H'k und V"j, H"k übertragen. Wenn die Flipflop-Schaltung Wjk sich im Zustand 0 befindet, werden diese Transistoren gesperrt, und die Verbindung zwischen den Matrixleitungspaaren wird aufgetrennt.

Die Koppelpunktanordnung Xjk ist in F i g. 2 symbolisch dargestellt. In dieser Figur sind die Matrixleitungen Vj, V"j (H'k, H"k) durch eine einzelne Leitung Vj (Hk) dargestellt, während die Adern e und wjk die gleichen geblieben sind. ' F i g. 3 stellt eine Koppelmatrix dar, welche beispielsweise 16 Koppelpunktanordnungen ZIl, X21 .. . X 41, X12, X 22 . .. aufweist. Die Halte-Flipflop-Schaltungen (beispielsweise Wjk, Fi g. 2) dieser Koppclpunktanordnungen sind in einem Schieberegister R W zusammengefaßt, welches in vier Abschnitte RHI, RHI, RH3, RH4 aufgeteilt sein kann; diese Abschnitte sind den Horizontalen Hl, Hl, H3, HA individuell zugeordnet. Dieses Register RW ist ein statisches Schieberegister in MOS-Technik, welches

ίο Weiterschaltsignale H und Ή empfängt, und an das Informationssignale über den Anschluß Dl angelegt werden.

Die in der Fig. 4a dargestellten SignaleH werden von einer Taktschaltung geliefert; ein Inverter Nl liefert die komplementären Signale Ή (Fig. 4 b).

Im Normalbetrieb ist der Eingang EN der Koppelmatrix geerdet, so daß der MOS-Transistor QO gesperrt ist und das Register RW keine Weiterschaltsignale empfängt. Dieses Signal EN wird durch die Schaltung N1 invertiert, so daß die Ädere, die für alle Koppelpunktanordnungen gemeinsam vorgesehen ist, das Potential U führt und alle Transistoren Q1 leitend sind, wobei die Steuerelektroden der Transistoren Q! und Q" auf das Potential des Ausgangs 1 der entsprechenden Halte-Flipflop-Schaltung gebracht werden. In jedem Abschnitt RHI bis RH4 kann eine Stufe im Zustand 1 (Flipflop-Schaltung Wjk in Fig. 1) sein, wodurch das Halten der entsprechenden Koppelpunktanordnung im geschlossenen Zustand gewährleistet ist. Alle anderen Koppelpunktanordnungen sind offen.

Wenn eine Änderung des Zustands einer Koppelpunktanordnung veranlaßt werden soll, so wird der Eingang EN der Koppelmatrix auf das Potential U gebracht, so daß der Transistor QO leitend ist und alle Transistoren Q1 der Koppelmatrix gesperrt sind. Wie vorher schon erwähnt, hält die Kapazität C„_t (Fig. 1) die Steuerelektroden der Transistoren Q' und Q" auf einem Potential, welches vor ihrem Sperren angelegt worden ist. Der Zustand der Koppelpunktanordnungen wird dann aufrechterhalten, und das Register RW empfängt die Weiterschaltsignale H und Ή. Die Stellung des Registers RW wird dann über den Ausgang DO zum Markierer übertragen.

Wenn die Datenverarbeitung in dieser Schaltung abgeschlossen ist, werden die neuen Daten dem Register RW über den Eingang DI zugeführt; der Eingang ETv* wird dann wieder geerdet. Hieraus folgt, daß der Eingang EN auf das Potential U während der Dauer der Änderung gebracht wird.

F i g. 5 gibt ein ausführliches Ausführungsbeispiel für eine Stufe RH des Registers RW an, welches aus MOS-Ph-Transistoren aufgebaut ist. Diese Stufe weist die Inverter Q2-i?2, Q3-R3, Q 4-2? 4 und Transistoren Q 5 (gesteuert durch die Signale H), Q 6 und Ql (gesteuert durch die Signale77) auf. Diese Stufe weist ferner einen Eingang DV und einen Ausgang DO' auf. Der logische Zustand 1 (0) einer solchen Stufe ist dadurch gekennzeichnet, daß am Ausgang DO' ein Potential U (O) auftritt. Die Steuerelektroden-Substrat-Kapazitäten Cl und C3 der Transistoren Q 2 und Q 3 sind symbolisch durch die Kondensatoren Cl und C 3 dargestellt. Es sei zunächst angenommen, daß der Kondensator Cl entladen ist und daß die Steuerelektrode des Transistors Q 2 geerdet ist.

Wenn die vorhergehende Stufe RH (p—l) sich im Zustand 1 befindet, erscheint ein Signal H, wodurch

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der Transistor β 5 in den leitenden Zustand gerät Damit wird eine Spannung U an die Steuerelektrode des Transistors Ql gelegt, der somit leitend wird. Dadurch wird ein Punkt A praktisch geerdet, so daß der Transistor Q 3 gesperrt wird. Ein Punkt B am Transistor β 3 führt somit das Potential U. Am Ende des Signals H halten die Steuerelektroden-Substrat-Kapazitäten Cl und C3 der Transistoren Ql und Q 3 die Spannungen an den Steuerelektroden bis zum Auftreten des Signals Ή aufrecht, welches den Transistor Q 6 durchsteuert. Das Potential U des Punktes B wird somit zur Steuerelektrode des Transistors Q 2 übertragen, wodurch eine Verriegelung der Stufe in demjenigen Zustand veranlaßt wird, in dem die Stufe mit dem Signal H gesteuert worden war. Dieses Signal Ή steuert ebenfalls den Transistor β 7 in den leitenden Zustand, so daß das Potential des Punktes A (Erdpotential) zur Steuerelektrode des Transistors β 4 gelangt. Dadurch wird der Transistor Q 4 gesperrt, so daß während des Auftretens des Signals Ή der Ausgang DO' und die Ader wjk (s. Fig. 1) das Potential U führen: Der Zustand 1 der Stufe RH (p—l) ist somit auf den Ausgang der Stufe RH während eines Schrittes des Taktgebers übertragen. Selbstverständlich wird dann der Zustand 0 der Stufe RH (p— 1) in ähnlicher Weise auf die Stufe RH übertragen, wenn der Kondensator Cl auf das Potential U aufgeladen ist.

Zusammenfassend kann folgendes gesagt werden: Je Registerabschnitt (Zeile) darf höchstens eine Registerstufe im Arbeitszustand (1) sein. Daher muß bei einer Belegung einer noch freien ZeDe zunächst geprüft werden, welche Spalte noch frei ist (sofern die Koppelmatrix als Freiwähler arbeitet). Daher wird der gesamte Registerinhalt in eine Datenverarbdtungseinrichtung (Markierer) ausgespeichert, verarbeitet und die neue Information wieder in das Schieberegister eingespeichert. Diese Aus- und Einspeicherung erfolgt Bit für Bit durch Weiterschieben der Information im Register. Die einzelnen Stufen sind

ίο dabei bezüglich ihrer Informationseingänge und -ausgänge (DI', DO') in Reihe geschalter und bezüglich der Takteingänge (H) parallel geschaltet. Damit während einer derartigen Aus- und Einspeicherung des Registerinhalts die Zustände der Koppelpunkttransistoren Q nicht verändert werden, denn die Registerstufen können bei dieser Aus- und Einspeicherung die beiden logischen Zustände 1 und 0 abwechselnd einnehmen, werden die Koppelpunkttransistoren Q mittels der Transistoren ßl vom Register getrennt,

ao wobei der ursprüngliche Schaltzustand der Koppelpunkttransistoren durch ihre Kapazitäten C_gl aufrechterhalten bleibt. Die Sperrung der Transistoren Q1 und damit das Signal U am Eingang EN bleiben so lange bestehen, bis eine der Anzahl der Register-

«5 stufen entsprechende Anzahl von Taktimpulsen H zum Register gelangt ist. Erst dann nämlich sind die unveränderten Informationen im Register wieder auf ihren alten Plätzen, so daß die entsprechenden Koppelpunkttransistoren ihren Zustand auch nach dem Wiederleitendsteuern der Transistoren ßl beibehalten.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

1. ■'f ^ ' ' ■ "■ ■■· '"■■ ^v

   1 2

   Der Widerstand der die Schaltstrecke bildenden KoI-] Patentansprüche: Iektor(drain)-Emitter(source)-Strecke eines MOS-

   j| Transistors wird ohne Strom nur durch die Steuer-

   ,A 1. Schaltungsanordnung für einen elektroni- spannung gesteuert, wobei eine ausgezeichnete Tren-

   '! sehen Koppelpunkt aus MOS-Feldeffekt-Tran- 5 nung der Steuerschaltung von der gesteuerten Schal-

   , _{;| sistoren, die von ihnen zugeordneten Flipflop- tung erreicht wird. Nebenbei bemerkt, ist der Wider-

   ^ Schaltungen gesteuert werden, für Fernmelde-, stand der Kollektor-Emitter-Strecke bei einem Tran-

   ~| insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen, da- sistor dieses Typs in seinem gesperrten Zustand grö-

   '\ durch gekennzeichnet, daß jeder Kop- ßer als 10⁷Ohm, während er im durchgeschalteten

   .1 pelpunkttransistor (Q) große Kristallabmessungen 10 Zustand zwischen 10 und 300 Ohm beträgt. Dadurch

   1^ und eine dementsprechend große Steuerelektro- wird eine geeignete Arbeitsweise erzielt, wobei aller-

   den-Substrat-Kapazität (C_gi) aufweist, daß seine dings einige Vorsichtsmaßnahmen ergriffen werden Steuerelektrode mit einer der Elektroden der ge- müssen. Ein weiterer Vorteil eines Koppelfeldes mit steuerten Strecke eines ihm individuell zugeord- Koppelpunkten aus MOS-Transistoren besteht darin, neten, kleine Kristallabmessungen aufweisenden 15 daß die Auswahl- und Steuerschaltungen ebenfalls und normalerweise leitend gesteuerten MOS- mit MOS-Transistoren aufgebaut werden können, Transistors (Ql) verbunden ist, daß die andere was die aktiven Elemente und die Widerstände be-Elektrode der gesteuerten Strecke dieses MOS- trifft. Daraus ergibt sich, daß Koppelmatrizen mit Transistors (Q 1) über eine Steuerader (w) an den einer Größe von 4 · 2, 4 · 4, 4 · 8 usw. Koppelpunk-1-Ausgang der zugeordneten Flipflop-Schaltung so ten in der Form monolithischer integrierter Schal- (W) angeschlossen ist und daß der. MOS-Tran- tungen aufgebaut werden können, die bekanntlich sistor (Q 1) für eine solche Dauer sperrbar ist, einige Hundert MOS-Transistoren aufweisen können, daß in ihr die Aufrechterhaltung des vor der Im französischen Patent 1555 813 (entspricht

   Sperrung angetroffenen Schaltzustandes des züge- deutscher Nachanmeldung P 18 13 580.3) ist eine ordneten Koppelpunkttransistors durch die La- 35 Schaltungsanordnung für ein elektronisches Koppeldung der Steuerelektroden-Substrat-Kapazität feld mit Koppelpunkten aus MOS-Feldeffekt-Trandieses Koppelpunkttransistors gewährleistet ist. sistoren beschrieben, die von ihnen zugeordneten
2. 2. Schaltungsanordnung für eine elektronische Flipflop-Schaltungen derart gesteuert werden, daß Koppelmatrix nach Anspruch 1, dadurch gekenn- bei Rückstellung einer Flipflop-Schaltung an einem zeichnet, daß die Steuerelektroden aller zwischen 30 ihrer Eingänge in den Ruhezustand mittels eines Koppelpunkttransistoren und Flipflop-Schaltun- Durchschaltesignals der entsprechende Transistor zügen angeordneter MOS-Transistoren (Q 1) an eine nächst sperrbar ist und dann bei Ansteuerung eines gemeinsame Steuerader (e) angeschlossen sind, anderen Eingangs der Flipflop-Schaltung über eine daß' die Flipfiop-Schaltungen (Wjk) ein Schiebe- Verknüpfungsschaltung der Transistor durchschaltregister (RW) bilden, welches bei einer Koppel- 35 bar ist, wobei diese Verknüpfungsschaltung das die punktneueinstellung seine gespeicherte Informa- Durchschaltung bewirkende Signal abhängig vom

   J tion einem Markierer übergibt und nach Verän- gleichzeitigen Empfang eines den Freizustand der zu

   , J derung dieser Information im Markierer die ge- belegenden Verbindungsleitung kennzeichnenden Si-

   ' ' '* änderte Information wieder speichert, und daß gnals, eines Auswahlsignals und des verzögerten

   ·* die genannten MOS-Transistoren (Q 1) für die 40 Durchschaltesignals abgibt.

   Dauer der Informationsausspeicherung, -verarbei- Im französischen Zusatzpatent 94 440 zu dem ge-

   tung und -einspeicherung mittels eines entspre- nannten französischen Patent ist eine Koppelmatrix

   chenden Potentials auf der gemeinsamen Steuer- mit m vertikalen und η horizontalen Matrixleitungen

   „ ^; ader (e) gesperrt werden. gezeigt. An jeden Kreuzpunkt einer vertikalen Ma-
3. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 45 trixleitung / und einer horizontalen Matrixleitung k oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die durch- ist eine Koppelpunktanordnung Xjk aus MOS-Tranzuschaltende Verbindungsleitung mehr als eine sistoren angeordnet, die Schaltelemente (Koppel-Ader aufweist, daß jeder Ader ein Koppelpunkt- punkttransistoren) zur Herstellung einer Verbindung transistor mit großen Kristallabmessungen züge- zwischen einer Vertikalen und einer Horizontalen ordnet ist und daß jeweils die Steuerelektroden 50 und eine Flipflop-Schaltung aufweist, welche diese aller je Koppelpunkt vorgesehener Koppelpunkt- Schaltelemente im geschlossenen oder offenen Zutransistoren mit der betreffenden Elektrode eines stand hält. Für die Auswahl der Koppelpunkte köneinzelnen MOS-Transistors (Q 1) verbunden sind. nen zwei Schieberegister vorgesehen sein, von denen

   das eine m Stufen aufweist und an die vertikalen Ma-