DE2061428A1 - Lagerung für einen Dreischicht-Schalt kreis - Google Patents
Lagerung für einen Dreischicht-Schalt kreisInfo
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Description
Patentanwälte Dr, Ing. H. Negendank
Dipl. fng. H. Hauck Dipl. Phys. W. Schmitt
8 fviündien IS7 Mosartiir»23
Tel. 5330530
Centre National d'Etudes
Spatiales
Spatiales
12 9, rue de 1'Universite
75- - Par i s / Frankreich 7. Dezember 197o
Anwaltsakte M-I381
Lagerung für einen Dreischicht-Schaltkreis
Die Erfindung betrifft eine Lagerung für einen Dreischicht-Schaltkreis
oder dergleichen mit mindestens einer Diode oder einem anderen Halbleiter- bzw. Elektronikelement, deren bzw. dessen eine
Elektrode mit einem ersten Punkt unter Zwischenschaltung einer Kapazität und mit einem zweiten Punkt unmittelbar verbunden ist.
Es kann sich dabei beispielsweise um einen Schaltkreis handeln,
der P.1.N.-Dioden aufweist. Diese Dioden sind in einem sogenannten
Dreischicht-Schaltkreis eingebaut, der deshalb so genannt wird, weil zwischen zwei Schichten (Platten) aus isolierendem Werkstoff,
von denen die eine aus Glas und die andere aus Teflon bestehen
die
kann und/auf ihrer einen Seite zur Bildung der Masse metallisiert sind, eine dritte Schicht (der metallische Schaltkreis eingesetzt ist·
kann und/auf ihrer einen Seite zur Bildung der Masse metallisiert sind, eine dritte Schicht (der metallische Schaltkreis eingesetzt ist·
Die herkömmliche Lagerung solcher Schaltkreise besitzt im allgemeinen zwei Nachteile: Zum einen erfordert das Auswechseln der
Dioden im Falle eines Versagens einen großen Aufwand und entsprechend
viel Zeity andererseits erfordert die getrennte Polung
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J der verschiedenen Dioden Isolierungsmittel, um die Polungsspannung
zuführen zu können.
Durch die Erfindung soll eine Lagerung der eingangs angegebenen Art geschaffen werden, bei der diese Nachteile vermieden werden.
Dies wird durch die im Anspruch 1 angegebenen Merkmale erreicht.
j Die erfindungsgemäße Lagerung hat den Vorteil, daß die Leitung
zu zum Zuführen der Polungsspannung nicht isoliert/werden braucht.
Wenn ferner ein Paßstück von runder oder anderer geeigneter Form, das in eine entsprechende Öffnung in einer der Platten paßt,
verwendet wird, läßt sich die Diode ohne Schwierigkeiten auswechseln.
Anhand der Zeichnung wird eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 die Einzelteile einer erfindungsgemäßen Lagerung mit
einer P.I.N.-Diode,
Fig. 2 das zugehörige elektrische Schaltdiagramm.
Die in Fig. 1 gezeigte Lagerung eines Dreischicht-Schaltkreises weist folgende Einzelteile auf: J
Schrauben 1 (deren Anzahl vier beträgt, von denen jedoch nur eine dargestellt ist);
eine Platte 2 aus Aluminiumguß, die vier Bohrungen zur Aufnahme
der Schrauben 1 aufweist;
eine Folie 3 aus isolierendem Werkstoff (beispielsweise "Mylar"),
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die in ihrer Mitte mit einer rechteckigen öffnung versehen und auf
ihrer Unterseite metallisiert ist, abgesehen von nicht metallisierten Bereichen in der Umgebung von Öffnungen, die den -öff-1
nungen der Platte 2 entsprechen; ■
j eine Platte 12 aus Teflon, die auf ihrer Oberseite mit einer Metall-
i schicht und auf ihrer Unterseite mit einem gedruckten Schaltkreis
12a versehen ist, auf der Oberseite sind ferner nicht metalj
lisierte Bereiche vorgesehen, die die Durchtrittsöffnungen der ;Schrauben 1 umgeben;
\ eine Umschaltdiode H, beispielsweise eineP.I.N.-Diode mit rechtj
eckigem Gehäuse;
! Zentrierstifte 5 (von denenAediglich einer dargestellt ist), die
'zur Fixierung der Diode in entsprechend ausgebildete öffnungen
I(nicht gezeigt) greifen;
:ein rundes Paßstück 6 aus Teflon, das in der Mitte mit einer
\ rechteckigen Öffnung zur Aufnahme der Diode 4 versehen ist (die
rechteckigen öffnungen der Bauteile 3, 12, 7 dienen ebenfalls
:zur Aufnahme der Diode 4);
j eine Platte 13 aus Teflon, die auf ihrer Unterseite metallisiert
j ist, abgesehen von nicht metallisierten Bereichen, die die Durchj
■' trittsöffnungen der Schrauben 1 umgeben;
j eine Folie 7 aus isolierendem Werkstoff ("Mylar"), die in der
:Mitte mit einer rechteckigen öffnung versehen und auf ihrer Oberseite
metallisiert ist, abgesehen von rechteckigen nicht metallisierten Bereichen, die die Durchtrittsöffnungen der Schrauben
1 umgeben;
eine Metallfolie 8 beispielsweise aus Bronze-Beryllium;
einen Niet 9;
eine Feder Io in Form eines Streifens, der an seinen Enden umge-
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bogen und mit einem seitlichen Schlitz sowie einer axialen Öffnung
versehen ist;
ein aus Aluminiumguß bestehendes Federgehäuse 11, das eine Vertiefung
zur Aufnahme der Feder Io, auf einer Seite eine Rille zum Durchführen einer Leitung, vier Gewindebohrungen zur Aufnahme
der Schrauben und eine mittlere Bohrung zur Aufnahme des Niets 9 aufweist.
In Fig. 2 ist das Schaltdiagramm einer P.I.N.-Diode dargestellt.
Die Diode 2o ist auf ihrer einen Seite mit einer Leitung 21 und auf ihrer anderen Seite mit einer Polungsquelle 2 2 sowie über
einen Kondensator 2 3 mit der Masse verbunden.
Der Dreischicht-Schaltkreis (Fig. 1) weist zwei Masseflächen auf, und zwar die metallisierte Oberseite der Platte 12 und die metallisierte
Unterseite der Platte 13. Diese Masseflächen sind an den Enden der Platten 12, 13 (in nicht dargestellter Weise) miteinander
verbunden. An diesen Masseflächen ist der Kondensator 2 3 angeschlossen, der im vorliegenden Fall von zwei einzelnen
Kondensatoren gebildet wird, und zwar von dem Kondensator, der aus den Bauteilen 2, 3, 12 besteht und bei dem die Folie 3 als
Dielektrikum dient, und dem Kondensator, der aus den Bauteilen 13, 7, 8 besteht und bei dem die Folie 7 als Dielektrikum dient.
Der zweite Belag des Kondensators 23, und zwar derjenige, der nicht an Masse anliegt, sondern mit der Polung verbunden ist,
wird von den Platten 2 und 8 gebildet, von denen die letztere mit dem Gehäuse 11 elektrisch verbunden ist. Die Platten 2 und 8
sind durch die Schrauben 1 mechanisch und elektrisch miteinander
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!verbunden, wobei natürlich die beiden Masseflächen von nicht metalj
■
lisierten Bereichen umgeben sind, damit keinerlei Berührung zwischen
j ihnen vorhanden ist. Hierbei ist es unnötig, die Zuführungsleitung
der Polung gegenüber den Bauteilen 2, 11 zu isolieren.
Ferner ist die Aus gangs leitung der Diode M- unmittelbar an dem
j aufgedruckten Schaltkreis angeschlossen.
Auf dem Dreischicht-Schaltkreis5 bestehend aus einer Teflon-Platte
13, deren Unterseite metallisiert ist und einer Teflonplatte 12, deren Oberseite metallisiert ist und die auf ihrer Unterseite den
aufgedruckten Schaltkreis trägt, ist eine ganze Reihe von gleichen
Dioden (nicht gezeigt) angebracht, die mit dem gleichen aufgedruckten Schaltkreis verbunden sind.
Mit diesem prinzipiellen Aufbau lassen sich beispielsweise Phasen-;
schieber, Stromwender, Begrenzer und dgl. unter Verwendung von ;
P.I.N,-Dioden herstellen. i
Die Vorteile der erfindungsgemäßen Lagerung sind nun offensichtlich.
Wenn beispielsweise eine Diode ausfällt, muß nicht der gesamte Dreischicht-'Schaltkreis ersetzt werden; es genügt, die
Schrauben 1 der betreffenden Diode zu lösen, die Bauteile 11, Io,
9, 8, 7 abzunehmen und zum Paßstück 6 vorzustoßen, dessen Durchmesser
größer als die große Seite der rechteckigen öffnung der Platte 7 ist. Wenn die Platte 7, die das Paßstück trägt, herausgenommen
1st, kann man das Paßstück 6 seinerseits herausnehmen und die Sschadhafte Diode entfernen. Hierdurch werden die Zeit
und die Kosten, die zur Wartung und Reparatur der elektrischen
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j Schaltkreise erforderlich sind, beträchtlich verringert. Dessen —
jungeachtet stellt das Paßstück 6 die Kontinuität des Dielektrikums
j her.
I Da die Diode andererseits über das Gehäuse 11 und das oben beschriebene
kapazitive System gepolt wird, können die verschiedenen i Dioden des gleichen elektrischen Schaltkreises unabhängig voneinander
gesteuert werden.
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Claims (3)
- Patentansprücheι -1,)Lagerung für einen Dreischicht-Schaltkreis oder dergleichen, mit mindestens einer Diode oder einem anderen Halbleiterbzw. Elektronik-Element, deren bzw. dessen eine Elektrode mit einem ersten Punkt unter Zwischenschaltung einer Kapazität und mit einem zweiten Punkt unmittelbar verbunden ist, gekenn-; zeichnet durch mindestens zwei Schichten in Form von Platten (12, 13), Scheiben, Folien oder dgl. aus isolierendem Werkstoff, von denen zumindest die eine den Schaltkreis (12a) und die Diode (4) trägt und die beide jeweils eine mit dem ersten Punkt verbundene metallisierte oder metallische Fläche aufweisen, wobei diese Metallflächen jeweils den einen Belag (bei 12, 13) zweier die Kapazität darstellenden Kondensatoren (2, 3, 12; 7, 8, 13) bilden, deren Dielektrikum jaweils aus einer an der Metallfläche anliegenden isolierenden Folie (3; 7), Platte oder dig. besteht und derer, anderer, ebenfalls an der isolierenden Folie anliegende Belag (bei 2, 8) mit dem zweiten Punkt (11) verbunden ist.10983 0/1710
- 2. Lagerung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallflächen (bei 12, 13) sowie jeder der Kondensatoren (2, 3, 12; 7, 8, 13) bezüglich dem aus den beiden Platten (12, 13) bestehenden Gebilde nach außen gerichtet sind, und daß die beiden äußeren Beläge (bei 2, B) der Kondensatoren durch Schrauben (I)3 Stifte oder andere Verbindungselemente miteinander verbunden sind, die sich durch Öffnungen in den Platten, Folien und gegebenenfalls vorgesehenen Zwischenteilen erstrecken und die mechanische Halterung der Anordnung sicherstellen, wobei die Schrauben von den Platten, Folien und Zwischenteilen isoliert sind, vorzugsweise durch nicht-metallische Bereiche, die die Öffnungen in den Platten, Folien und Zwischenteilen umgeben.
- 3. Lagerung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eineder Platten CL3) eine Öffnung aufweist, die etwas größer als die Diode (H) ist und in der sich ein entsprechend geformtes Paßstück (6) befindet, das mit einer inneren Aussparung zur Aufnahme der Diode versehen ist.H. Lagerung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß einer der Beläge der Kondensatoren und/oder ein Gehäuse (11) mit einer inneren Ausnehmung versehen ist, in der ein elastisches Bauteil (lo), vorzugsweise in Form einer · Blattfeder mit umgebogenen Enden, angeordnet ist.1 09830/ 17 10
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