DE2061420A1 - Verfahren zur Messung der Ladungs trager Konzentration in einem Halbleiter material - Google Patents
Verfahren zur Messung der Ladungs trager Konzentration in einem Halbleiter materialInfo
- Publication number
- DE2061420A1 DE2061420A1 DE19702061420 DE2061420A DE2061420A1 DE 2061420 A1 DE2061420 A1 DE 2061420A1 DE 19702061420 DE19702061420 DE 19702061420 DE 2061420 A DE2061420 A DE 2061420A DE 2061420 A1 DE2061420 A1 DE 2061420A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- light
- angle
- carrier concentration
- reflectivity
- incidence
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2637—Circuits therefor for testing other individual devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N2021/8461—Investigating impurities in semiconductor, e.g. Silicon
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
13. Dezember 1970 Dr.Schie/E
Docket FI 969 04-5
U.S.Serial Ho.885
Anmelderin: International Business Machines Corporation,
Armonk, New York 10504 (V. St. A.)
Vertreter: Patentanwalt Dr.-Ing. Rudolf Schiering, 703 Böblingen/Württ., Westerwaldweg 4·
Verfahren zur Messung der Ladungsträger-Konzentration in
einem Halbleitermaterial
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur zerstörungsfreien
und kontaktlosen Messung der Trägerkonzentration eines Halbleiterkörpers ο Unter Trägerkonzentration ist hierbei die
Konzentration an elektrischen Ladungsträgern in dem Material zu verstehen. Die Trägerkonzentration bestimmt bekanntlich
die Eigenschaften eines Halbleiters.
Sie wird bisher gemessen durch eine Anzahl von Methoden, f
die aber einen elektrischen Kontakt zum Halbleiter erfordern. Zu diesen bekannten Methoden gehört die Anwendung
des Hall-Effektes, die Methode der Vierpunkt-Sonde,die
Widerstand-Ausbreitungstechnik.
Der Hall-Effekt gilt bisher als ein besonders wichtiges
Hilfsmittel, um sowohl die Polarität der Leitfähigkeitsträger
als auch ihre Dichte zu messen. Ein quaderförmiges Stück des zu untersuchenden Materials wird zu diesem Zweck
an seinen Stirnseiten möglichst großflächig kontaktiert. Diese Kontakte dienen als Stromzuführun^en. Auf zwei anderen
Flächen werden einander genau gegenüberliegend zwei
— 2 —
109826/1098
206U2.Ö .
kleine Potentialkontakte angebracht. Diese Anordnung wird so zwischen die Pole eines Magneten gebracht, daß das Magnetfeld
senkrecht zum dritten nicht kontaktierten Flächenpaar steht. Die Träger des Stromes werden in dem Magnetfeld,
das senkrecht zur elektrischen Feldrichtung steht, gemäß der Lorenz-Kraft solange nach der Seite abgedrängt,
bis die durch die oberflächliche Ladungsansammlung entstehen
de Feldstärke die Ablenkung kompensiert (vgl. u. a. Karl Seiler "Physik und Technik der Halbleiter" 1964, S. 17,
Abb. 2.14).
Bei einer bekannten kontaktlosen Methode zur Bestimmung der Trägerkonzentration, die unter dem Namen "Plasma-Hesonanz-Metliode"
bekannt ist, wird infrarotes Licht auf die Oberfläche des Halbleitermaterial gerichtet. Der Einfallswinkel
wird konstant gehalten und die Wellenlänge des Lichtes wird variiert.
Diese Methode hat gewisse Nachteile. Ein grundlegender Nachteil besteht darin, daß man ein sehr kostspieliges Spektral-Photometer
für einen weiten Bereich infraroter Wellenlängen braucht und daß zweitens der wirksame Bereich der Trägerkonzentrationsmessung
auf Konzentrati ger pro cmr und darüber begrenzt ist.
g konzentrationsmessung auf Konzentrationen von 5 x 10 Trä-
Die Beziehung der optischen Konstanten eines Halbleiters zu seiner Trägerkonzentration behandeln Schumann und Phillips
in ihrer Veröffentlichung "Comparison of Classical Approximations
To Free Carrier Absorption in Semiconductors", veröffentlicht in der Druckschrift 10 Solid State Electronics
Nr. 9 (September 1967), Seiten 94-3-48.
Bei der Erfindung wird die Träger-ivonzentration eines Halbleitermaterials
mit Hilfe monochromatischen Lichtes gemessen, das auf das Halbleitermaterial gerichtet wird. Das
109826/1098
2Ü6H20
Licht wird mit seinem elektrischen Vektor in der Einfallsebene
polarisiert. Der Einfallswinkel wird variiert "bis ein Minimum an Seflexionsfähigkeit auftritt. Der Winkel,
"bei dem dieses Minimum erscheint, den man auch als den Pseudo-Brewster-Y/inkel
θ-g bezeichnet, steht in Beziehung zur
Trägerkonzentration. Die Träf^erkonzentration kann dabei
durch Vergleich mit einer Reihe von Standards, bzw. Mustern, oder durch Berechnung bestimmt werden.
Für den aus der Optik bekannten Brewsterschen ;/inkel gilt
bekanntlich folgendes: Erzeugt man z. B. linear polarisiertes Licht durch Reflexion natürlichen Lichtes an einer
Glasplatte, wobei das unter dem lolarisationswinkel oder
dem Brewsterschen '//inkel (Brewstersches Gesetz) reflektierte
Licht linear polarisiert wird, so fällt hierbei die Polarisationsebene mit der Einfallsebene zusammen.
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, eine zerstörungsfreie, kontaktlose Technik zur Messung der
Trägerkonzentration eines Halbleiters zu schaffen.
Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht in der Erweiterung
des Bereiches der Ladungsträger-Konzentration, die man mit I
der optischen Methode noch messen kann.
anderes Ziel ist die Schaffung einer einfachen, nichtkosts.ieligen
Technik für das ICessen der Ladungsträger-Konzentration
eines Halbleiters.
Ein weiteres Ziel besteht darjii, daß diese iuessmethoOe
1· icht zu automatisieren ist.
Diese umi an· ι ere Ziele lassen sie'· τη j L der 'icthode nach der
Erf '■ nui.irn; verwirklichen, bei der nych einer veranschaulichten
iioöfiiw-un sform uio Vo!".v M-mn:-; "iiv-H1 /uel3e iiiono-
1098?fi/in98.
206Η2Π
chromatischen Lichtes, eines Polarisators, eines Beugungsmessers und einer Anzeigevorrichtung vorgesehen ist. Das
Licht wird auf das Material gerichtet, dessen 'Trägerkonzentration
gemessen werden soll. Das Licht ist mit seinem elektrischen Vektor in der Einfallsebene polarisiert.
Der Einfallswirkel wird mit Hilfe des Beugungsmessers variiert "bis ein Minimum in der Reflexionsfähigkeit auftritt.
Der Winkel, bei dem das Minimum erscheint und der als Pseudo-Brewster-Winkel bezeichnet wird, ist von der
Ladungsträger-Konzentration abhängig. Die Irägerkonzentration
läßt sich dann durch Vergleich mit einer Serie von Standards oder durch Rechnung ermitteln.
In manchen Fällen wird es zu zwei Werten der Ladungsträger-Konzentration
für den gleichen Winkel θπ kommen, weshalb
man zusätzliche Verfahrensschritte einsetzen muß, um zu bestimmen, welcher Wert von diesen beiden werten der korrekte
Wert ist.
Diese Zusatz-Verfahrensschritte enthalten entweder eine
Grobmessung des Betrages des reflektierten Lichts bei ΘΒ
oder die Messung der Winkel oberhalb und unterhalb θβ,
bei denen die Reflexionsfähigkeit ein Maß für die Größe oder irgendeinen passenden Wert darstellt, der größer ist
als der Wert der Reflexionsfähigkeit bei QR, oder durch
Messung der Reflexionsfähigkeit bei θ-η des senkrecht zur
Einfallsebene polarisierten Lichtes.
Die Erfindung sei nachstehend an Hand der Zeichnungen für eine besonders vorteilhafte Ausführun.-sform mit ihren
Eigenschaften und Vorteilen näher erläutert.
Fig. 1 ist eine schematische Darstellung der Technik zum
!'■essen der Träger-Konzentration nach der Erfindung.
1 098 ?fi/1Π98
2Ö6H2Ö
Fig. 2 ist eine graphische Darstellung der "berechneten
Reflexionsfähigkeit als Funktion von Qj für infrarotes
Licht und für zwei verschiedene Trager-Konzentrationen.
.Der elektrische Vektor des Lichtes ist in der Ebene des
Lichteinfalls polarisiert·
Fig. 3 ist eine graphische Darstellung für θβ in Abhängigkeit
von der Tragerkonzentration und zwar für polarisiertes Licht verschiedener Infrarot-Wellenlängen.
Fig. 4 ist eine graphische Darstellung der parallelen Heflexionsfähigkeit
bei Q^ in Abhängigkeit von der Tragerkonzentration
O
Fig. 5 ist eine graphische Darstellung der Winkelbreite
oder der Schärfe A far Werte der Reflexionsfähigkeit einer
Größenordnung des Betrages, welcher größer ist als der Wert der Reflexionsfähigkeit bei θπ, in Abhängigkeit von
der Träger-Konzentration.
Fig. 6 ist eine graphische Darstellung der Reflexionsfähigkeit bei θ-η in Abhängigkeit von der Konzentration, wobei der elektrische Vektor des einfallenden polarisierten
Lichtes rechtwinklig zur Einfallsebene steht. Die Fig. enthält zudem eine graphische Darstellung von G^, in Abhängigkeit
von der Trägerkonzentration.
Die Fiff. 1 zeigt schematisch die zur Messung der Ladungsträger-Konzentration
erfindungsgemäß benutzte Technik. Die zur Durchführung dieser Technik verwendete Apparatur enthält eine monochromatische Lichtquelle 11, insbesondere
einen Laser 11, einen Polarisator 12 und weitere Vorrichtungen, Insbesondere einen nicht besonders dargestellten
Beugungsmesser zur Variierung des Einfallswinkels Q. und
des Reflexionswinkels 9 an einer Probe, deren Ladungs-
109826^1098
träger-Konzentration zu messen int, so daß Θ. =0 »a.. Die
Anordnung nach Fig. 1 enthält ferner eine Anzeigevorrichtung
13 und im Bedarfsfalle ein nicht besonders dargestelltes
Aufzeichnungsgerät, das dem Anzeigegerät zugeordnet ist.
Von der Lichtquelle 11 wird infrarotes Licht mit einer Wellenlänge
entsprechend dem Licht, dessen Energie kleiner ist als die Energie der Bandlücke des zu untersuchenden Materials,
über den Polarisator 12 auf die Meßprobe in solcher v/eise gegeben, daß man einen einfallenden Strahl des Lichtes mit dem
elektrischen Vektor in der Einfallsebene hat.
Das Licht fällt unter einem Einfallswinkel Θ. gleich θ auf
die Meßprobe. Diese vV'inkel werden variiert, um den winkel zu ermitteln, bei dem die Reflexionsfähigkeit ein Llinimum
erreicht. Das reflektierte Licht wird durch den Detektor 13 (Anzeigevorrichtung) gemessen.
Die Fig. 2 der Zeichnungen bringt die berechnete Reflexionsfähigkeit
als Funktion von Θ. far infrarotes Licht, insbesondere mit einer Wellenlänge von 3.391 Klikron, dessen
polarisierter elektrischer Vektor in der i,infallsebene liegt.
Die Fig. 2 enthält graphische Darstellungen für zwei verschiedene Trägerkonzentrstionen.
Beim. Vergleichen der beiden ivurven erkennt man, daß der
Winkel, bei dem die Reflexionsfähigkeit ein Minimum erreicht, sich ändert, während man die Ladungsträger-Konzentration des
Halbleiters ändert. Hinzukommt, daß sich die Schärfe ^ des
Minimums und die Größe der Reflexionsfähigkeit mit der änderung
der Konzentration ändern.
Der Winkel, bei dem die Reflexionsfähigkeit eir. Minimum erreichL,
ist ein Maß der Trägerkonzentrafcion des Halbleiters.
- 7 109826/1098
206 H20" . - 7 -
Die Fig. 3 enthält eine graphische Darstellung von θ-g, des
Winkels, bei dem die polarisierte Reflexionsfähigkeit R
ein Minimum erreicht, in Abhängigkeit von der Trägerkonzentration.
Die Darstellungen in Fig. 3 zeigen fünf repräsentative Kurvenzüge, und zwar für 5>
10» 25, 50 und 100 Mikron
der infraroten Wellenlänge des einfallenden Lichtes· Mit größeren Wellenlängen nimmt der Bereich der zu ermittelnden
Trägerkonzentration zu.
In gewissen Bereichen ist die Trägerkonzentration für ein Θ-Q auch doppelwertig, d. h. es kann für ein gegebenes θβ .
zwei mögliche tferte der Trägerkonzentration geben. In Fig. 3»
welche typische Kurven für Silicium vom N-Leitungstyp enthält,
gibt es zwei mögliche werte der Trägerkonzentration, wenn Q1-. gleich oder kleiner als 73° ist. Um diese Schwierigkeit
zu überwinden, kann man eine von drei Näherungen verwenden.
Die erste Näherung sei an Hand der Fig. 4· erörtert. Gemessen
wird die tatsächliche Parallel-Reflexionsfähigkeit oder die Intensität des reflektierten Lichtes bei θβ. Die Figur 4-bezieht
sich auf den Wert dieser Reflexionsfähigkeit zur
Trägerkonzentration. Sie zeigt, daß die Reflexionsfähigkeit I
stark abhängig ist von der Konzentration bei ÖR. Deshalb
würde sof:;ar eine Grob-Messung der Größenordnung des Betrages
von R bestimmen, welcher der beiden Werte der Konzentration
K der korrekte Wert ist.
Die zweite Näherung sei an Hand der Fig. 5 erläutert. Hierbei
wird die Winkelbreite oder Schärfet bei solchen Werten
der Reflexionsfähigkeit gemessen, deren Betrag eine Größenordnung
größer ist als der Wert der Reflexionsfähigkeit bei Gg. Man kann wiederum ersehen, daßj^ in hohem Maße abhängig
ist von der Trägerkonzentration.
109826/1098
Eine weitere Näherung sei an Hand der Fig. 6 erörtert. Gemessen wird die Reflexionsfähigkeit R^ bei einem θ-η
des rechtwinklig zur Sinf a.i lebene polarisierten Lichtes
entweder durch Drehung des Polarisators 12 oder der Lichtquelle 11. Obgleich es deshalb zwei Trägerkonzentrationen
für das gleiche θβ geben kann, gibt es zwei ganz ungleiche
Werte für die rechtwinklige Reflexionsfähigkeit. Diese beiden Werte sind in hohem Maße abhängig von der Trägerkonzentration.
Vorstehend wurde eine genaue, wohlfeile, unzerstörbare, kontaktlose Technik zum Messen der Trägerkonzentration eines
Halbleiters beschrieben. Diese Technik nach der Erfindung kann über einen unteren Bereich von Trägerkonzentrationen
benutzt werden, der bisher der Messung mit den bekannten Methoden nicht zugänglich war.
Ein zusätzlicher Vorteil der Erfindung besteht darin, dab
diese Technik nur das Aufsuchen eines Winkels verlangt, bei dem die Reflexionsfähigkeit ein Minimum hat. Sie ist daher
unabhängig von Trifts der Lichtquelle oder des Anzeigegerätes.
Bei einer bekannten Anordnung nach der amerikanischen Patentschrift
3 109 932 bezieht sich die Konzentration auf die Wellenlänge, bei welcher eine Minimum-Reflexionsfähigkeit
auftritt. Diese amerikanische Patentschrift erörtert die Plasma-Resonanz-Methode zur Messung der Störstellen-Konzentration.
1 098?fi/1098
Claims (1)
- 206H20Pat ent ansprüche1,) Verfahren zur Messung der Ladungsträger-Konzentration in einem Halbleitermaterial, dadurch gekennzeichnet, daß auf das Halbleitermaterial monochromatisches polarisiertes Licht im Infrarotbereich gerichtet wird, dessen elektrischer Vektor in der Lichteinfallsebene liegt, daß der Einfallswinkel des auf das Halbleitermaterial fallenden Lichtes änderbar ist und daß mit diesem Winkel das Minimum der ' Reflexionsfähigkeit dieses Lichtes als Maß für die Trägerkonzentration gemessen wird.2.) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich die Intensität des reflektierten Strahles gemessen wird, um zu ermitteln, welcher Wert von zwei möglichen Werten der Trägerkonzentration für einen gegebenen Winkel zur Minimum-Reflexionsfähigkeit der korrekte Wert ist.3.) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Intensität des reflektierten Strahles bei einem Wink- d kel oberhalb und bei einem Winkel unterhalb des Winkels zur Minimum-Reflexionsfähigkeit gemessen und die erforderliche Winkelausdehnung bestimmt wird, um den selben Betrag der Intensität bei einem Winkel über und unter dem Winkel der Minimum-Reflexionsfähigkeit zu erhalten.4·.) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Intensität des Lichtes gemessen wird, welches rechtwinklig zur Einfallsebene polarisiert ist.- 10 -1098?fi/1098206 U 2Π - ίο -5.) Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Einfallswinkel des Lichtes durch einen Beugungsmesser variiert wird, bis ein Minimum in der Reflexionsfähigkeit auftritt.6.) Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5j dadurch gekennzeichnet, daß als Quelle (11) eines monochromatischen Lichtes ein Laser dient.7.) Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Infrarotlicht eine Wellenlänge aufweist,, deren Energie kleiner ist als die Energie der Energiebandlücke des Halbleitermaterialsο1 098 ?B / 1098
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US88500269A | 1969-12-15 | 1969-12-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2061420A1 true DE2061420A1 (de) | 1971-06-24 |
Family
ID=25385915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19702061420 Pending DE2061420A1 (de) | 1969-12-15 | 1970-12-14 | Verfahren zur Messung der Ladungs trager Konzentration in einem Halbleiter material |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3623818A (de) |
JP (1) | JPS4926743B1 (de) |
CA (1) | CA924927A (de) |
DE (1) | DE2061420A1 (de) |
FR (1) | FR2071789A5 (de) |
GB (1) | GB1306850A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2436236A1 (de) * | 1973-07-27 | 1975-02-06 | Hitachi Ltd | Verfahren und anordnung zur messung der halbleiterladungstraeger-lebensdauer |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4015127A (en) * | 1975-10-30 | 1977-03-29 | Aluminum Company Of America | Monitoring film parameters using polarimetry of optical radiation |
US4218143A (en) * | 1979-01-22 | 1980-08-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Lattice matching measurement device |
JPS57132039A (en) * | 1981-02-09 | 1982-08-16 | Hitachi Ltd | Method for measuring carrier distribution |
EP0091500B1 (de) * | 1982-04-10 | 1986-07-02 | DR.-ING. RUDOLF HELL GmbH | Verfahren und Vorrichtung zur Dichtemessung von Farbschichten noch feuchter Druckfarbe |
US4646009A (en) * | 1982-05-18 | 1987-02-24 | Ade Corporation | Contacts for conductivity-type sensors |
JPS63126255U (de) * | 1987-02-09 | 1988-08-17 | ||
JP2582363B2 (ja) * | 1987-03-19 | 1997-02-19 | 株式会社リコー | 多色現像装置の画像濃度検出機構 |
US5007741A (en) * | 1989-09-25 | 1991-04-16 | At&T Bell Laboratories | Methods and apparatus for detecting impurities in semiconductors |
EP0469572B1 (de) * | 1990-07-31 | 1998-09-23 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Verfahren zum Messen der Zwischengittersauerstoffkonzentration |
DE4211741B4 (de) * | 1991-04-05 | 2006-09-21 | Hahn-Meitner-Institut Berlin Gmbh | Spektroskopische Untersuchungsmethode für einen Stoff im Energiebereich geringer Absorption |
DE19537807C1 (de) * | 1995-10-11 | 1997-02-06 | Roland Man Druckmasch | Verfahren zum Feststellen von Schichten |
US5966019A (en) * | 1996-04-24 | 1999-10-12 | Boxer Cross, Inc. | System and method for measuring properties of a semiconductor substrate in a fabrication line |
US9093335B2 (en) * | 2012-11-29 | 2015-07-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Calculating carrier concentrations in semiconductor Fins using probed resistance |
-
1969
- 1969-12-15 US US885002A patent/US3623818A/en not_active Expired - Lifetime
-
1970
- 1970-10-13 FR FR7037877A patent/FR2071789A5/fr not_active Expired
- 1970-11-19 JP JP45101564A patent/JPS4926743B1/ja active Pending
- 1970-12-03 GB GB5739370A patent/GB1306850A/en not_active Expired
- 1970-12-14 CA CA100479A patent/CA924927A/en not_active Expired
- 1970-12-14 DE DE19702061420 patent/DE2061420A1/de active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2436236A1 (de) * | 1973-07-27 | 1975-02-06 | Hitachi Ltd | Verfahren und anordnung zur messung der halbleiterladungstraeger-lebensdauer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3623818A (en) | 1971-11-30 |
FR2071789A5 (de) | 1971-09-17 |
CA924927A (en) | 1973-04-24 |
GB1306850A (en) | 1973-02-14 |
JPS4926743B1 (de) | 1974-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2061420A1 (de) | Verfahren zur Messung der Ladungs trager Konzentration in einem Halbleiter material | |
DE69501163T2 (de) | Moduliertes Spektralellipsometer | |
DE10154008C1 (de) | Verfahren und Anordnung zur spannungsoptischen Analyse von Festkörpern | |
DE3116611C2 (de) | Vorrichtung zur Messung von Halbleitereigenschaften | |
DE69101055T2 (de) | Integrierter optischer pockelszellenspannungssensor. | |
DE2021965A1 (de) | Magneto-optische Sonde mit grosser Messgenauigkeit | |
DE3877628T2 (de) | Spannungsdetektor. | |
DE2208493A1 (de) | Vorrichtung zum Messen gasartiger Verunreinigungen der umgebenden Atmosphäre | |
DE112020001884T5 (de) | Nach ladungsträgern auflösendes foto-hall-system und verfahren dafür | |
DE19636711B4 (de) | Verbesserungen an oder bezüglich Spektrometern | |
DE3131669A1 (de) | Verfahren zum eichen von ionen-zyklotron-resonanz-spektrometern | |
EP0017822B1 (de) | Vorrichtung zur Analyse des Polarisationszustandes einer Strahlung | |
DE69321816T2 (de) | Methode und Instrument zur Messung eines Zellenabstandes eines doppelbrechenden Teiles | |
DE4205509A1 (de) | Verfahren und sensor zum messen von elektrischen spannungen und/oder elektrischen feldstaerken | |
DE3887006T2 (de) | Spannungsdetektor. | |
DE1598919A1 (de) | Messgeraet fuer den zirkularen Dichroismus von Materialproben | |
DE1296418B (de) | Vorrichtung zur Gewinnung einer elektrischen Spannung als Mass fuer das Verhaeltnis Masse zu Ladung von Ionen | |
DE2853816A1 (de) | Ebenheits-messeinrichtung | |
EP0452766B1 (de) | Messverfahren und Messanordnung zur Bestimmung des Richtfaktors bei flexiblen Magnetogrammträgern | |
DE9015613U1 (de) | Vorrichtung zur Messung einer physikalischen Größe mit Hilfe eines faseroptischen Sensors unter Ausnutzung des Farraday-Effektes | |
DE1772782A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Messen der Elektronendichte eines Plasmas | |
DE10039455A1 (de) | Spannungswandler | |
DE1963768A1 (de) | Vorrichtung zum Messen der Drehung der Polarisationsebene eines Lichtstrahls | |
DE10232849A1 (de) | Gasanalyseeinrichtung zur Qualitätsüberwachung eines gasförmigen Stoffes oder Stoffgemisches, insbesondere Luft | |
DE19810781C1 (de) | Vorrichtung zum Messen einer elektrischen Spannung oder einer elektrischen Feldstärke |