DE2853816A1 - Ebenheits-messeinrichtung - Google Patents

Ebenheits-messeinrichtung

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DE2853816A1
DE2853816A1 DE19782853816 DE2853816A DE2853816A1 DE 2853816 A1 DE2853816 A1 DE 2853816A1 DE 19782853816 DE19782853816 DE 19782853816 DE 2853816 A DE2853816 A DE 2853816A DE 2853816 A1 DE2853816 A1 DE 2853816A1
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flatness
light
scanning
measuring device
munich
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DE19782853816
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Keizo Nishiyama
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Canon Inc
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Canon Inc
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G01B11/306Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces for measuring evenness

Description

Ebenheits-Meßeinrichtung
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Die Erfindung bezieht sich auf eine Einrichtung zur Messung der Ebenheit einer Fläche in der Weise, daß die Fläche mittels eines Abtaststrahls abgetastet und die Winkelablenkung des von der Fläche regulär bzw. gerichtet reflektierten Lichtstrahls ermittelt wird.
Es sind unterschiedliche Arten von Ebenheitsbzw. Flachheits-Meßgeräten bekannt und in Verwendung.
Von diesen sind die Interferometer, bei denen die Licht-Interferenzerscheinung genützt wird, und die auf der Messung der elektrostatischen Kapazität beruhenden Geräte am bekanntesten, bei welchen eine Änderung einer elektrostatischen Kapazität gemessen wird. Mit den Interferometern ist eine zweidimensionale Information über die Ebenheit erzielbar. Sie haben jedoch den Nachteil, daß zur Einstellung der zu messenden Fläche eine außerordentlich hohe Genauigkeit notwendig ist und daß ferner die Messung von Unebenheiten und die quantitative Messung sehr schwierig auszuführen sind. Während die
909825/0813
Deutsche Bank (München) Kto. 51/61070
Dresdner Bank (München) Kto. 3939844
Postscheck (München) Kto. 670-43-804
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letztgenannten Ebenheits-Meßgeräte auch die Messung der Dicke der untersuchten Fläche zulassen, haben sie dahingehend einen Nachteil, daß die Einstellung der Kapazität jedesmal vorgenommen werden muß, wenn die Art des Materials des Prüflings verändert wird.
Zur Ausschaltung der vorstehend beschriebenen Nachteile wurde eine Ebenheits-Meßeinrichtung vorgeschlagen, bei der zur Ermittlung der Ebenheit oder
Flachheit einer Fläche die zu messende Fläche mittels eines Abtaststrahls abgetastet wird, der im wesentlichen senkrecht auf die Fläche auftrifft, und die
Winkelablenkung bzw. Winkelabweichung des von der
Fläche regulär bzw. gerichtet reflektierten Abtastlichtstrahls ermittelt wird. Ein Beispiel für eine
derartige Ebenheits-Meßeinrichtung ist in der
US-PS 3 885 875 beschrieben. Bei der dort beschriebenen Meßeinrichtung wird die Winkelablenkung, die eine
Information über die Neigung der Fläche in Abtastrichtung, d. h. über die Größe der ersten Ableitung der Flächenforra nach der Abtastzeit als entsprechende Lageabweichung ermittelt, die an einem photoelektrischen Lagedetektorelement festgestellt wird. Eine elektrische Integration der festgestellten Werte ergibt das Maß für die Ebenheit der untersuchten Fläche.
Die Ebenheits-Meßeinrichtung dieser Art hat jedoch folgenden Nachteil:
Wenn die zu messende Fläche eine Fläche ist, an
der wie im Falle einer aufgerauhten oder rauhen Fläche od. dgl. das Licht gleichförmig gestreut wird, wird aufgrund des Verlusts an Meßlicht die Meßeinrichtung unwirksam. Wie vorstehend angeführt ist, fällt bei der
bekannten Einrichtung ein Abtastlichtstrahl senkrecht
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auf die untersuchte Fläche. Falls die untersuchte Fläche eine rauhe Fläche mit Lichtstreuungs-Eigenschaften ist, ist daher die Menge des gerichtet bzw. regulär von der untersuchten Fläche zu einer Kollimatorlinse hin reflektierten Lichts zu einem derartigen Ausmaß verringert, daß keine Ebenheitsmessung möglich ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Ebenheits-Meßeinrichtung zu schaffen, bei der zur Ermittlung der Ebenheit einer Fläche die zu messende Fläche mittels eines Abtaststrahls abgetastet wird und die Winkelablenkung des von der Fläche gerichtet reflektierten Lichtstrahls erfaßt wird und die selbst dann ordnungsgemäß arbeitet, wenn die zu messende Fläche wie im Falle einer aufgerauhten Fläche eine Fläche mit Lichtstreuungseigenschaften ist.
Zur Lösung der Aufgabe ist erfindungsgemäß eine Ebenheits-Meßeinrichtung vorgesehen, die ein optisches System, das einen Abtaststrahl parallel zur Abtastrichtung und in einer zur Abtastrichtung senkrechten Ebene gesehen schräg auf eine zu messende Fläche projiziert, und ein optisches System aufweist, das die Winkelablenkung des von der Fläche gerichtet
■^ reflektierten Lichtstrahls in eine Lagenabweichungsgröße an einem photoelektrischen Lageerfassungs- oder Lagedetektorelement umsetzt.
Damit wird erfindungsgemäß das Problem des
Meßlichtverlustes wirkungsvoll dadurch gelöst, daß ein Abtastlichtstrahl in einer zur Abtastrichtung senkrechten Ebene schräg auf eine zu messende Fläche projiziert wird, um damit die Streulichtmenge zu verringern und stattdessen die gerichtet von der Fläche
reflektierte Lichtmenge zu steigern.
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Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.
Fig. 1 zeigt schematisch ein Ausführungsbeispiel der Meßeinrichtung.
Fig. 2 ist eine erläuternde Darstellung
eines Abtaststrahls, der in einer die Abtastrichtung enthaltenden
Ebene schräg auf eine zu untersuchende Fläche auftrifft.
Fig. 3 zeigt den Zusammenhang zwischen auf die zu untersuchende Fläche
auftreffendem Licht und von der Fläche reflektiertem Licht.
Fig. 4 veranschaulicht das von der zu untersuchenden Fläche reflektierte
Lichtstrahlenbündel.
Fig. 5 ist eine erläuternde Darstellung
eines auf ein photoelektrisches Lagedetektorelement auftreffendem
Lichtstrahlenbündels.
Fig. 6 veranschaulicht die Art, wie die
Lageabweichung des Strahls an
^" dem photoelektrischen Lagedetektor
element erzielt wird.
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Die Fig. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Ebenheits-Meßeinrichtung. In der Fig. 1 ist mit 1 ein Laser bezeichnet, während mit 2 ein Polarisations-Strahlenteiler bezeichnet.ist. P-polarisiertes Licht, das vollständig durch den Strahlenteiler 2 hindurchläuft, tritt in eine Viertelwellenlängen- bzw. -λ/4-Platte 3 ein und wird nach Durchlaufen der Platte 3 zu zirkular polarisiertem Licht. Das Licht fällt dann auf eine jeweilige Reflektionsflache eines Polygonspiegeis 4, der mittels eines Motors 5 mit einer bestimmten konstanten Drehzahl gedreht wird. Das von dem Polygonspiegel 4 reflektierte und von dem Reflektionspunkt weg divergierende Lichtstrahlenbündel tritt wieder in die Λ/4-Platte 3 ein und verläßt die Platte 3 zu dem Polarisations-Strahlenteiler 2 hin als S-polarisiertes Licht. Das S-polarisierte Licht wird mittels des Strahlenteilers 2 total reflektiert und trifft auf eine Kollimatorlinse 6, in deren Brennpunkt der Polygonspiegel 4 angeordnet ist. Ein aus der Kollimatorlinse 6 austretendes Lichtstrahlenbündel bildet ein paralleles Lichtstrahlenbündel für die Abtastung einer zu messenden Fläche 8 in geradliniger Richtung. Das Abtaststrahlenbündel trifft schräg in einer zur Abtastrichtung senkrechten Ebene auf die zu untersuchende Fläche 8.
Das wichtigste Merkmal der Meßeinrichtung liegt darin, das Lichtstrahlenbündel bzw. den Abtaststrahl 7 schräg auf die zu untersuchende Fläche 8 auftreffen zu lassen. Dies hat zur Wirkung, daß der Raumwinkel
on
υ des an der Fläche gestreuten Lichts verringert wird und die von der Fläche regulär bzw. gerichtet reflektierte Lichtmenge gesteigert wird.
Wie aus der Darstellung in Fia. 2 ersichtlich
ist, ändert sich bei in einer die Abtastrichtung ent-
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haltenen Ebene schrägem Einfall des Abtaststrahls auf die zu untersuchende Fläche 8 die zum Ausführen der Abtastung notwendige Zeit in Abhängigkeit von dem Einfallwinkel (t < tQ). Wenn im Gegensatz dazu der
Abtaststrahl in einer zur Abtastrichtung senkrechten Ebene schräg auf die zu untersuchend^ Fläche 8 auffällt, bleibt die Zeit selbst dann immer konstant, wenn sich der Einfallwinkel ändert.
Das von der zu untersuchenden Fläche 8 reflektierte Lichtstrahlenbündel 9 tritt in eine zweite Kollimatorlinse 10 ein, die das Strahlenbündel auf einer Lichtaufnahmefläche 12 eines photoelektrischen Lagedetektorelements fokussiert, die im Brennpunkt der zweiten Kollimatorlinse angeordnet ist. Die Stelle, an der das fokussierte Strahlenbündel 11 auf die Lichtaufnahmefläche trifft, entspricht der Neigung der zu untersuchenden Fläche in bezug auf den Abtaststrahl 7. Die Einfallstelle des Strahlenbündels 11 an dem photoelektrischen Lagedetektorelement ergibt daher ein Maß für die Ebenheit der untersuchten Objekt-Fläche. Bei der Meßeinrichtung wird dadurch, daß ein schräger Einfall des Abtaststrahls auf die untersuchte Fläche herbeigeführt wird, gemäß der nachstehenden Beschrei-
bung der Bereich erweitert, innerhalb dessen die Ebenheit gemessen werden kann.
Es wird ein Koordinatensystem aufgestellt, dessen X-Achse sich in der Abtastrichtung erstreckt, dessen Z-Achse sich in Richtung der optischen Achse bei senkrechtem Einfall erstreckt und dessen Y-Achse sich senkrecht zu den Achsen X und Z erstreckt; es sei angenommen, daß gemäß der Darstellung in Fig. 3 ein Lichtstrahl bzw. Lichtstrahlenbündel schräg unter einem Winkel θ in einer sich senkrecht zur X-Achse erstrecken-
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den Ebene auf die zu untersuchende Fläche 8 auftrifft. Wenn A ein zum Einfall entgegengesetzt gerichteter Einheitsvektor ist, N ein zur Fläche senkrechter Einheitsvektor ist und B ein Reflektions-Einheitwinkel ist, dann gilt:
A ( 0, -sin Θ, cos θ ) N ( ηχ, ny, nz )
B '. V V bz >
Gemäß dem Reflektionsgesetz haben die Vektoren A, N und B den folgenden Zusammenhang:
• B = (2A · N) N - A
unter Verwendung dieser Gleichung ergibt sich:
b = -2n η sin θ + 2n η cos
χ χ y ' xz
b = -2n 2 sin θ + 2n η cos θ + sinQ
y y y ζ
b = -2n η sin θ + 2n 2 cos 9 - cos θ ζ γ ζ ζ
Der Einheitsvektor des zur Mitte der Lichtaufnahmefläche 12 des photoelektrischen Lagedetektorelements reflektierten Lichts, d. h. der Einheitsvektor B„ ist (bei einer zur Z-Achse senkrechten Ebene als untersuchte Fläche):
B0 (O, sinö, cosö), 35
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da η = 0, η =0 und nz = 1 sind.
Bei Fig- 4 sei angenommen, daß der Einheitsvektor der Abweichung von der Mitte der Lichtaufnahmefläche 12 des photoelektrischen Lagedetektors gleich
C (c , c , c ) ist und die Brennweite der fokussierenden
χ y ζ
Kollimatorlinse 10 gleich f ist. Damit gilt gemäß
Fig. 5:
B-B
B-fB
χ y
2n η cos9)
(2η -: ζ
-(2n 2-l)sin26
c=
2 2
f(2n sine cos θ+2η η cose) x Υ_ζ
(2η 2-1)COS2G-(2η 2-l)sin29 ζ y
2 2
f(-2n sin 9 cosG - 2η η sine) x Υ ζ
2-l)cos2e - (2η 2-l)sin2e ζ y
wenn mit D die Komponente in Abtastrichtung auf der Lichtaufnahmeflache 12 ist und ^x die Komponente in der zur Abtastrichtung senkrechten Richtung ist, dann gilt nach Fig. 6:
D = C χ χ
= c sin9 - c cosfl
B-Bn = (2n 2-D cos2e - (2n
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Dies ergibt:
f(-2n η sinO) + 2n η cosf)) x (2nz 2-l)cos2e - (2n 2-l)sin2G
^^ f(-2n "sinQ cos9 - 2n η )
x (2n 2-l) cos2« - (2n 2-l)sin29 ζ y
für eine zu messende Fläche mit η ΑύΟ und η gilt daher:
D ^2JTn cosö
χ χ
I 2
1 DJ^ -2fnv sir.ecosö.
Da 0<n <1 ist, ist DWO. Nützt man diesen
Λ. Λ
Umstand, so kann die Komponente D selbst mittels eines eindimensionalen Detektors oder Sensors erfaßt werden.
Die Komponente η der Neigung der untersuchten Fläche in der Abtastrichtung ist durch folgenden Ausruck gegeben:
χ 2fcos_
Durch Verwendung eines größeren Schrägeinfall-Winkels θ wird es möglich, eine Fläche mit einer größeren Komponente η , d. h. eine Fläche mit größerem Krümmungs-
wert zu messen. Ferner wird durch Verwendung des grös-OJ seren Winkels θ der Raumwinkel des von der untersuchten
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Fläche reflektierten Lichts in einem derartigen Ausmaß verengt, daß die Genauigkeit der Messung mit der Meßeinrichtung unter Verwendung des reflektierten Lichts verbessert werden kann.
Gewöhnlich haben Mikroplättchen oder Substrat-Plättchen, und zwar insbesondere Substrat-Plättchen mit rauhem Oberflächenzustand vor ihrer Bearbeitung zu Spiegelflächen-Plättchen einen großen Krümmungswert. Bei der Messung der Ebenheit oder Flachheit einer derartigen rauhen Fläche ist es notwendig, einen großen Schrägeinfall-Winkel θ zu verwenden, um die Menge des von der Fläche reflektierten Lichts zu steigern. Die Meßeinrichtung ermöglicht die Messung der Ebenheit einer derartigen rauhen Fläche unter Anwendung eines berührungslosen Meßverfahrens und mit einer höheren Geschwindigkeit. Nach Wunsch kann eine zweidimensionale Information über die Ebenheit dadurch gewonnen werden, daß die zu untersuchende Fläche gedreht oder parallel verschoben wird, während der Einfallwinkel an der Fläche unverändert gehalten wird.
Mit der Erfindung ist eine Meßeinrichtung geschaffen, bei der zur Ermittlung der Ebenheit einer zu messenden Fläche die Fläche mittels eines Abtaststrahls oder Abtaststrahlenbündels abgetastet wird und die Winkelabweichung des von der Fläche regulär bzw. gerichtet reflektierten Abtastlichtstrahls erfaßt wird. Die Meßeinrichtung weist ein optisches System zum schrägen Projizieren des Abtaststrahls auf die die Fläche auf, um damit die Menge des von der Fläche gerichtet reflektierten Lichts zu steigern, so daß mit der Meßeinrichtung die Messung der Ebenheit selbst von derartigen Flächen vorgenommen werden kann, die
*" einen rauhen Flächenbereich oder einen lichtstreuenden Flächenbereich haben.
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Claims (2)

  1. T1EDTKE - BüHLIMG - KlHNE
    Grupe - Pellhanx
    Dipl.-Ing. R Grupe 2853816 Dipl.-Ing. B.Pellmann
    Bavariaring 4, Postfach 20240c 8000 München 2
    Tel.: 0 89-539653 Telex: 5-24845 tipat cable: Germaniapatent Müncher 13. Dezember 1978
    B 9356/Canon case
    Patentansprüche
    ' ij Ebenheits-Meßeinrichtung, bei der zur Ermittlung der Ebenheit einer zu messenden Fläche die Fläche mittels eines Abtastlichtstrahls abgetastet wird und
    mittels eines photoelektrischen Lagedetektorelements
    die Winkelablenkung des von der Flache gerichtet reflektierten Lichts ermittelt wird,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß zur Steigerung der von der Fläche gerichtet re-
    flektierten Lichtmenge und zur Erweiterung des Ebenheits-Meßbereichs der Abtaststrahl (7) in einer zur
    Äbtastrichtung senkrechten Ebene schräg auf die Fläche (8) fällt.
  2. 2. Ebenheits-Meßeinrichtung, bei der zur Ermittlung der Ebenheit einer zu messenden Fläche die Fläche eindimensional mittels eines Abtaststrahls abgetastet
    wird und mittels eines photoelektrischen Lagedetektorelements die Winkelablenkung des von der Fläche ge-
    richtet reflektierten Lichts erfaßt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Abtaststrahl (7) zu in einer
    zur Abtastrichtung senkrechten Ebene schrägem Einfallen auf die Fläche (8) projiziert wird, um die von der Fläche gerichtet reflektierte Lichtmenge zu steigern, und daß zur Erzielung einer zweidimensionalen Information über
    9825/0812
    Deutsche Bank (München) Kto. 51/61070 Dresdner Bank (München) Kto. 3939844 Postscheck (München) Kto. 670-43-804
    ORIGINAL INSPECTED
    die Ebenheit der Fläche die Fläche drehend oder unter Parallelverschiebung bewegt wird, während der Einfallwinkel (Θ) unverändert gehalten wird.
    1 6
    909825/0812
DE19782853816 1977-12-16 1978-12-13 Ebenheits-messeinrichtung Ceased DE2853816A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

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JP15206177A JPS5483853A (en) 1977-12-16 1977-12-16 Measuring device

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DE2853816A1 true DE2853816A1 (de) 1979-06-21

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3408106A1 (de) * 1984-03-05 1985-09-12 Erwin Sick Gmbh Optik-Elektronik, 7808 Waldkirch Optischer rauheits-scanner

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3639329C1 (de) * 1986-11-18 1988-02-25 Heesemann Karl Masch Bandschleifmaschine
US4770536A (en) * 1986-12-04 1988-09-13 Moshe Golberstein Reflective photometry instrument
US5248889A (en) * 1990-08-14 1993-09-28 Tencor Instruments, Inc. Laser apparatus and method for measuring stress in a thin film using multiple wavelengths
GB9205655D0 (en) * 1992-03-14 1992-04-29 Roke Manor Research Improvements in or relating to surface curvature measurement
DE19721915C1 (de) 1997-05-26 1998-12-10 Stn Atlas Elektronik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Messung von Unebenheiten in einer Objektoberfläche
US6046801A (en) * 1997-12-23 2000-04-04 Analog Technologies, Inc. Laser-based inspection system for optical disks
DE112017007344T5 (de) * 2017-03-31 2019-12-12 Sony Corporation Abstandsmessvorrichtung und fahrzeug

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3866038A (en) * 1972-11-18 1975-02-11 Ibm Apparatus for measuring surface flatness
DE2533906A1 (de) * 1974-07-29 1976-02-19 Zygo Corp Beruehrungslose oberflaechen-pruefvorrichtung

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3866038A (en) * 1972-11-18 1975-02-11 Ibm Apparatus for measuring surface flatness
DE2533906A1 (de) * 1974-07-29 1976-02-19 Zygo Corp Beruehrungslose oberflaechen-pruefvorrichtung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3408106A1 (de) * 1984-03-05 1985-09-12 Erwin Sick Gmbh Optik-Elektronik, 7808 Waldkirch Optischer rauheits-scanner

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Publication number Publication date
US4425041A (en) 1984-01-10
JPS5483853A (en) 1979-07-04

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