DE2051515C3 - Verfahren zur Herstellung eines efektrofumineszenten Körpers - Google Patents

Description

Atmosphäre stattfindet, infolge Umwandlung eines kleinen Teils des Leuchtstoffes zu ZnO erzeugt wird. Das Kunststoffmaterial dient nicht nur ab Bindemittel und zur Einstellung der Leuchtintensität, sondern weiterhin dazu, den spezifischen elektrischen Widerstand einzustellen, so daß der erfindungseemäße elektrolumineszente Körper nicht mehr als 75 Volumprozent Kunststoffmaterial enthalten soll, da anderenfalls die Teilchen des elektrolumineszenten Leuchtstoffs durch das Bindematerial voneinander isoliert werden.

Besondere Vorteile bringt die Erfindung durch Anwendung des elektrolumineszenten Körpers als Widerstandsschicht in einer elektrolumineszenten Vorrichtung zwischen zwei lichtdurchlässigen Elektroden, wobei vorzugsweise zwischen der einen lichtdurchlässigen Elektrode und der Widerstandsschicht eine auf letzterer angebrachte lichtreflektierende Schicht, eine daran anschließende lichtundurchlässige Schicht'und eine dann folgende, an die lichtdurchlässige Elektrode angrenzende, photoleitende Schicht vorgesehen sind.

Die Vorteile bei dieser Anwendung bestehen darin, daß durch den relativ niedrigen elektrischen Widerstand der elektrolumineszenten Schicht, wie er durch das erfindungsgemäße Verfahren erzielt worden ist, ein besonders großes Leucht-Ausgangssi°nal der elektrolumineszierenden Vorrichtung erreicht werden kann. Ferner läßt sich der Arbeitsbereich dieser Vorrichtung auf einen Bereich niedriger Eingangsenergie erstrecken.

Die Erfindung wird im folgenden an Hand schematischer Zeichnungen an Ausführungsbeispielen näher erläutert. , . . , , , ·

F i g. 1 zeig¹ einen Querschnitt einer elektrolumineszenten Vorrichtung;

F i g. 2 zeigt ein Diagramm der Beziehung zwischen dem spezifischen Widerstand eines in der Vorrichtung nach Fig. 1 verwendeten elektrolumineszenten Körpers und den Bedingungen, unter denen der Körper erhitzt wurde;

F i g. 3 zeigt ein Diagramm, das die Beziehung zwischen dem Nichtlinearitätskoeffizienten des elektrolumineszenten Körpers und den Erhitzungsbedineungen veranschaulicht;

Fig 4 zeigt ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Leuchtintensität und den Erhitzungsbedingungen veranschaulicht;

F i g. 5 a und 5 b zeigen Diagramme, die die Röntgen-Diff raktions-Muster eines Zinksulnd-L euchtstoffs und eines Zinksulfid-Zinkoxyd-Leuchtstoffs veranschaulichen; und

F i g. 6 zeigt den Querschnitt einer anderen Form der elektrolumineszenten Vorrichtung.

Die in F i g. 1 im Querschnitt dargestellte elektrolumineszente Vorrichtung 10 besitzt allgemein ein transparentes Substrat 11, beispielsweise eine Glasplatte mit einer anliegenden dünnen, lichtdurchlässigen elektrisch leitenden Schicht 12, z. B. einen Zinnoxvdfilm, der als erste Elektrode dient. Über der ersten Elektrode 12 liegt eine elektrolumineszenle Schicht 13, die einen elektrolumineszenlen Leuchtstoff einer Zn-Verbindung enthält, von dem ein Teil jedes Teilchens in ZnO umgewandelt ist, und einen geeigneten Kunststoff. Über die elektrolumineszente Schicht 13 ist eine zweite Elektrode 14 gelegt, die beispielsweise eine dünne Schicht verdampften Aluminin™ oder Silbers ist. Mit den jeweils mit den Anschlüssen 17 und 18 verbundenen Zuleitungen 15 und 16 sind Verbindungen zu der ersten und zweiten Elektrode 12 und 14 hergestellt.

Der elektrolumineszente Zn-Leuchtstoff ist Zmksulfid, das mit Kupfer und Chlor aktiviert ist und eine durchschnittliche Teilchengröße von etwa 10 Mikron hat und geeignet ist, unter Einfluß von Erregungs-Wechselspannungen grünes Licht auszusenden. Der spezifische Widerstand des Zinksulfid-Leuchtstoffs ist mit über 10^u Ω cm extrem hoch.

Bei der Herstellung der elektrolumineszenten Schicht 13 wird der Zinksulfid-Leuchtstoff im wesentlichen in einer Sauerstoffatmosphäre erhitzt, damit ein kleiner Teil jedes Leuchtstoffteilchens in ZnO umgewandelt wird, um der elektrolumineszenten Schicht 13 Widerstand zu verleihen.

Die Erhitzung wird beispielsweise durchgeführt, indem 10 g pulverförmigen ZnS: Cu, Alt-Leuchtstoff, der in einem 50-ccm-Becher enthalten ist, in der Luft unter folgenden Bedingungen erhitzt wird:

(α) 60O⁰C₁ für 10 Minuten, (fc) 600° C, für 25 Minuten,

(c) 650° C, für 10 Minuten und

(d) 650° C, für 25 Minuten. ^v '

Das so erhitzte Leuchtstoffpulver wird durch etwa 62,5 Volumprozent Harnstoffharz gebunden. Dann wird die lichtdurchlässige leitende Elektrode 12 mit diesem Leuchtstoff-Bindematerial bedeckt und bei einer Temperatur von 160° C für etwa 1 Stunde zur Härtung erhitzt, wodurch eine dünne elektrolumineszente Schicht 13 mit einer Stärke von 50 bis 70 μτη auf der Elektrode 12 gebildet wird. Danach wird die zweite Elektrode 14 aus Aluminium auf der elektrolumineszenten Schicht 12 durch Verdampfungsniederschlag gebildet.

F i g. 2 zeigt ein Diagramm des spezifischen Widerstandes der elektrolumineszenten Schichten 13, die unter verschiedenen Bedingungen erhitzt wurden. Der spezifische Widerstand wurde gemessen, indem eine Gleichspannung an die Anschlüsse 17 und 18 angelegt wurde, so daß sich ein Gleichspannungsfeld von 1 ν/μηι in den elektrolumineszenten Schichten 13 in Richtung ihrer Dicke entwickeln konnte. In der Zeichnung stellt (s) die übliche elektrolumineszente Schicht dar, die einen pulverförmigen elektrolumineszenten Leuchtstoff enthält, der nicht erhitzt wurde; die Schicht hat einen hohen spezifischen Widerstand in der Größenordnung von 10¹²Ωαη. Wie dargestellt ist, nimmt der spezifische Widerstand mit ansteigender Erhitzungszeit und Temperatur ab. Die unter den Bedingungen (d) erhitzte Schicht hai einen derart niedrigen spezifischen Widerstand — ir der Größenordnung von ΙΟ⁵ Ω cm —, daß sie als 55 eine elektrolumineszente Widerstandsschicht betrachtet werden kann. Der Strom / einer derartigen elektrolumineszenten Widerstandsschicht wird auf di< angelegte Spannung V durch folgende Gleichung be «:ogen:

60 / ~ Vⁿ,

wobei η den Nichtlinearitätskoeffizienten darstellt.

F i g. 3 ist ein Diagramm des Nichtlinearitätskoeffi zienten der unter verschiedenen Bedingungen erhitz ten Schichten 13. Wie dargestellt wurde, hat die üb

65 liehe elektrolumineszente Schicht, die nicht erhits wurde, einen superlinearen Widerstand, dessen Nichi linearitätskoeffizient η = 4 ist. Wenn jedoch die Ei hitzungszeit und Temperatur ansteigen, nimmt η at

der Nichtlinearitätskoeffizient η der unter den Bedingungen (c) und (d) erhitzten Schichten 13 ist im wesentlichen gleich 1; dies bedeutet, daß die Schichten einen ohmschen Widerstand haben.

F i g. 4 ist ein Diagramm der Leuchtintensität der unter verschiedenen Bedingungen erhitzten elektrolumineszenten Schichten 13. Die Leuchtinlensität wird gemessen, indem eine Wechselspannung mit einer Frequenz von 1 kHz an die Schichten 13 angelegt wird, um ein Wechselspannungsfeld von 1 ν/μηι in Richtung ihrer Dicke aufzubauen. Wie sich aus dem Diagramm ergibt, zeigen die Leuchtintensitäten nur ein leichtes Abfallen bei Änderung der Erhitzungsbedingungen von (α) bis (rf).

Zur Herstellung einer elektrolumineszenten Widerstandsschicht mit einem spezifischen Widerstand von etwa 10⁸Qcm werden gewöhnlich etwa 25 Volumprozent des elektrolumineszenten Leuchtstoffs durch die gleiche Menge SnO₂-Pulver ersetzt. Die Erfahrung zeigte jedoch, daß eine solche elektrolumineszente Widerstandsschicht, die beispielsweise 12,5 Volumprozent Leuchtstoffpulver enthält, eine Leuchtintensität von höchstens ein Zehntel der Leuchtintensität erhitzter Schichten aufweist, wenn die gleiche Stärke des Wechselspannungsfeldes angelegt wird. Daher kann die nach der Erfindung hergestellte elektrolumineszente Schicht trotz der Tatsache, daß die Leuchtstärke mit dem Ansteigen der Erhitzungstemperatur und Zeit abnimmt, wie in F i g. 4 dargestellt wurde, Licht aussenden, dessen Intensität zehnmal so groß ist wie die der üblichen Schicht.

Es wurde festgestellt, daß durch Erhitzung des pulverfönmigen elektrolumineszenten Zn-Leuchtstoffs ein Teil jedes Teilchens in ZnO umgewandelt wird, das als Widerstandsmaterial dient. Dies wird durch die F i g. 5 a und 5 b veranschaulicht, die die Röntgen-Diffraktions-Muster des elektrolumineszenten Zinksulfid-Leuchtstoffs und des Stoffs zeigen, der in Übereinstimmung mit der Erfindung erhitzt wurde. In F i g. 5 a erscheint nur das sich auf ZnS beziehende Diffraktions-Muster; in Fig. 5b erscheint jedoch ebenfalls das Diffraktions-Muster von ZnO zusammen mit dem von ZnS, das zeigt, das ein Teil jedes Teilchens von ZnS in ZnO umgewandelt wurde. Experimente haben ebenfalls hervorgehoben, daß ZnO einen niedrigen spezifischen Widerstand hat, der unter 10⁵ Ω cm liegt, und daß die Menge von ZnO mit dem Ansteigen der Erhitzungszeit und -temperatur ansteigt. Im wesentlichen hängt die Menge des ZnO von der Menge des Sauerstoffs ab, der zur Oxydierung des ZnS-Leuchtstoffs dient. So kann der spezifische Widerstand der elektrolumineszenten Widerstandsschicht im Bedarfsfall durch Änderung der Sauerstoffmenge geändert werden, die innerhalb eines Quarzkolbens zusammen mit den Leuchtstoffpulvern eingeschlossen wird, um einen Teil jedes Teilchens in ZnO umzuwandeln. Es ist wünschenswert, daß die Erhitzungstemperatur nicht 750° C überschreitet, da der spezifische Widerstand und die Leuchtintensität der elektrolumineszenten Schicht bei Temperaturen oberhalb 750° C ein erhebliches Abfallen zeigen. Obwohl die elektrolumineszente Schicht nach der vorhergehenden Beschreibung ZinksTilfid-Leuchtstoffe enthält, können ebenfalls Zn-Verbindungen, wie ZnSe, ZnS-CdS und

Pg
Leuchtstoffmaterialien verwendet werden, da das Abfallen des spezifischen Widerstandes der Schieb durch die Oxydation des Zn herbeigeführt wird. Wi vorstehend beschrieben wurde, kann der spezifisch' Widerstand und der Nichtlinearitätskoeffizient de elektrolumineszenten Schicht leicht über einen weitei Bereich ohne Herabsetzung des Leucht-Wirkungs grades geändert werden, indem die Bedingungen ge ändert werden, unter denen der eleklrolumineszenti Leuchtstoff erhitzt wird.

ίο Wenn die elektrolumineszente Schicht der zuers erwähnten Ausführungsform zwar 62,5 Volum prozent Bindematerial enthält, kann deren Volum Prozentsatz von 30 bis 75 %> geändert werden, wo durch eine entsprechende Änderung des Volum Prozentsatzes des elektrolumineszenten Leuchtstoff von 70 bis 25 ⁰O herbeigeführt wird, um damit dei spezifischen Widerstand und die Leuchtintensität de Schicht zu steuern. Es ist jedoch unmöglich, de elektrolumineszenten Schicht, die mehr als 75 Vo

zo lumprozcnt Bindematerial enthält, Widerstand zi verleihen, da die Teilchen des elektrolumineszentei Leuchtstoffs durch das Bindematerial voneinande isoliert sind. Wenn die Menge des Bindematerial herabgesetzt wird und die Menge des elektrolumines zenten Leuchtstoffs entsprechend erhöht wird, steig die Leuchtintensität an; die Verringerung des Volum Prozentsatzes des Bindematerials unter 30 %> bewirk jedoch eine Verringerung der Leuchtintensität un< macht es extrem schwer, eine Schicht zu bilden, dii eine geeignete mechanische Festigkeit besitzt.

F i g. 6 zeigt einen Querschnitt eines strahlungs energieempfindlichen Gerätes 20, das den Vorstehern beschriebenen elektrolumineszenten Widerstands körper aufweist. Das Gerät besitzt ein transparente

Substrat 21, an dem eine lichtdurchlässige Elektrodi 22 anliegt, die eine dünne Schicht Zinnoxyd um fassen kann, über die Elektrode 22 ist die eicktro lumineszente Widerstandsschicht 23 gelegt, dii Leuchtstoffpulver aus Zn-Verbindungen umfaßt, voi

denen ein kleiner Teil in ZnO umgewandelt wurdi und die in ein dielektrisches Bindematerial, wie einei Kunststoff, der beispielsweise ein Harnsloffharz seil kann, suspendiert sind. Die elektrolumineszente Wi derstandsschicht 23 kann eine Stärke von Vorzugs

weise etwa 50 um aufweisen. Über die elektrolumi neszente Schicht 23 ist eine lichtreflektierende Wi derstandsschicht 24 gelegt, die ferroelektrische Teil chen aus BaTiO_:i und halbleitende Pulver aus SnO aufweist, die in einem geeigneten Bindematerial, wii

Harnstoffharz, suspendiert sind. Die lichtreflektie rende Widerstandsschicht 24 kann vorzugsweise ein* Stärke von etwa 20 μηι aufweisen. Über die licht reflektierende Widerstandsschicht 24 ist eine licht undurchlässige Widerstandsschicht 25 gelegt, dii

Rußteilchen aufweist, die in einem geeigneten Binde material, wie Epoxidharz, suspendiert sind. Die licht undurchlässige Widerstandsschicht 25 kann eins Stärke von vorzugsweise etwa 10 μηι aufweisen. Übe: die lichtundurchlässige Schicht 25 ist eine photo

leitende Schicht 26 gelegt, die aus einem photoleiten den Material gebildet ist. Dieses Material kann bei spielsweise CdS, CdSe oder CdS—CdSe aufweisen das mit Kupfer oder Chlor aktiviert wurde und mi einem Bindematerial, wie Epoxidharz, gemisch

wurde. Die photoleitende Schicht 26 kann einf Stärke von vorzugsweise 250 bis 300 μΐη aufweisen über JrC'piiotoleitende Schicht 26 ist eine zweitt lichtdurchlässige Elektrode 27 gelegt, die eine dünnf

Schicht aus verdampftem Aluminium oder Silber aufweisen kann. Alternativ kann eine Elektrode, die aus einer Anzahl aus dünnen Drähten, beispielsweise Wolframdrähten besteht, die einen Durchmesser von 10 bis 50 μηι aufweisen und parallel in gleichem Abstand von 300 bis 500 [im angeordnet sind, oder eine gelochte oder gitterförmige Elektrode mit einer Maschenweite von 200 bis 500 μΐη verwendet werden. Mit den Elektroden 22 und 27 werden Verbindungen durch die Zuleitungen 28 bzw. 29 gebildet, die an die Serienschaltung einer Wechselspannungs-Energiequelle 30 und einer Gleich-Vorspannungsquelle 31 angeschaltet sind.

Es ist höchst wünschenswert, daß der Widerstand der elektrolumineszentcn Widerstandsschicht in Riehtung ihrer Stärke höher ist als der Widerstand der lichtreflektierenden und lichtundurchlhssigen Schichten 24 und 25 und daß der Dunkelwiderstand der photoleitenden Schicht 26 höher ist als der Gesamtwiderstand über die Stärke der elektrolumineszenten, lichtreflektierenden und lichtundurchlässigen Schichten 23, 24 und 25.

Der Pfeil L₁ zeigt die Eingangs-Strahlungsenergie, beispielsweise Lichtstrahlen oder Röntgenstrahlen, an, die auf die photoleitende Schicht 26 fallen. Die Bestrahlung der photoleitenden Schicht 26 mit einer solchen Eingangsstrahlungsenergie L₁ bewirkt eine Verringerung der Wechselspannungsimpedanz der photoleitenden Schicht 26 und eine resultierende Vergrößerung des Teils der an die elektrolumineszente Schicht 23 angelegten Wechselspannung, wodurch das Leucht-Ausgangssignal L₂ des Gerätes vergrößert wird.

Die Leitfähigkeit einer photoleitenden Vorrichtung ändert sich bekanntlich in Abhängigkeit von der Intensitätsänderung der Eingangs-Strahlungsenergie, wenn die Vorrichtung mit einer Arbeits-Wechselspannung versorgt wird. Es ist zu bemerken, daß in diesem Fall die Änderungsempfindlichkeit dieser Leitfähigkeit bedeutend verbessert werden kann, wenn die Vorrichtung mit einer Gleichspannung vorgespannt wird, die der Wechselspannung zu überlagern ist. In der in F i g. 6 dargestellten Ausführungsform ist daher eine Gleichspannungsquelle 31 miteiner Wechselspannungsquelle 30 in Serie geschaltet, um die Photoleitungs-Empfindlichkeit des Photoleiters 26 zu vergrößern.

Wenn die elektrolumineszente Widerstandsschicht 23 nach der in F i g. 3 c angegebenen Weise hergestellt wurde, so daß sie einen Nichtlinearitätskoeffizienten gleich 1 besitzt, d. h. einen ohmschen Widerstand, ist beim Betrieb der in F i g. 6 dargestellten Ausführungsform der Teil der an der photoleitenden Schicht 26 liegenden Gleich-Vorspannung im Dunklen oder bei unerregtem Zustand relativ groß; er nimmt mit dem Ansteigen der Eingangsstrahlungsenergie L₁ ab. Daher nimmt die Empfindlichkeit der photoleitenden Schicht 26 mit der Abnahme der Eingangsstrahlungsenergie L₁ zu. Wenn die Vorspannung der Gleichspannungsquelle erhöht wird, nimmt der Gammawert ab, und der Arbeitsbereich des Gerätes erstreckt sich auf einen Bereich niedriger Eingangsenergie.

In der in F i g. 6 dargestellten Ausführungsform bleibt bei der elektrolumineszenten Schicht 23, die nach den Erhitzungsbedingungen (a) hergestellt wurde, um einen Nichtlinearitätskoeffizienten von 3 zu erhalten — d. h. ein superlinearer Widerstand wird verwendet —, der Teil der an der elektrolumineszenten Schicht 23 anliegenden Gleichspannung auf Grund der »Varistor«-Wirkung der Schicht im wesentlichen unverändert, unabhängig von der Eingangsstrahlungsenergie L₁. So bleibt der Teil der Gleichspannung, der an die photoleitende Schicht 26 angelegt wurde, und demgemäß deren Photoleitungs-Empfindlichkeit ebenfalls im wesentlichen unverändert, unabhängig von der Eingangsstrahlungsenergie L₁. Wenn die Gleich-Vorspannung erhöht wird, werden die Arbeitskurven in Richtung des Bereichs niedriger Eingangsenergie ohne nennenswerte Änderungen des Gammawertes und des Arbeitsbereichs verschoben, wodurch ein wirksames Arbeiten des Gerätes im Bereich niedriger Eingangsenergie ermöglicht wird.

Durch die Erfindung wird somit ein neuer und verbesserter elektrolumineszenter Körper geschaffen, der zur Verwendung in einer großen Anzahl elektrolumineszenter Vorrichtungen geeignet ist. Weiterhin kann der Widerstand der elektrolumineszenten Schicht über einen relativ großen Bereich geänded werden, und die Beziehung zwischen der angelegter Spannung und dem hindurchfließenden Strom kanr entsprechend dem Bedarfsfall ohmisch oder superlinear gemacht werden.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen 609 624/12

Claims (4)

zifischen Widerstand des elektrolumineszenten EIe- Patentanspriiche: ments e}n2UStellen. Der spezifische Widerstand dieses

1. Verfahren zur Herstellung eines elektro- Elements soll im wesentlichen gleich oder kleiner als himineszenten Körpers, welcher einen pulver- der Dunkelwiderstand_ des photoleitenden Elements, förmigen elektrolumineszenten Leuchtstoff einer 5 d.h. kleiner oder gleich 10»o_crn sem ss daß die Zn-Verbindung und Zinkoxyd enthält, die in Empfindlichkeit des photoleitenden Elements und Kunststoff als Bindemittel verteilt sind, da- die Leuchtintensität des elektrolumineszenten EIedurch gekennzeichnet, daß der pulver- ments wirksam gesteuert werden kann, indem die förmige elektrolumineszente Leuchtstoff zur Um- Größe der angelegten Gleichspannung geändert wird. Wandlung eines kleinen Teils desselben in Zink- ίο Wenn man zu diesem Zweck pulverformiges SnO₂ m oxyd bei einer Temperatur unterhalb von etwa die elektrolumineszierende Schicht einfügt, wird die 750⁰C in einer sauerstoffenthaltenden Atmo- Leuchtintensität dieser Schicht in unerwünscht Sphäre erhitzt und der erhaltene Leuchtstoff, des- hohem Maß herabgesetzt. Ein weiterer Nachteil besen elektrischer Widerstand durch die Wärme- steht darin, daß es schwierig ist, das halbleitende behandlung erniedrigt worden ist, mit etwa 30 bis 15 Pulver gleichmäßig über die gesamte elektrolumines-75 Volumprozent Kunststoffmaterial zur Einstel- zente Schicht zu verteilen, ohne eine Ungleichmäßiglung des spezifischen elektrischen Widerstandes keit in der Photoleit-Empfindüchkeit und der Leuchtgemischt wird. intensität herbeizuführen.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- Es sind Verfahren zur Herstellung von lumineskennzeichnet, daß der elektrolumineszente 20 zentem Material mit ZnO und ZnS bekannt, wobei Leuchtstoff aus ZnS, ZnSe, ZnS—ZnSe oder versucht wird, die Elektrolumineszenz zu erhöhen. ZnS—CdS besteht, das mit Kupfer aktiviert und So wird beispielsweise bei dem eingangs erwähnten mit Chlor und/oder Aluminium koaktiviert ist. Verfahren (DT-AS 10 51 401) eine bereits vorgefer-

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch tigte Mischung aus ZnS und ZnO bei einer Tempegekennzeichnet, daß das Kunststoffmaterial Harn- 25 ratur zwischen 800 und 900° C geglüht, wodurch die stoffharz ist. Elektrolumineszenz erhöht werden soll. Bei diesem

4. Anwendung des elektrolumineszenten Kör- Verfahren werden keine Maßnahmen getroffen, um pers nach einem der Ansprüche 1 bis 3 als Wider- die elektrische Leitfähigkeit des Leuchtstoffs herabstandsschicht (23) in einer elektrolumineszenten zusetzen, und das ZnO wird vor der Glühung der Vorrichtung (20) zwischen zwei lichtdurchlässi- 30 Mischung zugefügt. Bei einem weiteren bekannten gen Elektroden (22, 27), wobei vorzugsweise Verfahren zur Herstellung von elektrolumineszenten zwischen der einen lichtdurchlässigen Elektrode Leuchtstoffen (DT-AS 11 55 873) werden ZnO und (27) und der Widerstandsschicht (23) eine auf ZnS oder Mischungen des ZnS mit ZnSe, CdS oder letzterer angebrachte licht/eflektierende Schicht CdSe mit einem Aktivator und Aluminium als Ko-(24), eine daran anschließende lichtundurch- 35 aktivator verwendet, wobei das Gemisch in HCl-hallässige Schicht (25) und eine dann folgende, an tiger Schwefelwasserstoffatmosphäre bei Temperadie lichtdurchlässige Elektrode (27) angrenzende türen zwischen 1000 und 1200° C geglüht wird. Das photoleitende Schicht (26) vorgesehen sind. Verfahren hat das Ziel, Gitterfehlstellen in der Kristallstruktur des Leuchtstoffs zu erzeugen, es dient

40 damit nicht zur Aktivierung des Leuchtstoffs. Mit anderen Worten wird der Leuchtstoff erst hergestellt, nicht jedoch dessen elektrischer Widerstand durch

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstel- einen besonderen Verfahrensschritt erniedrigt,
lung eines elektrolumineszenten Körpers, welcher Schließlich ist ein Verfahren zum Herstellen

tinen pulverförmiger! elektrolumineszenten Leucht- 45 photolumineszierender Schichten bekannt (DT-OS Itoff einer Zn-Verbindung und Zinkoxyd enthält, 14 89 106), wobei ZnS mit ZnO gemischt und ein Hie in Kunststoff als Bindemittel verteilt sind. Der Halbleitermaterial hinzugefügt wird. Diese Maßfculverförmige Leuchtstoff kann beispielsweise aus nähme geschieht zur Erhöhung der ElektroluminesfcnS, ZnSe, ZnS—CdS und ZnS—ZnSe bestehen, zenz. Auch bei diesem Verfahren wird das ZnO voi das mit einem der I_b-Gruppe, wie Cu, aktiviert und 50 dem Brennen beigemischt, und das Brennen selbst tnit einem oder mehreren der III_b-Gruppe, wie Al, erfolgt unter inerter Gasatmosphäre, beispielsweise Vll_a-Gruppe, wie Mn, oder VIIb-Gruppe. wie Cl, unter Argon, Stickstoff oder Schwefelwasserstoff koaktiviert ist. Daher ist dieses Verfahren nicht zur Herabsetzung

Bei durch ein elektrisches Wechselfeld aktivier- des elektrischen Widerstandes des elektroluminesbaren, elektrolumineszenten Vorrichtungen liegt der 55 zenten Materials, sondern zur Verbesserung seine; tlektrolumineszente Körper gewöhnlich in Form Elektrolumineszenz vorgesehen,
einer Schicht vor, die als Isolatorschicht betrachtet Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einei

werden kann, weil der spezifische Widerstand elektrolumineszenten Körper mit relativ niedrigen des elektrolumineszenten Leuchtstoffs größer als elektrischem Widerstand bei möglichst hoher Leucht 10^llQcm ist. Mit der Entwicklung eines neuen 60 intensität zu schaffen. Diese Aufgabe wird durch dl· strahlungsenergieempfindlichen Festkörpergeräts mit im Kennzeichnungsteil des Hauptanspruchs ange einem kombinierten elektrolumineszenten Element gebenen Merkmale gelöst.

einer Zn-Verbindung, wie ZnS, und einem photo- Die Herabsetzung des elektrischen Widerstände

leitenden Element, das beispielsweise aus ZnS, ZnSe, wird durch ZnO bewirkt, das im Gegensatz zu de ZnS—CdS und ZnS—ZnSe bestehen kann, das mit 65 bekannten Verfahren nicht bereits dem Ausgangs Kupfer aktiviert und mit Chlor koaktiviert wurde material zugemischt ist, sondern erst durch di und zum Betrieb mit Gleich- und Wechselspannung Wärmebehandlung, die bei einer Temperatur untei eeeignet ist, ist es jedoch erforderlich, auch den spe- halb von 750° C in einer sauerstoffenthaltende