DE1489118A1 - Bildverstaerker zur Sichtbarmachung einer unsichtbaren Einstrahlung - Google Patents
Bildverstaerker zur Sichtbarmachung einer unsichtbaren EinstrahlungInfo
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 25
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 6
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims 1
- 230000007903 penetration ability Effects 0.000 claims 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000012549 training Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 206010037867 Rash macular Diseases 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
- H05G1/08—Electrical details
- H05G1/64—Circuit arrangements for X-ray apparatus incorporating image intensifiers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
Bildverstärker zur Sichtbarmachung einer unsichtbaren
Einstrahlung
Die Erfindung bezieht sich auf einen Bildverstärker zur Sichtbarmachung einer unsichtbaren Einstrahlung von hoher
Durchdringungsfähigkeit, mit - zwischen zwei strahlungsdurchlässigen flächigen Elektroden angeordnet - einer auf die einfallende
Strahlung ansprechenden Fluoreszenzschicht, einem in durchgehenden Vertiefungen in der Fluoreszenzschicht angeordneten
photoleitenden Körper, der auf die Fluoreszenz-Ausgangsstrahlung der Fluoreszenzschicht anspricht, und mit einer
elektrolumineszierenden Schicht, die in -Reihenschaltung mit dem photoleitenden Körper im Stromweg zwischen den Elektroden
liegt.
Es sind Bildverstärker oder Bildschirme bekannt (USA-Patentschrift
2 975 294), deren photoleitender Körper direkt
-2-
....... o,· 1 s-'z 3 cl^A-.
iuierlagen (Art.- * 1 ■ - ...... 1 s·. ζ j a.-
909820/0475
ss. V. 4.9.J9671,
auf die sichtbar zu machende Strahlung, beispielsweise Röntgenstrahlung,
anspricht. Photoleitende Körper absorbieren jedoch im allgemeinen. Strahlungen von hoher Durchdringungsfähigkeit
nur schlecht, so daß solche bekannten Bildschirme nur einen kleinen Teil der Einstrahlung ausnützen.
Es sind auch Bildverstärker bekannt (deutsche Patentschrift 1 033 812), bei denen diese Schwierigkeit dadurch
umfangen ist, daß die Einstrahlung von einer Fluoreszenzschicht
aufgefangen wird, die mit ihrer dabei entstehenden Ausgangsstrahlung die photoleitenden Körper erregt. Der Bildschirm
dieses bekannten Bildverstärkers zur Sichtbarmachung von Röntgenstrahlen weist zwischen zwei strahlungsdurchlässigen
Schichtelektroden strahlungseingangsseitig. die Fluoreszenzschicht
und strahlungsausgangsseitig die elektrolumineszierende Schicht auf. Die Fluoreszenzschicht weist zahlreiche
zylinderförmige Löcher auf. die sie ihrer ganzen Dicke nach durchsetzen und in denen sich der photoleitende Körper befindet,
der somit die strahlungseingangsseitige Elektrode mit der elektrolumineszierenden Schicht verbindet. Diese bekannte
Vorrichtung hat den Nachteil, daß bei der Herstellung.auf
überaus genaue Maßhaltigkeit des Schichtenschirms und ein-
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-5- H89118
wandfreie Kontaktberührung der Elektrode mit jedem Element des photoleitenden Körpers geachtet werden muß, so daß die
Herstellung des Bildschirms verhältnismäßig teuer ist.
Dieser lachteil wird bei einem Bildverstärker der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch vermieden,
daß der photoleitende Körper als zusammenhängende Schicht die gesamte, der Einstrahlung zugewandte Oberfläche der
Fluoreszenzschicht einschließlich der Vertiefungen überdeckt und die einstrahlungsseitige Elektrode als auf den
die volle Dicke aufweisenden Teilen der Fluoreszenzschicht angeordnete Gitterelektrode ausgebildet und in die den
photoleitenden Körper darstellende Schicht eingebettet ist. Durch diese erfindungsgemäße Ausbildung ergibt sich ein
einwandfreier Kontakt von selbst, da die photoleitende Schicht im Verlauf der Herstellung des Films erst nach der
Anbringung der gitterartigen Elektrode aufgebracht wird und diese in sich einbettet. Das Aufbringen dieser Schicht erfordert
-keine überdurchschnittliche Sorgfalt.
Darüber hinaus ergibt sich durch die Erfindung noch der
Vorteil, daß die gitterartige Elektrode, die etwa bei nuten-
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förmigen Vertiefungen ein .reines Paralleldrahtgitter dar-•
stellt, im Vergleich zu einer die gesamte Oberfläche abdeckenden Schichtelektrode eine erheblich verminderte Kapazität
des Schirms zur Folge hat, was beim Anlegen einer Wechselspannung an die Elektroden von Vorteil ist.
* Die durch die Fluoreszenzschicht hindurchgehenden Vertiefungen, an deren Oberfläche der photoleitende Körper
als Strompfad zwischen der strahlungseingangsseitigen Elektrode und der elektrolumineszierenden Schicht liegt, sind
vorteilhaft als Nuten oder Poren ausgebildet; Vertiefungen dieser Form sind leicht in der nötigen Feinheit herzustellen,
die zur Erzielung einer ausreichenden Feinkörnigkeit des Bilds notwendig ist.· Eine mechanische Bearbeitung des photoleitenden
Körpers ist nicht erforderlich; hierdurch wird die wegen der Brüchigkeit der photoleitenden Materialien bestehende
Gefahr von kleinen Schichtschäden vermieden.
Die photoleitende Schicht und die Fluoreszenzschicht bestehen aus verschiedenen Werkstoffen, wodurch der- Schirm
mit einer hohen Dunkelimpedanz ausgebildet werden kann. Die photoleitende Schicht, die etwa zu QOft aus photoleitendem
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Pulver besteht, kann an sich nur mit einer verhältnismäßig hohen Dielektrizitätskonstante hergestellt werden, die im
allgemeinen höher als 10 ist. Bei der erfindungsgemäßen Ausbildung trägt diese hohe Dielektrizitätskonstante jedoch kaum
zu einer Erhöhung der Kapazität des Schirms bei, da die Kapazität im wesentlichen von den dielektrischen Eigenschaften
der Fluoreszenzschicht bestimmt wird, deren Dielektrizitäts-
konstante durch entsprechende Bemessung des Volumenanteils an fluoreszierenden Partikeln kleingehalten werden kann. Eine
niedrige Schirmkapazität führt zu einem niedrigen Leerlaufstrom "und trägt damit zu einer niedrigen Leuchtdichte der Ausgangsstrahlung
an Stellen fehlender Eingangsstrahlung bei. Auch hinsichtlich des Ohm'sehen Widerstandes führt die erfindungsgemäße
Ausbildung zu einem guten Schwarz-Weiß-Verhältnis, da die Fluoreszenzpartikel in der Fluoreszenzschicht 'J
mit einem sehr hohen spazifischen Widerstand gewählt werden
können, während die photoleitenden Materialien demgegenüber einen niedrigeren Dunkelwiderstand aufweisen.
Weitere Einzelheiten, Yorteile und Merkmale der Er- I
findung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung. In der i
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Zeichnung ist die Erfindung beispielsweise veranschaulicht, und zwar zeigen
Fig. 1 einen Längsschnitt durch einen Bildverstärker
Fig. 1 einen Längsschnitt durch einen Bildverstärker
gemäß der Erfindung, uijd
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung, deren Innenaufbau teilweise freigelegt ist.
Ein Bildvers täi"ker gemäß Fig. 1 weist eine lichtdurchlässige
Trägerplatte 1 auf, die z.B. aus bleihaltigem Glas, das die eingestrahlten Eöntgenstrahlen absorbiert,
bestehen kann. Weiterhin umfaßt der Bildverstärker eine transparente Elektrode 2 aus einem Metalloxydfilm, z.B. Zinnoxyd,
der auf die Trägerplatte 1 aufgesprüht ist, sowie eine elektrolumineszierende
Schicht 3 aus beispielsweise ZnS:Cu, Al-Bilver, das mit einem Bindemittel, z.B. Epoxyharz, vermischt ist
und eine Dicke von ungefähr 40 η aufweist; das ZnS;Cu,Al Iuminesziert
als Reaktion auf die Änderung des elektrischen Feldes grün. An die Schicht 3 schließt sich eine isolierende oder
halbleitende opake Schicht 41 aus schwarzer Farbe od. dgl. mit einer Stärke von ca. 5 bis 10 μ an, die dazu dient, die
elektrolumineszierende Schicht 3 gegenüber einer photolei-
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tenden Schicht 7 optisch zu isolieren, wie nachstehend beschrieben ist. Auf der Schicht 41 liegt eine Schicht 42,
die eine Stromdiffusionsschicht ist und dazu dient, die mechanische Bearbeitung von nutenförmigen Vertiefungen 52
einer im folgenden beschriebenen Fluoreszenzschicht 50 zu erleichtern und auch die Diffusion des Photostroms zwecks
Vermeidung eines Streifigwerdens des Ausgangsbildes L zu bewirken. Diese Schicht 42 ist aus einem pulverförmigen nichtlinearen Widerstandsmaterial, wie z.B. CdssCl, gefertigt, das
mit einem Bindemittel, wie z.B. Epoxyharz, vermischt ist und eine Stärke von rund 100 bis $00 μ aufweist.
Die Fluoreszenzschicht 50, die bei Strahlungserregung aufleuchtet, ist mit den Vertiefungen 52 in Form V-förmiger
paralleler Nuten versehene an den Oberseiten der verbleibenden Stege sind durch Metallaufdampfung, Silberhaftfarbe
od. dgl. Elektroden 6 angeordnet. Die photoleitende Schicht' 7 überdeckt die Fluoreszenzschicht 50 auf der Fläche
51 und steht gleichzeitig in elektrischem Kontakt mit den Elektroden 6.
In der dargestellten Ausführungsform kann die dünne,
photoleitende Schicht 7 durch Vakuumaufdampfung oder durch
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Aufsprühen eines Gemisches aus einem photoleitenden Pulver .· und einem Bindemittel, wie Epoxyharz, hergestellt sein, das
mit einem Lösungsmittel, wie Diacetonalkohol, verdünnt ist.
Es sei angenommen, daß die photoleitende Schicht 7 aus einem photoleitenden Material der durch Cu,Cl aktivierten
*CdS-Serie besteht. Diese Materialien sind selbst für Röntgenstrahlen
empfindlich und haben auch eine hohe lichtelektrische Empfindlichkeit gegenüber einer Erregung durch optische
Strahlung, insbesondere eine Wellenlänge im Bereich von 500 bis 900 nyi. Die Fluoreszenzschicht 50 wandelt Röntgenstrahlen
in optische Strahlen um und erregt die photoleitende Schicht 7, die dabei ihre Impedanz verändert. Folglich
sollte die spektrale Verteilung der Ausgangsstrahlung der
Fluoreszenzschicht 50 diejenige der Lichtempfindlichkeit der * photoleitenden Schicht 7 zumindest teilweise überlappen.
Liegt also die spektrale Lichtempfindlichkeitsverteilung
im Bereich von 500 bis 900 mu, dann sollte die optische Strahlung der Schicht 50 zumindest teilweise im Spektralbereich
von 500 bis 900 mu liegen. Im Idealfall liegen die Charakteristiken der Spektralenergieverteilung im Bereich
derjenigen der Spektrallichtempfindlichkeitsverteilung, und
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ORlGlNAL INSPECTED 909820/0475
der maximale Integralwert wird erzielt, wenn das Produkt des jeweiligen Empfindlichkeitswertes (verteilter Wert)
für jede Wellenlänge über den Wellenlängen integriert worden ist.
Bei den photoleitenden Materialien der CdS-CuCl-Serie erfüllt
ein röntgenstrahlenlumineszierender Phosphor (Cd, Zn)S (feste lösung aus CdS und ZnS), der mit Ag aktiviert
ist, die vorstehende Bedingung. Wenn beispielsweise die Schicht 7 durch Aufsprühen einer Suspension von pulverförmigem
CdS:CuCl, das hochempfindlich gegenüber Orangelicht ist, in einem Bindemittel, wie Epoxyharz usw., gebildet ist,
dann kann die Schicht 50 aus einem Pulver des röntgenstrahlenlumineszierenden,
orangefarben aufleuchtenden Phosphors (Cd, Zn)StAg, das mit einem Klebemittel, wie Epoxyharz, Polystyrolharz
usw. vermischt ist, bestehen. Die Schicht 50 muß dick genug sein, um eine hohe -Impedanz im Vergleich zu derjenigen
der Schicht 3 zu ergeben, so daß deren -Ausgangsstrahlung auf
einen sehr niedrigen Wert absenkbar ist und sich ein günstiges Schwarz-Weiß-Verhältnis (Kontrastverhältnis) des Ausgangsbildes
L einstellt.
So kann beispielsweise die Schicht 50 eine Stärke von rund JOO bis 400 jx aufweisen} auf ihre eine Seite wird ein
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ORIGINAL INSPECTED
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leitendes Klebemittel in einer Stärke von rund 20 bis
40 ^i aufgebracht. Anschließend werden V-förmige Nuten unter
einem Teilungsabstand von rund 600 u eingeschnitten, so daß Vertiefungen 52 entstehen. Bei einem derartigen Aufbau ist
der Raumfaktor der Elektroden 6 niedriger als 1; die ''Schicht
50 hat aufgrund der Vertiefungen 52 eine hohe Impedanz. Mach einer solchen Fertigung der Fluoreszenzschicht 50 und der Elektroden
6 wird die photoleitende Schicht 7 aufgesprüht.
Die Elektroden 6 sind mit einem Leiter 8 parallelgeschaltet, während die transparente Elektrode 2 mit einem Leiter
10 verbunden ISt1. Die Leiter 8 und 10 sind über eine Wechselstromquelle
9 verbunden.
Fällt ein Söntgenstrahlenbild X gemäß den dargestellten Pfeilen auf den Verstärker, dann nimmt der Widerstand der
photoleitenden Schicht 7 durch die Eöntgenstrahlenerregung ab. Da die Röntgenstrahlen ein hohes Durchdringungsvermögen besitzen,
dringen sie durch die Schicht 7 und durch die Seiten
51 und die Elektroden 6 hindurch und ..erregen die Schicht 50, ;
die ihrerseits Orangelieht L„ ausstrahlt. Das Licht L0 erregt
die die Seiten 51 überdeckende photoleitende Schicht 7.
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ORlGINAL INSPECTED 909820/0475
Da die Schicht 7 eine niedrige Durchlässigkeit für Lieht
besitzt und die Schicht 50 sich als eine Art Lichtintegrant
verhält, werden die in der Schicht 50 erzeugten optischen ■Strahlen mit Ausnahme derjenigen in der Schicht 50 selbst
absorbierten von der Schicht 7 völlig absorbiert. Der Strom fließt von den Elektroden 6 an den Seiten 51 entlang, diffundiert
durch die Schicht 42 und bringt die Schicht 3 zum Aufleuchten. Das Röntgenstrahlenbild X ist auf diese Weise in
ein sichtbares Bild L umgewandelt und verstärkt worden.
In der Ausführungsform gemäß Fig. 1 weisen die Vertiefungen 52 die Ausbildung von parallelen, unter dem gleichen
Abstand angeordneten Nuten auf, können jedoch auch in einer anderen Form ausgebildet sein, wie z.B. als konzentrische
Kreise oder Spiralen, und brauchen nicht unbedingt einen V-förmigen, sondern können ebensogut einen kreisrunden oder
rechtwinkligen Querschnitt aufweisen.
Weiterhin liegt gemäß Fig. 1 die photoleitende Schicht
7 über den Seiten 51 und überdeckt diesen, . jedoch können Röntgenstrahlen, ~}f -Strahlen oder andere Strahlungen von hohem
Durchdringungsvermögen die Schicht 7 auch dann durchsetzen, wenn sie recht stark ist; die Vertiefungen 52 können des-
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halb -auch vom photoleitenden Material ausgefüllt sein. Obgleich
nach Fig. 1 die photoleitende Schicht 7 die Elektroden 6 überdeckt, ist dies nicht erforderlich} die einzige Vorbedingung
ist, daß sie elektrisch mit den Elektroden 6 verbunden ist. Die Elektroden 6 können also über die Schicht 7
hinaus vorstehen.
In Fig. 2 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung
dargestellt, beider die Vertiefungen in Form von Poren ausgebildet sind. In dieser Figur sind die der Fig. 1
entsprechenden Teile mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Hierbei bestehen die Vertiefungen aus regelmäßig verteilten konischen Poren, deren Spitzen in die Stromdiffusionsschicht
42 reichen. · Die photoleitende Schicht 7 füllt die konischen Poren aus, überdeckt ihre Seiten 51 und überdenkt
auch die GitteieLektrode 6.
Die Form der Poren braucht nicht konisch zu sein, sondern kann auch zylindrisch, prismatisch, halbkugelförmig od.
dgl. ausgebildet sein.
In beiden Fällen erstrecken sich die nutenförmigen oder
konischen Vertiefungen bis in die Stromdiffusionsschicht 42; dies ist für eine wirksame Ausnützung des Impedanzwechsels in
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der photoleitenden Schicht 7 wünschenswert und auch, um durch die Diffusion des Photostroms ein Streifig- oder
Fleckigwerden des Ausgangsbildes zu verhindern. Die Vertiefungen können aber notfalls auch nur bis zu den mittleren
Teilen der Fluoreszenzschicht 50 oder zu deren Berührungsebene mit der Schicht 42 reichen. Auch kann die Stromdiffusionsschicht
42 notfalls weggelassen werden.
Vorteilhaft sind die Elektroden 6 für die einfallende Strahlung durchlässig, jedoch ist die Erfindung auch mit
undurchlässigen Elektroden ausführbar. In diesem Fall wird nur die durch die photoleitende Schicht 7 hindurchtretende
Eingangsstrahlung ausgenützt.
Die photoleitende Schicht 7 kann eine gesinterte Schicht sein, wenn Emailglas oder ein anderes Klebemittel,
das gegenüber hohen Temperaturen beständig ist, in der Fluoreszenzschicht verwendet ist. Auch die Fluoreszenzschicht
kann durch Sintern hergestellt werden; Weiterhin kann, falls die z.B. aufgedampfte elektrolumineszierende
Schicht durch Gleichstrom zum Leuchten gebracht wird, diese
an eine Gleichstromquelle angeschlossen werden.
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9 8 ZO/(H 7 5*
Claims (3)
1. Bildverstärker zur Sichtbarmachung einer unsichtbaren Einstrahlung von hoher Durchdringungsfähigkeit, mit
- zwischen zwei strahlungsdurchlässigen flächigen Elektroden angeordnet - einer auf -die einfallende Strahlung ansprechenden
Fluoreszenzschicht, einem in durchgehenden Vertiefungen in der Fluoreszenzschicht angeordneten photoleitenden Körper,
der auf die Fluoreszenz-Ausgangsstrahlung der Fluoreszenzschicht anspricht, und mit einer elektrolumineszierenden
Schicht, die in Reihenschaltung mit dem photoleitenden Körper im Stromweg zwischen den Elektroden liegt, dadurch
gekennzeichnet, daß der photoleitende Körper als zusammenhängende Schicht (7) die gesamte, der Einstrahlung zugewandte
Oberfläche der Fluoreszenzschicht (50) einschließlich der Vertiefungen überdeckt und die einstrahlungsseitige Elektrode
(6) als auf den die volle Dicke aufweisenden Teilen der Fluoreszenzschicht (50) angeordnete Gitterelektrode ausgebildet
und in die den photoleitenden Körper darstellende Schicht (7) eingebettet ist.
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(Art. / si -—·'- ■··■' 3ri'z3 ü- ••--.^'u
9O&82O/0475
2. Bildverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekenn-
, zeichnet, daß die durchgehenden Vertiefungen in der Fluoreszenzschicht
als Nuten ausgebildet sind.
3. Bildverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die durchgehenden Vertiefungen in der Fluoreszenzschicht
als Poren ausgebildet sind.
909820/0475
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4154363 | 1963-08-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1489118A1 true DE1489118A1 (de) | 1969-05-14 |
DE1489118B2 DE1489118B2 (de) | 1971-02-25 |
Family
ID=12611319
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19641489118 Withdrawn DE1489118B2 (de) | 1963-08-02 | 1964-08-03 | Festkoerper bildverstaerker |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3388256A (de) |
DE (1) | DE1489118B2 (de) |
GB (1) | GB1080641A (de) |
NL (1) | NL6408728A (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3475411A (en) * | 1966-12-27 | 1969-10-28 | Varian Associates | Mosaic x-ray pick-up screen for x-ray image intensifier tubes |
US3590253A (en) * | 1969-06-30 | 1971-06-29 | Westinghouse Electric Corp | Solid-state photoconductor-electroluminescent image intensifier |
US4490615A (en) * | 1981-10-30 | 1984-12-25 | Radiographic Screen Oy | X-ray intensifying screen |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3210551A (en) * | 1952-04-18 | 1965-10-05 | Westinghouse Electric Corp | Electroluminescent image amplifier |
US2835822A (en) * | 1955-09-12 | 1958-05-20 | Gen Electric | X-ray fluoroscopic screen |
DE1033812B (de) * | 1955-10-14 | 1958-07-10 | Philips Nv | Feststoffbildverstaerker mit einer strahlungsempfindlichen und einer elektroleuchtenden Schicht |
US2975294A (en) * | 1957-10-31 | 1961-03-14 | Rca Corp | Electroluminescent apparatus |
US3064133A (en) * | 1959-12-01 | 1962-11-13 | Rca Corp | Layer type storage light amplifier |
-
1964
- 1964-07-29 US US385887A patent/US3388256A/en not_active Expired - Lifetime
- 1964-07-30 NL NL6408728A patent/NL6408728A/xx unknown
- 1964-08-03 DE DE19641489118 patent/DE1489118B2/de not_active Withdrawn
- 1964-08-04 GB GB31382/64A patent/GB1080641A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1080641A (en) | 1967-08-23 |
NL6408728A (de) | 1965-02-03 |
US3388256A (en) | 1968-06-11 |
DE1489118B2 (de) | 1971-02-25 |
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