CH641586A5 - Liquid-crystal display panel in a matrix arrangement - Google Patents
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Description
Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der Flüssigkristallanzeigen und betrifft eine Anzeigetafel in Matrixanordnung. The invention is in the field of liquid crystal displays and relates to a display panel in a matrix arrangement.
Als Entwicklung der Westinghouse Electric Company sind Flüssigkristall-Anzeigetafeln in Matrixanordnung bekannt geworden, bei denen im Verlauf des Herstellprozesses ein dünner Film aus der Dampfphase niedergeschlagen wird, über den Feldeffekttransistoren und parasitäre Kondensatoren in die Fläche der Anzeigetafel eingebaut werden; vgl. insbesondere den Fachaufsatz T.P. Brody et al, «A 6"x6" 20 li-nes per inch Liquid Crystal Display Panel» in IEEE Trans, on Electron Devices ED-20 P995,1973. In dieser Veröffentlichung ist erwähnt, dass die in die Flüssigkristall-Anzeigetafel eingebauten Dünnfilm-Transistoren auf der Grundlage von Cadmium-Selen (CdSe) hergestellt sind. In mehrerlei Hinsicht befriedigen jedoch Cadmium-Selen-Dünnfilm-Transistoren nicht zur Steuerung solcher Flüssigkristall-Anzeigen. As a development of the Westinghouse Electric Company, liquid crystal display panels in a matrix arrangement have become known, in which a thin film from the vapor phase is deposited in the course of the manufacturing process, via which field-effect transistors and parasitic capacitors are built into the surface of the display panel; see. especially the technical paper T.P. Brody et al, "A 6" x6 "20 lines per inch Liquid Crystal Display Panel" in IEEE Trans, on Electron Devices ED-20 P995, 1973. In this publication, it is mentioned that the thin film transistors built into the liquid crystal display panel are made on the basis of cadmium selenium (CdSe). However, cadmium selenium thin film transistors are not satisfactory for controlling such liquid crystal displays in several respects.
Der Erfindung liegt damit die Aufgabe zugrunde, eine Flüssigkristall-Anzeigetafel der eingangs genannten Gattung zu schaffen, welche die sich aus der Verwendung von CdSe-Dünnfilm-Transistoren ergebenden Schwierigkeiten nicht aufweist. The invention is therefore based on the object of creating a liquid crystal display panel of the type mentioned at the outset which does not have the difficulties arising from the use of CdSe thin-film transistors.
Die erfindungsgemässe Lösung dieser Aufgabe ist dem Patentanspruch 1 zu entnehmen. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den abhängigen Patentansprüchen dargelegt. The inventive solution to this problem can be found in claim 1. Advantageous further developments are set out in the dependent claims.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele, welche die Merkmale der Erfindung enthalten, werden nachstehend in Verbindung mit einer Zeichnung näher erläutert. Darin zeigen: Preferred exemplary embodiments which contain the features of the invention are explained in more detail below in conjunction with a drawing. In it show:
Fig. 1 (a) bis l(d) schematische Querschnittsdarstellungen von im Rahmen der Erfindung verwendeten Dünnfilm-Tran-sistoren (TFT), 1 (a) to 1 (d) are schematic cross-sectional representations of thin-film transistors (TFT) used in the context of the invention,
Fig. 2 eine graphische Kennlinien-Darstellung zu den Transistoren der Fig. 1 (a) bis 1 (d), 2 shows a graphical representation of the characteristic curves for the transistors of FIGS. 1 (a) to 1 (d),
Fig. 3 ein schematisches Schaltbild einer Zellenansteuer-schaltung für eine Flüssigkristall-Anzeigetafel in Matrixanordnung, 3 shows a schematic circuit diagram of a cell drive circuit for a liquid crystal display panel in a matrix arrangement,
Fig. 4 graphische Darstellungen der Source-, Gate- und Fig. 4 graphical representations of the source, gate and
Drain-Spannungen, wie sie der Ansteuerschaltung von Fig. 3 zugeführt werden, Drain voltages, such as are supplied to the drive circuit of FIG. 3,
Fig. 5 eine andere Ansicht der Ansteuerschaltung von Fig. 3, 5 shows another view of the drive circuit of FIG. 3,
5 Fig. 6 bis 8 ein schematisches Schaltbild, ein Querschnitts-Ausschnitt bzw. eine abgebrochene perspektivische Darstellung einer erfindungsgemässen Flüssigkristall-Anzeigetafel in Matrixanordnung; 6 to 8 show a schematic circuit diagram, a cross-sectional section or a broken perspective view of a liquid crystal display panel according to the invention in a matrix arrangement;
Fig. 9 eine Kennliniendarstellung zum TFT, und io Fig. 10 eine schematische Querschnittsdarstellung durch eine modifizierte erfindungsgemässe Flüssigkristall-Anzeigetafel in Matrixanordnung. FIG. 9 shows a characteristic curve for the TFT, and FIG. 10 shows a schematic cross-sectional representation through a modified liquid crystal display panel according to the invention in a matrix arrangement.
Die Fig. 1 (a) bis 1 (d) zeigen erfindungsgemässe neue Formen von Dünnfilm-Feldeffekt-Transistoren 15 (TFT = Thin-Film Field-Effekt Transistor), die durchwegs ein isolierendes Substrat 1, eine (jate-Elektrode 2, eine Isolierschicht 3, eine Halbleiterschicht 4, eine Source-Elektrode 5 und eine Drain-Elektrode 6 aufweisen. 1 (a) to 1 (d) show novel forms of thin-film field-effect transistors 15 (TFT = thin-film field-effect transistor) according to the invention, which consist of an insulating substrate 1, a (jate electrode 2, a Insulating layer 3, a semiconductor layer 4, a source electrode 5 and a drain electrode 6.
Die Halbleiterschicht 4 besteht aus Tellur (Te). Als leitfä-20 higes Material für die Source-Elektrode 5 und die Drain-Elektrode 6 kann Gold (Au), Aluminium (AI), Indium (In) oder Kupfer (Cu) gewählt werden. Das Material für die Isolierschicht 3 kann SiO, Si02, A1203 und/oder CaF2 sein. Das Material für die Gate-Elektrode 2 kann Gold, Aluminium 25 od.dgl. sein. Ein typisches Beispiel für die Leistungscharakteristik eines so aufgebauten Transistors lässt sich der Kennliniendarstellung von Fig. 2 entnehmen, wo vorausgesetzt ist, dass die Gate-Spannung vorhanden ist. The semiconductor layer 4 consists of tellurium (Te). Gold (Au), aluminum (Al), indium (In) or copper (Cu) can be selected as the conductive material for the source electrode 5 and the drain electrode 6. The material for the insulating layer 3 can be SiO, Si02, A1203 and / or CaF2. The material for the gate electrode 2 can be gold, aluminum 25 or the like. be. A typical example of the performance characteristic of a transistor constructed in this way can be found in the characteristic diagram of FIG. 2, where it is assumed that the gate voltage is present.
Fig. 3 zeigt einen Ausschnitt aus dem Schaltbild einer be-30 vorzugten Flüssigkristall-Anzeigetafel in Matrixanordnung, wo jeder Matrix-Kreuzungspunkt durch eine oben beschriebenen Dünnfilm-Transistor 7 und einen parasitären Kondensator 10 angesteuert wird. Diese spezielle Anzeigetafel enthält eine Drain-Elektrode 8, eine Flüssigkristallzelle 9, eine ge-35 meinsame Gate-Elektrode 11 und eine gemeinsame Source-Elektrode 12. 3 shows a section from the circuit diagram of a preferred liquid-crystal display panel in a matrix arrangement, where each matrix crossing point is driven by a thin-film transistor 7 and a parasitic capacitor 10 described above. This special display panel contains a drain electrode 8, a liquid crystal cell 9, a common gate electrode 11 and a common source electrode 12.
Das Spannungsdiagramm von Fig. 4 zeigt das Ansteuer-spannungsverhalten der Flüssigkristall-Anzeigetafel in Matrixanordnung von Fig. 3, worin (a) eine Source-Spannung, 40 (b) eine Gate-Spannung und (c) eine Drain-Spannung ist. Es sei daraufhingewiesen, dass Fig. 3 und 4 nur eine einzige Zelle bzw. ein einziges Element der Matrixanordnung zeigen, während in Wirklichkeit mehrere solcher Zellen in X- und Y-Richtung aneinandergereiht sind, um die Matrixanordnung 45 ansteuern zu können. Eine Draufsicht auf die Zelle der Matrixanordnung zeigt Fig. 5. Das Metall für die Elektroden besteht aus Gold (Au) oder Aluminium (AI), das Isoliermaterial ist Si02 oder A1203, und das Halbleitermaterial Tellur (Te). The voltage diagram of FIG. 4 shows the drive voltage behavior of the liquid crystal display panel in the matrix arrangement of FIG. 3, wherein (a) is a source voltage, 40 (b) is a gate voltage and (c) is a drain voltage. It should be noted that FIGS. 3 and 4 show only a single cell or a single element of the matrix arrangement, while in reality several such cells are lined up in the X and Y directions in order to be able to control the matrix arrangement 45. 5 shows a plan view of the cell of the matrix arrangement. The metal for the electrodes consists of gold (Au) or aluminum (Al), the insulating material is SiO 2 or A1203, and the semiconductor material tellurium (Te).
Einzelheiten der Flüssigkristall-Anzeigetafel in Matrix-50 anordnung in Verbindung mit ihrer Ansteuerschaltung zeigen die Fig. 6 bis 8. Details of the liquid crystal display panel in matrix 50 arrangement in connection with its drive circuit are shown in FIGS. 6 to 8.
Ein gemäss obiger Beschreibung aufgebauter Dünnfilm-Feldeffekt-Transistor 20 ist mit seiner Gate-Elektrode an X-Leitertreiber R2 bis Rn, und mit seiner Source-Elektrode an 55 Y-Leitungstreiber Q bis Cn angeschlossen. Zwischen der Drain-Elektrode des TFT 20 und Massepotential befindet sich ein Flüssigkristall-Material 27, und zwischen der Drain-Elektrode und der Gate-Elektrode liegt ein Kondensator 26. Da zwischen den an den Flüssigkristall angelegten elektri-60 sehen Signalen und den daraus resultierenden Änderungen seiner optischen Eigenschaften eine Zeitverzögerung besteht, sorgt der Kondensator 26 dafür, dass die Anwesenheitsdauer einer am Flüssigkristallmaterial anliegenden Signalspannung sich über die Erholzeit hinauserstreckt, damit das Flüssigkri-65 Stallmaterial punktförmig reagieren kann. Aus diesem Grund hat der Feldeffekt-Transistor 20 einen gegebenen Schwellwert. In Fig. 6 liegt der Kondensator 26 zwischen Drain- und Gate-Elektrode des Transistors 20, um Kopplungen zwischen A thin-film field-effect transistor 20 constructed as described above is connected with its gate electrode to X conductor drivers R2 to Rn and with its source electrode to 55 Y conductor drivers Q to Cn. A liquid crystal material 27 is located between the drain electrode of the TFT 20 and ground potential, and a capacitor 26 is located between the drain electrode and the gate electrode. There between the electrical signals applied to the liquid crystal and the resulting signals If there is a time delay to changes in its optical properties, the capacitor 26 ensures that the duration of the presence of a signal voltage applied to the liquid crystal material extends beyond the recovery time so that the liquid crystal material can react in a punctiform manner. For this reason, the field effect transistor 20 has a given threshold. In Fig. 6, capacitor 26 is between the drain and gate electrodes of transistor 20 to couple between
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dem Kondensator und Massepotential zu vermeiden. Angenommen, der X-Leitertreiber R, erzeugt einen positiven Impuls und der Y-Leitertreiber C, einen negativen Impuls, dann wird eine an den Kondensator C,, angelegte Spannung sich über die Spannung 30 von dem Y-Leitertreiber Q um eine Amplitude erhöhen, welche durch die Form des Impulses 29 bestimmt ist. Geht der Impuls 29 jedoch auf Massepotential zurück, so dass der Transistor T, j gesperrt ist, dann ist die Spannung am Kondensator Tt, im wesentlichen derjenigen gleich, welche vom Y-Leitertreiber C, zugeführt wird, so dass der Kondensator C,, parallel mit der Flüssigkristallzelle T,, liegt. Da der Kondensator 26 zwischen Gate- und Drain-Elektrode des Feldeffekt-Transistors 20 liegt, befindet er sich parallel mit dem Flüssigkristall über dem grössten Teil einer Rahmenperiode und fördert dadurch das Ansprechen des Flüssigkristalles. to avoid the capacitor and ground potential. Assuming that the X-conductor driver R generates a positive pulse and the Y-conductor driver C, a negative pulse, then a voltage applied to the capacitor C ,, will increase by an amplitude over the voltage 30 from the Y-conductor driver Q, which is determined by the shape of the pulse 29. However, if the pulse 29 goes back to ground potential, so that the transistor T, j is blocked, then the voltage at the capacitor Tt is essentially the same as that which is supplied by the Y-conductor driver C, so that the capacitor C ,, in parallel with the liquid crystal cell T ,, Since the capacitor 26 lies between the gate and drain electrodes of the field-effect transistor 20, it is located in parallel with the liquid crystal over most of a frame period and thereby promotes the response of the liquid crystal.
Bei der in Fig. 7 und 8 dargestellten Transistoranordnung trägt eine transparente Unterlage 40 einen transparenten und elektrisch leitfähigen Film 41, und eine zweite Unterlage 42 trägt mehrere Gate-Leitungen 44 aus Cr oder AI, eine Isolierschicht 46 aus SiO oder A1203 und eine Halbleiterschicht 48 aus Te. Ausserdem sind mehrere Source-Leitungen 50 aus Ag senkrecht zu den Gate-Leitungen 44 auf der Halbleiterschicht 48 angeordnet. Ein Drain-Abschnitt 52 aus Ag befindet sich direkt auf einer bestimmten der Source-Leitungen 50 und dient nicht nur als Drain-Elektrode, sondern zusätzlich als die eine Elektrode des Kondensators. 7 and 8, a transparent base 40 carries a transparent and electrically conductive film 41, and a second base 42 carries a plurality of gate lines 44 made of Cr or Al, an insulating layer 46 made of SiO or A1203 and a semiconductor layer 48 from Te. In addition, a plurality of source lines 50 made of Ag are arranged perpendicular to the gate lines 44 on the semiconductor layer 48. A drain section 52 made of Ag is located directly on a certain one of the source lines 50 and serves not only as a drain electrode, but also as the one electrode of the capacitor.
Zwischen den beiden Unterlagen 40 und 42 ist ein Flüssigkristallmaterial 54 injiziert. A liquid crystal material 54 is injected between the two bases 40 and 42.
Die erfindungsgemässe Anzeigetafel-Ausführung ist dem eingangs gewürdigten Stand der Technik insbesondere deshalb überlegen, weil bessere Betriebscharakteristiken vorhanden sind, sie einfacher herstellbar ist und bei der Fabrikation , zur Vermeidung von Ausschuss beiträgt. Wie erwähnt, besteht ein besonderes Merkmal der Erfindung darin, dass bei der hier vorliegenden Flüssigkristall-Anzeigetafel in Matrixanordnung der Ansteuerungs-Feldeffekt-Transistor TFT die Tellur-(Te) Halbleiterschicht beinhaltet. The display panel design according to the invention is superior to the prior art recognized in the beginning, in particular because better operating characteristics are available, it is easier to manufacture and helps to avoid rejects in production. As mentioned, a special feature of the invention is that in the present liquid crystal display panel in matrix arrangement, the drive field effect transistor TFT contains the tellurium (Te) semiconductor layer.
Erfindungsgemäss werden insbesondere dadurch Vorteile erzielt, dass Tellur (Te) keine photoleitenden Eigenschaften hat. Dagegen ist bekannt, dass bei den bisher verwendeten Dünnfilmtransistoren aus Cadmiumsulfid (CdS) oder Cad-mium-Selen (CdSe) besondere photoleitende Eigenschaften vorliegen. In Fig. 9 ist graphisch dargestellt, wie bei der Verwendung von Cadmiumsulfid oder Cadmium-Selen der Drain-Strom von der Drain-Spannung abhängig ist. Die durchgehenden Linien 13 gelten für die Abwesenheit von einfallendem Licht. Wenn jedoch Licht auf die Anordnung fällt, dann addiert sich ein Fotostrom, und es gelten die unterbrochen gezeichneten Linien 14. Dadurch erhöht sich der in Fig. 9 mit 15 bezeichnete Ausschaltwiderstand Rab auf den Wert 16 und der mit 17 bezeichnete Einschaltwiderstand Rein auf den Wert 18, d.h., das Verhältnis 15:17 ändert sich auf das Verhältnis 16:18. Diese Erscheinung führt zu unstabilen Betriebscharakteristiken beim Dünnfilmtransistor, da die Menge des einfallenden Lichtes niemals konstant sein wird. Um diesen Mangel zu vermeiden, müsste der Lichteinfall entweder verhindert oder stets konstant gehalten werden. Dies führt bei den bekannten Anordnungen zu Komplikationen. According to the invention, advantages are achieved in particular in that tellurium (Te) has no photoconductive properties. On the other hand, it is known that the thin film transistors made of cadmium sulfide (CdS) or cadmium selenium (CdSe) have special photoconductive properties. FIG. 9 shows graphically how the drain current is dependent on the drain voltage when using cadmium sulfide or cadmium selenium. The solid lines 13 apply to the absence of incident light. If, however, light falls on the arrangement, then a photocurrent is added and the broken lines 14 apply. As a result, the switch-off resistance Rab, denoted by 15 in FIG. 9, increases to the value 16 and the switch-on resistance Rein, denoted by 17, to the value 18, that is, the ratio 15:17 changes to the ratio 16:18. This phenomenon leads to unstable operating characteristics in the thin film transistor, since the amount of the incident light will never be constant. To avoid this deficiency, the incidence of light would either have to be prevented or kept constant. This leads to complications in the known arrangements.
Dennoch ist es bei der erläuterten bekannten Anzeigetafelanordnung sehr schwierig, die Amplitude des auf die Halbleiterschicht des TFT einfallenden Lichtes konstant zu halten. Die Fabrikation wird kompliziert, auch wenn es gelingen sollte, von der Gestaltung her eine Lichtabschirmung zu bilden. Erfindungsgemäss ist keine derartige Lichtabschirmung erforderlich, weil Tellur seine Leitfähigkeit bei einfallendem Nevertheless, in the known display panel arrangement explained, it is very difficult to keep the amplitude of the light incident on the semiconductor layer of the TFT constant. The fabrication becomes complicated, even if it should succeed in designing a light shield. According to the invention, no such light shielding is necessary because tellurium has its conductivity when incident
Licht nicht verändert; dadurch wird die Fabrikation wesentlich vereinfacht. Light not changed; this significantly simplifies production.
Ein weiterer Vorteil der Erfindung leitet sich daraus ab, dass Tellur nur aus einem einzigen chemischen Element be-5 steht, somit gleichförmig und einheitlich zusammengesetzt ist. Dagegen ist die gleichmässige Zusammensetzung und einheitliche Natur bei Dünnfilmtransistoren aus Cadmiumsulfid oder Cadmium-Selen viel weniger vorhanden als bei einem Einzelelement-Halbleitermaterial. Another advantage of the invention is derived from the fact that tellurium consists of only one chemical element and is therefore composed uniformly and uniformly. In contrast, the uniform composition and uniform nature of thin-film transistors made of cadmium sulfide or cadmium-selenium is much less than that of a single-element semiconductor material.
io Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, dass keine Notwendigkeit zum Beheizen eines Substrates besteht, wenn Tellur aufgedampft wird. Beim Aufdampfen von Cad-mium-Sulfid oder Cadmium-Selen zur Bildung einer Halbleiterschicht eines Dünnfilmtransistors ist es notwendig, das i5 Substrat auf 150 °C bis 450 °C zu beheizen, oder nach dem Aufdampfen der Schicht das Substrat in einer Atmosphäre aus getrocknetem Sauerstoff, getrocknetem Stickstoff oder einer Kombination von beiden einer Wärmebehandlung zu unterziehen. Verwendet man dagegen Tellur, dann sind diese 20 Massnahmen überflüssig, und die Auswirkungen auf die Metall- und Isolierschichten vor der Ablagerung des Tellur auf das Substrat sind minimal. Another advantage of the invention is that there is no need to heat a substrate when tellurium is evaporated. When evaporating cadmium sulfide or cadmium selenium to form a semiconductor layer of a thin film transistor, it is necessary to heat the i5 substrate to 150 ° C. to 450 ° C., or after evaporating the layer, the substrate in an atmosphere of dried oxygen heat treated nitrogen, or a combination of both. On the other hand, if tellurium is used, these 20 measures are superfluous and the effects on the metal and insulating layers before the tellurium is deposited on the substrate are minimal.
Fig. 10 zeigt eine Abwandlung des Tellur-(Te) Dünnfilm-Transistors in der Weise, dass eine Isolierschicht 13 aufgelegt 25 ist, welche den Dünnfilm-Feldeffekt-Transistor vor dem Flüssigkristallmaterial schützt. Würde man nämlich das Flüssigkristallmaterial in direkten Kontakt mit dem unter Verwendung der Halbleiterschicht 4 aus Tellur aufgebauten Dünnfilm-Feldeffekt-Transistor bringen, dann würden des-30 sen Betriebscharakteristiken schlechter ausfallen. Die Isolierschicht 13 besteht aus einem geeigneten Material und wird mit geeigneten Fabrikationsbedingungen aufgebracht. Verwendet man hier ein ungeeignetes Material oder bringt man ein geeignetes Material unter ungeeigneten Fabrikationsbedin-35 gungen auf, dann würden sich ebenfalls die Betriebscharakteristiken des TFT verschlechtern. 10 shows a modification of the tellurium (Te) thin-film transistor in such a way that an insulating layer 13 is applied 25, which protects the thin-film field-effect transistor from the liquid crystal material. Namely, if the liquid crystal material were brought into direct contact with the thin film field effect transistor constructed using the tellurium semiconductor layer 4, its operating characteristics would be worse. The insulating layer 13 consists of a suitable material and is applied with suitable manufacturing conditions. If an unsuitable material is used here or if a suitable material is applied under unsuitable manufacturing conditions, the operating characteristics of the TFT would also deteriorate.
Die nachstehend aufgeführte Tabelle bezieht sich auf die Ergebnisse von Versuchen der Anmelderin in bezug auf die Isolierschicht für den Dünnfilm-Feldeffekt-Transistor: The table below relates to the results of the applicant's experiments on the insulating layer for the thin film field effect transistor:
40 Ablagerungsmethode 40 deposit method
Material material
Ergebnis Result
Aufsprühen Spray on
Si3N4 Si3N4
schlecht bad
Si02 Si02
schlecht bad
45 45
A1203 A1203
gut Good
Aufdampfen Evaporation
SiO SiO
schlecht bad
Si02 Si02
schlecht bad
ai2O3 ai2O3
gut Good
50 Aus der vorstehenden Tabelle geht hervor, dass bei Verwendung von Silicium-Dioxid (Si02) als Isolierschicht eine Leistungsverminderung des TFT eintrat. Auch Siliciumnitrid (Si3N4) und Siliciummonoxid (SiO) führten zu einer Verschlechterung der Leistungscharakteristik beim Transistor, 55 abhängig von der Ablagerungsmethode. Dagegen zeigten sich bei der Abschirmung des Dünnfilm-Feldeffekt-Transistors TFT mit Aluminiumoxid (A1203) durch Aufsprühen oder Aufdampfen keine Änderungen in den Betriebs- bzw. Leistungscharakteristiken bei Verwendung einer Tellur-(Te) 60 Halbleiterschicht für den TFT. Die Verdampfung wurde durchgeführt unter einem höher als 10 Torr liegenden Vakuum, und die Substrattemperatur lag zwischen Raumtemperatur und 150 °C. Vorausgesetzt, der TFT ist von dem Flüssigkristallmaterial durch die Schutz- bzw. Isolierschicht aus 65 Aluminiumoxid (A1203) getrennt, dann bleiben die ausgezeichneten Eigenschaften des TFT voll erhalten. 50 The table above shows that when silicon dioxide (SiO 2) was used as the insulating layer, the TFT was degraded. Silicon nitride (Si3N4) and silicon monoxide (SiO) also led to a deterioration in the performance characteristics of the transistor, 55 depending on the deposition method. In contrast, the shielding of the thin-film field-effect transistor TFT with aluminum oxide (A1203) by spraying or vapor deposition showed no changes in the operating or performance characteristics when using a tellurium (Te) 60 semiconductor layer for the TFT. Evaporation was carried out under a vacuum higher than 10 torr and the substrate temperature was between room temperature and 150 ° C. Provided that the TFT is separated from the liquid crystal material by the protective or insulating layer made of 65 aluminum oxide (A1203), then the excellent properties of the TFT are fully retained.
5 Blatt Zeichnungen 5 sheets of drawings
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| PL | Patent ceased |