DE2046499C3 - Verfahren zur Herstellung von Galliumarsenidphosphid-Halbleiterni a ten al - Google Patents

Description

Hienu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

1. auf etwa 28

   P„,_M„„_ip™=h:

   rfahren z
   lerial

   Verfahren zur Herstellung von Halbleitern«- abnahmen ^(va" flehender. Mischkristall beträgt lerial aus Galliurnarsenidphosphid durch Lösen 5 Phospnors in- Durchschnitt, wenngleich er in von Galliumarsenid und Galliumphosphid in ^daliei'.⁶¹^Ln T efen indem Kristall variieren kann, einem metallischen Lösungsmittel bei einer Tem- verschiedenui ^ Arsens, der in dem Misch-

   peratur T. und anschließendes Abkühlen auf eine Somit ist aern _thaltcn i_st, größer ist als der

   Temperatur T₂, dadurch gekennzeich- knsta.. ιjus Oa/ ^* *,^_{nen Phosph}ors, auße- wenn net, daß man die Menge entweder der Arsen- io Anteil desι aarin c ^ ^ _{phosphors unter}

   oder der Phosphorkomponente auf einen Wert ^{die Lo5|}'^c.wpti von etwa 20% liegen. Die Anteile begrenzt, der kleiner ist als die Menge, die der dem niedrigenJ^ ^ ft £_m GaAs^P₁-Löslichkeit bei der Temperatur T₁ entspricht, und des Arsens unl rn ί _k„_{nnen durch AuswaM}

   größer ist als die Menge, die der Löslichke.t be. Kristall enth al £ⁿ *«ⁿ >_ttd ^ _{lösenden Antei}le von der Temperatur T₂ entspricht. .5 jLr m dem ^ ^B _Ga|1;_umphosphj_d, _der Tempera

   tur" auf welche das Galliumarsenid und das Gall.um- u u-A^rh-ü-rt werden die Temperaturdifteienz

   phosphid erhiUt Jf™S'_slichkeiten der beiden Be-

   Ät heraSgesem werden, die Geschwindigkeit

   _JO Ä g

   Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von in der die Temperatur ^^^^k^a»

   Halbleitermaterial aus Galliumarsenidphosph.d durch werden. TroUdem st-s s s, ^

   Lösen von Galliumarsenid und Galliumphosphid in GaAs₁ *P* herzustel ¹^"' J^{ie e}" ⁸

   einem metallischen Lösungsmitte! bei einer Tempera- Phosphor als^ Arsen_ ^ Galliumarsenid und

   turr, und anschließendes Abkühlen auf eine Tem- *_{5 rq} ^A£^₀J_hi^ Mischkristalle umzukristallisieren,

   r^T S ff l di A

   _rq£^₀J_hi^ Mischkristalle um,

   Eristbekannt, daß, wenn Galliumarsenid und Sen pfospforkom.onente größer ist als die Arsen-Galliumphosphid in Gegenwart eines metallischen ^ko"JP°"^ente _{m!irl Hadurch} erreichen, daß man Gallium-Lösungsmittels, wie Gallium oder Zinn, auf eine ^Oas.^ZZtt wich«? Arsen in einer Menge bestimmte Temper in einem geschlossenen Be- 30 arsen.d verwendet welches Ar ^ ^

   halter erhitzt werden, das Galliumarsenid und das enthalt, ^d'^e ^^'"fall -chen Lösungsmittel löslich ist.

   Galliumphosphid in dem metalli* hen Lösungsm.ttel Arsen m dem ηletallisctieii j-osjmg

   in Mengen gelöst werden, die durch die jeweiligen Will man be.sp.dswe,«^M^^hJ™^^2a._nR'^

   Löslichkeiten bestimmt werden, üie LÖshchkeits- enthaltend (α-β,) /.Λ^n aurc"

   kurven von Arsen (As) und Phosphor (P), welche in 35 Temperatur von V^uf'*J^e™^ kiemer als a, und

   Gallium (Ga) als metallisches Lösungsmittel gelöst Wert α so bestimmt werden, daß er kleiner «,

   werden sollen, sind in der Zeichnung dargestellt. größer als β, ist, narnlich' "i < β < ««· _MischkristaU

   Wie aus der Zeichnung ersichtlich, werden Arsen In diesem Fall enthalt der en stehende Miscnkri ta

   und Phosphor in dem Gallium als Lösungsmittel in GaAs.-Λ (a-^Ύο ^A^ ""^Uc_{n d}ie Phos-Mengen gelöst, entsprechend </„ bzw. b^₀, bei Er- 40 phor. In entsprechender WeiseJ«wn »uch die Hhos hitzung auf eine Temperatur T₁. Wenn nun die Tem phormenge, die in ^de™ ^G^7P^hÄV w«S peratur von T₁ auf T₂ herabgesetzt wird, dann fallen ist, auf emen bestimmten Wert ft begrenzt weraen die Löslichkeiten von Arsen und Phosphor auf «₂% der kiemer ist als b, unc1 großer als ö,, ™f^u«£ bzw. 6₂°/₀. Daraus folgt, daß das Arsen und der <&-*,)·/„ Phosphor in dem GaAs₁-«P_e-Knstaii ent Phosphor in Mengen von (fl,-a₂)7o bzw. (A₁-W/o 45 halten sind. . „rh^itpii die die Arsen-

   a,Jl,iumarsenidphosphid GaAs₁^P₁(O < , < 1) J^^±^^^ ^^^

   Wein Galliumarsenid und Galliumphosphid in teilen quer durch die ψ«^^

   Gegenwart von Gallium als Lösungsmittel auf eine soll die Temperatur innerhalb eines

   Temperatur von 1050⁰C in einem verschlossenen 50 Bereiches herabgesetzt werden, in dem dl

   i G k l i sentlichen l.neat^genom

   Temperatur von 1050⁰C in einem verschlossenen 50 Bereiches herabgesetzt werden, in dem dl ^'^IC™J^t!J Behäher (der eine Atmosphäre von inerten Gasen kurven als im wesentlichen l.neat,^genommen werden oder von Wasserstoffgas enthalten oder evakuiert können. Ein solcher Temperaturbereich,kannbe.sp.dssein kann) erhitzt werden, lösen sich das Ga'lium- weise in der Größenordnung von 20 C egeru Wenn arsenid und das Galliumphosphid in dem Gallium- es dagegen erwünscht f>°™\^™$Wjl„_m Lösungsmittel in Mengen entsprechend etwa 34 und ₅₅ halten, in deneh die Anteile der ^-ü"«™?»« 27 o/„ (als Molanteil) an Arsen bzw. Phosphor. Wenn komponenten in verschiedener Tiefe var leren kann die Temperatur auf etwa 1000⁰C herabgesetzt wird, die Temperatur über emen weite« Bereich von beifallen die Löslichkeiten des Arsens und des Phosphors spielsweise etwa 200 C herabgesetzt werden.