DE2030013A1 - Mittel zum Atzen von Metallen - Google Patents

Mittel zum Atzen von Metallen

Info

Publication number
DE2030013A1
DE2030013A1 DE19702030013 DE2030013A DE2030013A1 DE 2030013 A1 DE2030013 A1 DE 2030013A1 DE 19702030013 DE19702030013 DE 19702030013 DE 2030013 A DE2030013 A DE 2030013A DE 2030013 A1 DE2030013 A1 DE 2030013A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
etching
photoresist
agent
molybdenum
same
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19702030013
Other languages
English (en)
Other versions
DE2030013B2 (de
DE2030013C (de
Inventor
Levine Harold A Poughkeepsie NY Colom Lucas Anthony Blooming burg (VStA) P
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE2030013A1 publication Critical patent/DE2030013A1/de
Publication of DE2030013B2 publication Critical patent/DE2030013B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2030013C publication Critical patent/DE2030013C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/32Alkaline compositions
    • C23F1/38Alkaline compositions for etching refractory metals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

IBM Deutschland Internationale Büro-Maichinen Getelltehaft mbH
BöblIngen, 15. Juni 1970 kd/du
Anmelderin:
International Business Machines Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen:
Neuanmeldung
Aktenzeichen der Anmelderin ι
Docket FI 969 025
Mittel zum Ätzen von Metallen.
Die Erfindung betrifft ein Mittel zum Ätzen von Metallen, insbesondere von Chrom oder Molybdän.
Bei der Herstellung elektronischer Schaltungen wurden bisher immer kleinere Bausteine und Schaltkreise verwendet. Die integrierte, monolithische Bauweise ermöglicht, noch mehr Bauelemente in einem geringen Volumen unterzubringen und dadurch ist eine schnellere Signalverarbeitung durch kürzere Signalwege möglich bei gleichzeitiger wirtschaftlicher Herstellung durch große Stückzahlen.
Zur Herstellung integrierter Schaltungen sind eine Reihe von Einzelprozessen wie Epitaxie, Eindiffusion von Verunreinigungen und Metallisierung in kleinsten Bezirken, die auf den Wafer verteilt sind, erforderlich, ohne daß andere Bezirke des Wafers beeinflußt werden. Die Übertragung einer bestimmten Oberflächenstruktur auf den Wafer geschieht mit Photomasken mit Hilfe eines photolithographischen Prozesses. Der ganze Wafer wird mit einem Photolack
009884/2086
beschichtet, durch eine Maske hindurch belichtet und entwickelt. Dabei werden die in dein nächsten Verfahrensschritt zu bearbeitenden Bezirke auf dem Wafer freigelegt. Für je einen Prozeßschritt ist eine Maske erforderlich. Die Masken bestehen im allgemeinen aus einem Muster in einem dünnen Chrom£ilm auf einer Glasplatte. Sie werden durch Ätzen des Chromfilms durch mine Photolackmaske hindurch hergestellt. Wegen der zunehxnenden Dichte der integrierten Schaltkreise werden an die Metallmasken bezüglich der Auflösung und der Kantendefinition sehr hohe Anforderungen gestellt.
Mit negativen Photolacken können die Anforderungen bezüglich der Kantendefinition nicht erfüllt werden. Positive Photolacke konnten bisher nicht verwendet werden,- weil diese in Alkali löslich sind und durch die üblichen Ätzmittel für Met all filme,, die Natriumoder Kaliumhydroxid enthalten, angegriffen werden. Es wurde vorgeschlagen f zur Verbesserung der Alkalibestäadigkeit gegenüber alkalischen Ätzmitteln die positiven Photolacke nach der Entwicklung, zu härten und dazu 30 Min. lang auf 180 °C zu erhitzen«, Niedrigere Temperaturen und kürzere Zeiten sind unwirksam» Die Härtung der Photolackschicht hat zwei Machteile. Einmal können die Dimensionen des Bildmusters innerhalb der geforderten Toleranzen von etwa 0,25 u nicht eingehalten werden, und der Photolack läßt sich, wenn überhaupt, nur unvollständig entfernen, so daß die Maske unbrauchbar wird.
Zweck der Erfindung ist deshalb ein Mittel süp Ätzen von Filmen aus Chrom oder Molybdän durch Masken aus einem positiven Photolack hindurch, ohne daß dieser bei der Itzong angegriffen wird.
Das erfindungsgemäße Mittel izwa Ätzen von Metallen ist dadurch gekennzeichnet, daß es aus ©iner wässrigen Löswag von wenigstens einem SaIa, das aus einer starken Base und einer schwachen anorganischen Säure gebildet ist und eiaem I» alkalischer Lösung wirksamen Oxydationsmittel besteht.
00988 A/2086
Docket FI 969 025
Das erfindungsgemäße Mittel zum Atzen von Metallen enthält ein Alkalimetallsalz einer schwachen anorganischen Säure, dessen Hydrolysenkonstante einen solchen Wert besitzt, daß eine 5%-ige wässrige Lösung des Salzes einen pH-Wert zwischen 12 und 13,5 besitzt. Der pH-Wert wird mit einer standardisierten, pH-Scala 0-14 Glaselektrode gemessen, die mit Hilfe einer standardisierten Pufferlösung vom pH 10 geeicht wurde. Der pH-Wert wird an 5%-igen Lösungen in Gegenwart des Oxydationsmittels gemessen. Eine 5%-ige Lösung wird zunächst verwendet, um festzustellen, ob ein gegebenes Salz brauchbar ist. Eine 5%-ige Lösung eines bestimmten Alkalisalzes einer schwachen Säure besitzt beispielsweise einen pH-Wert in dem angegebenen Bereich, während eine 15%-ige oder höher konzentrierte Lösung einen pH-Wert unter 13,5 besitzt. Im Rahmen der vorliegenden Erfindung wird in einem pH-Bereich zwischen 12 und 13,5, vorzugsweise zwischen 12,4 und 13,2 gearbeitet. Wenn innerhalb des letztgenannten, engeren Bereichs gearbeitet wird, kann dieser Bereich durch Zugabe von kleinen Mengen Schwefelsäure oder Phosphorsäure eingestellt werden.
Als Alkalisalze von schwachen, anorganischen Säuren, die Hydrolysenkonstanten in dem angebenen pH-Bereich, besitzen, kommen Natrium- oder Kalium-Orthosilikate, oder Metasllikate und Orthophosphate, oder Mischungen derselben untereinander in Frage. Beispielsweise ist die Lösung einer Mischung von Natriummetasilikat und Natrlumorthophosphat mit einem pH-Wert von 12,7 besonders geeignet. Vorteilhaft ist auch die Verwendung quartärer Ammoniumsalze von schwachen Säuren, deren 5%-ige Lösungen in dem Reaktionsmedium einen pH-Wert zwischen 12 und 13,5 besitzen. Quartäre Ammoniumsalze sind u.a. Trimethyl-benzyl-ammoniumsilikate und Phosphate. Auch Silikate und Phosphate des Pyridinium- und Chinoliniumrestes sind geeignet.
Als Oxidationsmittel werden in alkalischer Lösung wirksame Oxidationsmittel wie Natrium- oder Kaliumpermanganate bzw. Natrium- oder Kaliumcyanoferrate(III) verwendet. Auch Wismutate, Vanadate oder
G09884/2086
Docket FI 969 025
Chlorite können mit Erfolg eingesetzt werden. Permanganate werden in Mengen von 20 bis 60 g pro Liter und Cyanoferrate(III) in Mengen von 80 bis 320 g pro Liter verwendet»
Die positiven Photolacke sur Herstellung, der Photomasken,- die Phenol-Formaldehyd-Harze und Chinoadiagidsulfonsäureester 'als Sensibilisatoren enthalten, sind in den amerikanischen Patentschriften 3 201 239 und 3 046 120 beschrieben« Zur Herstellung von Photomasken im Rahmen der vorliegenden Erfindung wird eine transparente Glasplatte mit Chrom und dann mit Photolack beschichtet. Nach der bildmäßigen Belichtung und Entwicklung kann der Photolack 5 bis 60 Minuten lang bei Temperaturen zwischen 160 0C und 120 C in inerter Atmosphäre gehärtet werden,, Die Härtung kann jedoch auch weggelassen werden. Die freigelegten Stellen des Metallfilmes werden dann mit dem erfindungsgemäßem Ätzmittel abgeätzt. Der Photolack wird dabei nicht angegriffen und wird anschließend mit einem konventionellen Lösungsmittel entfernt« In einer weiteren vorteilhaften Anwendung der Erfindung kann das Ätzmittel sowohl zur gleichseitigen Entwicklung der belichteten Partien des positiven Photolacks wie auch zur Abätzung der darunterliegenden Metallfilmpartien verwendet werden= Das erflndungsgemäße Ätzmittel eignet sich darüber hinaus gut zur Jitsung mit Masken aus negativem Photolack, weil es weniger stark korrosiv auf negative Photolacke wirkt als die üblichen Ätzmittel, die Natrium» oder Kaliumhydroxid enthalten,, so das die Nachhärtung wegfallen oder unter milderen Bedingungen durchgeführt werden kann.
Das erfindungsgemäße Ätzmittel kann nicht nur sur Hersteilung von Arbeitsmasken, sondern auch sur Ätswag von dünnen Metallfilme» bei der Herstellung gedruckter Schaltungen und graphischer ©der dekorativer Muster verwendet
Die Erfindung wird anhand der nachfolgenden Ausföhrwngsbeispiele näher erläutert.
009884/20 8 6
Docket FI 969 025
In den Fign. IA bis D ist der schematische Ablauf der Herstellung von Masken nach Beispiel 1 angegeben.
Dem Diagramm, das in Fig. 2 dargestellt ist, können die optimalen Behandlungsdauer/Temperaturbedingungen für die Härtung entnommen werden.
Beispiel 1
Eine transparente, gereinigte Glasplatte 1Θ, dargestellt in Fig. f IA wird mit einer 0,04 bis 0,14 u dicken Chromschicht überzogen. Der Auftrag kann durch Aufdampfen oder durch Kathodenzerstäugung erfolgen. Auf die Chromschicht ihrerseits wird in einem photolithographischen Prozess eine Schicht eines positiven, alkalilöslichen Photolacks aufgetragen. Das Photolacksystem enthält als lichtempfindliche Verbindung einen Diazoketon-Sensibilisator, wie 2,3,4-Trihydroxy-benzophenon-naphtochinon-(1,2)-diazid-(2)-5-sulfonsäureester und ein m-Kresol-Formaldehyd-Novolakharz mit einem mittleren Molekulargewicht von ungefähr 1000, beides gelöst in einem Lösungsmittelgemisch, bestehend aus 83 Volumenprozent Äthylcellosolveacetat, 9 Volumenprozent n-Butylacetat und 8 Volumenprozent Xylol. Die Lackschicht wird 30 Minuten lang bei 75 C getrocknet und besitzt dann eine Schichtdicke von 0,35 bis 0,67 Ji· '
Die Photolackschicht wird durch eine Maske hindurch mit einer 200 Watt Quecksilberlampe 10 bis 20 Sekunden lang im Kontakt- oder Projektionsverfahren bildmäßig belichtet. Die belichtete Photolackschicht wird mit.- einem konventionellen alkalischen Entwickler für positive Photolacke, beispielsweise mit einer wässrigen Lösung mit ungefähr 5 Gewichtsprozent Feetstoffgehalt einer Mischung von Natriummetasilikat und Natriumorthophosphat, die einen pH-Wert von 12,7 besitzt, bei Zimmertemperatur entwickelt. Dabei werden die belichteten Stellen weggelöst, so daß die Photolackinseln 12 der Fig. IB entstehen. Das nicht durch den Photolack abgedeckte Chrom wird in einem Ätzbad, das 40 bis 60 g Kaliumper-
0 0988A/2086
Docket FI 969 025
manganat in einem Liter einer 5 Lösung von Natrimaaetasillkat und abgeätst (Fig. IC). Die 1 inseln 12 werden dabei nicht durch Tawehea ia Methyläthylketosa die im Flg. ID
nete Kanten um die
entstehen keine gesackt©» Kanten 14 liegen innerhalb der Toleranz»,
0,5 u C20 Hiikroinches) beträgt» f
Beispiel 1 wird wiederholt unter von Chromβ
Matiriumorthophosphat enthält, 10 Minuten» Die Photolack-
Dies© werden anschließend stg so daß die Chrommaske„ Es werden ausgezeich-Chroramask© 11 erhalten- Es
Dimensionen der BiIdlinien dies® Größen weniger als
von Molybdän anstelle
Beispiel 2
%m Wo;
Ia Beispiel 2 Bedingungen, mit den wie in Beispiel 1 gearbeitet» Anstelle des Ätsbades wird ein Ätzbad folgender Zmsamaensd
40 g
Natriumaetasllikat 5&,8 g
Es wird mit Wasser auf ein Liter aufgefüllt.
Es wird die gleiche hervorragende Maslteaqualität erhaltenο
Beispiels
In Baisjöiel 3 wird asoto ä®m BedingaiigeBi. »it ü@n glni wie to Bsisjplei 1
bad folgender
tost@ll© ä@s ein Ätz-
009884/208
025
Kaliumpermanganat 60 g
Natriummetasilikat 56,8 g
Es wird mit Wasser auf ein Liter aufgefüllt.
Es wird die gleiche hervorragende Maskenqualität wie in Beispiel 1 erhalten.
Beispiel 4
In Beispiel 4 wird nach dem gleichen Verfahren, unter den gleichen | Bedingungen, mit den gleichen Zusammensetzungen und Proportionen wie in Beispiel 1 gearbeitet. Anstelle des Ätzbades wird ein Ätzbad folgender Zusammensetzung verwendet:
Kaliumpermanganat 40 g
Natriumorthosilikat 73 g
Es wird mit Wasser auf ein Liter aufgefüllt.
Es wird die gleiche hervorragende Maskenqualität wie in Beispiel 1 erhalten.
Beispiel 5
in Beispiel 5 wird nach dem gleichen Verfahren, unter den gleichen Bedingungen, mit den gleichen Zusammensetzungen und Proportionen wie in Beispiel 1 gearbeitet.
Als Ätzbad wird eine gesättigte Lösung von Kaliumcyanoferrat(III), die ungefähr 350 g in einem Liter einer 5,2 gewichtsprozentigen, wässrigen Lösung einer Mischung von Natriummetasilikat und Natriumorthophosphat enthält, verwendet. .
Es wird die gleiche hervorragende Maskenqualität wie in Beispiel 1 erhalten.
009884/2086
Docket FI 969 025
Beispiel 6
In Beispiel 6 wird nach dea gleichen Verfahren <> unter den gleichen Bedingungen« mit den 'gleich©» gasaimeirasfgtgüages und Proportionen wie in Beispiel 1 gearbeitet mit der Ausnahm©y daE dl© Schichtung (IB) nach dem Entwickeln aber vor dem litzen in einer zweiten Hitzebehandlungsstufe 5 Minuten iaag unter Stickstoff auf 160 °e erhitzt, wird.
ρ Es wird die gleiche hervorragende Maskenguaiität wie in Beispiel 1 erhalten.
Beispiel 6 wird wiederholt unter Verwendung von Molybdän anstelle von Chrom.
Beispiel 7
In Beispiel 7 wird nach dem gleichen ¥erfahren, unter den gleichen Bedingungen, mit den gleichen Zusammensetzungen und Proportionen wie in Beispiel 1 bearbeitet «dt der Ausnahme, daß die Schichtung (IB) nach dem Entwickeln aber vor' dem Äteen in einer zweiten Hitze» ^ behandlungsstufe 30 Minuten lang unter Stickstoff auf 140 C erhitzt wird.
Es wird die gleiche hervorragende Maskenquali.tät wie in Beispiel 1 erhalten.
Die Dauer der zweiten zweiten Hitsebehandlung zur Härtung des Photolacks kann zwischen" 5 und 60 Minuten, je nach der Höhe der.-Behandlungstemperatür, variieren. Die gusanaaenhäng©· Behandlungsdauer/Behandlungstemperatur können d©r nachfolgende Tabelle ,entnommen werden.
009884/2086
Docket FI 969 025
Behandlungstemperatur
Behandlungsdauer Min.
120 130 150 160
20
15
10
60 45 30 15
Diese Daten sind in dem Diagramm in Fig. 2 graphisch dargestellt. Die bevorzugten Behandlungsdauer/Temperatur-Kombinationen liegen innerhalb der schraffierten Fläche des Diagramms. Der Vorteil der Härtung des Photolacks ist darin zu sehen, daß größere Toleranzen für die nachfolgenden Ätzzeiten ohne negative Beeinflussung der Qualität der Chrommasken oder Linienabstände möglich sind. Bei Härtung bei Temperaturen oberhalb 160° können die Dimensionen des Bildmusters nicht mehr eingehalten werden, und der Photolack kann, wenn überhaupt, nur unvollständig entfernt werden. Bei Härtung bei Temperaturen unterhalb 120° ergeben sich keine Vorteile gegenüber dem Verfahren ohne Härtung des Photolacks.
Beispiel 8 (Stand der Technik)
Die Ausführungsbeispiele 1,6 und 7 werden unter den gleichen Bedingungen, mit den gleichen Zusammensetzungen und Proportionen wiederholt mit der Ausnahme, daß das Ätzbad durch ein konventionelles Ätzbad folgender Zusammensetzung ersetzt wird:
Kaliumpermanganat 4Og
Natriumhoydroxid 27g
Es wird mit Wasser auf ein Liter aufgefüllt.
In allen dyei Fällen greift das Ätzbad die Photolackschicht an und zerstört sie so weitgehend, daß selektives Ätzen unmöglich ist.
00988A/2086
Docket PI 969 025
Beispiel 9
Nach dem gleichem Verfali£@a rand mater d©a glelch©a Bedingungen wie in Beispiel 1 tflrä auf eiss© Glasplatte eine Claroiisehieht aufgedampft s die aaseJalieiead mit Photolaek besefeichtet wird. Die Lack-= scbiclit wird 15 Minuten laag fe®i 75 °c getrocknet «ad besitzt dann eine Schichtdicke wos Q, 67 po Di© Photolacksehidfot wird durch eine
Maske hindurch ait eia@s 200 Watt QucKSIssilfexgslajape 10 oder mehr " Sekunden IaBg Ia KQntäitweKis^smm bildMiiig belichtet» Die Schiebtoag wird daEm 12 iSiautoa !sag bei linitSEteiipeiratwr Xn eine wässrige Lösiiag f©lgeBdl©2· ^B
i-?Isehung aus
Es wird mit Wasser" auf oia
pH-Wert der Lösung8 12P5O '
Durch di© iösoiig werden d£© b@liefetefe@a fasti©© der Pliotolack schicht wnd die darunterli©g®»ä@ ChroiaseMeht ^©ggelöst. Es die gleiche bervorrag©sid© Maslsessgöalitlt wie 1® Bsispiel 1 erhal ten.
Beispiel 9 wl»l wied©Ä©lt- raates· ¥@3rw@ailöag wo® Mtaljhaän aas teil© von Chrom.
Baispiel IQ
Nach dem gleishssi ¥erfalar©js w&& nates1 d@a gloidbsa B©dissg«ag©a 'wie in Beispl©! 1 -wird süsf ©ia@ Siasplatt© elsao aiafgedaiiipftir öle amis<slali©lsiM Mit
Die Lackactiiclit wird IS &3iisötsia lang bmS, 15° <sfQtr©@&®@t und be sitzt dann eise ielielüMieüs© ^®a ©^CT ja« lie' F&otoiaoksshiclit darch eine Maske hiraäiaEefa salt ©ia@s- 20© Ifatfe Qia@eksilb©rls«pe
00988^/208 8.
Docket FI
- ii -
oder mehr Sekunden lang im Kontaktverfahren bildmäßig belichtet. Der Photolack wird mit einem konventionellen alkalischen Entwickler für positive Photolacke, beispielsweise einer wässrigen Lösung mit ungefähr 2,6 Gewichtsprozent Feststoffgehalt einer Mischung vcn Natriummetasilikat und Natriumorthophosphat, die einen pH-Wert von 12,7 besitzt, bei Zimmertemperatur entwickelt. Dabei werden die belichteten Stellen weggelöst,-so daß die Photolackinseln der Fig. IB entstehen. Die entwickelte Schichtung wird 30 Minuten lang in inerter Atmosphäre auf 140 0C erhitzt und anschließend in eine wässrige Lösung folgender Zusammensetzung ge- | taucht:
Kaliumcyanoferrat(III) 2OO g
Natriummetasilikat 53 g
Es wird mit Wasser auf ein Liter aufgefüllt. Es wird so viel Schwefelsäure zugefügt, bis ein pH-Wert von 13,1 erreicht ist. '
Es wird die gleiche hervorragende Maskenqualität wie in Beispiel 1 erhalten.
009 88-47 2-0
Docket FI 969 025

Claims (5)

  1. - 12 PATENTANSPRÜCHE
    (l. Mittel zum Ätzen von Metallen, insbesondere von Chrom oder Molybdän, dadurch gekennzeichnet, daß es aus einer wässrigen Lösung von wenigstens einem Salz, das aus einer starken Base und einer schwachen anorganischen Säure gebildet ist und einem in alkalischer Lösung wirksamen Oxidationsmittel besteht.
  2. 2. Mittel zum fitzen von Metallen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es ein Alkalimetallsalz einer schwachen anorganischen Säure enthält, dessen Hydrolysenkonstante einen solchen Wert besitzt, daß eine 5%-ige wässrige Lösung des Salzes einen pH-Wert zwischen 12 und 13,5 besitzt.
  3. 3. Mittel zum Atzen vom Metallen nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß es ein Alkaliraetalloirthosilikat, oder ein Alkalimetallmetasilikat, oder ein Alkalimetallorthophosphat, oder Mischungen derselben enthält.
  4. 4· Mittel zum Ätzen von Metallen nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß es als Oxidationsmittel Kaliumpermanganat oder Kaliumcyanoferrat (XIX) enthält.
  5. 5. Verwendung des Mittels nach einem der Ansprüche 1 bis zum Ätzen von Chrom oder Molybdän bei der Herstellung von Chrom- oder Molybdänarbeitsmasken.
    009884/2086
    Docket FI 969 025
DE19702030013 1969-06-30 1970-06-18 Mittel zum Ätzen von Chrom oder Molybdän Expired DE2030013C (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US83757169A 1969-06-30 1969-06-30
US83757169 1969-06-30

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2030013A1 true DE2030013A1 (de) 1971-01-21
DE2030013B2 DE2030013B2 (de) 1972-08-17
DE2030013C DE2030013C (de) 1973-03-22

Family

ID=

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0455574A1 (de) * 1990-04-30 1991-11-06 International Business Machines Corporation Lösung zum Ätzen von Molybden oder Wolfram mit einem nahezu neutralen pH-Wert und Verfahren zu deren Verwendung
DE4031860A1 (de) * 1990-10-08 1992-04-09 Roland Man Druckmasch Verfahren zur herstellung einer oberflaechenstruktur auf druckwerkszylindern fuer offsetdruckmaschinen
DE4211242A1 (de) * 1991-06-13 1992-12-17 Gold Star Electronics Polarisations-belichtungsvorrichtung und verfahren zur herstellung einer polarisationsmaske
DE19515394C1 (de) * 1995-04-26 1996-05-23 Roland Man Druckmasch Verfahren zur Herstellung einer Oberflächenstruktur und dessen Anwendung, vorzugsweise für einen Druckmaschinenzylinder

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0455574A1 (de) * 1990-04-30 1991-11-06 International Business Machines Corporation Lösung zum Ätzen von Molybden oder Wolfram mit einem nahezu neutralen pH-Wert und Verfahren zu deren Verwendung
DE4031860A1 (de) * 1990-10-08 1992-04-09 Roland Man Druckmasch Verfahren zur herstellung einer oberflaechenstruktur auf druckwerkszylindern fuer offsetdruckmaschinen
DE4211242A1 (de) * 1991-06-13 1992-12-17 Gold Star Electronics Polarisations-belichtungsvorrichtung und verfahren zur herstellung einer polarisationsmaske
DE19515394C1 (de) * 1995-04-26 1996-05-23 Roland Man Druckmasch Verfahren zur Herstellung einer Oberflächenstruktur und dessen Anwendung, vorzugsweise für einen Druckmaschinenzylinder
EP0739753A1 (de) * 1995-04-26 1996-10-30 MAN Roland Druckmaschinen AG Verfahren zur Herstellung einer Oberflächenstruktur, vorzugsweise für einen Druckmaschinenzylinder
US5785840A (en) * 1995-04-26 1998-07-28 Man Roland Druckmaschinen Ag Process for producing a surface structure for a cylinder of a printing machine

Also Published As

Publication number Publication date
FR2052420A5 (de) 1971-04-09
SE357583B (de) 1973-07-02
CH536363A (de) 1973-04-30
DE2030013B2 (de) 1972-08-17
GB1249270A (en) 1971-10-13
JPS4915535B1 (de) 1974-04-16
US3639185A (en) 1972-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0000702B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer fliessbeständigen Resistmaske aus strahlungsempfindlichem Resistmaterial
DE2447225C2 (de) Verfahren zum Ablösen von positiven Photolack
EP0057738B1 (de) Verfahren zum Herstellen und Füllen von Löchern in einer auf einem Substrat aufliegenden Schicht
DE2529054C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines zur Vorlage negativen Resistbildes
DE2420589C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Photolackmustern
DE2626473C2 (de) Verfahren zum Einbrennen von Flachdruckplatten bei der Herstellung von Druckformen
DE2631535A1 (de) Positiv arbeitendes, waermebestaendiges fotoresist
EP0394741A2 (de) Ätzresistentes deep-UV-resist system
EP0146834A2 (de) Entwickler für Positiv-Fotoresists
DE69329249T2 (de) Phosphatisierungsverfahren, insbesondere für die herstellung von leiterplatten und verwendung organischer rückstände
EP0278996A1 (de) Verfahren zur Verbesserung der Haftung von Photoresistmaterialien
DE3236844A1 (de) Alkalischer entwickler und verfahren zur entwicklung positiv abbildender, photolithographischer gegenstaende
DE10134501A1 (de) Verfahren zum Bilden von Mikromustern eines Halbleiterbauelementes
DE1771950B1 (de) Verfahren zum partiellen aetzen von chrom insbesondere zur herstellung photolithographischer masken
DE69711431T2 (de) Verfahren zum hinzufügen von schichten zu einer leiterplatte mit einem hohen haftungsgrad zwischen kupfer und dielektrikum
DE2521727A1 (de) Verfahren zur herstellung eines resistbildes
DE69326925T2 (de) Verfahren zur Herstellung von gedruckten Leiterplatten
DE2000667A1 (de) Verfahren zur photographischen Herstellung von Mustern auf einer Unterlage
DE1771951A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer weitgehend gleichmaessigen poren- bzw. feinlunkerfreien Metallschicht
DE69027530T2 (de) Verfahren zur erhöhung des isolationswiderstandes von leiterplatten
DE2030013A1 (de) Mittel zum Atzen von Metallen
EP0067984B1 (de) Verfahren zum Ätzen von Chrom und Ätzmittelmischungen zur Durchführung des Verfahrens
DE2030013C (de) Mittel zum Ätzen von Chrom oder Molybdän
DE2855723C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Negativmusters einer Vorlage aus einem Positivlack
DE2410880A1 (de) Verfahren zum herstellen eines maskierenden musters aus photolack

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8339 Ceased/non-payment of the annual fee