DE202008013163U1 - Substrat Carrier aus CFC (Carbonfiber) für Siliziumwafer - Google Patents

Substrat Carrier aus CFC (Carbonfiber) für Siliziumwafer Download PDF

Info

Publication number
DE202008013163U1
DE202008013163U1 DE202008013163U DE202008013163U DE202008013163U1 DE 202008013163 U1 DE202008013163 U1 DE 202008013163U1 DE 202008013163 U DE202008013163 U DE 202008013163U DE 202008013163 U DE202008013163 U DE 202008013163U DE 202008013163 U1 DE202008013163 U1 DE 202008013163U1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
carrier plate
profile
edge
coating
sidebar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE202008013163U
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials GmbH and Co KG
Original Assignee
Applied Materials GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials GmbH and Co KG filed Critical Applied Materials GmbH and Co KG
Priority to DE202008013163U priority Critical patent/DE202008013163U1/de
Publication of DE202008013163U1 publication Critical patent/DE202008013163U1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

Beschichtungsanlage für die Beschichtung von Substraten, insbesondere von Wafern, mit einem Substratträger, welcher eine Trägerplatte aufweist, in der eine oder mehrere Substrataufnahmen zur Einlage jeweils eines Substrates ausgebildet sind, dadurch gekennzeichnet, dass an der Trägerplatte (1) wenigstens eine Randleiste (13, 14) angeordnet ist, die ein zu einem Randprofil (8) der Trägerplatte (1) komplementär geformtes Verbindungsprofil (22) aufweist, wobei das Randprofil (8) und das Verbindungsprofil (22) derart ineinander greifend ausgebildet sind, dass die Randleiste (13, 14) formschlüssig mit der Trägerplatte (1) verbunden ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Beschichtungsanlage für die Beschichtung von Substraten, insbesondere von Wafern, mit einem Substratträger, welcher eine Trägerplatte aufweist, in der eine oder mehrere Substrataufnahmen zur Einlage jeweils eines Substrates ausgebildet sind.
  • Beschichtungsanlagen der vorgenannten Art weisen üblicherweise Substratträger mit großformatigen Trägerplatten auf, die der Aufnahme von meist mehreren zu beschichtenden Substraten, wie zum Beispiel Silizium-Wafer, dienen. Mittels der Substratträger werden die Substrate gemeinsam innerhalb der Beschichtungsanlage transportiert und den jeweiligen Beschichtungsprozessen ausgesetzt. Ein derartiger Substratträger ist aus der EP 1 855 324 A1 bekannt. Auf der Trägerplatte ist eine Vielzahl von Substratträgeraufnahmen vorgesehen, in die die Substrate (Silizium-Wafer) flach eingelegt werden können. Im Vergleich zum Flächenformat der Trägerplatte weist die Trägerplatte einen relativ geringen Querschnitt im Millimeterbereich auf. Die Substrataufnahmen sind als Öffnungen durch den Querschnitt der Trägerplatte ausgebildet.
  • Bei derart dünnen, mit vielen Durchbrechungen versehenen Trägerplatten ergeben sich Probleme hinsichtlich der Formstabilität des Substratträgers, insbesondere unter der thermischen Beanspruchung während der Beschichtungsprozesse, die zu unbefriedigenden Beschichtungsergebnissen führen können.
  • Einem höheren Querschnitt der Trägerplatte steht die aufwändige und kostenintensive Herstellung des Substratträgers entgegen, was insbesondere auf das zu verwendende Material zurückzuführen ist, das hinsichtlich der Prozesseinwirkungen erhöhten Anforderungen gerecht werden muss. Bekannte Substratträger bestehen beispielsweise aus faserverstärktem Kunststoff, wie kohlenfaserverstärkter Kohlenstoff (CFC) oder Glaskeramik. Der Fertigungsaufwand für den Substratträger fällt unter Verwendung dieser Materialien umso deutlicher ins Gewicht, je dicker der zu fertigende Formkörper für die Trägerplatte ist.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Beschichtungsanlage mit einem Substratträger bereitzustellen, der mit geringem technischem und ökonomischem Aufwand eine hohe Formstabilität gewährleistet. Dabei soll der Substratträger einfach und kostengünstig herzustellen sein.
  • Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Beschichtungsanlage gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Unteransprüchen, der nachfolgenden Beschreibung und den zugehörigen Zeichnungen.
  • Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, dass an der Trägerplatte wenigstens eine Randleiste angeordnet ist, die ein zu einem Randprofil der Trägerplatte komplementär geformtes Verbindungsprofil aufweist, wobei das Randprofil und das Verbindungsprofil derart ineinander greifend ausgebildet sind, dass die Randleiste formschlüssig mit der Trägerplatte verbunden ist.
  • Das Randprofil der Trägerplatte und das Verbindungsprofil der Randleiste weisen jeweils Ausformungen auf, die sich in der Art eines Negativprofils und Positivprofils ergänzen. Das Verbindungsprofil der Randleiste und das Randprofil der Trägerplatte kann somit gegensinnig ineinander gesteckt werden. Dabei sind die Ausformungen des Randprofils bzw. des Verbindungsprofils so gestaltet, z. B. mit Hinterschneidungen, dass sie beim Zusammenfügen eine verbindende Formschlusskonstruktion bilden.
  • Die in dieser Weise im Randbereich an die Trägerplatte angesetzte Randleiste bewirkt eine hohe Versteifung der Trägerplatte, wobei die Versteifungswirkung durch die erfindungsgemäße Verbindungstechnik, bei der ein beträchtlicher Umfang an Reibflächen beteiligt ist, erheblich verstärkt wird.
  • Der formschlüssige Zusammenschluss von Randleiste und Trägerplatte wird durch bloßes Zusammenstecken in der Art einer Steckverbindung erreicht, so dass die Montage der Randleiste an die Trägerplatte sehr einfach und leicht auszuführen ist.
  • Somit lasst sich mit der erfindungsgemäßen Lösung eine hohe Formstabilität des Substratträgers bei geringem technischem und ökonomischem Aufwand erzielen.
  • Bevorzugt besteht die Randleiste aus einem Material, das mit dem Material der Trägerplatte im Wesentlichen identisch ist. Das hat den Vorzug, dass die Randleiste ebenso dauerhaft wie die Trägerplatte den hohen Beanspruchungen während der Beschichtungsprozesse genügt und dass thermische Spannungen in der Verbindung zwischen der Trägerplatte und der Randleiste vermieden werden.
  • In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform besteht die Randleiste aus zwei, vorzugsweise drei, lagenweise nebeneinander geordneter Einzelleisten, wobei jede der Einzelleisten ein Einzelprofil des Verbindungsprofils aufweist. Die Randleiste ist nach dieser Ausführungsform längs geteilt ausgeführt. Dabei verfügt jede Einzelleiste über ein Einzelprofil des Verbindungsprofils, beispielsweise als eine Art Profilschicht. Die Einzelprofile sind untereinander formidentisch, so dass die Gesamtheit der Einzelprofile der Einzelleisten das zum Randprofil vollständig komplementäre Verbindungsprofil bereitstellt. Hierbei geht die Erfindung davon aus, dass die Dicke der Einzelleisten annähernd einer Dicke der Trägerplatte angepasst ist, was die Herstellung der Randleiste aus solchem Material, welches auch für die Trägerplatte eingesetzt wird, besonders wirtschaftlich macht. Die für den Einsatz bei Substratträgern der gattungsgemäßen Beschichtungsanlagen üblichen Materialien sind nicht zuletzt wegen ihrer hohen Beanspruchbarkeit sehr kostenintensiv in der Herstellung. Der technische und energetische Herstellaufwand und somit die Herstellungskosten nehmen besonderes mit der Dicke des Materials umso beträchtlicher zu. Damit sind nach dieser vorteilhaften Ausführungsform die aus dem Material der Trägerplatte hergestellten Einzelleisten von geringer Dicke wesentlich einfacher und preiswerter herzustellen, als eine Randleiste mit einem Vielfachen der Dicke der Einzelleisten, die aber erforderlich ist, um eine ausreichende Materialsteifigkeit zur Gewährleistung der Formsteifigkeit des Substratträgers zu erzielen.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Trägerplatte im Wesentlichen rechteckig ausgebildet, wobei an den sich gegenüberliegenden Längsseiten der Trägerplatte jeweils eine Randleiste angeordnet ist. Hierdurch weist die Trägerplatte eine besonders wirksame Formstabilität auf, so dass die Trägerplatte an keiner Stelle durchhängt.
  • Bevorzugt ist das Randprofil und/oder das Verbindungsprofil als Schwalbenschwanzprofil ausgebildet, womit die Verbindung zwischen der Randleiste und der Substratträger in der Art einer bewährten Schwalbenschwanzverbindung gestaltet ist, wie sie beispielsweise bei der Verbindung von Holzteilen Verwendung findet. Die auf diese Weise verbundenen Teile können schrumpfen oder sich ausdehnen, ohne dass sie sich verwerfen oder locker. Damit eignet sich diese Verbindung besondere vorteilhaft im Einsatz am Substratträger, welcher den schwankenden thermischen Prozessbedingungen der Beschichtungsanlage ausgesetzt ist.
  • In einer zweckmäßigen Ausführungsform ist das Verbindungsprofil der Randleiste in der Weise ausgebildet, dass die Randleiste eine Vielzahl von aneinander gereihten Ausnehmungen aufweist, welche in unmittelbarer Nachbarschaft zueinander schwalbenschwanzförmige Vorsprünge bilden. Das Verbindungsprofil gewährleistet im Zusammenwirken mit dem komplementär geformten Randprofil eine gleichmäßig wirksame Formschlusskonstruktion entlang der Randleiste bzw. entlang der Trägerplatte.
  • In einer weiteren zweckmäßigen Ausführungsform ist das Randprofil der Trägerplatte in der Weise ausgebildet, dass die Trägerplatte eine Vielzahl von aneinander gereihten Ausnehmungen aufweist, welche in unmittelbarer Nachbarschaft zueinander zinkenförmige Vorsprünge mit einem trapezförmigen Querschnitt bilden. Diese Form des Randprofils ermöglicht im Zusammenwirken mit dem komplementär geformten Verbindungsprofil der Randleiste eine stabile, längserstreckte Eckverbindung zwischen der Trägerplatte und der Randleiste in der Art einer Schwalbenschwanz-Zinken-Verbindung. Hierbei treffen das Randprofil der Trägerplatte und das Verbindungsprofil der Randleiste im Wesentlichen rechtwinklig aufeinander. Diese Verbindung vermittelt eine besonders hohe Steifigkeit auf die Trägerplatte.
  • Es erweist sich für die Montage der Einzelleisten an die Trägerplatte als zweckmäßig, wenn diese eine Dicke von etwa 3 mm bis 10 mm, vorzugsweise von 4 mm bis 6 mm, aufweisen.
  • Wenn die Einzelleiste eine Dicke aufweist, die im Wesentlichen einer Dicke der Trägerplatte entspricht, kann das Zwischenprodukt für die Fertigung des Formkörpers der Trägerplatte zugleich für die Herstellung der Einzelleisten verwendet werden, was sich günstig auf die Fertigungstechnologie des Substratträger auswirkt.
  • Vorzugsweise weist die Randleiste eine Dicke von etwa 10 mm bis 30 mm auf. Eine Randleiste von dieser Dicke liefert eine ausreichende Steifigkeit zur Formstabilisierung der gewöhnlich verwendeten Trägerplatten mit typischen Abmessungen. Ist die Randleiste aus Einzelleisten gebildet, ergibt sich ihre Dicke aus der Summe der Dicke der jeweiligen Einzelleisten.
  • In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist eine Oberkante des Verbindungsprofils der Randleiste, insbesondere eine Oberkante des Einzelprofils der Einzelleiste, bündig zu einer Oberseite der Trägerplatte angeordnet, an der die Substrataufnahmen ausgebildet sind. Mit dieser Gestaltung wird ein Überstand der Randleiste über der Oberseite der Trägerplatte vermieden, was den Vorteil hat, dass hierdurch während des Beschichtungsvorganges keine unerwünschten Abschattungseffekte in die Substratbeschichtung entstehen.
  • Für den Einsatz des Substratträgers in der Beschichtungsanlage ist es günstig, wenn die Randleiste im Wesentlichen mittig zur Längsseite der Trägerplatte angeordnet ist, wobei die Randleiste eine geringere Länge als die Länge der Längsseite der Trägerplatte aufweist. Damit hat die Trägerplatte an den beiden Enden der Längsseite jeweils einen leistenfreien Randbereich, der der Anordnung von Transportmittel für den Transport des Substratträgers durch die Beschichtungsanlage dient. Diese Ausführung gewährleistet einen behinderungsfreien Transport des Substratträgers durch die Beschichtungsanlage.
  • Vorzugsweise bestehen die Trägerplatte und/oder die Randleiste im Wesentlichen aus kohlefaserverstärktem Kohlenstoff (CFC). Dieses Material hat ein geringes spezifisches Gewicht und weist auch bei hohen Temperaturen einen niedrigen Ausdehnungskoeffizienten und eine hohe Eigensteifigkeit auf. Daher ist es in der Verwendung für die Trägerplatte und/oder für die Randleiste, die während der Beschichtungsvorgänge hohen thermischen Belastungen ausgesetzt sind, besonders geeignet.
  • Nachstehend wird die erfindungsgemäße Beschichtungsanlage an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert. Die zugehörigen Zeichnungen zeigen in einer schematischen Darstellung in
  • 1 eine Draufsicht auf eine Trägerplatte eines Substratträgers,
  • 2 eine Seitenansicht der Trägerplatte nach 1,
  • 3 ein vergrößertes Detail A der Trägerplatte nach 1,
  • 4 eine Draufsicht auf einen Substratträger mit einer Trägerplatte nach 1 und zwei Randleisten,
  • 5 eine Seitenansicht des Substratträgers nach 4,
  • 6 eine weitere Seitenansicht des Substratträgers nach 4,
  • 7 ein vergrößertes Detail B des Substratträgers nach 6,
  • 8 ein vergrößertes Detail C des Substratträgers nach 5,
  • 9 eine Seitenansicht einer ersten Einzelleiste der Randleiste,
  • 10 eine Draufsicht der ersten Einzelleiste nach 9,
  • 11 eine isometrische Darstellung der ersten Einzelleiste nach 9,
  • 12 ein vergrößertes Detail D der ersten Einzelleiste nach 9,
  • 13 eine Seitenansicht einer zweiten Einzelleiste der Randleiste,
  • 14 eine Draufsicht der zweiten Einzelleiste nach 13,
  • 15 eine isometrische Darstellung der zweiten Einzelleiste nach 13,
  • 16 eine Seitenansicht einer dritten Einzelleiste der Randleiste,
  • 17 eine Draufsicht der dritten Einzelleiste nach 16,
  • 18 eine isometrische Darstellung der zweiten Einzelleiste nach 16 und
  • 19 ein vergrößertes Detail E der dritten Einzelleiste nach 16.
  • 1 zeigt eine Trägerplatte 1 aus kohlefaserverstärktem Kohlenstoff (CFC). Die Trägerplatte 1 ist Teil eines Substratträgers 2 in einer nicht näher dargestellten Beschichtungsanlage. Die Trägerplatte 1 weist einen rechteckigen Grundriss mit einer Längen- und Breitenabmessung LT × BT von beispielsweise ca. 1800 mm × 920 mm auf. Im Verhältnis zu den Längen- und Breitenabmessungen LT × BT verfügt die Trägerplatte 1 über eine sehr geringe Dicke DT von beispielsweise ca. 4 mm, wie aus 2 ersichtlich ist. An einer Oberseite 3 der Trägerplatte 1 sind mehrere in Längsrichtung und Querrichtung regelmäßig angeordnete Substrataufnahmen 4 zur Einlage jeweils eines zu beschichtenden Wafers (nicht dargestellt) vorgesehen. Die Substrataufnahmen 4, die jeweils eine Öffnung 5 in der Trägerplatte 1 umschließen, sind in Größe und Form an die jeweiligen zu beschichtenden Wafer angepasst.
  • An den Rändern der beiden sich gegenüberliegenden Längsseiten 6, 7 der Trägerplatte 1 ist jeweils ein Randprofil 8 der Trägerplatte 1 ausgebildet, das mit einer Vielzahl von aneinander gereihten Ausnehmungen 9 versehen ist. Die Ausnehmungen 9 sind regelmäßig beabstandet, so dass zwischen den Ausnehmungen 9 zinkenförmige Vorsprünge 10 gebildet sind. Wie aus den 2 und 3 ersichtlich ist, haben die Ausnehmungen 9 in einer Seitenansicht auf die Trägerplatte 1 einen trapezförmigen Querschnitt, so dass die zinkenförmigen Vorsprünge 10 ebenfalls, jedoch hierzu gegensinnigen mit einen trapezförmigen Querschnitt ausgebildet sind. Dementsprechend sind die sich gegenüberliegenden Flanken 11, 12 der zinkenförmigen Vorsprünge 10 als Schrägflächen mit einem Neigungswinkel von beispielsweise 45° ausgebildet. In 1 sind diese Flanken 11, 12 der zinkenförmigen Vorsprünge 10 in einer projizierten Ansicht ersichtlich.
  • An dem Randprofil 8 der Längsseiten 6, 7 der Trägerplatte 1 ist jeweils eine längserstreckte Randleiste 13, 14 angeordnet, wobei jede Randleiste 13, 14 aus drei Einzelleisten 15a, 15b, 15c bzw. 16a, 16b, 16c besteht. Die 4 bis 8 zeigen den Ausbau eines Substratträgers 2, welcher die mit den Randleisten 13, 14 komplettierte Trägerplatte 1 aufweist. Die Einzelleisten 15a, 15b, 15c bzw. 16a, 16b, 16c sind im Wesentlichen zueinander identisch geformt und nebeneinander, dreilagig gebündelt an dem Randprofil 8 der Längsseiten 6, 7 der Trägerplatte 1 längserstreckt angeordnet. Die dreilagige Anordnung der Einzelleisten 15a, 15b, 15c bzw. 16a, 16b, 16c auf jeder Längsseite 6, 7 der Trägerplatte 1 ergibt sich am besten aus 6 und 7, die die Einzelheit B aus 6 zeigt.
  • Die Einzelleisten 15a, 15b, 15c und 16a, 16b, 16c bestehen ebenfalls wie die Trägerplatte 1 aus CFC-Material und haben einen sehr geringen Querschnitt. Aus den 9 bis 19 sind die Einzelleisten 16a, 16b, 16c der Randleiste 14 im Einzelnen ersichtlich. Die Darstellung und Beschreibung der Einzelleisten 16a, 16b, 16c der Randleiste 14 trifft identisch auch auf die Einzelleisten 15a, 15b, 15c der Randleiste 13 zu, weshalb nachfolgend auf ein gesonderte Darstellung und Beschreibung der Einzelleisten 15a, 15b, 15c verzichtet wird. Die innenliegend, der Trägerplatte 1 zugewandt angeordnete Einzelleiste 16a, gezeigt in den 9 bis 12 sowie die äußere, randseitig angeordnete Einzelleiste 16c, gezeigt in den 16 bis 19, weisen nach dem vorliegenden Ausführungsbeispiel jeweils eine Dicke DE von ca. 6 mm auf. Die Dicke DE der mittleren Einzelleiste 16b gem. der 13 bis 15 beträgt, übereinstimmend mit der Dicke DT der Trägerplatte 1, ca. 4 mm.
  • Die Einzelleisten 16a, 16b, 16c mit derartigen geringen Querschnitten sind mit weniger Aufwand und deutlich kostengünstiger aus dem CFC-Material herzustellen, als eine kompakte Randleiste mit einem Gesamtquerschnitt, welcher der Summe der Einzelquerschnitte DE der Einzelleisten 16a, 16b, 16c ent spricht und die im Ausführungsbeispiel ca. 16 mm beträgt. Ein Formkörper, wie eine Trägerplatte 1 oder ein Randleiste 13, 14 aus CFC-Material ist sehr aufwändig herzustellen. Hierzu wird Kunststoffvlies mit in Alkohol gelöstes Graphitpulver getränkt und anschließend unter Luftausschluss auf ca. 2000°C erhitzt und über einen sehr langen Zeitraum von ca. 200 Stunden verpresst bis der Kunststoffformköper aushärtet. Der Herstellungsaufwand des Formkörpers wird dabei umso größer, je dicker der Formkörper ist. Die Erfindung macht sich daher die einfache und preiswerte Herstellung besonders dünner Einzelleisten 16a, 16b, 16c zu nutze.
  • Die Einzelleisten 16a, 16b, 16c gem. der 9 bis 19 weisen jeweils Ausnehmungen 17 auf, die in einer Seitenansicht auf die Einzelleisten 16a, 16b, 16c gemäß den 9, 13 und 16 schwalbenschwanzförmig ausgebildet sind. Diese Ausnehmungen 17 sind regelmäßig beabstandet, so dass zwischen den Ausnehmungen 17 Vorsprünge 18 vorhanden sind, die ebenfalls, jedoch hierzu gegensinnig, schwalbenschwanzförmig ausgebildet sind. Die sich gegenüberliegenden Flanken 19, 20 der schwalbenschwanzförmigen Vorsprünge 18 sind als Schrägflächen mit einem Neigungswinkel von ca. 45° ausgebildet. In einer Einzelheit D der inneren Einzelleiste 16a nach 12 sind eine der schwalbenschwanzförmigen Ausnehmungen 17 und zwei dazu benachbarte schwalbenschwanzförmige Vorsprünge 18 mit den jeweiligen Flanken 19, 20 vergrößert dargestellt.
  • Jede Einzelleiste 16a, 16b, 16c weist somit ein Einzelprofil 21a, 21b, 21c auf, welches für sich komplementär, also ergänzend zum Randprofil 8 der Trägerplatte 1 ausgebildet ist, wobei die Gesamtheit der Einzelprofile 21a, 21b, 21c der nebeneinander an die Längsseite 7 der Trägerplatte 1 angesteckten Einzelleisten 16a, 16b, 16c sandwichartig das zum Randprofil 8 vollständigte, komplementäre Verbindungsprofil 22 der Randleiste 14 ergibt. Die Summe der Dicke DE der Einzelleisten 16a, 16b, 16c, die die Dicke DR der Randleiste 14 mit ca. 16 mm ergibt, entspricht also exakt der Längserstreckung der zinkenförmigen Vorsprünge 10 des Randprofils 8.
  • Das Randprofil 8 der Trägerplatte 1 und das Verbindungsprofil 22 der Randleiste 13, 14 greifen in einer Schwalbenschwanz-Zinkenverbindung, welche gut aus den 4 und 8 ersichtlich ist, ineinander. Hierbei werden die schwalbenschwanzförmigen Vorsprünge 18 der Einzelleisten 15a, 15b, 15c bzw. 16a, 16b, 16c passend in die zinkenförmigen Ausnehmungen 9 der Trägerplatte 1 eingesteckt bzw. die zinkenförmigen Vorsprünge 10 der Trägerplatte 1 in den schwalbenschwanzförmigen Ausnehmungen 17 der Einzelleisten 15a, 15b, 15c bzw. 16a, 16b, 16c platziert. In dieser Weise liegen die Flanken 11, 12 der zinkenförmigen Vorsprünge 10 plan an den Flanken 19, 20 der schwalbenschwanzförmigen Vorsprünge 18 an. So kann die Randleiste 13, 14 – explizit jede Einzelleiste 15a, 15b, 15c bzw. 16a, 16b, 16c – durch bloßes Anstecken formschlüssig mit der Trägerplatte 1 verbunden werden.
  • Die jeweils äußeren Einzelleisten 15c, 16c sind zusätzlich mittels Sicherungsstifte 23 an der Trägerplatte 1 fixiert. Entlang der Längsseiten 6, 7 der Trägerplatte 1 sind jeweils fünf Stiftverbindungen vorgesehen. Eine der Stiftverbindungen zwischen Trägerplatte 1 und der äußeren Einzelleiste 16c ist in der Einzelheit B und C der mit der Randleiste 14 zusammengefügten Trägerplatte 1 gemäß der 7 und 8 ersichtlich. Die 7, 8 und 19 zeigen die Stiftbohrung 24, die in einem zinkenförmigen Vorsprung 10 der Trägerplatte 1 und einer schwalbenschwanzförmigen Ausnehmung 17 der äußeren Einzelleiste 16c vorgesehen ist und in der ein Sicherungsstift 23 aufgenommen ist. Die Fixierung der äußeren Einzelleiste 15c, 16c mittels der Sicherungsstifte 23 verhindert ein seitliches Verrutschen der Einzelleisten 15a, 15b, 15c bzw. 16a, 16b, 16c und sichert somit die formschlüssige Verbindung der Randleisten 13, 14 mit der Trägerleiste 1 gegen die Gefahr, dass sich diese unter den dynamischen Einflüssen beim Transport des Substratträgers 2 löst.
  • Die Montage der Randleisten 13, 14 an die Trägerplatte 1 gestaltet sich hierdurch sehr einfach und preiswert. Mit dieser Formschlusskonstruktion wird eine sehr gute Formstabilität für den Substratträger 2 erreicht, durch die insbesondere ein Durchhängen der dünnwandigen Trägerplatte 1 vermieden wird.
  • Wie aus den 9 bis 19 ersichtlich, weisen die Einzelleisten 16a, 16b, 16c, explizit deren schwalbenschwanzförmigen Vorsprünge 18, jeweils Oberkanten 25a, 25b, 25c auf, die in der Zusammenfügung zur Randleiste 14 und in Verbindung mit der Trägerleiste 1 bündig zur Oberseite 3 der Trägerplatte 1 angeordnet sind, was besonders gut aus den 7 und 8 ersichtlich ist. Analog trifft dies auf die Anordnung der Randleiste 13 zu. Somit werden während des Beschichtungsvorganges der in den Substrataufnahmen 4 gelagerten Wafern Abschattungen, bedingt durch die Randleisten 13, 14, vermieden.
  • Die Randleiste 13, 14 erstreckt sich im Wesentlichen über die Länge LT der Längsseiten 6, 7 der Trägerplatte 1, wobei die Einzelleisten 15a, 15b, 15c und 16a, 16b, 16c und damit entsprechend auch die komplettierte Randleiste 13, 14 etwas kürzer als die Länge LT der Längsseite 6, 7 der Trägerplatte 1 ausgebildet sind. Im Ausführungsbeispiel weisen die Einzelleisten 15a, 15b, 15c und 16a, 16b, 16c eine übereinstimmende Länge LE von ca. 1725 mm auf, die zugleich die Länge LR der Randleiste 13, 14 ergibt. Wie gut aus 5 ersichtlich, sind die Randleisten 13, 14 jeweils mittig zur Längsseite 6, 7 der Trägerplatte 1 angeordnet, so dass beiden Endes der Randleisten 13, 14 ein äußerer, leistenfreier Randbereich 26 der Trägerplatte 1 verbleibt, der der Anbringung von Transportmittel (nicht dargestellt) dient. Beispielsweise können als übliche Transportmittel Schienen entlang der Breitseiten 27, 28 der Träger platte 1 angebracht sein, mittels derer der Substratträger 2 auf Rollen verfahrbar ist und durch die Beschichtungsanlage transportierbar ist.
  • Die Wafer werden nach ihrer Anordnung auf dem verfahrbaren Substratträger 2 entlang einer Transportlinie durch die Beschichtungsstationen gefördert, um entsprechend der Vorgaben beschichtet zu werden. Nach der Beschichtung werden die beschichteten Wafer aus dem Substratträger 2 entnommen, der anschließend gereinigt und nach der Reinigung erneut mit zu beschichtenden Wafer bestückt wird. Der erfindungsgemäße Substratträger 2, dessen Trägerplatte 1 und Randleisten 13, 14 aus CFC-Material gefertigt sind, behält während dieses Dauereinsatzes seine Formstabilität, ohne zu verschleißen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - EP 1855324 A1 [0002]

Claims (13)

  1. Beschichtungsanlage für die Beschichtung von Substraten, insbesondere von Wafern, mit einem Substratträger, welcher eine Trägerplatte aufweist, in der eine oder mehrere Substrataufnahmen zur Einlage jeweils eines Substrates ausgebildet sind, dadurch gekennzeichnet, dass an der Trägerplatte (1) wenigstens eine Randleiste (13, 14) angeordnet ist, die ein zu einem Randprofil (8) der Trägerplatte (1) komplementär geformtes Verbindungsprofil (22) aufweist, wobei das Randprofil (8) und das Verbindungsprofil (22) derart ineinander greifend ausgebildet sind, dass die Randleiste (13, 14) formschlüssig mit der Trägerplatte (1) verbunden ist.
  2. Beschichtungsanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Randleiste (13, 14) aus einem Material besteht, das mit dem Material der Trägerplatte (1) im Wesentlichen identisch ist.
  3. Beschichtungsanlage nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Randleiste (13, 14) aus zwei, vorzugsweise drei, lagenweise nebeneinander geordneter Einzelleisten (15a, 15b, 15c, 16a, 16b, 16c) besteht, wobei jede der Einzelleisten (15a, 15b, 15c, 16a, 16b, 16c) ein Einzelprofil (21a, 21b, 21c) des Verbindungsprofils (22) aufweist.
  4. Beschichtungsanlage nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerplatte (1) im Wesentlichen rechteckig ausgebildet ist und an den sich gegenüberliegenden Längsseiten (6, 7) der Trägerplatte (1) jeweils eine Randleiste (13, 14) angeordnet ist.
  5. Beschichtungsanlage nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Randprofil (8) und/oder das Verbindungsprofil (22) als Schwalbenschwanzprofil ausgebildet sind.
  6. Beschichtungsanlage nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Verbindungsprofil (22) der Randleiste (13, 14) in der Weise ausgebildet ist, dass die Randleiste (13, 14) eine Vielzahl von aneinander gereihten Ausnehmungen (17) aufweist, welche in unmittelbarer Nachbarschaft zueinander schwalbenschwanzförmige Vorsprünge (18) bilden.
  7. Beschichtungsanlage nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Randprofil (8) der Trägerplatte (1) in der Weise ausgebildet ist, dass die Trägerplatte (1) eine Vielzahl von an einander gereihten Ausnehmungen (9) aufweist, welche in unmittelbarer Nachbarschaft zueinander zinkenförmige Vorsprünge (10) mit einem trapezförmigen Querschnitt bilden.
  8. Beschichtungsanlage nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Einzelleiste (15a, 15b, 15c, 16a, 16b, 16c) eine Dicke DE von etwa 3 mm bis 10 mm, vorzugsweise von 4 mm bis 6 mm, aufweist.
  9. Beschichtungsanlage nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Einzelleiste eine Dicke DE aufweist, die im Wesentlichen einer Dicke DT der Trägerplatte entspricht.
  10. Beschichtungsanlage nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Randleiste eine Dicke DR von etwa 10 mm bis 30 mm aufweist.
  11. Beschichtungsanlage nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Oberkante des Verbindungsprofils (22) der Randleiste (13, 14), insbesondere eine Oberkante (25a, 25b, 25c) des Einzelprofils (21a, 21b, 21c) der Einzelleiste (15a, 15b, 15c, 16a, 16b, 16c), bündig zu einer Oberseite (3) der Trägerplatte (1) angeordnet ist, an der die Substrataufnahmen (4) ausgebildet sind.
  12. Beschichtungsanlage nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Randleiste (13, 14) im Wesentlichen mittig zur Längsseite (6, 7) der Trägerplatte (1) angeordnet ist, wobei die Randleiste (13, 14) eine geringere Länge LR als die Länge LT der Längsseite (6, 7) der Trägerplatte (1) aufweist.
  13. Beschichtungsanlage nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerplatte (1) und/oder die Randleiste (13, 14) im Wesentlichen aus kohlefaserverstärktem Kohlenstoff (CFC) besteht.
DE202008013163U 2008-10-02 2008-10-02 Substrat Carrier aus CFC (Carbonfiber) für Siliziumwafer Expired - Lifetime DE202008013163U1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE202008013163U DE202008013163U1 (de) 2008-10-02 2008-10-02 Substrat Carrier aus CFC (Carbonfiber) für Siliziumwafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE202008013163U DE202008013163U1 (de) 2008-10-02 2008-10-02 Substrat Carrier aus CFC (Carbonfiber) für Siliziumwafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE202008013163U1 true DE202008013163U1 (de) 2008-12-24

Family

ID=40158021

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE202008013163U Expired - Lifetime DE202008013163U1 (de) 2008-10-02 2008-10-02 Substrat Carrier aus CFC (Carbonfiber) für Siliziumwafer

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE202008013163U1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010002839A1 (de) 2010-03-12 2011-09-15 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Beschichtungsanlage und Verfahren zur Beschichtung von Halbleiterscheiben in Beschichtungsanlagen
EP3263740A1 (de) * 2016-06-29 2018-01-03 Schunk Kohlenstofftechnik GmbH Werkstückträger und verfahren zur herstellung eines werkstückträgers
WO2023016747A1 (de) * 2021-08-13 2023-02-16 Singulus Technologies Ag ABSTANDSVORRICHTUNG FÜR HEIZSYSTEM ZUM AUFHEIZEN VON GROßFLÄCHIGEN SUBSTRATEN, HEIZSYSTEM UND AUFHEIZVERFAHREN

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1855324A1 (de) 2006-05-12 2007-11-14 Applied Materials GmbH & Co. KG Substratträger aus glaskeramischen Material

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1855324A1 (de) 2006-05-12 2007-11-14 Applied Materials GmbH & Co. KG Substratträger aus glaskeramischen Material

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010002839A1 (de) 2010-03-12 2011-09-15 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Beschichtungsanlage und Verfahren zur Beschichtung von Halbleiterscheiben in Beschichtungsanlagen
DE102010002839B4 (de) * 2010-03-12 2014-09-11 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Beschichtungsanlage und Verfahren zur Beschichtung von Halbleiterscheiben in Beschichtungsanlagen
EP3263740A1 (de) * 2016-06-29 2018-01-03 Schunk Kohlenstofftechnik GmbH Werkstückträger und verfahren zur herstellung eines werkstückträgers
WO2023016747A1 (de) * 2021-08-13 2023-02-16 Singulus Technologies Ag ABSTANDSVORRICHTUNG FÜR HEIZSYSTEM ZUM AUFHEIZEN VON GROßFLÄCHIGEN SUBSTRATEN, HEIZSYSTEM UND AUFHEIZVERFAHREN

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19962830C2 (de) Verbindung
EP0742762B1 (de) Verfahren für die herstellung und den einbau einer glasscheibe mit rahmen, insbesondere an einem fahrzeugteil
AT505453B1 (de) Abdeckvorrichtung für fussbodenbeläge
EP3134283B1 (de) Fahrzeugkarosseriedichtung mit zierleiste
EP2965998B1 (de) Trägerplatte
DE102018126983A1 (de) System zur Befestigung von Verkleidungselementen an Bauwerken, Bauwerk mit entsprechend befestigten Verkleidungselementen sowie Verfahren zur Montage und Demontage von Verkleidungselementen
DE102009051392B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Verbundkörpers aus mindestens einem vorzufertigenden Metallbauteil und mindesten einem Kunststoffbauteil und formschlüssig gefügter Verbundkörper
DE202008013163U1 (de) Substrat Carrier aus CFC (Carbonfiber) für Siliziumwafer
EP0149443B1 (de) Klemmverbindung zwischen einer Doppelstegplatte und einem Profil, insbesondere bei Kleingewächshäusern
EP1956174B1 (de) Profilschiene zum Positionieren eines Befestigungselements und Verfahren zum Herstellen einer Mehrfachverglasungseinheit
DE202009011103U1 (de) Sockelprofilleiste für Dämmplatten
CH660615A5 (de) Abdeckvorrichtung, insbesondere fuer eine sockelfuge.
DE3309463A1 (de) Glasbausteinwand
DE202009002906U1 (de) Verbindungsanordnung von Trennelementen
DE202020100740U1 (de) Schnellputzprofil
DE202008018023U1 (de) Unterlagsplatte zur Auflage von Erzeugnissen während deren Herstellung sowie zur Lagerung derselben in einem Regal o.dgl.
EP0239053A2 (de) Vorgefertigter Rolladenkasten aus aneinanderstossenden Ziegelformsteinen, sowie Verfahren zur Herstellung desselben
DE102014114118B4 (de) Dichtungselement mit Verstärkungseinlage
EP2638224B1 (de) Schalungselement mit kantenschutz und verfahren zu dessen herstellung
DE102018107687A1 (de) Bauelement in Brandschutzausführung und Verfahren zur Montage eines Bauelementes in Brandschutzausführung
DE102010029509A1 (de) Vorrichtung zum Verbinden einer Türverkleidung mit einem Trägerteil einer Kraftfahrzeugtür
DE19823357A1 (de) Fliese
DE102018121953A1 (de) Rollo und Verfahren zur Herstellung eines Rollos
DE102016200040A1 (de) Unterlagsplatte zur Auflage von Erzeugnissen während deren Herstellung sowie zur Lagerung derselben in einem Regal o.dgl.
DE102019213454A1 (de) Kantenschutzwinkel und Transporttablett

Legal Events

Date Code Title Description
R207 Utility model specification

Effective date: 20090129

R156 Lapse of ip right after 3 years

Effective date: 20120501