DE2013646B2 - Verfahren zum aufbringen von dotierungsmaterial - Google Patents

Verfahren zum aufbringen von dotierungsmaterial

Info

Publication number
DE2013646B2
DE2013646B2 DE19702013646 DE2013646A DE2013646B2 DE 2013646 B2 DE2013646 B2 DE 2013646B2 DE 19702013646 DE19702013646 DE 19702013646 DE 2013646 A DE2013646 A DE 2013646A DE 2013646 B2 DE2013646 B2 DE 2013646B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
flow
carrier gas
diffusion
valve
doping
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19702013646
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2013646C (enrdf_load_stackoverflow
DE2013646A1 (en
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to DE19702013646 priority Critical patent/DE2013646B2/de
Publication of DE2013646A1 publication Critical patent/DE2013646A1/de
Publication of DE2013646B2 publication Critical patent/DE2013646B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2013646C publication Critical patent/DE2013646C/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
DE19702013646 1970-03-21 1970-03-21 Verfahren zum aufbringen von dotierungsmaterial Granted DE2013646B2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19702013646 DE2013646B2 (de) 1970-03-21 1970-03-21 Verfahren zum aufbringen von dotierungsmaterial

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19702013646 DE2013646B2 (de) 1970-03-21 1970-03-21 Verfahren zum aufbringen von dotierungsmaterial

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2013646A1 DE2013646A1 (en) 1971-10-14
DE2013646B2 true DE2013646B2 (de) 1972-09-14
DE2013646C DE2013646C (enrdf_load_stackoverflow) 1973-04-05

Family

ID=5765867

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19702013646 Granted DE2013646B2 (de) 1970-03-21 1970-03-21 Verfahren zum aufbringen von dotierungsmaterial

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2013646B2 (enrdf_load_stackoverflow)

Also Published As

Publication number Publication date
DE2013646A1 (en) 1971-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Eichenauer et al. Messung des diffusionskoeffizienten und der löslichkeit von wasserstoff in aluminium und kupfer
DE4342787C1 (de) Verfahren zur quantitativen Bestimmung elektrochemisch reduzierbarer oder oxidierbarer Stoffe, insbesondere von Peroxiessigsäure im Gemisch mit anderen oxidierenden Stoffen
DE2810492A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur oxidation von silicium-plaettchen
DE1489258C2 (de) Verfahren zum Herstellen des Stromkanals eines Feldeffekttransistors
DE1564963B2 (de) Verfahren zum herstellen eines stabilisierten halbleiter bauelements
DE2934930C2 (enrdf_load_stackoverflow)
DE840418C (de) Verfahren zum Herstellen Stoerstellen enthaltender Halbleiter, insbesondere fuer Trockengleichrichter
DE1646804A1 (de) Verfahren zum AEtz-Polieren von Saphir und anderen Oxiden
DE2052221B2 (de) Verfahren zum erzeugen einer siliciumoxidschicht auf einem siliciumsubstrat und vorrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens
DE2013646B2 (de) Verfahren zum aufbringen von dotierungsmaterial
DE1621272C3 (de) Verfahren zur Induzierung eines Leitfähigkeitstyps in einem Halbleiter
DE1905584B2 (enrdf_load_stackoverflow)
DE1080974B (de) Verfahren zur elektrophoretischen Trennung von geloesten Ionen mit sehr verwandten physikalischen und chemischen Eigenschaften, insbesondere zur Trennung von Isotopen
DE2013646C (enrdf_load_stackoverflow)
EP0089052A2 (de) Verfahren und Messeinrichtung zur Bestimmung der Aktivität des Kohlenstoffes in Ofenatmosphären
DE2427655B2 (de) Verfahren zur quantitativen Bestimmung von Sauerstoff in organischen Verbindungen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
Stegemeyer et al. Der Nachweis einer Phosphoreszenz beim cis-Stilben
DE1155425B (de) Verfahren zur Anreicherung von Ammoniak an Deuterium durch Elektrolyse
DE1966271A1 (de) Laser-Anordnung
DE102006003560A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Messen der Konzentration eines Gasbestandteils in einem Gasgemisch
DE2539722A1 (de) Verfahren zur thermischen behandlung von stahl in reduzierender und nicht entkohlender atmosphaere
DE1644034C3 (de) Vorrichtung zum Dotieren von Halbleiterkörpern durch Diffusion
DE2225754A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung von hochreinem Gas
DE2751163C3 (de) Verfahren zur Steuerung einer offenen Gallium-Diffusion und Vorrichtung zur Durchführung desselben
DE1548880A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Verduennung eines oder mehrerer kleiner Gasvolumen mit einem Hauptgas

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E771 Valid patent as to the heymanns-index 1977, willingness to grant licences
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee