DE2013646B2 - Verfahren zum aufbringen von dotierungsmaterial - Google Patents
Verfahren zum aufbringen von dotierungsmaterialInfo
- Publication number
- DE2013646B2 DE2013646B2 DE19702013646 DE2013646A DE2013646B2 DE 2013646 B2 DE2013646 B2 DE 2013646B2 DE 19702013646 DE19702013646 DE 19702013646 DE 2013646 A DE2013646 A DE 2013646A DE 2013646 B2 DE2013646 B2 DE 2013646B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- flow
- carrier gas
- diffusion
- valve
- doping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 8
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19702013646 DE2013646B2 (de) | 1970-03-21 | 1970-03-21 | Verfahren zum aufbringen von dotierungsmaterial |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19702013646 DE2013646B2 (de) | 1970-03-21 | 1970-03-21 | Verfahren zum aufbringen von dotierungsmaterial |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2013646A1 DE2013646A1 (en) | 1971-10-14 |
DE2013646B2 true DE2013646B2 (de) | 1972-09-14 |
DE2013646C DE2013646C (enrdf_load_stackoverflow) | 1973-04-05 |
Family
ID=5765867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19702013646 Granted DE2013646B2 (de) | 1970-03-21 | 1970-03-21 | Verfahren zum aufbringen von dotierungsmaterial |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2013646B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
-
1970
- 1970-03-21 DE DE19702013646 patent/DE2013646B2/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2013646A1 (en) | 1971-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Eichenauer et al. | Messung des diffusionskoeffizienten und der löslichkeit von wasserstoff in aluminium und kupfer | |
DE4342787C1 (de) | Verfahren zur quantitativen Bestimmung elektrochemisch reduzierbarer oder oxidierbarer Stoffe, insbesondere von Peroxiessigsäure im Gemisch mit anderen oxidierenden Stoffen | |
DE2810492A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur oxidation von silicium-plaettchen | |
DE1489258C2 (de) | Verfahren zum Herstellen des Stromkanals eines Feldeffekttransistors | |
DE1564963B2 (de) | Verfahren zum herstellen eines stabilisierten halbleiter bauelements | |
DE2934930C2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
DE840418C (de) | Verfahren zum Herstellen Stoerstellen enthaltender Halbleiter, insbesondere fuer Trockengleichrichter | |
DE1646804A1 (de) | Verfahren zum AEtz-Polieren von Saphir und anderen Oxiden | |
DE2052221B2 (de) | Verfahren zum erzeugen einer siliciumoxidschicht auf einem siliciumsubstrat und vorrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens | |
DE2013646B2 (de) | Verfahren zum aufbringen von dotierungsmaterial | |
DE1621272C3 (de) | Verfahren zur Induzierung eines Leitfähigkeitstyps in einem Halbleiter | |
DE1905584B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
DE1080974B (de) | Verfahren zur elektrophoretischen Trennung von geloesten Ionen mit sehr verwandten physikalischen und chemischen Eigenschaften, insbesondere zur Trennung von Isotopen | |
DE2013646C (enrdf_load_stackoverflow) | ||
EP0089052A2 (de) | Verfahren und Messeinrichtung zur Bestimmung der Aktivität des Kohlenstoffes in Ofenatmosphären | |
DE2427655B2 (de) | Verfahren zur quantitativen Bestimmung von Sauerstoff in organischen Verbindungen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
Stegemeyer et al. | Der Nachweis einer Phosphoreszenz beim cis-Stilben | |
DE1155425B (de) | Verfahren zur Anreicherung von Ammoniak an Deuterium durch Elektrolyse | |
DE1966271A1 (de) | Laser-Anordnung | |
DE102006003560A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Messen der Konzentration eines Gasbestandteils in einem Gasgemisch | |
DE2539722A1 (de) | Verfahren zur thermischen behandlung von stahl in reduzierender und nicht entkohlender atmosphaere | |
DE1644034C3 (de) | Vorrichtung zum Dotieren von Halbleiterkörpern durch Diffusion | |
DE2225754A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung von hochreinem Gas | |
DE2751163C3 (de) | Verfahren zur Steuerung einer offenen Gallium-Diffusion und Vorrichtung zur Durchführung desselben | |
DE1548880A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Verduennung eines oder mehrerer kleiner Gasvolumen mit einem Hauptgas |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E771 | Valid patent as to the heymanns-index 1977, willingness to grant licences | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |