DE2011193A1 - Vorrichtung für die Elektronen-Rastermikroskopie und die Elektronenstrahl-Mikroanalyse - Google Patents

Description

Vorrichtung für die Elektronen-rRaötermikroskopie und die. Elektronenstrahl-Ilikroanalyse -

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung für die Elektronen-Rastermikroßkopie und die Elektronenstrahl-Mikroanalyse mit Abrabterung einer Probenoberfläche durch einen primären Elektronenstrahl und Hachweis der ausgelösten Elektronen niedriger Energie mittels eines Sekundärelektronen-Detektors, .

Mit Hilfe eines Elektronen-Rastermikroskops Iäi3t sich eine Analyse der äußeren Gestalt (Topographie), mit Hilfe einer Elektronenstrahl-Mikrosonde eine Elementaranalyse der Oberfläche einer Probe durchführen. Die Ergebnisse derartiger Analysen können mittels eines Äuswertegeräts a.ufgezeichnet oder in einem Bild dargestellt werden. An beide Analysengeräte wird die !Forderung gestellt, noch geringfügige Strukturunterschiede auf "einer Probenoberfläche empfindlich-nachzuweisen und kontrastreiche Bilder bei optimaler Auflösung zu liefern.

In beiden Geratetypen ist im elektronen-Optischen System der Strahlerzeuger ein magnetisches Ablenksystem eingebaut. Dieses ermöglicht neben der Punktanalyse durch zellenförmige Ablenkung jdes primären Elektronenstrahls über die Prob^noberflache und synchron dazu gesteuerte Auswertegeräte (Registriergeräte (Schreiber), Ausgabegeräte (Zeichner),,Bildaufzeichnungsgeräte (Bildröhren)) die Messung und Darstellung des Inteneitätsverlaufs von Meßßignalen entlang von Linien oder über einen Bereich der Probenoberfläche.

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Bei der Y/echr-'aiv. iivnmc 2wirohen οΐυτιϋ h'>chov:rx::,o i.icchon priurren j VLe Ir tm η one truhi {5 bis Ίυ i:cY) um! ο i.nor JT"I)': tail;,':! te he η vorw ίο^ϋπα Run fcgonr-trahlsn, liokirurc^iole¹: Lrorrjn, Sekundär- und Auger-Elektronen. Bei aer Elei:tronon--u';i; l,\r-~ üJikroEJkopie -werden in erster linie die niedorurjc-r^etif-ciion Sekundärelck tronen (maximal ο fcv/a 5ü cV) alfi I'j .'ri^nalr verwende c; bei der ijiektronönEfcrylil-l-iikroimfjlyrc· vcrdcn .fast alle pbyrn kali rohen Vor_rrAri_t ⁿ'e air Infonna-

tionsmögliclikeiben f.ir die Anpilyse in Ba krach ό

Venn mit Hilfe eines der beiden AnalyeengerMto die Oberflächenstruktur einer Probe untersucht werden roll, ice man bestrebt, nur dif; bei der l'eelirjelv.'lrkurj^ dor Probemit dem primären .ifilek tronens trahl auftretenden niederenergetischen Eekundärelektronen, nicht jedoch die R-JCkstreuelektronen sur Bilddarctellung heranzuziehen. Die Begründung dafür ist darin zu sehen, daß die Punk !,auflösung bei der Analyse der Oberfläche einer uiuseivea Probe mit Hilfe von Boluindxrelektrünorj ue eine Gro'-'sn-Ordnung besser ist als mit liackstrouelektronen.

Es irt bekannt, daß jLlektronon-Rairtern.lkrorkope, dia mit dem Ziel einer elektronen -optischen Lar vtellun^ von I-.ikro strukturen einer T-robenoberfl'iche bei extremer Vergrößerung und Auflösung diese mit einem 'i.uß3rst feinen primären Elektronenstrahl zellenförmig abrastern, zur Erzeugung des Bildsignals unter anderem einen sogenannten Sekundärelektronen-Detektor verwenden. Dieser weist die an der Probonoberfläche ausgelösten Sekundärelektronen nach Maßgabe ihrer Anzahl durch Abgabe eines verstärkten Stromsignals nach.

Ein derartiger Sekundärelektronen-Detektor beeteht aus einem elektronen-optischen System und einem Nach-weissystem. Das elektronen-optische System hat die Aufgabe, möglichst viele der den Auftreffort des primären Elektronenstrahls an der Probenoberfläche in allen Richtungen

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■verlassenden iiGkundärelelctronen dem Detektor zusuf uhren-.. Ira J-Iuchweiscyc-teih we-rtlon die relativ langoaiceu Sekundär--■ elektronen ttunTehst einem Ivachbc^ehleuniguagssystera zugef'ihrt, welches sie zur Erhöhung der ITachweisernpf indlici!- kcit auf genügend hoha Energie beschleunigt (etwa.. 1- bis 15 ireV). Me .besehietmlgten" KlektroDer) treffen auf einen Elektroner.njiiliiiplier oder einen Szintillationskristall, denen ein ernpfindliclier Ii¹OtOiTjUItIp]-IeI"¹ oder ein Halbleiterdetektor nacbgerclialtet ist.

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Ein Uekundärelektronen-lJetektor ßpriclit zwangsläufig aucb auf die ßclinellen Rlickstreueloktronen a.n, die aus "einor größeren Umgebung dee Auitreff ort.s . dee pT.ufriren Elektronens trshlG an der Probenotxerf l/.iclie■■ surüokgestreut · Vv'ercl-an. Das Signal der Riickrtreuelektronen begrenzt die Auflösung und versetileciitert cusatr.lich den Bildkontrast", V,Mrd die llaon.v.'eißcmp.findlicliköit eines Sekundärelektrone.n-Deteirtoi'ö f^:^r Rdcketreuelektronen Terringert, so muß damJ '; au on. ein Γπ-pf indlicbkeitsYcriluet für die Cekundarelektronen in Kauf genocaen werden.

Line weitere Verschlechterung der Auflösung.und des Kontras teβ im Rasterbild wird durch tertiäre Elektronen bewirkt, die ebenfalls vom Sekundarelektrouen-Detektor erfaßt werden. Tertiäre Elektronen sind Sekundärelektronen, die von den" Riickstreuelektronen im elektronen-optischen System des Sekund>irelektronen-Detektors oder in der Umgebung der Probe ausgelöst werden, also beispielsweise aus der Oberfläche des Linsenpolschuhs der die feine Bündelung des primären Elektronenstrahls' erzeugenden Elektronenlinse oder aus den Probenkammerwänden. Bei ungünstigen Untersuchungsbedingungen kann das durch die parasitären Elektronen, d. h. durch die Rückstreu- und die tertiären Elektronen, erzeugte Bildsignal das Signal der Sekundärelektronen überwiegen. .· .

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Der Erfindung liegt die "Aufgabe zugrunde, für die E,lek~ tronen-Rastermikroskopie und die Elektronenstrahl -Mikroanalyse eine Vorrichtung zu schaffen, welche es einerseits verhindert, daß die vom Sekundärelektronen-Detektor erfaßten parasitären Elektronen a.m Aufbau des Bildsignals beteiligt werden, welche es andererseits nur den ■vom Sekundärelektronen-Detektor erfaßten niederenergetineben Elektronen (bie maximal einige 100 eV) oder speziell nur den Sekundärelektronen gestattet, ungeschwächt zum Bildsignal beizutragen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß da.durch gelöst, daß zur Erzeugung kontrastreicher, hochaufgelöster Bilder der Oberflächenstruktur einer Probe eine Modulationseinrichtung zur periodischen Schwächung oder Unterbrechung des an der Probenoberfläche ausgelösten und in den Sekundärelektronen-Detektor eintretenden Stroms niederenergetischer Elektronen vorgesehen und dem Sekuncl?.relektronen-Detektor ein o,uf die Frequenz der Modulationseinrichtung abgestimmter Bildsignalgeber nachgeschaltet ist.

Eine zweckmäßige Ausbildung der Erfindung sieht vor» daß durch die Modulationseinrichtung an der Probenoberfläche ein elektrisches Wecheelfeld erzeugt wird. Dieses sollte in Richtung und Stärke so gewählt sein, daß der primäre Elektronenstrahl gar nicht oder nur vernachlässigbar beeinflußt wird.

Durch ein genügend hohes elektrisches Wechselfeld an der Probenoberfläche werden Elektronen niedriger Energie, also Sekundärelektronen und eventuell auftretende Auger-Elektronen, abwechselnd am Austreten aus der Probe gehindert und beim Austreten aus der Probe beschleunigt. Die hochenergetischen Rückstreuelektronen werden dagegen durch das elektrische Wechselfeld nicht beeinflußt. Die tertiären Elektronen, deren Energie in demselben Bereich

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liegt wie die Energie' der Sekundärelektronen, "bleiben wegen ihrer Entstehung aus den Rückstreuelektronen^ von der Modulation im wesentlichen gleichfalls unbeeinflußt.

Nach einer weiteren Ausbildung-der Erfindung, wird das elektrische Weehselfeld a.n der proben oberfläche mit Hilfe eines eipe elektrische "Spannung liefernden Oszillators erzeugt. Dabei ist eine erste Ausgangsklemme des Oszillators mit der Probe und eine zweite Ausgangsklemme mit der Eingangsöffnung des Sekundär&lektronen-Detektors elektrisch leitend verbunden. Die zweite Ausgangsklemme ka.nn aber auch mit der Elektronenlinse oder mit einer Probenkammerwand verbunden sein,· sie kann schließlich · a.uch an eine im Raum vor der Probenoberfläche angeordnete Hilfselektrode angeschlossen sein* Die Hilfselektrode ist als ringförmige Scheibe ausgebildet. Unter Umständen ist es jedoch auch vorteilhaft> eine Hilfselektrode in Porin einer Spitze, Schneide oder eines Siebs zu verwenden.

Eine weitere Ausbildung der Erfindung sieht vor, daß durch die Modulationseinrichtung an der Probenoberfläche ein magnetisches ΐ/echselfeld erzeugt wird. Bei gekippter Probe sollten die magnetischen .Feldlinien vorzugsweise parallel zur Richtung des primären Elektronenstrahls yer-. laufen. Das magnetische Wechselfeld kann· dadurch erzeugt | werden, daß die Ausgangsklemmen des Oszillators an eine eich im Raum zwischen Elektronenl4.nse und Probe befind-. liehe Spule angesphlossen ist, - ßweckmäßigerweise wird . ale Oszillator ein Sinus- oder Rechteckgenerator benutzt.

Eine Weiterbildung der Erfindung, sieht vor, daß der Bild-. Signalgeber ein Verstärker mit einem vorgeschalteten echmalbancligen, ^au^ die Frequenz der Madulationseinrichtttng abgestimmten Bandpaßfilter iet. Der Bildsignalgeber kann aber'auch ein phaeenempfindlicher Gleichrichter sein, weitere Eingangsklemmep zur Aufnahme eines Referenz-

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signals rait den Ausgangsklemmen ües Oczillitors verbunden sind. Der phoeenempllndlielie Gleichrichter sollte ein Phasenstellglied besitzen.

Um die in den Sekundarelfcirtronen-Betektor gelangende« Elektronen energe tisch zu diskriminieren oder um ans Ausgang des Sekundä.releirtronen--De-sektors ein möglichst hohes Ausgangssignal zu erhalten, ist eine weitere Aus bildung der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich zwischen Probeuoberfläebe und EingangBöffnuBg des Sekundärelektronen-Detaktors ein eins cellbares, konstantes elektrisches Feld erzeugt wird. Dazu liegt je nach Amvendungcfall die Üingangsöffming auf eines gegenüber der Probe poFitiven oder negatlveü Potential.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Figur dargestellt und wird im folgenden n-ilier beschrieben.

Die Figur zeigt einen primlren Elektronenstrahl S, der nach Durchtritt durch eine ElektronenliDce L rasterförmig über eine Probe ? gelenkt wird. .rJlekironische Ablenkeinrichtung und zugehörige Ansteuergerlfce sind in der .Figur nicht dargestellt. Probe P und I^leirtronerxlinse L sind von einer Probenkammerwand W uiegeben. Die Normale zur Pr ob en oberfl:; ehe ist aue der Richtung parallel zum primären Elektronenstrahl E um einen einstellbaren Winkel α in Richtung auf einen an sich, bekaüüteu Sekuudärelektronen-Detektor D geneigt.

Die erste Ausgangsklemme K1 eines Oszillators 0 ist mit der Probe P, die zweite Ausgangskleame K2 fflit der Probeolcammerwand W elektrisch leitend verbundeu. ProbenkaBjmerwand ¥ und Elektronenlinse L ßind an Masse (Hullpotential) gelegt. Der Oszillator O liefert eine Wechselspannung der !frequenz f und erzeugt ein elektrisches Weehselfeld in einem Kondensator, dessen eine Elektrode durch die Probe P und dessen andere Elektrode durch die Umgebung der

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Probe Py also durch die ^eobenlrammerfeaöd"¥. und die Blelr-

Der Seirundarelektrpoen-Betefcfror S₅, dessen Hochspannungs-Versorgung in der jPigu^ nialit geiseiütatj^t ist, gibt an die. EiögaßgskleiaiBeiJ BI und 12 eines phaseceiDpfindlicb-ep Öleichrichters CXödc-iB Amplifier) PS eine -Spaöüufig ab, die proportional der in seine Eingaugsoffnung Έ einfal-XendeB Anzahl τγοώ Elefetroaen istV Me EingaueskleTDme E2 liegt auf Masse. Zar Einspeisung eines Referenzsignals sind die weiteren SingangEikleiaiiien "Li und L2 des phasen-. eispf indliclien öleiclaricliters PG übe? ein .Potentiometer R1 mit den A-asgangsklss!se-n El upä^^K2 des Oczillators 0 TerT3unden.I)as TOiE phaseBeEipfindlichen Grleiclirichter PCt gelieferte Eildsignal S wird einem "belrannten Auswertegerät il_r ζ. B. eiasm raiii der RasterDev;egung des .primären Elektronenstraiils E syncbron augesteuerten Bildviiedergabegerätj sugefiiiirt. ^v

Züsv.tslioii aus liecliselfeld wird^^ an de^r Proben ο oerfläche ein eleirtrieclies ijlfeiclifeld erzeugt. Dazu ist eine Spa,n~ nungsqiierie BT (Spannung s. B. 200 V") zwischen Eingangsöffnung Έ des Selcündäreleiitronen-Detektors Ϊ) und irolDen-Umgebung ge schaitet. Ihr^^ Pluspol liegt an^ der^Eingangsöffnung ^, ihr Minuspol an lasse. (Für manche Zweclce kann eine tJinpolmng sinnvoll sein-..)

lcafitj aus Crründen des I>urchgriffs der .elektric sehen Feldlinien auf die Probe P ein weiteres, nach Richtung und Größe einsteilbares elektrisches Gleichfeld an der Probenoberflache erzeugt werden. Dazu ist der Mittelabgriff eines -weiteren Potentiometers R2, das mit einer

weiteren Spannungsquelle B2 verbunden ist, leitend an die Probe P geführt. Ein Umschalter TT gestattet eine Polasitätsumlfehr des an öer Probe P liegenden Potentials. Ein Pol der SpaBnungsquelleBI bleibt dabei stets an Kasae gelegt. In der i"igur liegt die Probe P gegenüber ihrer

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Umgebung (W, L) auf negativem Potential (z. B. -5 V). Die Richtung dienes elektrischen Feldes wird durch Veränderung des Winkels α und/oder durch Betätigung des Umschalters U, die Größe des Gleichfeldes am Potentiometer R2 eingestellt.

Der hochenergetische Strahl E primärer Elektronen (Energie z. B. 20 keV) erzeugt am Auftreffort auf der Oberfläche der Probe P hochenergetische Rückstreuelektronen e (kinetische Energie ca. 20 keV), niederenergetische Sekundärelektronen e^ (kinetische Energie bis 50 eV) und in geringer Zahl auch (nicht dargestellte) niederenergetische Auger-Elektronen. In der Figur sind die Verhältnisse zu dem Zeitpunkt dargestellt, zu dem die negative Amplitude (z. B. -10 Y) der vom Oszillator 0 gelieferten Wechselspannung an der Probe P (ihr Potential gegenüber Masse beträgt dann insgesamt -15 V) liegt: Die an der Probenoberfläche erzeugten Rückstreuelektronen e verlassen wegen ihrer hohen kinetischen Energie unbeeinflußt von dem su dieser. Zeitpunkt positiven Potential (im Beispiel insgesamt +215 V) der Detektoröffnung F die Probe P auf geradlinigen Bahnen. Ein kleiner !eil von ihnen tritt in den Detektor D ein. Die niederenergetischen Sekundärelektronen e_ß dagegen werden auf gekrümmten Bahnen in Richtung auf die Detektoröffnung F gelenkt. Auch einige der von den Rückstreuelektronen e in der Umgebung der Probe P, z. B.'an der Elektronenlinse L oder an der Probenkammerwand V/, erzeugten niederenergetischen tertiären Elektronen e. gelangen in die Detektoröffnung F.

Fach einer Halbperiode liegt an der Probe P die positive Amplitude (z. B. +10 V) der vom Oszillator 0 gelieferten Wechselspannung. (Das Potential der Probe P gegenüber Masse beträgt getzt +5 Y.) Die schnellen Rückstreuelektronen e werden durch das Potential der Detektoröffnung F (im Beispiel jetzt +195 V) nach wie vor nicht beeinflußt. Auch in diesem Fall tritt ein kleiner Teil von ihnen in den Detektor D ein. Die tertiären Elektronen e.

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werden wegen ihrer Erzeugung durch die Rückstreuelelctronen e von der Potentialändeirung der Probe P wenig beeinflußt. Von den Se-kundärelektronen e dagegen.,geht ein großer Anteil für den ÜTaeirweis im Detektor D verloren, da das unmittelbar an der Probenoberfläche wirksame elektrische -PeId verringert wurde. Der größte Teil von ihnen kann den Entstehungeort erst gar nicht verlassen _T da eich ; vor der Probenoberfläche eine Raumladung ausbildet.

Es ist also ersichtlich, daß von der periodischen Variation ^: des elektrischen Feldes zwischen Probe P und Umgebung .in erster Linie die Sekundärelektronen e„ betroffen werden. Im phasenerapfindlichen Gleichrichter PG- wird nur dieje- , | nige Komponente der Ausgangsspannung des Sekundärelek- -^K

tronen-Detektors D verstärkt und gleichgerichtet, die periodisch mit der !Frequenz f des Oszillators 0 und außerdem phasenrichtig variiert. Das Bildsignal S enthält also in erster Linie die vop den Seknndärelektronen e_ß gelieferte Information über die Struktur der Probenoberflache . . . .

Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß bei der Bilddarstellung der Oberfläche einer Probe optimale Auflösung und extrem differenzierter Bildkontrast erreicht werden, da am Bildaufbau ausschließlich Elektronen niedriger Energie, vorwiegend i

Sekundärelektronen, beteiligt sind,. Weiterhin ist im Gegensatz zu ;Mshex Üblichen Sekundärelektronen-Detektoreii äie ΑϊΤΜβΏαφβ eines Energie analysator^ nicht erforderlich, um die 'Ruoldetreuelek-feroneri rom Detektor fernzuhalten, was Meher ste^e, zu eipem Empfindliobkeitsveriust führte. Perner "braujoht die Detektoröffnung Dicfct mehr in eipe geometrisch!© Lage gebracht zu werden, welche den Eintritt der RücjEotrjeuelektronen unmöglich macht. Statt dessen kann der Se.fcundärelektronen-Detektör in unmittelbarer

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Hän.« auf dta. Probe gerichtet werden, sölbst wenn die. Pro- , senkrecht zum einfallenden primären Elek-

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tronenstrahl liegt ( α = 0°). In dieseia Fall läSt sich schon bei einer niedrigen Wechselspannung ein elektrisches We jhself eid hoher Amplitude an dar Prottenoberf lache erzielen. In der Halbperiode, in der die negative Amplitude an der Probe liegt, führt das zu einer Steigerung der An. zahl der Sekundärelelrtronen, welche den Detektor erreichen.

•14 Paten tan epr u ehe
1 Figur

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Claims (1)

1. M11193

   Vorrichtung;-" f-.jz die BlektroBeii-rRasteriiiikroBkopie und die ElelitroKenstraiii-liivroansrlyee mit Abmsterung ■einer--ProbenODerflaclie durch einen primären Blek-

   strahl und liaeteeeii? der., ausgelöste)! Elektronen ger Energie isittele eiiiec; Sekunääreleictronen-' Λ Detektors,.· dadurchgetrer-Bssioteet, daß sur .-.Erzeugung. kontrast reicher, ■'.höcbau'f gelö st er Bilder der Oberfl U-cheBrtrufctur eiiaer Srobe (I⁵) eir;e KodtiiatioQseinriGh- ■ tuiig.sur psriodiseheii £cliT.iäch'ing_:oder tJnterbrechung äQB an der Probenobex*£lSclie ■ ausgelösten und in den SelaiiidärelektroDeti—Bafeklior- (D) ein tretendeu Stroms KledereTiergetisoher Slektroiien .τρ-rge^^sehen und dem |

   Sekuiidarelektronen—pste!stor.(]D) ein auf die Frequenz ■

   (f) der .Kodulationseinrichttiiig abgestitmöter Bildsignal-

   F^v-t>sS*r IJ ctviixM-tit"^iJt-CA-J-' tit? w JLo u β

   2* ¥ori?xclitui?g üscli Äns^Eiaeli 1, öadurcli ge öaß.-öarcli. die; KodiilatiosseiOriclitimg aa der ProTjoD-oberfläche el« eiektriscaeS; ¥ecliselfeld ißt. '...- ^: ■; ;:/';■_: "-- ; ;

   3. Torrichttiüg tjacli has^riicii 2, dadureli gekerrazeictoet, "'

   daß "elüe■'e^.s€e^^ j-usgaugskleiBsie (Kl) eiiaes Oszillators

   . -■ (ü) Kit der VisobQ i?) mad eine ■■ zweite Ausgang sie lerame (K2)^ lait eioer BingaiBgsoifiiung^E) des Sekundäreiektronen-Detektors (U) elektrisch leitend verbunden

   4. VörriclitUDg nacii Aneprueh 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste AusgangElrleiBine <E1) des Oszillators (θ) mit der Probe (P) und die zweite Ausgangsklemme (K2) mit einer Elektronenlinse (L) verbunden ist.

   5. Vorrichtung nach Ansprucli 2, dadurch gekennzeichnet, da0 die erste Ausgang;slrleinme (K1) des Oszillators (O)

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   mit der Probe (P) und die zv/eite Ausgang ski e Dime (K2) mit einer Probenlramroerwand (W) verbunden ist.

   6. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Ausgangsklemme (K1) des Oszillators (O) mit der Probe (P) und die zv/eite Ausgstigsklemme (K2) mit einer im Raum vor der Probeηoberfläche angeordneten Hilfeelektrode verbunden int;

   7. Vorrichtung nach Anspruch 6_; dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfselektrode eine ringförmige Scheibe ist.

   S. Verrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Kodulationseinriehtung an der Probenoberflüch-a ein magnetisches Wechselfeld erzeugbar ist.

   9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, da.?/ die AuLgangskleimen (KI und K2) äe& Oßzillators (0) en eine eich im Raum zwischen Elektronenlinse (la) und Probe (?) befindliche Spule angeechlossen sind.

   10. Vorrichtung nach Anspruch.3 oder eiusia der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß άβτ Oszillator (0) ein Sinus- oder Rechteckgenerator Ist.

   11. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder einen! der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Bildsignalgeber ein Verstärker mit einem vorgeschalteten schmalbandigen, auf die Frequenz (f) der Modulationseinrichtung abgestimmten Bandpaßfilter ist.

   12. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden Ansprüche, ausgenommen Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Bildsignalgeber eio phaeenempfindlicher Gleichrichter (PG) ist, dessen weitere Ein-

   n (L1, 12) zur Aufnahme eines Referenz-

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   ,^ - -13- . VM -9/^63/0502

   signals ϊπΐ-fe den Ausgang sklemraeii (Ki₁ &2) ^es Dszillators? (θ)

   15. TorrlchtungVtiaob: i^spruöh 12* dacliärcli: g^kentizeictoet, daß der pliasei3eiD|ifiüdliGii© ixl^Jölirlclitex (Bff) eitr Phasetistellglied "besitzt, . '

   14·" Torriölituüg wacli Änsprucli ΐ oder einem der folgerxdeh-, dadtircti.:gelrenn3eichüet, daß Probenotierfraolie und Sin gangs öifüung des Sekundäreiektronen-Petektors Cd) ein einstelll)ares_? konstantes elektrisches Feld erzeugt' ist,

   SAD

   Le e rse fte