DE19964317B4 - Verwendung eines Behälters für einen Reinraum zur Aufnahme von Halbleiterwafern - Google Patents

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Abstract

Verwendung eines Behälters für einen Reinraum zur Aufnahme von Halbleiterwafern, wobei der Behälter einen Deckelteil (78) aus einem ersten thermoplastischen Material und eine Vielzahl von gegenüberliegenden, parallelen Schlitzen zur axial ausgerichteten Aufnahme einer Vielzahl der Halbleiterwafer aufweist, wobei der Deckelteil (78) mit einem Fenster (70) aus einem zweiten, vom ersten verschiedenen thermoplastischen Material versehen ist, wobei das Fenster (70) in dem Deckelteil (78) durch Überspritzen mit dem ersten thermoplastischen Material durch ein thermophysikalisches Verbinden befestigt ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Verwendung eines Behälters für einen Reinraum zur Aufnahme von Halbleiterwafern nach Anspruch 1.
  • Es werden Träger zum Transportieren und Aufnehmen von Losen von Halbleiterwafern (Siliciumwafern) oder Magnetspeicherscheiben vor, während und nach Bearbeiten der Scheiben verwendet. Die Wafer werden zu integrierten Schaltkreisen und die Magnetspeicherscheiben für Speicherplatten für Computer verarbeitet. Für eine derartige Verarbeitung werden häufig verschiedene Schritte benötigt, d.h. die Scheiben werden wiederholt bearbeitet, gespeichert und transportiert. Aufgrund der Empfindlichkeit der Scheiben und ihrem hohen Wert ist es wichtig, daß sie optimal während der Verarbeitung durch einen entsprechenden Träger geschützt werden. Da die Verarbeitung automatisiert ist, ist es notwendig, daß die Scheiben präzise relativ zu den Verarbeitungseinrichtungen zum Herausnehmen und Einsetzen mittels Roboter positioniert werden. Ein weiterer Zweck des Trägers besteht im sicheren Halten der Scheiben während des Transports.
  • Träger nehmen die Scheiben in Schlitzen axial zueinander ausgerichtet auf und stützen die Scheiben an oder benachbart zu ihren Umfangsrändern. Die Scheiben sind üblicherweise in radialer Richtung nach oben oder zur Seite hin herausnehmbar. Die Träger können mit ober- bzw. unterseitigen Deckeln oder mit Verkleidungen zum Einschließen der Scheiben versehen sein.
  • Es gibt eine Reihe von Materialeigenschaften, die für derartige Träger zweckmäßig und vorteilhaft sind.
  • Bei der Verarbeitung von Halbleiterwafern oder Magnetspeicherscheiben stellt die Anwesenheit oder Erzeugung von Teilchen ein signifikantes Kontaminationsproblem dar, da eine Kontamination den Ausschuß erhöht. Mit der Reduzierung der Größe von integrierten Schaltkreisen wird auch die Größe der Teilchen, die einen integrierten Schaltkreis kontaminieren kann, kleiner, so daß die Minimierung von kontaminierenden Teilchen immer kritischer wird. Derartige Teilchen können durch Abrieb beim Einsetzen und Herausnehmen der Scheiben, der Trägerdeckel oder Aufnahmen, der Träger in Aufnahmegestelle oder bei Berührung mit anderen Trägern oder mit den Verarbeitungseinrichtungen entstehen. Ein Träger hat daher resistent in bezug auf die Erzeugung von Teilchen durch Abrieb seines Plastikmaterials zu sein. US 5 780 127 beschreibt verschiedene Eigenschaften von Plastikmaterialien, die diese als Materialien für Waferträger geeignet machen.
  • Das Trägermaterial sollte ein minimales Ausgasen bezüglich flüchtiger Bestandteile besitzen, da diese Filme bilden können, die ebenfalls eine Kontaminierung verursachen.
  • Die Trägermaterialien müssen eine adäquate Formstabilität, d.h. Festigkeit, besitzen, wenn der Träger beladen ist, um eine Beschädigung der Scheiben zu vermeiden und eine Bewegung der Scheiben innerhalb des Trägers zu minimieren. Die Toleranz der die Scheiben haltenden Schlitze ist gewöhnlich sehr gering, und eine Verformung des Trägers kann unmittelbar die hochgradig brüchigen Wafer beschädigen oder den Abrieb vergrößern und so zur Teilchenerzeugung beitragen, wenn die Scheiben eingesetzt oder herausgenommen werden. Formstabilität ist ferner extrem wichtig, wenn der Träger in einer Richtung belastet wird, etwa wenn die Träger während des Transports gestapelt werden, oder wenn die Träger in die Verarbeitung eingeschlossen sind. Das Trägermaterial sollte auch bei erhöhten Temperaturen, die während des Speicherns und Säuberns auftreten können, seine Formstabilität behalten.
  • Bekannte, in der Halbleiterindustrie verwendete Träger können statische Ladungen entwickeln und halten. Wenn ein aufgeladenes Plastikteil mit einer elektronischen Einrichtung oder einer Verarbeitungseinrichtung in Kontakt gelangt, kann es zu einer schädlichen elektrostatischen Entladung kommen. Außerdem ziehen statisch aufgeladene Träger insbesondere durch die Luft getragene Teilchen an und halten diese. Abgesehen davon können statische Aufladungen zu Kurzschlüssen bei Halbleiterverarbeitungseinrichtungen führen. Dementsprechend sollte ein Träger aus einem Material bestehen, daß eine elektrostatische Aufladung vermeidet.
  • Spurenmetalle stellen einen gewöhnlichen Bestandteil oder Rest in vielen potentiellen Waferträgermaterialien dar. Metallkontamination ist jedoch bei der Materialauswahl und dem Zusammenbau der Träger zu berücksichtigen. Eine Anionenkontamination von Trägermaterialien kann eine Kontamination sowie Korrosionsprobleme verursachen.
  • In Trägern verwendete Materialien müssen außerdem chemisch kompatibel mit solchen Chemikalien sein, denen sie ausgesetzt werden. Obwohl zum Transport und zur Aufbewahrung verwendete Waferträger nicht zum chemischen Einsatz kommen, müssen sie resistent gegenüber Reinigungslösungen, wie üblicherweise verwendeten Lösungsmitteln, beispielsweise Isopropylalkohol, sein. Prozeßträger werden ultrareinen Säuren oder anderen strengen Chemikalien ausgesetzt.
  • Die Sichtbarkeit von Wafern in geschlossenen Behältern ist wünschenswert und kann vom Endverbraucher gefordert werden. Transparente Plastikmaterialien, wie Polycarbonate, sind für solche Behälter geeignet, wobei außerdem das Plastikmaterial billig sein soll, jedoch allgemein nicht die gewünschten Eigenschaften bezüglich elektrostatischer Aufladung oder Abriebfestigkeit aufweist. Weitere wichtige Eigenschaften stellen die Kosten des Materials für den Träger und die leichte Verarbeitbarkeit durch Spritzgießen dar. Träger werden typischerweise aus spritzgegossenen Plastikmaterialien, wie Polycarbonat (PC), Acrylnitrilbutadienstyrol (ABS), Polypropylen (PP), Polyethylen (PE), Perfluoralkoxy (PFA) und Polyetheretherketon (PEEK) hergestellt.
  • Füllstoffe, die dem Plastikmaterial zur Vermeidung der elektrostatischen Aufladung zugefügt werden, umfassen Kohlenstoffpulver oder -fasern, Metallfasern, metallbeschichtetes Graphit und organische (aminbasierte) Additive.
  • So sind Waferträger zum Transport und zur Aufbewahrung von Wafern bekannt, die aus einem einstückigen spritzgegossenen Teil bestehen, das wenigstens frontseitig ein H-förmiges Verbindungsorgan zum externen Anschließen des Trägers sowie Seitenwände aufweist, die Schlitze und untere gekrümmte oder aufeinanderzulaufende Abschnitte aufweisen, die der Krümmung der Wafer folgen, wobei der Träger ober- und unterseitig offen ist. Die Träger werden häufig mehrfach verwendet und dann weggeworfen, wobei sie zwischen den einzelnen Verwendungen in heißem Wasser und/oder anderen Chemikalien gewaschen und dann in Heißluft getrocknet werden. Hierbei sollte der Träger formstabil sein. Ein weiterer bekannter Träger besteht aus einem Behälter, der zur Aufnahme einer Trägereinheit mit H-förmigen Verbindungsorganen gestaltet ist. Solche Behälter werden üblicherweise als WIP-Behälter (Work in process)-Behälter bezeichnet.
  • Ferner ist ein Träger in Form einer standardisierte mechanischen Interface-Schale bekannt, der aus einem Behälter besteht, der eine Trägereinheit mit H-förmigen Verbindungsorganen dicht aufnimmt und mechanisch mit der Verarbeitungseinrichtung verbindet. Derartige Träger können einen Verschluß für eine Bodenöffnung für den Zugang zu der Trägereinheit mit den Wafern besitzen. Auch sind derartige Träger mit Deckeln zum Verschließen von frontseitigen Öffnungen bekannt. Auch kann der Träger als Transportmodul ein Behältnis mit einer verschließbaren Frontöffnung und inneren Fächern zur Aufnahme der Wafer anstelle einer separaten Trägereinheit sein.
  • Ein für einen Teil eines Trägers ideales Material ist jedoch für einen anderen Teil des gleichen Trägers keinesfalls ideal. Beispielsweise ist PEEK ein Material, daß in bezug auf Abriebfestigkeit für Waferkontaktbereiche ideal, jedoch schwierig in bezug auf Spritzguß und im Vergleich zu anderen Plastikmaterialien sehr teuer ist. Für strukturelle Teile kann PEEK keine so gute Wahl wie andere Plastikmaterialien, etwa Polycarbonat, sein.
  • Dementsprechend ist es auch bekannt, verschiedene Teile des Träger separat herzustellen und diese dann zu einem Träger zusammenzusetzen. Dies führt jedoch dazu, daß ein Oberflächenkontakt zwischen verschiedenen Komponenten notwendig wird, durch den Teilchen oder Bereiche, die Kontaminierungssubstanzen einschließen, erzeugt werden und die schwierig zu reinigen sind. Zusätzlich kann das Zusammensetzen selbst Teilchen erzeugen, abgesehen davon, daß das Spritzgießen verschiedener Komponenten und deren Zusammensetzen aufwendig ist.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, einen Behälter für einen Reinraum zur Aufnahme von Halbleiterwafer Verwendung gemäß nach Anspruch 1 zu schaffen, der aus für verschiedene Teile jeweils günstigem Material besteht, jedoch die Bildung von Teilchen und kontaminierende Substanzen aufweisenden Bereichen vermieden wird.
  • Diese Aufgabe wird entsprechend den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
  • Der Behälter wird dementsprechend aus wenigstens zwei unterschiedlich schmelzverarbeitbaren Plastikmaterialien gebildet, die strategisch zur optimalen Ausbildung positioniert werden, wobei eine thermophysikalische Verbindung zwischen diesen durch Überspritzen erzeugt wird. Die Verarbeitungs- und Spritzgießtemperaturen werden gesteuert, um eine optimale Verbindung zwischen den unterschiedlichen Materialien zu erreichen.
  • Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der nachfolgenden Beschreibung und den Unteransprüchen zu entnehmen.
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
  • 1 zeigt perspektivisch eine Ausführungsform eines Trägers.
  • 2 zeigt perspektivisch den überspritzten Abschnitt des Trägers von 1.
  • 3 zeigt perspektivisch einen WIP-Behälter.
  • 4 zeigt perspektivisch einen geöffneten WIP-Behälter mit einem eingesetzten Träger.
  • 5 zeigt eine Seitenansicht eines WIP-Behälters.
  • 6 zeigt perspektivisch einen Scheibenversandbehälter.
  • 7 zeigt einen Teil des Scheibenversandbehälters.
  • 8 zeigt perspektivisch einen Transportbehälter.
  • 9 zeigt auseinandergezogen den Transportbehälter von 8.
  • 10 zeigt perspektivisch einen Waferträger.
  • 11 zeigt auseinandergezogen den Waferträger von 10.
  • 12 zeigt perspektivisch einen Prozeßträger.
  • 13 zeigt schematisch die Herstellung eines Trägers.
  • Der in 1 dargestellte Träger 20 besitzt eine Vorderwand 22, eine Rückwand 23, Seitenwände 24, 26, Schlitze 28 zur Aufnahme von Wafern, eine offene Oberseite 30 und ein Verbindungsorgan in Form eines H-förmigen Stegs 32. Jeder Schlitz 28 ist definiert durch ein Paar von Zähnen 34 zum Wafereingriff.
  • Zusätzlich zu den H-förmigen Verbindungsorganen kann ein bodenseitiges Interface 38 vorhanden sein, das aus vier Füßen mit einem Kontakt an den Ecken 40 bestehen kann. Zusätzlich kann ein Griff 42 zur Aufnahme durch einen Roboter zusammen mit Flanschen 48 als Verbindungsorgan dienen. Der Träger 20 besteht aus einem Basisteil 44 und einem überspritzten Abschnitt 50 der Stützabschnitte 46 für Wafer bildet, so daß ein einstückiger Träger 20 gebildet wird.
  • In 2 ist der überspritzte Abschnitt 50 ohne das damit einstückige Basisteil 44 dargestellt, wobei der Abschnitt 50 die Stützabschnitte 46 für die Wafer als auch Nebenabschnitte 52 aufweist, die Strömungspfade für flüssiges überspritztes Material während des Spritzgießvorganges bilden. Dieser Abschnitt gibt die Konfiguration des Formhohlraums zum Umspritzen wieder.
  • Das Basisteil 44 wird vorzugsweise aus einem billigen, formstabilen, leicht spritzgießbaren Plastikmaterial, wie Polycarbonat, gegebenenfalls mit einem Füllstoff aus Kohlenstoffasern, spritzgegossen. Danach kann der umspritzte Abschnitt 50 aus einem anderen schmelzflüssig verarbeitbaren kristallinen Plastikmaterial, wie PEEK, gegebenenfalls mit einem Füllstoff in Form von Kohlenstoffasern, gespritzt werden. Diese Materialien sind in bezug auf ihre morphologische Struktur und ihre Verarbeitungstemperaturen unterschiedlich. Andere Paare von morphologisch unterschiedlichen Materialien können ebenfalls mit ähnlichen Vorteilen verwendet werden. Das amorphe Material, Polycarbonat, und das kristalline Material, PEEK, bilden eine thermophysikalische Verbindung, wenn das amorphe Material mit dem kristallinen Material in geschmolzenem Zustand in Kontakt gelangt. Es wird angenommen, daß die Verbindung aufgrund des Anstiegs der Oberflächenenergie des polymeren Glases an der Grenzfläche zustandekommt. Wenn daher die heiße amorphe Schmelze in Kontakt mit dem polymeren Glas, dem Polycarbonat, gelangt, erhöht sich die Oberflächenenergie des polymeren Glases und die heiße Schmelze kristallisiert an der Grenzfläche beim Abkühlen. Es wird angenommen, daß der Kristallisationsprozeß zur Verbindung der beiden Materialien beiträgt. Die Wärme dissipiert in das polymere Glas mit sehr geringer Geschwindigkeit wegen der geringen spezifischen Wärme des Glases, so daß die heiße Schmelze des PEEK mit einer niedrigeren Geschwindigkeit abkühlt, wodurch die Kristallinität an der Grenzfläche verstärkt wird. Wenn dieser Vorgang beim Spritzgießen stattfindet, wird das hergestellte Produkt an der Grenzfläche des polymeren Glases einen höheren Kristallinitätsgrad aufweisen als an der Grenzfläche des polymeren Glases und dem Stahl der Spritzgießform, weil die spezifische Wärme von Stahl und polymerem Glas entsprechend unterschiedlich sind.
  • Bevorzugt wird das polymere Glas, d.h. Polycarbonat, zunächst gespritzt, wonach der so gebildete Formling erneut in eine Spritzgießform gebracht und mit PEEK gespritzt wird. Hierbei wird die Formtemperatur idealerweise unterhalb der Glasübergangstemperatur des Polycarbonats gehalten, die etwa 149°C beträgt, um eine Beeinträchtigung des Basisteils 44 aus Polycarbonat zu vermeiden. Der überspritzte Abschnitt 50 wird so positioniert und ausgebildet, daß aufgenommene Wafer nicht mit dem Polycarbonat in Kontakt gelangen können.
  • Ein alternatives amorphes Material ist Polyetherimid (PEI). Die dabei stattfindende Verbindung kann eine chemische Verbindungskomponente aufweisen.
  • Verschiedene Arten von Verbindungskomponenten können beim Verbinden des überspritzten Abschnitts 50 mit dem Basisteil 44 verwendet werden. Es wird angenommen, daß eine thermophysikalische Verbindung eintritt, wenn das geschmolzene, überspritzte Material in Kontakt mit dem nicht geschmolzenen, bereits verfestigten Basisteil 44 gelangt. Thermophysikalisches Verbinden tritt auf, wenn die Moleküle von zwei Teilen zwischen drei Molekularradien gelangen.
  • Der in den 3, 4 und 5 dargestellte WIP-Behälter 60 nimmt einem Wafertäger 62 mit H-förmigen Verbindungsorganen auf und besitzt ein Basisteil 66 und einen Deckelteil 64. Der Waferträger 62 sitzt in dem Basisteil 66. Hierbei können verschiedene Komponenten des so gebildeten Trägers durch Überspritzen gebildet sein, um eine entsprechend vorteilhafte Ausgestaltung zu erhalten. Beispielsweise kann der Deckelteil 64 aus Polycarbonat bestehen, wobei das Gelenk 68 zur Anbringung an dem Deckelteil 64 mit PEEK überspritzt ist.
  • Ferner kann ein in 4 sichtbares Polycarbonatfenster 70 zunächst in einer gewünschten Form und Größe gespritzt und dann in die Form für den Deckelteil 64 eingesetzt und überspritzt werden. In diesem Falle wird eine Verbindung ohne Klebstoffe oder mechanische Befestigungsmittel gebildet.
  • Der in 6 und 7 dargestellte Versandbehälter für Magnetspeicherscheiben umfaßt einen Basisteil 76, einen Deckelteil 78 sowie einen Abschnitt 79, der durch Spritzgießen eines Trägerabschnitts 82 des Basisteils 44 und anschließendes Überspritzen der Stützabschnitte 84 für die Magnetspeicherscheiben gebildet wird. Hierbei kann der Trägerabschnitt 82 wiederum aus Polycarbonat oder einem ähnlichen Material gebildet sein, während die Stützabschnitte 84 aus PEEK oder einem ähnlichen Material hergestellt sein können.
  • Der in 8 und 9 dargestellte Transportbehälter für große Halbleiterwafer von beispielsweise 300 mm Durchmesser umfaßt einen Waferträgerabschnitt 90, der aus einem Boden 91 mit Eingriffsabschnitten bzw. Verbindungsabschnitten 92, aufrechten Säulen 94 mit Aufnahmefächer 96 für Wafer und einem Deckwandungsabschnitt 98 besteht. Die Aufnahmefächer 96 für Wafer besitzen einen überspritzten Abschnitt 99, der denjenigen Abschnitt bildet, der die Wafer kontaktiert. Die Verbindungsabschnitte 92 können ebenfalls einen umspritzten Abschnitt bilden, der mit externen Einrichtungen in Kontakt gebracht wird.
  • Bei dem in 12 dargestellten Waferträger handelt es sich um einen Prozeßträger 110, der ein Basisteil aufweist, das Wandabschnitte 112 und 114 umfaßt, zwischen denen sich Arme 116 erstrecken. Jeder der Arme 116 besitzt eine Vielzahl von Zähnen 118, die Schlitze 120 zum Halten von Wafern während deren Verarbeitung bilden. Der Außenumfang der Arme 116 und die Zähne sind hierbei durch Überspritzen des Basisteils 122 gebildet.
  • Der in den 10 und 11 dargestellte Träger besteht aus mehreren zusammengesetzten Teilen, die Seitenwandabschnitte 124 als auch einen Trägerrahmen 126 umfassen. Die Seitenwandabschnitte 124 sind in den Trägerrahmen 126 eingesetzt. Zusätzlich kann ein Roboterflansch oder Maschinen-Interface 132 an der Rückseite 134 des Trägers vorgesehen sein. In diesem Falle ist jeder Seitenwandabschnitt 124 mit Waferstützabschnitten 139 überspritzt, um die Teilchenerzeugung durch Abrieb beim Einsetzen oder Herausnehmen der Wafer zu minimieren. Das Überspritzen kann mit engeren dimensionellen Toleranzen als beim Basisteil vorgenommen werden, um ein Positionieren von Wafern mit geringfügigen Toleranzen zu ermöglichen.
  • Gemäß 13 wird eine Form 128 verwendet, um ein Basisteil 130, wie etwa das dargestellte Seitenwandteil, durch Spritzgießen zu erzeugen. Das Basisteil 130 wird dann in einer weiterer Form (oder gegebenenfalls auch in der gleichen Form mit einem dann entfernten Formeinsatz) angeordnet. Nach Schließen der Form findet das Überspritzen, etwa mit PEEK, statt. Die so gebildeten Teile können in diesem Fall zu einem Träger 136, beispielsweise entsprechend 10, zusammengesetzt werden.
  • Bei speziellen Anwendungen kann es zweckmäßig sein, wenn das zunächst spritzgegossene Teil von relativ geringem Volumen im Vergleich zum überspritzten Abschnitt ist. In anderen Anwendungen kann das zunächst zu verspritzende thermoplastische Material an kritischen Stellen einer Form, beispielsweise den Waferstützbereichen, angeordnet werden, wobei man sich dieses Material verfestigen läßt, wonach ein Trägerabschnitt ohne Formänderung überspritzt wird.
  • Es kann auch vorgesehen sein, daß sich die beiden Materialien in geschmolzenem Zustand miteinander verbinden. Zwar liefert ein gleichzeitiges Einspritzen keine präzise Anordnung der Grenzfläche zwischen den beiden Abschnitten, jedoch benötigt man keine zweite Form und nicht die Verfahrensschritte der Verfestigung, des Entfernens des einen Abschnitts aus der Form und der Anordnung hiervon in einer zweiten Form.
    • 20
    Träger
    22
    Vorderwand
    23
    Rückwand
    24
    Seitenwand
    26
    Seitenwand
    28
    Schlitz
    30
    (offene) Oberseite
    32
    (H-förmiger) Steg
    34
    Zähne
    38
    Interface
    40
    Ecke
    42
    Griff
    44
    Basisteil
    46
    Stützabschnitt
    48
    Flansch
    50
    (überspritzter bzw. umspritzter) Abschnitt
    52
    Nebenabschnitt
    60
    WIP-Behälter
    62
    Waferträger
    64
    Deckelteil
    66
    Basisteil
    68
    Gelenk
    70
    Polycarbonatfenster
    76
    Basisteil
    78
    Deckelteil
    79
    Abschnitt
    82
    Trägerabschnitt
    84
    Stützabschnitt
    90
    Waferträgerabschnitt
    91
    Boden
    92
    Verbindungsabschnitt
    94
    Säule
    96
    Aufnahmefächer (für Wafer)
    98
    Deckwandungsabschnitt
    99
    (überspritzter) Abschnitt
    110
    Prozeßträger
    112
    Wandabschnitt
    114
    Wandabschnitt
    116
    Arm
    118
    Zahn
    120
    Schlitz
    122
    Basisteil
    124
    Seitenwandabschnitt
    126
    Trägerrahmen
    128
    Form
    130
    Basisteil
    132
    Maschinen-Interface
    134
    Rückseite
    136
    Träger
    139
    Waferstützabschnitt

Claims (2)

  1. Verwendung eines Behälters für einen Reinraum zur Aufnahme von Halbleiterwafern, wobei der Behälter einen Deckelteil (78) aus einem ersten thermoplastischen Material und eine Vielzahl von gegenüberliegenden, parallelen Schlitzen zur axial ausgerichteten Aufnahme einer Vielzahl der Halbleiterwafer aufweist, wobei der Deckelteil (78) mit einem Fenster (70) aus einem zweiten, vom ersten verschiedenen thermoplastischen Material versehen ist, wobei das Fenster (70) in dem Deckelteil (78) durch Überspritzen mit dem ersten thermoplastischen Material durch ein thermophysikalisches Verbinden befestigt ist.
  2. Verwendung nach Anspruch 1, wobei das erste thermoplastische Material mit Kohlenstofffasern gefülltes Polycarbonat und das zweite thermoplastische Material Polycarbonat ist.
DE19964317A 1998-05-28 1999-05-27 Verwendung eines Behälters für einen Reinraum zur Aufnahme von Halbleiterwafern Expired - Lifetime DE19964317B4 (de)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US8720598P 1998-05-28 1998-05-28
US087205 1998-05-28
US317989 1999-05-25
US09/317,989 US6428729B1 (en) 1998-05-28 1999-05-25 Composite substrate carrier
DE19964576 1999-05-27
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