DE19945131A1 - Elektronisches Bauelement und Beschichtungs-Mittel - Google Patents
Elektronisches Bauelement und Beschichtungs-MittelInfo
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 15
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 claims description 11
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 11
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 10
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 8
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 4
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 claims 2
- 230000000855 fungicidal effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000417 fungicide Substances 0.000 claims 2
- 239000008363 phosphate buffer Substances 0.000 claims 2
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000035508 accumulation Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000000181 anti-adherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000009760 functional impairment Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05573—Single external layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10636—Leadless chip, e.g. chip capacitor or resistor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
- H05K2201/2081—Compound repelling a metal, e.g. solder
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement, mit an vorbestimmten Bereichen an wenigstens einer äußeren Oberfläche angeordneten Lötbereichen, wobei das Bauelement an seiner nicht durch die Lötbereiche gebildeten Oberfläche mit einer Lötmittel-Antihaft-Schicht überzogen ist. Weiterhin bezieht sich die Erfindung auf ein Beschichtungs-Mittel zur Verminderung von Lötrückständen.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein elektronisches Bauelement,
mit an vorbestimmten Bereichen an wenigstens einer äußeren
Oberfläche angeordneten Lötbereichen, und auf ein Beschich
tungs-Mittel zur Verminderung von Lötrückständen.
Beim Ein- oder Verlöten elektronischer Bauelemente treten
häufig Lötrückstände auf nicht zur Verlötung vorgesehen Flä
chen, insbesondere bei den relativ kleinen SMD-Bauelementen,
auf. Bei optoelektronischen Bauelementen Empfangs- oder Sen
debausteinen wie beispielsweise Lumineszenzdioden (LED) wird
hierdurch die Funktion des lichtabstrahlenden bzw. -empfan
genden Halbleiterbauelements beeinträchtigt und die Licht-
bzw. Signalausbeute heruntergesetzt. Auch kann es bei englie
genden Anschluss-Kontakten oder Lötflächen leicht zu Kurz
schlüssen durch das Lot gebildete Brücken entstehen.
Insbesondere bei vollautomatisierten Bestückungen von Plati
nen mit SMD-Bauelementen vermittels eines sogenannten Pick-
and-Place Prozesses treten Lötrückstände auf den Bauelementen
auf. Ansätze mit lösungsmittelhaltigen Lacken oder Beschich
tungen haben hier zu keinem befriedigenden Ergebnis geführt.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein elektronisches Bauelement
und ein Beschichtungsmittel zur Verfügung zu stellen, das das
Anhaften von Lötrückständen bzw. Lot an nicht hierzu vorgese
henen Flächen des Bauelements vermindert bzw. verhindert.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt vorrichtungsmäßig nach den
kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 und nach den kenn
zeichnenden Merkmalen des Anspruchs 10.
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das Bauelement an seiner
nicht durch die Lötbereiche gebildeten Oberfläche mit einer
Lötmittel-Antihaft-Schicht überzogen ist.
Die Erfindung schlägt vor, zur Vermeidung der insbesondere
bei Lötbädern oder einem Schwalllötvorgang auftretenden
Lötrückstände, in Form kleiner Lotansammlungen an nicht hier
für vorgesehenen Stellen des elektrischen Bauelements, eine
Lötmittel-Antihaft-Schicht auf den nicht zur Verlötung vorge
sehenen Bereichen der Oberfläche des elektrischen Bauelements
vorzusehen, die das Anhaften des Lots verhindert.
Nach einer besonders bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung
ist vorgesehen, dass die Lötmittel-Antihaft-Schicht im we
sentlichen aus Siloxan besteht.
Dem folgend besteht nach einer weiteren Ausgestaltung der
Erfindung die Lötmittel-Antihaft-Schicht im wesentlichen aus
einem polyethermodifizierten Dimethylpolysiloxan.
Dem folgend ist die Lötmittel-Antihaft-Schicht bevorzugter
weise durch eine 0,01-5%ige wässrige Lösung ohne weitere
Lösungsmittelzusätze aufgebracht. Die Aufbringung der Lötmit
tel-Antihaft-Schicht erfolgt hierbei nach einer besonders
bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung bei Raumtemperatur.
Hierdurch wird eine hocheffektive homogene Lötmittel-Anti
haft-Schicht erzeugt, die vorteilhafterweise durch die spezi
elle chemische Struktur und durch den Einsatz wässriger Sy
steme keine schwerflüchtigen Lösungsvermittler mehr zum Ein
satz bringt. Ein sich hieraus ergebender Vorteil liegt darin,
dass nunmehr keine umweltunverträglichen Lösungsmittel mehr
zum Einsatz kommen. Auch können keine Tropfenrückstände durch
hochflüchtige Lösungsvermittler auftreten, die die einwand
freie Verlötung des elektrischen Bauteils erschweren oder
verhindern. Ein bisher üblicher, thermischer Nachbearbei
tungsschritt entfällt, was die Ausbeute erhöht und Produkti
onszeiten verringert. Funktionale Beeinträchtigungen der be
schichteten Bauelemente treten nicht auf. Die erhaltenen Be
schichtungen zeichnen sich weiterhin durch hohe Lagerstabili
tät und Homogenität aus, was die Qualität der Bauteile ver
bessert und die Ausfallquote verringert.
Weiterhin betrifft die Erfindung ein Beschichtungs-Mittel zur
Verminderung von Lötrückständen auf nicht zur Verlötung vor
gesehenen Flächen eines mehrere Flächen aufweisenden elektri
schen Bauelements, das an mindestens einer Fläche zu verlöten
ist, wobei auf den nicht für die Verlötung vorgesehenen Flä
chen des elektrischen Bauelements das Beschichtungs-Mittel
aufzubringen ist, wobei das Beschichtungs-Mittel ein Siloxan
ist.
Dem folgend besteht nach einer weiteren Ausgestaltung der
Erfindung das Beschichtungs-Mittel aus einem polyethermodifi
zierten Dimethylpolysiloxan.
Vorteilhafterweise ist das Beschichtungs-Mittel in einer 0,01
-5%igen wässrigen Lösung zum Auftrag auf eine hierfür vorge
sehene Fläche ohne weitere Lösungsmittelzusätze gelöst. Hier
durch ist nach dem Aufbringen des Beschichtungs-Mittels und
dem Verdampfen des Wassers der wässrigen Lösung ein gleichmä
ßiger Auftrag des Beschichtungs-Mittels gewährleistet, ohne
dass sonstige schwerverdampfbare Lösungsmittelrückstände zu
rückbleiben. Ein sich hieraus ergebender Vorteil liegt darin,
dass durch Einsatz einer wässrigen Lösung keine umweltunver
träglichen Lösungsmittel mehr zum Einsatz kommen. Das Be
schichtungs-Mittel zeigt keine sonst üblichen Verfärbungen
oder Rückstände auf der Bauteiloberfläche aufgrund thermi
scher Zersetzungsreaktionen, die durch die früher notwendige
Wärmebehandlung zur Verdampfung der Lösungsmittel entstanden.
Weitere Vorteile, Besonderheiten und zweckmäßige Weiterbil
dungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung weiter
erläutert. Im Einzelnen zeigen die schematischen Darstellun
gen in:
Fig. 1 eine schematische Schnittdarstellung eines bevor
zugten Ausführungsbeispieles eines verlöteten, er
findungsgemäßen elektrischen Bauelements mit einer
Lötmittel-Antihaft-Schicht; und
Fig. 2 eine schematische Schnittdarstellung eines verlöte
ten, herkömmlichen elektrischen Bauelements mit
Lötrückständen.
In Fig. 1 ist ein erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel ei
nes elektrischen Bauelements 1 in verlötetem Zustand darge
stellt. Das Bauelement 1 ist hierbei mit den zu verlötenden
Lötbereichen 4 vermittels des Lotes 3 mit den auf einer Pla
tine 7 gedruckten Leiterbahnen 8 verlötet. Die anderen Berei
che 5 der Oberfläche 2 des Bauelements 1, die nicht zur Ver
lötung vorgesehen sind, sind mit einer Lötmittel-Antihaft-
Schicht 6 überzogen. Bei dem erfindungsgemäßen Einsatz von
polyethermodifiziertem Dimethylpolysiloxan als wesentlichem
Bestandteil der Lötmittel-Antihaft-Schicht 6 ist ein Benetzen
von Oberflächen 5 mit Lot, die hierfür nicht vorgesehen sind,
verhindert.
In Fig. 2 ist eine solche ungewollte Benetzung bzw. Anhaf
tung 10, 11, 12 und 13 von Lot 3 auf nicht hierfür vorgesehe
nen Flächen 5 eines herkömmlichen elektronischen Bauelements
1 ohne Lötmittel-Antihaft-Schicht dargestellt. Wieder ist das
elektrische Bauelement 1 in verlötetem Zustand dargestellt.
Das Bauelement 1 ist wiederum mit den zu verlötenden Lötbe
reichen 4 vermittels des Lotes 3 mit den auf einer Platine 7
gedruckten Leiterbahnen 8 verlötet. Hierbei kommt es zu ver
einzelten Anhaftungen von Lötrückständen 10 (Lot, Flussmit
tel, etc.) auf rauen oder leicht benetzbaren Stellen, bei
spielsweise der Linse einer LED, zu Anhaftungen von Lötrück
ständen 11 in Winkeln oder Ecken der Oberfläche 2 des Bauele
ments 1, sowie zu Überhängen von Lot 12, die durch eine teil
weise Benetzung der nicht zur Verlötung vorgesehenen Bereiche
5 entstehen, und sowie zu Kurzschlussbrücken 13, die durch
auf der Oberfläche 2 zusammenfließendes Lot 3 zwischen ein
zelnen Kontakt- bzw. Lötflächen 4 entstehen.
Eine erfindungsgemäße Lötmittel-Antihaft-Schicht kann durch
Bestempeln, Eintauchen oder Besprühen des gesamten elektri
schen Bauelements 1 mit einer wässrigen Lösung von polyether
modifizierten Dimethylpolysiloxan als Beschichtungs-Mittel
erfolgen. Die Trocknung des Films erfolgt vorteilhafterweise
in einem Luftstrom, der keine erhöhten Temperaturen aufweisen
muss.
Die wässrige Lösung des polyethermodifizierten Dimethylpoly
siloxan setzt sich erfindungsgemäß aus 0,1-5% polyethermo
difizierten Dimethylpolysiloxan, beispielsweise BYK348 der
Firma Byk-Chemie GmbH, und deionisiertem Wasser zusammen.
Hierdurch wird ein optimal trockenes Leadframe und ein homo
gen beschichtetes Gehäuse erreicht, ohne, dass hierfür spezi
elle Masken oder sonstige Hilfsmittel zur Anwendung kommen
müssen.
Auf spezielle Wärmeeinwirkungen zur Trocknung oder zur Homo
genisierung der Beschichtung kann verzichtet werden. Hier
durch wird eine höhere Ausbeute und eine schnellere Produkti
on ermöglicht.
1
Bauelement
2
Oberfläche des Bauelements
3
Lot
4
Lötbereich
5
Oberfläche
6
Lötmittel-Antihaft-Schicht
7
Platine
8
gedruckte Leiterbahn
9
Beschichtungs-Mittel
10
,
11
Lötrückstände
12
Überhang
13
Kurzschlussbrücke
Claims (22)
1. Elektronisches Bauelement (1), mit an vorbestimmten Berei
chen (3) an wenigstens einer äußeren Oberfläche (2) angeord
neten Lötbereichen (4),
dadurch gekennzeichnet,
dass das Bauelement an seiner nicht durch die Lötbereiche
gebildeten Oberfläche (5) mit einer Lötmittel-Antihaft-
Schicht (6) überzogen ist.
2. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Lötmittel-Antihaft-Schicht (6) im wesentlichen aus
Siloxan besteht.
3. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Lötmittel-Antihaft-Schicht (6) im wesentlichen aus
Polysiloxan besteht.
4. Elektronisches Bauelement einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Lötmittel-Antihaft-Schicht (6) im wesentlichen aus
Methylpolysiloxan besteht.
5. Elektronisches Bauelement einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Lötmittel-Antihaft-Schicht (6) im wesentlichen aus
Dimethylpolysiloxan besteht.
6. Elektronisches Bauelement einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Lötmittel-Antihaft-Schicht (6) im wesentlichen aus
modifiziertem Dimethylpolysiloxan besteht.
7. Elektronisches Bauelement einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Lötmittel-Antihaft-Schicht (6) im wesentlichen aus
polyethermodifiziertem Dimethylpolysiloxan besteht.
8. Elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis
7,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Lötmittel-Antihaft-Schicht (6) durch eine 0,01-
5%ige wässrige Lösung ohne weitere Lösungsmittelzusätze auf
gebracht ist.
9. Elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis
8,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Lötmittel-Antihaft-Schicht (6) in wässriger Lösung
bei Raumtemperatur flächig auf die Oberfläche (5) des Bauele
ments (1) aufgebracht ist.
10. Elektronisches Bauelement nach einem der vorherigen An
sprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass die wässrige Lösung einen Phosphatpufferzusatz in einer
Konzentration von 0,01 mmol/l bis 0,1 mmol/l aufweist.
11. Elektronisches Bauelement nach einem der vorherigen An
sprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass die wässrige Lösung einen Fungizidzusatz aufweist.
12. Beschichtungs-Mittel zur Verminderung von Lötrückständen
(10, 11, 12, 13) auf nicht zur Verlötung vorgesehenen Flächen
(5) eines mehrere Flächen aufweisenden elektrischen Bauele
ments (1), das an mindestens einer Fläche (4) zu verlöten
ist, wobei auf den nicht für die Verlötung vorgesehenen Flä
chen des elektrischen Bauelements das Beschichtungs-Mittel
(9) aufzubringen ist,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Beschichtungs-Mittel (9) ein Siloxan ist.
13. Beschichtungs-Mittel nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Beschichtungs-Mittel (9) ein Polysiloxan ist.
14. Beschichtungs-Mittel einem der Ansprüche 12 oder 13,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Beschichtungs-Mittel (9) ein Methylpolysiloxan ist.
15. Beschichtungs-Mittel einem der Ansprüche 12 bis 14,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Beschichtungs-Mittel (9) ein Dimethylpolysiloxan
ist.
16. Beschichtungs-Mittel einem der Ansprüche 12 bis 15,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Beschichtungs-Mittel (9) ein modifiziertes Dimethyl
polysiloxan ist.
17. Beschichtungs-Mittel einem der Ansprüche 12 bis 16,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Beschichtungs-Mittel (9) ein polyethermodifiziertes
Dimethylpolysiloxan ist.
18. Beschichtungs-Mittel nach einem der Ansprüche 12 bis 17,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Beschichtungs-Mittel (9) in einer 0,01-5%igen
wässrigen Lösung ohne weitere Lösungsmittelzusätze zum Auf
trag auf eine hierfür vorgesehene Fläche gelöst ist.
19. Beschichtungs-Mittel nach einem der Ansprüche 12 bis 18,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Beschichtungs-Mittel (9) in wässriger Lösung bei
Raumtemperatur flächig auf eine damit zu beschichtende Fläche
(5) aufzubringen ist.
20. Beschichtungs-Mittel nach Anspruch 19,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Wasser der wässrigen Lösung des Beschichtungs-
Mittels nach dem Aufbringen auf die zu beschichtenden Flächen
(5) vermittels eines Luftstromes ausgetrocknet ist.
21. Beschichtungs-Mittel nach einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass die wässrige Lösung einen Phosphatpufferzusatz in einer
Konzentration von 0,01 mmol/l bis 0,1 mmol/l aufweist.
22. Beschichtungs-Mittel nach einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass die wässrige Lösung einen Fungizidzusatz aufweist.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19945131A DE19945131A1 (de) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | Elektronisches Bauelement und Beschichtungs-Mittel |
PCT/DE2000/003290 WO2001022501A1 (de) | 1999-09-21 | 2000-09-21 | Elektronisches bauelement und beschichtungs-mittel |
KR1020017006316A KR20010107975A (ko) | 1999-09-21 | 2000-09-21 | 전자 부품 및 코팅제 |
EP00971253A EP1133800A1 (de) | 1999-09-21 | 2000-09-21 | Elektronisches bauelement und beschichtungs-mittel |
JP2001525774A JP2003510818A (ja) | 1999-09-21 | 2000-09-21 | 電子構成素子および被覆剤 |
JP2005009629A JP2005136438A (ja) | 1999-09-21 | 2005-01-17 | 電子構成素子を製造するための方法ならびに該電子構成素子のための被覆剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19945131A DE19945131A1 (de) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | Elektronisches Bauelement und Beschichtungs-Mittel |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19945131A1 true DE19945131A1 (de) | 2001-04-12 |
Family
ID=7922718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19945131A Withdrawn DE19945131A1 (de) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | Elektronisches Bauelement und Beschichtungs-Mittel |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1133800A1 (de) |
JP (2) | JP2003510818A (de) |
KR (1) | KR20010107975A (de) |
DE (1) | DE19945131A1 (de) |
WO (1) | WO2001022501A1 (de) |
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8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |