DE19940278A1 - Schichtstruktur für bipolare Transistoren und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
Schichtstruktur für bipolare Transistoren und Verfahren zu deren HerstellungInfo
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10160511A1 (de) * | 2001-11-30 | 2003-06-12 | Ihp Gmbh | Bipolarer Transistor |
| DE10220578A1 (de) * | 2002-05-08 | 2003-11-27 | Infineon Technologies Ag | Bipolartransistor |
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7713380B2 (ja) * | 2021-12-17 | 2025-07-25 | 一般財団法人電力中央研究所 | 炭化珪素インゴット |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3034078C2 (de) * | 1979-09-12 | 1985-09-19 | Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung |
| WO1988008206A1 (en) * | 1987-04-14 | 1988-10-20 | British Telecommunications Public Limited Company | Heterojunction bipolar transistor |
| EP0374544A1 (en) * | 1988-12-06 | 1990-06-27 | Fujitsu Limited | A hetero bipolar transistor and a fabricating method thereof |
| US5144398A (en) * | 1989-03-29 | 1992-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and photoelectric conversion apparatus using the same |
| US5285083A (en) * | 1992-04-27 | 1994-02-08 | The University Of British Columbia | Inverted heterojunction bipolar device having undoped amorphous silicon layer |
| US5321301A (en) * | 1992-04-08 | 1994-06-14 | Nec Corporation | Semiconductor device |
| EP0607836A2 (de) * | 1993-01-20 | 1994-07-27 | TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH | Verfahren zur Herstellung von Silizium-Germanium-Heterobipolartransistoren |
| US5374481A (en) * | 1991-11-20 | 1994-12-20 | International Business Machines Corporation | Polyemitter structure with improved interface control |
| US5500554A (en) * | 1993-12-28 | 1996-03-19 | Nec Corporation | Bipolar transistor having reduced base-collector capacitance while maintaining improved cut-off frequency |
| EP0769810A2 (en) * | 1995-10-20 | 1997-04-23 | Nec Corporation | Bipolar transistor and method of fabricating it |
| US5659197A (en) * | 1994-09-23 | 1997-08-19 | Vlsi Technology, Inc. | Hot-carrier shield formation for bipolar transistor |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59186367A (ja) * | 1983-04-06 | 1984-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| DE19755979A1 (de) * | 1996-12-09 | 1999-06-10 | Inst Halbleiterphysik Gmbh | Silizium-Germanium-Heterobipolartransistor |
-
1999
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Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3034078C2 (de) * | 1979-09-12 | 1985-09-19 | Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung |
| WO1988008206A1 (en) * | 1987-04-14 | 1988-10-20 | British Telecommunications Public Limited Company | Heterojunction bipolar transistor |
| EP0374544A1 (en) * | 1988-12-06 | 1990-06-27 | Fujitsu Limited | A hetero bipolar transistor and a fabricating method thereof |
| US5144398A (en) * | 1989-03-29 | 1992-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and photoelectric conversion apparatus using the same |
| US5374481A (en) * | 1991-11-20 | 1994-12-20 | International Business Machines Corporation | Polyemitter structure with improved interface control |
| US5321301A (en) * | 1992-04-08 | 1994-06-14 | Nec Corporation | Semiconductor device |
| US5285083A (en) * | 1992-04-27 | 1994-02-08 | The University Of British Columbia | Inverted heterojunction bipolar device having undoped amorphous silicon layer |
| EP0607836A2 (de) * | 1993-01-20 | 1994-07-27 | TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH | Verfahren zur Herstellung von Silizium-Germanium-Heterobipolartransistoren |
| US5500554A (en) * | 1993-12-28 | 1996-03-19 | Nec Corporation | Bipolar transistor having reduced base-collector capacitance while maintaining improved cut-off frequency |
| US5659197A (en) * | 1994-09-23 | 1997-08-19 | Vlsi Technology, Inc. | Hot-carrier shield formation for bipolar transistor |
| EP0769810A2 (en) * | 1995-10-20 | 1997-04-23 | Nec Corporation | Bipolar transistor and method of fabricating it |
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| BEHAMMER,D., et.al.: Si/SiGe HBTs For Application In Low Power ICs. In: Solid-State Electronics, Vol.39, No.4, 1996, S.471-480 * |
| JOUAN,SEbastien, et.al.: A High-Speed Low 1/f Noise SiGe HBT Technology Using Epitaxially- Aligned Polysilicon Emitters. In: IEEE Transactions On Electron Devices, Vol.46, No.7, July 1999, S.1525-1531 * |
| KONDO,Masao, et.al.: Analysis of Emitter Efficiency Enhancement Induced by Residual Stress for In Situ Phosphorus-Doped Polysilicon Emitter Transistors. In: IEEE Transactions On Electron Devices, Vol.44, No.6, June 1997, S.978- * |
| LIPPERT,G., et.al.: Optimized processing for differentially molecular beam epitaxy-grown SiGe(C) devices. In: Thin Solid Films 321, 1998, S.21-25 * |
| ZHENG,Jiang, et.al.: 77 K Operation of Amorphous Si/Si Heterojunction Bipolar Transistors. In: Jpn. J. Appl. Phys., Vol.32, 1993, S.2632,2633 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10160511A1 (de) * | 2001-11-30 | 2003-06-12 | Ihp Gmbh | Bipolarer Transistor |
| DE10220578A1 (de) * | 2002-05-08 | 2003-11-27 | Infineon Technologies Ag | Bipolartransistor |
| WO2004090968A1 (de) | 2003-04-14 | 2004-10-21 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur herstellung eines bipolartransistors |
| US7105415B2 (en) | 2003-04-14 | 2006-09-12 | Infineon Technologies Ag | Method for the production of a bipolar transistor |
Also Published As
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