DE19933418A1 - Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Bauelementen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen BauelementenInfo
- Publication number
- DE19933418A1 DE19933418A1 DE19933418A DE19933418A DE19933418A1 DE 19933418 A1 DE19933418 A1 DE 19933418A1 DE 19933418 A DE19933418 A DE 19933418A DE 19933418 A DE19933418 A DE 19933418A DE 19933418 A1 DE19933418 A1 DE 19933418A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- silicon
- silicon layer
- substrate
- sacrificial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 238000005530 etching Methods 0.000 title abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 80
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 26
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 10
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00642—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for improving the physical properties of a device
- B81C1/0065—Mechanical properties
- B81C1/00666—Treatments for controlling internal stress or strain in MEMS structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0118—Cantilevers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0102—Surface micromachining
- B81C2201/0105—Sacrificial layer
- B81C2201/0109—Sacrificial layers not provided for in B81C2201/0107 - B81C2201/0108
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0161—Controlling physical properties of the material
- B81C2201/0163—Controlling internal stress of deposited layers
- B81C2201/0164—Controlling internal stress of deposited layers by doping the layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0161—Controlling physical properties of the material
- B81C2201/0163—Controlling internal stress of deposited layers
- B81C2201/0169—Controlling internal stress of deposited layers by post-annealing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
Es wird ein Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Bauelementen vorgeschlagen, bei dem auf einem Siliziumsubstrat (1) oder mehrere Opferschichten (2) und darauf eine Siliziumschicht (3) abgeschieden wird. In späteren Verfahrensschritten wird aus der Siliziumschicht (3) eine Struktur (10, 11) herausstrukturiert und unter mindestens einem Teil der Struktur (11) wird die Opferschicht wieder entfernt. Die Siliziumschicht (3) wird durch einen Implantationsprozeß dotiert.
Description
Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung
von mikromechanischen Bauelementen nach der Gattung des
unabhängigen Patentanspruchs.
Es sind bereits Verfahren zur Herstellung von
mikromechanischen Bauelementen bekannt, bei denen eine
sogenannte Opferschicht-Technik verwendet wird. Dabei wird
auf einem Substrat eine Opferschicht aufgebracht und auf der
Opferschicht eine Strukturschicht. Aus der Strukturschicht
wird ein Element herausstrukturiert und zumindest unter
Teilen dieser Struktur wird die Opferschicht durch einen
Ätzprozeß wieder entfernt. Dabei wird sowohl für das
Substrat wie auch für die Strukturschicht Silizum verwandt.
Das erfindungsgemäße Verfahren mit den Merkmalen des
unabhängigen Patentanspruchs hat demgegenüber den Vorteil,
daß so eine besonders genaue Kontrolle der inneren
mechanischen Spannungen in der Struktur ermöglicht wird.
Weitere Weiterbildungen und Verbesserungen des
erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich durch die Merkmale
der abhängigen Patentansprüche. Durch eine
Temperaturbehandlung werden implantierte Dotierstoffe in das
Siliziumkristallgitter eingebaut. Durch Beeinflussung der
Dosis des Dotierstoffs und der Energie der Implantation
können die Verteilung des Dotierstoffs in der Struktur und
damit die inneren mechanischen Spannungen bzw gezielt
beeinflusst werden. Weiterhin können die mechanischen
Spannungen in der Struktur verringert werden, indem durch
Aufbringen einer Beschichtung das Eindringen von Sauerstoff
in das Silizium der Struktur bei der Temperaturbehandlung
vermieden wird. Besonders geeignet ist das Verfahren für die
Anwendung bei dicken Strukturschichten, wie sie
beispielsweise durch die Verwendung eines Epitaxieprozesses
bei der Herstellung der Strukturschicht erzielt werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden in den Zeichnungen
dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher
erläutert. Es zeigen die Fig. 1 bis 3 ein
erfindungsgemäßes Herstellungsverfahren und Fig. 4 eine
Aufsicht auf die Fig. 3.
In den Fig. 1 bis 3 wird ein Herstellungsverfahren für
mikromechanische Strukturen gezeigt, in dem ein Querschnitt
durch den Aufbau der einzelnen Schichten gezeigt wird.
In der Fig. 1 wird ein Querschnitt durch einen
Siliziumwafer 1 gezeigt, auf dem eine Opferschicht 2
hergestellt ist. Für derartige Opferschichten eignet sich
beispielsweise Siliziumoxid, welches durch einen
Oxidationsprozess des Siliziumwafers 1 oder durch übliche
Abscheidungstechniken der Halbleitertechnik hergestellt ist.
Auf dieser Opferschicht 2 wird dann durch einen üblichen
Prozeß der Halbleitertechnik eine dünne Polysiliziumschicht
als Nukleationsschicht abgeschieden. Diese dünne
Polysiliziumschicht wird in der Fig. 1 nicht dargestellt.
In einem nachfolgenden Schritt erfolgt dann auf dieser
dünnen Polysiliziumschicht die Abscheidung einer dicken
Polysiliziumschicht 3. Für die Abscheidung dieser dicken
Polysiliziumschicht 3 werden Prozesse benutzt, die in der
Halbleitertechnik üblicherweise zur Abscheidung von sog.
Epitaxieschichten verwendet werden. Bei diesen Prozessen
erfolgt normalerweise auf einem einkristallinen
Siliziumsubstrat die Abscheidung einer im wesentlichen
einkristallinen Siliziumschicht. Da hier jedoch dieser
Prozeß auf einer dünnen Polysiliziumschicht angewendet wird,
wächst keine einkristalline Siliziumschicht sondern eine
polykristalline Siliziumschicht auf. Wesentlich an diesem
Prozeß ist, daß sich mit kurzen Prozeßzeiten dicke
Polysiliziumschichten erzeugen lassen.
Für die folgende Beschreibung wird davon ausgegangen, daß
die Opferschicht 2 eine Dicke von ca. 1,5 Mikrometer hat und
die darauf angeordnete Polysiliziumschicht 3 eine Dicke von
11 Mikrometern hat.
Die durch diese Epitaxieprozesse abgeschiedene
Polysiliziumschicht 3 weist für viele Anwendungen der
Mikromechanik eine zu geringe Dotierstoffkonzentration auf.
Insbesondere, wenn mikromechanische Bauelemente geschaffen
werden, bei denen einzelne Teile der Struktur leitend sein
sollen, ist es erforderlich, zusätzlich noch Dotierstoffe in
die Polysiliziumschicht 3 einzubringen. Dies kann
beispielsweise dann notwendig sein, wenn die
mikromechanischen Strukturen als kapazitive Elemente
(beispielsweise kapazitive Beschleunigungssensoren) wirken
sollen.
Besonders kostengünstige Verfahren zum Einbringen von
Dotierstoffen bestehen darin, daß die Oberfläche der
Siliziumschicht 3 mit einem phosphorhaltigen Gas
beaufschlagt werden (z. B. POCl3), wodurch eine
Oberflächenschicht der Siliziumschicht 3 stark dotiert wird.
In einem nachfolgenden Prozeß wird dann die Oberfläche mit
einer Schutzschicht aus Siliziumoxid versehen, durch die
eine Rückdiffusion des Dotierstoffes in eine Gasphase
vermieden wird. Es erfolgt dann eine
Hochtemperaturbehandlung, beispielsweise bei 1160°C, durch
die die zunächst nur oberflächlich vorhandenen Dotierstoffe
in die oberste Siliziumschicht 3 eingetrieben werden. Da
dieser Prozeß ausschließlich von der Oberfläche der
Siliziumschicht 3 ausgeht, nimmt dabei die
Dotierstoffkonzentration in der Tiefe der Siliziumschicht 3
stark ab. Weiterhin ist es bei derartigen Prozessen sehr
schwierig, bei einer Vielzahl von parallel prozessierten
Siliziumsubstraten für alle auf den Siliziumsubstraten 1
angeordneten Siliziumschichten 3 eine gleich starke
Dotierung zu erreichen. Außerdem ist ein gewisser Gang der
Dotierstoffkonzentration und damit der inneren mechanischen
Verspannung über der Oberfläche eines Wafers nicht zu
vermeiden.
Problematisch ist diese ungleichmäßige Verteilung der
Dotierstoffkonzentration in der Siliziumschicht 3 bzw.
zwischen verschiedenen Bauelementen nicht nur hinsichtlich
der dadurch unterschiedlichen Leitfähigkeit der
Siliziumschicht 3. Die Dotierstoffkonzentration hat auch
einen Einfluß auf die in der Siliziumschicht 3 enthaltenen
inneren mechanischen Spannungen und damit auf die Krümmung
der Struktur nach dem Freiätzen. Unterhalb einer bestimmten
Dotierstoffkonzentration bzw. einer bestimmten
Phosphorkonzentration wird ein Großteil der Dotierstoffe auf
elektrisch aktiven Gitterplätzen eingebaut, wodurch eine
leichte Zugspannung in dem Material erzeugt wird. Bei
zunehmender Stärke der Dotierung geht ein wachsender Anteil
des Phosphors in die Korngrenzen, wo sie elektrisch nicht
aktivierbar sind. Dort erzeugen sie eine Druckspannung.
Aufgrund einer ungleichmäßig starken Dotierung der
Siliziumschicht 3 und insbesondere bei einem Wechsel von
Zug- zu Druckspannungen kann es daher zu starken
mechanischen Spannungen innerhalb der Siliziumschicht 3 und
zur Verkrümmung von freigelegten Strukturen kommen.
Erfindungsgemäß wird nun ein Verfahren verwendet, bei dem
die Siliziumschicht 3 durch einen Implantationsprozeß mit
einem Dotierstoff versehen wird. Eine derartige
Siliziumschicht 3 wird schematisch in der Fig. 2 gezeigt,
die einen Weiterverarbeitungsschritt nach der Fig. 1
darstellt. Ausgehend von der Fig. 1 erfolgt die
Implantation von Dotierstoffen mit einem Implanter, wie er
auch für die Halbleitertechnik Verwendung findet.
Schematisch wird in der Fig. 2 eine in der Siliziumschicht
3 gelegene Schicht 4 gezeigt, bei der es sich um einen
Bereich der Siliziumschicht 3 handelt, in dem die größte
Dotierstoffmenge eingebracht wird. Es handelt sich dabei nur
um eine schematische Darstellung, die zeigen soll, daß die
stärkste Dotierstoffkonzentration nicht an der Oberfläche
der Siliziumschicht 3 ist, sondern sich in Abhängigkeit von
der Energie der Implantation auch im Inneren der
Siliziumschicht 3 befindet. Real ist es jedoch so, daß durch
den Implantationsprozeß zumindest bei einer Dicke in der
Größenordnung von 11 Mikrometern der Siliziumschicht 3 in
der gesamten Schichtdicke Dotierstoffatome eingebracht
werden. Dabei unterscheidet sich die stärkste Konzentration
typischerweise um einen Faktor 10 von der schwächsten
Konzentration. Durch die Implanation ist die Verteilung des
Dotierstoffes über den Oberfläche des Wafers sehr viel
gleichmäßiger und reproduzierbarer. Außerdem wird ein
geringerer Anteil des Dotierstoffes in Korngrenzen eingebaut
und die mechanischen Spannungsdifferenzen in dem Querschicht
der Siliziumschicht 3 reduziert.
In einem nachfolgenden Temperaturschritt, beispielsweise bei
1100°C für 30 Min., erfolgt dann eine Aktivierung der
eingebrachten Dotierstoffe, d. h. durch Erhöhung der
Temperatur wird die Diffusionsmöglichkeit der Dotieratome im
Silizium so erhöht, daß sie elektrisch aktivierbare
Gitterplätze besetzen können. Dabei erfolgt natürlich
abermals eine weitere Ausgleichung unterschiedlich starker
Dotierstoffkonzentrationen.
Bei der Temperaturbehandlung können auch Gasatome,
insbesondere Sauerstoff, die z. B. als
Hintergrundskontamination auch in einer inerten Atmosphäre
in das Siliziumsubstrat hereindiffundieren. Auch diese
eindiffundierten Gasatome bzw. Sauerstoffatome können die
mechanische Spannungen im Silizium beeinflussen. Um diesen
Effekt möglichst gering zu halten, wird daher in der Fig. 2
noch eine oberflächliche Schicht 5 aus Siliziumnitrid
(SI3N4) gezeigt, welche die Silizumschicht 3 vor dem
Eindringen von Gasatomen bei der Temperaturbehandlung
schützt. Dies stellt eine weitere Maßnahme dar, um die die
mechanischen Spannungen und deren Gradienten in der
Siliziumschicht 3 gering zu halten.
In weiteren Prozeßschritten wird dann die
Siliziumnitridschutzschicht 5 wieder entfernt und es erfolgt
eine Strukturierung der Siliziumschicht 3. In einem
nachfolgenden Schritt erfolgt dann eine Ätzung der
Opferschicht 2, wobei dabei ein Ätzmedium verwendet wird,
welches die Operschicht 2 ätzt, nicht jedoch das Substrat 1
oder die Siliziumschicht 3. Der so erreichte Zustand wird in
der Fig. 3 gezeigt. Wie zu erkennen ist, ist aus der oberen
Siliziumschicht 3 eine Struktur herausgebildet worden. Unter
einem Teil der Struktur ist noch ein Teilbereich der
Opferschicht 2 als Verankerung verblieben, während andere
Bereiche 6 unterhalb der Struktur frei geätzt sind. In der
Fig. 4 wird eine Aufsicht auf die Struktur nach der Fig. 3
gezeigt, wobei durch die Linie III-III angedeutet wird, daß
die Fig. 3 einen Querschnitt entlang dieser Linie durch die
Fig. 4 zeigt. Wie in der Fig. 4 zu erkennen ist, ist auf
dem Siliziumsubstrat 1 eine Struktur geschaffen, die einen
Verankerungsbereich 10 und einen beweglichen Bereich 11
aufweist. Der Verankerungsbereich 10 ist dabei von seinen
lateralen Abmessungen so bemessen, daß er bei einem kurzen
zeitgesteuerten Ätzprozeß der Opferschicht 2 dieser
Verankerungsbereich 10 nicht unterätzt wird. Der bewegliche
Teil 11 der Struktur ist in zumindest einer lateralen
Abmessung so ausgestaltet, daß auch bei einer sehr kurzen
Beaufschlagung mit einem Ätzmedium für die Opferschicht 2
eine Unterätzung 6 dieses Bereichs erfolgt. Es ist somit
durch Strukturierung der Siliziumschicht 3 und einem
nachfolgenden Ätzschritt der Opferschicht 2 eine Struktur
geschaffen, die teilweise mit dem Substrat 1 verbunden ist
und teilweise (Bereich 11) nicht mit dem Substrat verbunden
ist. Durch geeignete Auslegung des Bereichs 11 kann so eine
Struktur geschaffen werden, die durch eine Kraftauswirkung
relativ zum dem Substrat 1 bewegt wird.
In der Fig. 3 wird gezeigt, daß die geschaffene bewegliche
Struktur in etwa mit dem Abstand der Opferschicht, d. h. in
der Größenordnung von 1 bis 2 Mikrometern, über dem Substrat
1 angeordnet ist. Da derartige mikromechanische Strukturen
in einer Richtung parallel zum Substrat 1 auf der
Größenordnung von mehreren hundert Mikrometern aufweisen,
können bereits geringe mechanische Spannungen zu einer
Berührung der beweglichen Teile mit dem Substrat 1 führen.
Es ist daher sehr wesentlich für die Herstellung von
mikromechanischen Strukturen die mechanischen Spannungen in
der Siliziumschicht 3 exakt zu kontrollieren. Dies wird
durch das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht, da es so
möglich ist, die mechanischen Spannungen innerhalb der
Siliziumschicht 3 exakt zu kontrollieren. Je nach Wahl der
Dotierstoffkonzentration und der durch die Implantation
bedingten Verteilung der Dotierstoffe in der Tiefe der
Siliziumschicht 3 können so gezielte Druckspannungen,
Zugspannungen oder ein nahezu spannungsfreier Zustand
erreicht werden. Gewünscht ist hier, daß die Siliziumschicht
3 nur sehr geringe Spannungen aufweist und daß die
verbliebenen Restspannungen zu einer Verbiegung der
Siliziumschicht 3 weg vom Substrat 1 führt.
Weiterhin handelt es sich bei der Implantation um einen sehr
gut kontrollierbaren Prozeß, der insbesondere auch über der
Fläche eines großflächigen Siliziumsubstrats 1 und aber auch
bei der Anwendung bei mehreren verschiedenen
Siliziumsubstraten reproduzierbar eingehalten werden kann.
Es wird so bei einer Massenherstellung derartiger
mikromechanischer Strukturen die Streuung der einzelnen
Strukturen untereinander gering gehalten.
Claims (6)
1. Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen
Bauelementen bei dem auf einem Siliziumsubstrat (1) eine
oder mehrere Opferschichten (2) und darauf eine
Siliziumschicht (3) erzeugt wird, wobei aus der
Siliziumschicht (3) eine Struktur (10, 11)
herausstrukturiert wird und unter mindestens einem Teil der
Struktur (11) die Opferschicht wieder entfernt wird, dadurch
gekennzeichnet, daß die Siliziumschicht (3) durch einen
Implantationsprozeß dotiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Dosis so gewählt wird, daß in der Siliziumschicht (3)
möglichst geringe innere mechanische Spannungen und
Spannungsgradienten erzeugt werden.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Implantationsprozeß
eine Temperaturbehandlung durchgeführt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die Siliziumschicht (3) vor der Temperaturbehandlung mit
einer Schutzschicht, insbesondere aus Siliziumnitrid
versehen wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Siliziumschicht
(3) mehr als 10 Mikrometer beträgt.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
für die Erzeugung der Siliziumschicht (3) ein Prozeß
verwendet wird, der bei einer Anwendung auf einem
einkristallinen Siliziumsubstrat zu einem epitaktischen
Aufwachsen einer Siliziumschicht führt.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19933418A DE19933418B4 (de) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Bauelementen |
| JP2000216404A JP5026632B2 (ja) | 1999-07-16 | 2000-07-17 | マイクロメカニズムの構成部材を製造するための方法 |
| US09/617,175 US6251699B1 (en) | 1999-07-16 | 2000-07-17 | Method for fabricating micromechanical components |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19933418A DE19933418B4 (de) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Bauelementen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19933418A1 true DE19933418A1 (de) | 2001-02-01 |
| DE19933418B4 DE19933418B4 (de) | 2005-09-29 |
Family
ID=7915035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19933418A Expired - Lifetime DE19933418B4 (de) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Bauelementen |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6251699B1 (de) |
| JP (1) | JP5026632B2 (de) |
| DE (1) | DE19933418B4 (de) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7172917B2 (en) * | 2003-04-17 | 2007-02-06 | Robert Bosch Gmbh | Method of making a nanogap for variable capacitive elements, and device having a nanogap |
| DE102013103495A1 (de) * | 2013-04-08 | 2014-10-09 | Institut Für Solarenergieforschung Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Siliziumsubstrates für die Solarzellenfertigung |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19730715C1 (de) * | 1996-11-12 | 1998-11-26 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Relais |
-
1999
- 1999-07-16 DE DE19933418A patent/DE19933418B4/de not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-07-17 JP JP2000216404A patent/JP5026632B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-17 US US09/617,175 patent/US6251699B1/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| BENITEZ, M.A. et al: "Stress-profile characteri- zation and test-structure analysis of single and double ion-implanted LPCVD polycrystalline sili- con", Sensors and Actuators A 54 (1996) 718-723 * |
| LANGE, P. et al: "Thick polycristalline silicon for surface-micromechanical applications: depo- sition, structuring and mechanical characteri- zation", Sensors and Actuators A 54 (1996)674-678 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6251699B1 (en) | 2001-06-26 |
| DE19933418B4 (de) | 2005-09-29 |
| JP2001054900A (ja) | 2001-02-27 |
| JP5026632B2 (ja) | 2012-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE112014002133B4 (de) | Herstellungsverfahren für einen Einkristall, Silicium-Einkristall, Verfahren zur Herstellung eines Siliciumwafers, Herstellungsverfahren für einen Silicium-Epitaxialwafer, sowie Silicium-Epitaxialwafer | |
| EP1051740A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer einkristallinen schicht auf einem nicht gitterangepasstem substrat, sowie eine oder mehrere solcher schichten enthaltendes bauelement | |
| DE102011113549A1 (de) | Ein Halbleiterbauelement mit einem Dotierstoffgebiet in einem Halbleiterkörper und ein Verfahren zur Herstellung eines Dotierstoffgebiets in einem Halbleiterkörper | |
| WO1997004319A1 (de) | Verfahren zur herstellung von beschleunigungssensoren | |
| DE4315012A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Sensoren und Sensor | |
| DE102013204275B4 (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE112015004143T5 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Einkristalls und Verfahren zum Herstellen eines Siliziumwafers | |
| DE4341271A1 (de) | Beschleunigungssensor aus kristallinem Material und Verfahren zur Herstellung dieses Beschleunigungssensors | |
| DE2437430A1 (de) | Verfahren zur herstellung monokristalliner niedrigtemperatur-epitaxialbereiche durch umwandlung aus einer amorphen schicht | |
| DE102006007293A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Quasi-Substratwafers und ein unter Verwendung eines solchen Quasi-Substratwafers hergestellter Halbleiterkörper | |
| DE112014006413T5 (de) | Herstellungsverfahren für epitaktischen Siliciumwafer und epitaktischer Siliciumwafer | |
| EP1373129A2 (de) | Verfahren zur herstellung von mikromechanischen sensoren und damit hergestellte sensoren | |
| DE102019210285A1 (de) | Erzeugen eines vergrabenen Hohlraums in einem Halbleitersubstrat | |
| DE4445177C2 (de) | Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Bauelemente mit freistehenden Mikrostrukturen | |
| DE19933418B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Bauelementen | |
| DE102007033873A1 (de) | Verfahren zur Dotierung eines Halbleiterwafers und Halbleiterbauelement | |
| DE102008032171B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer einkristallinen Schicht | |
| DE10162983B4 (de) | Kontaktfederanordnung zur elektrischen Kontaktierung eines Halbleiterwafers zu Testzwecken sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE2230749C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
| DE602004008537T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines SOI-Substrats | |
| DE4415567B4 (de) | Verfahren zur Erzeugung einer SOI-Struktur mit einer Isolationsschicht auf einem Siliziumwafer und einer darauf epitaktisch aufgebrachten Siliziumschicht | |
| DE10043587B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Substrats, nach diesem Verfahren hergestelltes Substrat | |
| WO2015087252A1 (de) | Spiralfeder für mechanische uhrwerke | |
| EP0793736B1 (de) | Verfahren zur herstellung mikromechanischer bauelemente mit freistehenden mikrostrukturen oder membranen | |
| DE112014003019T5 (de) | Prozess für die Herstellung einer Verbundstruktur |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| R071 | Expiry of right |