DE19920745C2 - Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates mit einem Material - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates mit einem Material

Info

Publication number
DE19920745C2
DE19920745C2 DE1999120745 DE19920745A DE19920745C2 DE 19920745 C2 DE19920745 C2 DE 19920745C2 DE 1999120745 DE1999120745 DE 1999120745 DE 19920745 A DE19920745 A DE 19920745A DE 19920745 C2 DE19920745 C2 DE 19920745C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
space
room
coating
substrate
absorber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE1999120745
Other languages
English (en)
Other versions
DE19920745A1 (de
Inventor
Manfred Fuchs
Erich Hell
Detlef Mattern
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Agfa Gevaert NV
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE1999120745 priority Critical patent/DE19920745C2/de
Publication of DE19920745A1 publication Critical patent/DE19920745A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19920745C2 publication Critical patent/DE19920745C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0694Halides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)

Description

Aus der DE 195 16 450 C1 ist ein Verfahren und eine Vorrich­ tung zum Herstellen einer Leuchtschicht auf einem Substrat in einer Bedampfungsanlage bekannt, wobei die Leuchtschicht aus CsJTl besteht und der Druck in der Bedampfungsanlage zumin­ dest während des Bedampfens höher als Dampfdruck des Tl ist. Die Bedampfungsanlage weist hiernach einen geschlossenen Raum auf, in dem zwei Verdampfer, einer für Tl und einer für CsJ, sowie das Substrat angeordnet sind. Der Bedampfungsanlage können eine Heizung, eine Kühlung, eine Vakuummeßröhre und eine Druckerzeugungseinrichtung zugeordnet sein, über die ein Inertgas in die Bedampfungsanlage eingeleitet werden kann. Mit einer solchen Bedampfungsanlage können insbesondere Ein­ gangsleuchtschirme eines Röntgenbildverstärkers hergestellt werden. Aus der DE 28 13 919 C2 ist eine Bedampfungsanlage zum Bedampfen eines Substrates mittels vorgemischtem CsJ:Na aus einem Verdampfer bekannt. Auch hierbei sind der Verdamp­ fer und das Substrat in einem gemeinsamen Gehäuse angeordnet.
Vor jeder Beschichtung des Substrates muß sowohl das Substrat als auch das Beschichtungsmaterial in die Verdampfungsanlage eingebracht, die Bedingungen zum Verdampfen des Beschich­ tungsmateriales und zum Beschichten des Substrates durch Un­ terdruckerzeugen und Erhitzen des Beschichtungsmateriales er­ zeugt und nach dem Beschichten des Substrates wieder aufgeho­ ben werden. Dies erfordert eine große Anzahl von Arbeits- und Verfahrensschritten und ist somit zeit- und materialintensiv, zudem kann nicht ausgeschlossen werden, daß Materialdampf hierbei aus der Bedampfungsanlage tritt, was insbesondere bei giftigen Substanzen nicht erwünscht ist.
Aus der JP 04-143278 A, JP 04-157158 A und JP 62-218574 A sind Beschichtungsvorrichtungen bekannt, die einen ersten und einen vom ersten separaten zweiten Raum aufweisen. Aus der EP 0 042 149 B1 und US-PS 3 961 182 sind Beschichtungs­ einrichtungen für einen Röntgenbildverstärker bekannt.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates mit einem Material anzugeben, das bzw. die gegenüber dem Stand der Technik verbessert ist. Insbesondere soll ein kontinuierlicher Ar­ beitsprozeß zum Beschichten von Substraten möglich sein.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch den Gegenstand der Patentansprüche 1 und 7 gelöst.
Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens und der erfindungs­ gemäßen Vorrichtung ist, daß das Material in einen ersten Raum einbringbar und derart erhitzbar ist, daß ein Material­ dampf entsteht und daß das Substrat in einem zweiten, vom ersten unabhängigen Raum angeordnet ist und wobei der Materi­ aldampf von dem ersten Raum in den zweiten Raum zum Beschich­ ten des Substrates leitbar ist. Es ist somit möglich, das Material in dem ersten Raum ständig auf einer solchen Tempe­ ratur zu halten, daß ein Materialdampf entsteht, wodurch gegenüber dem Stand der Technik erreicht wird, daß beim Wech­ sel des Substrates keine Abkühlung und Erhitzung des Materi­ als erfolgen muß. Da das Material in einem ersten und das Substrat in einem zweiten davon unabhängigen Raum angeordnet ist, kann der zweite Raum im Unterschied zum Stand der Tech­ nik kleiner ausgeführt werden, weil hierin keine Verdamp­ fungsanlage vorgesehen ist. In diesem zweiten Raum können so­ mit die Bedingungen für das Beschichten durch das Erzeugen des erforderlichen Druckes und der Temperatur auf schnellere Weise wiederhergestellt werden.
Genügt der in dem ersten Raum erzeugte Materialdampf hin­ sichtlich seiner Reinheit noch nicht den notwendigen Anforde­ rungen, so kann dieser mit Vorteil über einen dritten Raum geleitet werden, indem eine chemische Reaktion zur Erhöhung der Reinheit durchgeführt wird.
Wird der Materialdampf vor dem Auftreffen auf das Substrat mit einem Inertgas gemischt, so läßt sich ein homogenerer Materialdampf herstellen und Inhomogenitäten der Beschichtung werden vermieden.
Kann ein Unterdruck im ersten, zweiten und/oder dritten Raum erzeugt werden, so kann das Temperaturniveau während der Be­ schichtung und damit der Energieverbrauch gering gehalten werden.
Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels anhand der Zeichnungen. Es zeigen:
Fig. 1 ein erstes und
Fig. 2 ein zweites Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens nach der Erfindung.
In der Fig. 1 ist mit dem Bezugszeichen 1 ein erster Raum gekennzeichnet, der von einem Gefäß gebildet wird, das vor­ zugsweise Edelstahl, Glaskohlenstoff, Glas- oder Bornitrid aufweist. In diesem Raum 1 kann ein Material 2, beispiels­ weise ein Beschichtungs- oder Dotierungsmaterial NaJ, TlJ, NaBr, TlBr, InBr, InJ, GaBr, GaJ, für Schirme eines Röntgen­ bildverstärkers, einer Speicherleuchtstoffplatte oder eines Monitors angeordnet und über Heizmittel 3 derart erhitzt wer­ den, daß ein Materialdampf entsteht, der in einen zweiten Raum 4 derart geleitet wird, daß er sich auf einem in dem zweiten Raum 4 angeordneten Substrat 5 als Beschichtung nie­ derschlägt. Aus dem Ausführungsbeispiel geht hervor, daß der Materialdampf über einen Mischer 6 geleitet wird, an den eine Vakuumpumpe 7 sowie ein Behälter 8, in dem sich ein Träger­ gas, vorzugsweise ein inertes Trägergas, befindet, ange­ schlossen ist. Dem Mischer 6 ist ein Regler 9 nachgeschaltet, über den der vom Mischer 6 bereitgestellte Materialdampf- /Trägergasstrom in günstiger Weise so eingestellt wird, daß er sich möglichst homogen auf dem Substrat 5 niederschlägt.
Im Rahmen der Erfindung kann, wie in der Fig. 1 gezeigt, in dem zweiten Raum 4 ein weiterer Verdampfer 10 angeordnet sein, der zum Verdampfen eines weiteren Materiales 11, bei­ spielsweise eines Absorbermaterials für Röntgenbildverstär­ kerschirme, derart ausgestaltet ist, daß sich das weitere Material 11 ebenfalls auf dem Substrat 5 niederschlagen kann. Durch Regelung des Dampfstromes aus dem ersten Raum 1 und/oder Einstellen des Dampfdruckes des weiteren Verdampfers 10 kann insbesondere die Mischung der Gase und damit die Dotierung des sich auf dem Substrat niederschlagenden Materi­ als mit Vorzug eingestellt werden.
Aus der Fig. 2 geht ein weiteres Ausführungsbeispiel nach der Erfindung hervor, wobei Elemente, die bereits in der Fig. 1 mit Bezugszeichen versehen worden sind, mit den glei­ chen Bezugszeichen gekennzeichnet. Aus dieser Figur geht her­ vor, daß der Materialdampf vom ersten Raum 1 in einen dritten Raum 12 geleitet wird, indem er einer chemischen Reaktion zum Erhöhen der Reinheit unterzogen und über den Regler 9 in den zweiten Raum 4 leitbar ist. Sofern eine Abkühlung des Materi­ aldampfes im dritten Raum 12 verhindert werden soll, kann diesem ebenfalls ein Heizmittel 3 zugeordnet sein. Auch hier ist dem Materialdampf vor dem Auftreffen auf das Substrat 5 ein Inertgas als Trägergas zumischbar, das sich im Behälter 8 befindet. Im Rahmen der Erfindung kann vor den Regler 9 ein Kühler 13 geschaltet werden, wenn der Regler 9 durch die hohen Temperaturen des Materialdampfes Schaden erleiden kann. Im Rahmen der Erfindung können der erste, zweite und/oder dritte Raum 1, 4, 12 mit einer Druckeinrichtung 14, vorzugs­ weise einer Unterdruckeinrichtung, in Verbindung stehen. Zu­ dem kann dem zweiten Raum 4 ebenfalls ein nur schematisch dargestelltes Heizmittel 3 zugeordnet sein. Besonders bevor­ zugt kann mit einer Vorrichtung nach den Fig. 1 und 2 bei­ spielsweise ein Eingangsleuchtschirm eines Röntgenbildver­ stärkers hergestellt werden, wobei das Substrat 5 dann vor­ zugsweise Aluminium, Glas oder glasfaserverstärkten Kohlen­ stoff aufweist. Als Verdampfungsmaterialien können die be­ kannten Materialien CsJ:Na, CsJ:Tl und als Träger- oder Inertgas Argon, Neon, Helium und Stickstoff Anwendung finden.
Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren wird der Dotierungs­ stoff als Material 2 außerhalb der Beschichtungsanlage in den ersten Raum 1 eingebracht und über die Heizmittel 3 derart erhitzt, bis der Sättigungsdampfdruck höher ist als der äußere Luftdruck. Wird an diesen Raum 1 ein Unterdruck wäh­ rend des Erhitzens angelegt, so kann die Temperatur, bei der die Verdampfung des Materiales 2 einsetzt, abgesenkt werden, wodurch Energiekosten gespart werden können. Sofern der er­ zeugte Dampfstrom noch nicht die erforderliche Reinheit, z. B. durch leicht flüchtige Bestandteile des Ausgangsmaterials oder Reaktionsprodukte aus dem ersten Raum 1, enthält oder chemische Konsistenz, z. B. Oxidationsstufe, aufweist, so ist es vorteilhaft, wenn der Dampfstrom durch einen ebenfalls be­ heizbaren dritten Raum 12 geleitet und dort gereinigt bzw. einer chemischen Reaktion unterzogen wird. Ist der Dotie­ rungsstoff beispielsweise GaBr3 und wird dieser im ersten Raum 1 beispielsweise auf 500°C erhitzt, so kann der somit erzeugte Materialdampf außer dem gewünschten GaBr noch GaBr3 und/oder Br2 enthalten. Dieser verunreinigte Materialdampf wird durch sich im dritten Raum 12 befindendes metallisches Ga geleitet, wonach der Materialdampf anschließend im wesent­ lichen aus dem gewünschten GaBr besteht. Diesem Materialdampf wird ein Trägergas als Inertgas zugeführt, welches die Aufgabe hat, durch Stöße mit dem Dotierungsstoff eine homogene, lokal nicht stark begrenzte Materialdampf-/Trä­ gergaswolke zu erzeugen, um somit auf dem Substrat 5 eine gleichmäßige Beschichtung zu bewirken. Dieser Materialdampf schlägt sich - wie aus der Fig. 1 hervorgeht - mit dem ebenfalls im zweiten Raum 4 verdampften Absorbermaterial, z. B. CsBr, auf dem Substrat 5 nieder.
Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, wenn die Verbindung zu den Räumen 1, 4, 12, die vorzugsweise über Kanäle erfolgt, druckdicht ausgeführt ist, weil somit einerseits Fremdgase und Partikel nicht in den Materialstrom oder die Verdamp­ fungsanlage gelangen können und andererseits austretender Materialdampf ein Gesundheitsrisiko darstellen könnte. Zudem können mehrere erste und/oder dritten Räume 1, 12 dem zweiten Raum 4 zugeordnet sein.
Im Rahmen der Erfindung können nicht nur Eingangs- oder Aus­ gangsleuchtschirme eines Röntgenbildverstärkers, sondern auch Bildröhren und Detektoren, insbesondere Festkörperdetektoren, beschichtet werden.

Claims (19)

1. Verfahren zur Herstellung einer Leuchtschicht für insbe­ sondere Röntgenbildverstärker, Speicherleuchtstoffplatten oder Monitore, wobei in einem ersten, von einem zweiten Raum (4), dem eigentlichen Beschichtungsraum, getrennten Raum (2) ein Dotierungsmaterial wie NaJ, TlJ GaJ, InJ oder deren Bromide durch Erhitzen verdampft und dem zweiten Raum (4), dem Be­ schichtungsraum, zugeleitet wird, während gleichzeitig in dem zweiten Raum (4), dem Beschichtungsraum, ein Absorbermate­ rial, wie CsBr, CsJ, verdampft und gemeinsam mit dem Dotier­ material auf dem Substrat (5) als Leuchtschicht abgeschieden wird.
2. Verfahren zur Herstellung einer Leuchtschicht für insbe­ sondere Röntgenbildverstärker, Speicherleuchtstoffplatten oder Monitore, wobei in einem ersten, von einem zweiten Raum (4), dem eigentlichen Beschichtungsraum, getrennten Raum (2) ein Absorbermaterial, wie CsBr, CsJ, durch Erhitzen verdampft und dem zweiten Raum (4), dem Beschichtungsraum, zugeleitet wird, während gleichzeitig in dem zweiten Raum (4), dem Beschichtungsraum, ein Dotierungsmaterial wie NaJ, TlJ GaJ, InJ oder deren Bromide verdampft und gemeinsam mit dem Absorbermaterial auf dem Substrat (5) als Leuchtschicht ab­ geschieden wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei über einen zwischen dem ersten und dem zweiten Raum (2, 4) angeordneten Regler (9) der Materialdampfstrom vorgebbar ist.
4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei das Mischungsverhältnis des Dotiermaterials und des Absorbermaterials einstellbar ist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei dem Materialdampf vor dem Auftreffen auf das Substrat (5) ein Inertgas zugemischt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei in dem ersten, in dem zweiten und/oder in einem dritten Raum (1, 4, 12) ein Unterdruck erzeugbar ist, wobei der Materialdampf von dem ersten Raum (1) über den dritten Raum (12) in den zweiten Raum (4) geleitet wird.
7. Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 6, aufweisend einen ersten, von einem zweiten Raum (4), dem eigentlichen Beschichtungsraum getrennten Raum (2), wobei ein Dotiermaterial oder ein Absorbermaterial durch Erhitzen ver­ dampfbar und dem zweiten Raum (4), dem Beschichtungsraum, zu­ leitbar ist, während in dem zweiten Raum (4), dem Beschich­ tungsraum, ein Absorbermaterial oder ein Dotiermaterial ver­ dampfbar ist und wobei das Absorbermaterial und das Dotier­ material gemeinsam auf einem in den zweiten Raum (4), dem Be­ schichtungsraum, einbringbares Substrat (5) abscheidbar sind.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, wobei der Materialdampf vom ersten Raum (1) über einen drit­ ten Raum (12) in den zweiten Raum (4) leitbar ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 7 oder Anspruch 8, mit Mitteln zum Zuführen eines Inertgases zu dem Materi­ aldampf.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei dem ersten, zweiten und/oder dritten Raum (1, 4, 12) eine Druckeinrichtung (14) zugeordnet ist zum Erzeugen eines Unterdruckes.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 10, wobei dem zweiten und/oder dem dritten Raum (4, 12) Heizmit­ tel (3) zugeordnet sind.
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 11, wobei der Materialdampf über einen Regler (8) zum Regeln des Dampfstromes dem Substrat (5) zuführbar ist.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 12, wobei der Materialdampf über einen vor dem Regler (9) ange­ ordneten Kühler (13) kühlbar ist.
14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 13, wobei die Mittel zum Leiten des Materialdampfes und die Räume (1, 4, 12) zumindest annähernd gasdicht ausgeführt sind.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 14, wobei der erste und dritte Raum (1, 12) als Gefäß ausgeführt sind.
16. Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei das Gefäß zumindest Edelstahl, Glaskohlenstoff, Glas oder Bornitrit aufweist.
17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 16, wobei das Material (2) ein Dotierungsstoff, ein Absorberstoff und/oder ein Leuchtstoff ist und wobei das Substrat Alumi­ nium, Glas oder kohlefaserverstärkten Kunststoff aufweist.
18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 15, wobei mehrere erste und/oder dritte Räume (1, 12) dem zweiten Raum (4) zugeordnet sind.
19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 18, wobei in dem zweiten Raum (4) ein weiterer Verdampfer (10) zum Verdampfen eines weiteren Materials (11) angeordnet ist.
DE1999120745 1999-05-05 1999-05-05 Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates mit einem Material Expired - Fee Related DE19920745C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1999120745 DE19920745C2 (de) 1999-05-05 1999-05-05 Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates mit einem Material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1999120745 DE19920745C2 (de) 1999-05-05 1999-05-05 Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates mit einem Material

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19920745A1 DE19920745A1 (de) 2000-11-16
DE19920745C2 true DE19920745C2 (de) 2001-08-09

Family

ID=7907099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1999120745 Expired - Fee Related DE19920745C2 (de) 1999-05-05 1999-05-05 Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates mit einem Material

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE19920745C2 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE20208041U1 (de) * 2002-05-21 2003-10-02 Weidmüller Interface GmbH & Co., 32760 Detmold Modulreihung und Adaptermodul
DE10235057A1 (de) * 2002-07-31 2004-02-12 Siemens Ag Verfahren zur Bedampfung eines Trägers mit einem nadelförmigen Röntgenleuchtstoff
DE102005034915A1 (de) * 2005-07-26 2007-02-08 Siemens Ag Strahlungswandler und Verfahren zur Herstellung des Strahlungswandlers

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3961182A (en) * 1970-02-03 1976-06-01 Varian Associates Pick up screens for X-ray image intensifier tubes employing evaporated activated scintillator layer
DE2813919C2 (de) * 1977-04-01 1983-08-11 Hitachi Denshi K.K., Tokyo Eingangsschirm für eine Röntgen-Bildwandlerröhre
EP0042149B1 (de) * 1980-06-16 1987-03-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Strahlungsanregbarer Fluoreszenzschirm und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19516450C1 (de) * 1995-05-04 1996-08-08 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Leuchtschicht aus Cesiumiodid-Thallium auf einem Substrat in einer Bedampfungsanlage

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3961182A (en) * 1970-02-03 1976-06-01 Varian Associates Pick up screens for X-ray image intensifier tubes employing evaporated activated scintillator layer
DE2813919C2 (de) * 1977-04-01 1983-08-11 Hitachi Denshi K.K., Tokyo Eingangsschirm für eine Röntgen-Bildwandlerröhre
EP0042149B1 (de) * 1980-06-16 1987-03-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Strahlungsanregbarer Fluoreszenzschirm und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19516450C1 (de) * 1995-05-04 1996-08-08 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Leuchtschicht aus Cesiumiodid-Thallium auf einem Substrat in einer Bedampfungsanlage

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 04-1 43 278 A(in Pat. Abstr. of JP, C-981) *
JP 04-1 57 158 A(in Pat. Abstr. of JP, C-986) *
JP 62-2 18 574 A(in Pat. Abstr. of JP, C-481) *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE20208041U1 (de) * 2002-05-21 2003-10-02 Weidmüller Interface GmbH & Co., 32760 Detmold Modulreihung und Adaptermodul
DE10235057A1 (de) * 2002-07-31 2004-02-12 Siemens Ag Verfahren zur Bedampfung eines Trägers mit einem nadelförmigen Röntgenleuchtstoff
DE102005034915A1 (de) * 2005-07-26 2007-02-08 Siemens Ag Strahlungswandler und Verfahren zur Herstellung des Strahlungswandlers
DE102005034915B4 (de) * 2005-07-26 2012-06-21 Siemens Ag Strahlungswandler und Verfahren zur Herstellung des Strahlungswandlers

Also Published As

Publication number Publication date
DE19920745A1 (de) 2000-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3726006C2 (de)
DE2807803C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von aus Verbindungen bestehenden Dünnschichten
DE69007733T2 (de) Vorrichtung und verfahren zur behandlung eines flachen, scheibenförmigen substrates unter niedrigem druck.
DE4235953C2 (de) Sputterquelle mit einer linearen Hohlkathode zum reaktiven Beschichten von Substraten
DE2734799C2 (de) Eingangsschirm für eine Röntgen- bzw. Gammastrahlen-Bildwandlerröhre und Verfahren zur Herstellung dieses Eingangsschirms
DE10224908B4 (de) Vorrichtung für die Beschichtung eines flächigen Substrats
DE2610444A1 (de) Verfahren und einrichtung zur beschichtung von traegermaterialien, insbesondere durch zerstaeuben von kathodenmaterial
DE1230285B (de) Verfahren zum Vakuum-Aufdampfen duenner supraleitender Schichten, insbesondere aus Zinn oder Indium
DE69615942T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Auftragen verschleissfester Beschichtungen mittels Hochvakuum-PVD
DE2729286A1 (de) Zerstaeubungsvorrichtung und verfahren zum zerstaeuben mit hilfe einer derartigen vorrichtung
DE2422157A1 (de) Verfahren zur glassubstratsaeuberung
DE19920745C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates mit einem Material
EP0307608B1 (de) Anordnung zur Durchführung eines Ausheilprozesses an einer Halbleiterscheibe und Verfahren zum Ausheilen einer Halbleiterscheibe
DE2361744A1 (de) Aufbringen einer beschichtung auf ein substrat
DE69111540T2 (de) Vorrichtung zum Herstellen einer Schicht im Vacuum.
DE68919615T2 (de) Alkalimetalldampfspender.
DE3837487A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum aetzen von substraten mit einer magnetfeldunterstuetzten niederdruck-entladung
DE3839903C2 (de)
DE602004004076T2 (de) Verfahren zur gesteuerten abscheidung von schwefelarten
EP3835463A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines einkristalls aus silizium, der mit dotierstoff vom n-typ dotiert ist
DE102008030677B4 (de) Verfahen und Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken
DE1087723B (de) UEberdruckschutzkammer fuer eine Korpuskularstrahl-Druckstufenstrecke
EP1002887A1 (de) Verfahren und Anordnung zur Herstellung einer Leuchtschicht
EP1419282B1 (de) Verfahren zur herstellung einer leuchtstoffschicht
DE3441471C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: AGFA-GEVAERT N.V., MORTSEL, BE

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: AGFA HEALTHCARE NV, MORTSEL, BE

8339 Ceased/non-payment of the annual fee