DE19920745C2 - Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates mit einem Material - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates mit einem MaterialInfo
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Description
Aus der DE 195 16 450 C1 ist ein Verfahren und eine Vorrich
tung zum Herstellen einer Leuchtschicht auf einem Substrat in
einer Bedampfungsanlage bekannt, wobei die Leuchtschicht aus
CsJTl besteht und der Druck in der Bedampfungsanlage zumin
dest während des Bedampfens höher als Dampfdruck des Tl ist.
Die Bedampfungsanlage weist hiernach einen geschlossenen Raum
auf, in dem zwei Verdampfer, einer für Tl und einer für CsJ,
sowie das Substrat angeordnet sind. Der Bedampfungsanlage
können eine Heizung, eine Kühlung, eine Vakuummeßröhre und
eine Druckerzeugungseinrichtung zugeordnet sein, über die ein
Inertgas in die Bedampfungsanlage eingeleitet werden kann.
Mit einer solchen Bedampfungsanlage können insbesondere Ein
gangsleuchtschirme eines Röntgenbildverstärkers hergestellt
werden. Aus der DE 28 13 919 C2 ist eine Bedampfungsanlage
zum Bedampfen eines Substrates mittels vorgemischtem CsJ:Na
aus einem Verdampfer bekannt. Auch hierbei sind der Verdamp
fer und das Substrat in einem gemeinsamen Gehäuse angeordnet.
Vor jeder Beschichtung des Substrates muß sowohl das Substrat
als auch das Beschichtungsmaterial in die Verdampfungsanlage
eingebracht, die Bedingungen zum Verdampfen des Beschich
tungsmateriales und zum Beschichten des Substrates durch Un
terdruckerzeugen und Erhitzen des Beschichtungsmateriales er
zeugt und nach dem Beschichten des Substrates wieder aufgeho
ben werden. Dies erfordert eine große Anzahl von Arbeits- und
Verfahrensschritten und ist somit zeit- und materialintensiv,
zudem kann nicht ausgeschlossen werden, daß Materialdampf
hierbei aus der Bedampfungsanlage tritt, was insbesondere bei
giftigen Substanzen nicht erwünscht ist.
Aus der JP 04-143278 A, JP 04-157158 A und JP 62-218574 A
sind Beschichtungsvorrichtungen bekannt, die einen ersten
und einen vom ersten separaten zweiten Raum aufweisen. Aus
der EP 0 042 149 B1 und US-PS 3 961 182 sind Beschichtungs
einrichtungen für einen Röntgenbildverstärker bekannt.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren und eine
Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates mit einem Material
anzugeben, das bzw. die gegenüber dem Stand der Technik
verbessert ist. Insbesondere soll ein kontinuierlicher Ar
beitsprozeß zum Beschichten von Substraten möglich sein.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch den Gegenstand der
Patentansprüche 1 und 7 gelöst.
Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens und der erfindungs
gemäßen Vorrichtung ist, daß das Material in einen ersten
Raum einbringbar und derart erhitzbar ist, daß ein Material
dampf entsteht und daß das Substrat in einem zweiten, vom
ersten unabhängigen Raum angeordnet ist und wobei der Materi
aldampf von dem ersten Raum in den zweiten Raum zum Beschich
ten des Substrates leitbar ist. Es ist somit möglich, das
Material in dem ersten Raum ständig auf einer solchen Tempe
ratur zu halten, daß ein Materialdampf entsteht, wodurch
gegenüber dem Stand der Technik erreicht wird, daß beim Wech
sel des Substrates keine Abkühlung und Erhitzung des Materi
als erfolgen muß. Da das Material in einem ersten und das
Substrat in einem zweiten davon unabhängigen Raum angeordnet
ist, kann der zweite Raum im Unterschied zum Stand der Tech
nik kleiner ausgeführt werden, weil hierin keine Verdamp
fungsanlage vorgesehen ist. In diesem zweiten Raum können so
mit die Bedingungen für das Beschichten durch das Erzeugen
des erforderlichen Druckes und der Temperatur auf schnellere
Weise wiederhergestellt werden.
Genügt der in dem ersten Raum erzeugte Materialdampf hin
sichtlich seiner Reinheit noch nicht den notwendigen Anforde
rungen, so kann dieser mit Vorteil über einen dritten Raum
geleitet werden, indem eine chemische Reaktion zur Erhöhung
der Reinheit durchgeführt wird.
Wird der Materialdampf vor dem Auftreffen auf das Substrat
mit einem Inertgas gemischt, so läßt sich ein homogenerer
Materialdampf herstellen und Inhomogenitäten der Beschichtung
werden vermieden.
Kann ein Unterdruck im ersten, zweiten und/oder dritten Raum
erzeugt werden, so kann das Temperaturniveau während der Be
schichtung und damit der Energieverbrauch gering gehalten
werden.
Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich
aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels
anhand der Zeichnungen. Es zeigen:
Fig. 1 ein erstes und
Fig. 2 ein zweites Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung
zum Durchführen des Verfahrens nach der Erfindung.
In der Fig. 1 ist mit dem Bezugszeichen 1 ein erster Raum
gekennzeichnet, der von einem Gefäß gebildet wird, das vor
zugsweise Edelstahl, Glaskohlenstoff, Glas- oder Bornitrid
aufweist. In diesem Raum 1 kann ein Material 2, beispiels
weise ein Beschichtungs- oder Dotierungsmaterial NaJ, TlJ,
NaBr, TlBr, InBr, InJ, GaBr, GaJ, für Schirme eines Röntgen
bildverstärkers, einer Speicherleuchtstoffplatte oder eines
Monitors angeordnet und über Heizmittel 3 derart erhitzt wer
den, daß ein Materialdampf entsteht, der in einen zweiten
Raum 4 derart geleitet wird, daß er sich auf einem in dem
zweiten Raum 4 angeordneten Substrat 5 als Beschichtung nie
derschlägt. Aus dem Ausführungsbeispiel geht hervor, daß der
Materialdampf über einen Mischer 6 geleitet wird, an den eine
Vakuumpumpe 7 sowie ein Behälter 8, in dem sich ein Träger
gas, vorzugsweise ein inertes Trägergas, befindet, ange
schlossen ist. Dem Mischer 6 ist ein Regler 9 nachgeschaltet,
über den der vom Mischer 6 bereitgestellte Materialdampf-
/Trägergasstrom in günstiger Weise so eingestellt wird, daß
er sich möglichst homogen auf dem Substrat 5 niederschlägt.
Im Rahmen der Erfindung kann, wie in der Fig. 1 gezeigt, in
dem zweiten Raum 4 ein weiterer Verdampfer 10 angeordnet
sein, der zum Verdampfen eines weiteren Materiales 11, bei
spielsweise eines Absorbermaterials für Röntgenbildverstär
kerschirme, derart ausgestaltet ist, daß sich das weitere
Material 11 ebenfalls auf dem Substrat 5 niederschlagen kann.
Durch Regelung des Dampfstromes aus dem ersten Raum 1
und/oder Einstellen des Dampfdruckes des weiteren Verdampfers
10 kann insbesondere die Mischung der Gase und damit die
Dotierung des sich auf dem Substrat niederschlagenden Materi
als mit Vorzug eingestellt werden.
Aus der Fig. 2 geht ein weiteres Ausführungsbeispiel nach
der Erfindung hervor, wobei Elemente, die bereits in der
Fig. 1 mit Bezugszeichen versehen worden sind, mit den glei
chen Bezugszeichen gekennzeichnet. Aus dieser Figur geht her
vor, daß der Materialdampf vom ersten Raum 1 in einen dritten
Raum 12 geleitet wird, indem er einer chemischen Reaktion zum
Erhöhen der Reinheit unterzogen und über den Regler 9 in den
zweiten Raum 4 leitbar ist. Sofern eine Abkühlung des Materi
aldampfes im dritten Raum 12 verhindert werden soll, kann
diesem ebenfalls ein Heizmittel 3 zugeordnet sein. Auch hier
ist dem Materialdampf vor dem Auftreffen auf das Substrat 5
ein Inertgas als Trägergas zumischbar, das sich im Behälter 8
befindet. Im Rahmen der Erfindung kann vor den Regler 9 ein
Kühler 13 geschaltet werden, wenn der Regler 9 durch die
hohen Temperaturen des Materialdampfes Schaden erleiden kann.
Im Rahmen der Erfindung können der erste, zweite und/oder
dritte Raum 1, 4, 12 mit einer Druckeinrichtung 14, vorzugs
weise einer Unterdruckeinrichtung, in Verbindung stehen. Zu
dem kann dem zweiten Raum 4 ebenfalls ein nur schematisch
dargestelltes Heizmittel 3 zugeordnet sein. Besonders bevor
zugt kann mit einer Vorrichtung nach den Fig. 1 und 2 bei
spielsweise ein Eingangsleuchtschirm eines Röntgenbildver
stärkers hergestellt werden, wobei das Substrat 5 dann vor
zugsweise Aluminium, Glas oder glasfaserverstärkten Kohlen
stoff aufweist. Als Verdampfungsmaterialien können die be
kannten Materialien CsJ:Na, CsJ:Tl und als Träger- oder
Inertgas Argon, Neon, Helium und Stickstoff Anwendung finden.
Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren wird der Dotierungs
stoff als Material 2 außerhalb der Beschichtungsanlage in den
ersten Raum 1 eingebracht und über die Heizmittel 3 derart
erhitzt, bis der Sättigungsdampfdruck höher ist als der
äußere Luftdruck. Wird an diesen Raum 1 ein Unterdruck wäh
rend des Erhitzens angelegt, so kann die Temperatur, bei der
die Verdampfung des Materiales 2 einsetzt, abgesenkt werden,
wodurch Energiekosten gespart werden können. Sofern der er
zeugte Dampfstrom noch nicht die erforderliche Reinheit, z. B.
durch leicht flüchtige Bestandteile des Ausgangsmaterials
oder Reaktionsprodukte aus dem ersten Raum 1, enthält oder
chemische Konsistenz, z. B. Oxidationsstufe, aufweist, so ist
es vorteilhaft, wenn der Dampfstrom durch einen ebenfalls be
heizbaren dritten Raum 12 geleitet und dort gereinigt bzw.
einer chemischen Reaktion unterzogen wird. Ist der Dotie
rungsstoff beispielsweise GaBr3 und wird dieser im ersten
Raum 1 beispielsweise auf 500°C erhitzt, so kann der somit
erzeugte Materialdampf außer dem gewünschten GaBr noch GaBr3
und/oder Br2 enthalten. Dieser verunreinigte Materialdampf
wird durch sich im dritten Raum 12 befindendes metallisches
Ga geleitet, wonach der Materialdampf anschließend im wesent
lichen aus dem gewünschten GaBr besteht. Diesem Materialdampf
wird ein Trägergas als Inertgas zugeführt, welches die
Aufgabe hat, durch Stöße mit dem Dotierungsstoff eine
homogene, lokal nicht stark begrenzte Materialdampf-/Trä
gergaswolke zu erzeugen, um somit auf dem Substrat 5 eine
gleichmäßige Beschichtung zu bewirken. Dieser Materialdampf
schlägt sich - wie aus der Fig. 1 hervorgeht - mit dem
ebenfalls im zweiten Raum 4 verdampften Absorbermaterial,
z. B. CsBr, auf dem Substrat 5 nieder.
Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, wenn die Verbindung zu
den Räumen 1, 4, 12, die vorzugsweise über Kanäle erfolgt,
druckdicht ausgeführt ist, weil somit einerseits Fremdgase
und Partikel nicht in den Materialstrom oder die Verdamp
fungsanlage gelangen können und andererseits austretender
Materialdampf ein Gesundheitsrisiko darstellen könnte. Zudem
können mehrere erste und/oder dritten Räume 1, 12 dem zweiten
Raum 4 zugeordnet sein.
Im Rahmen der Erfindung können nicht nur Eingangs- oder Aus
gangsleuchtschirme eines Röntgenbildverstärkers, sondern auch
Bildröhren und Detektoren, insbesondere Festkörperdetektoren,
beschichtet werden.
Claims (19)
1. Verfahren zur Herstellung einer Leuchtschicht für insbe
sondere Röntgenbildverstärker, Speicherleuchtstoffplatten
oder Monitore,
wobei in einem ersten, von einem zweiten Raum (4), dem
eigentlichen Beschichtungsraum, getrennten Raum (2) ein
Dotierungsmaterial wie NaJ, TlJ GaJ, InJ oder deren Bromide
durch Erhitzen verdampft und dem zweiten Raum (4), dem Be
schichtungsraum, zugeleitet wird, während gleichzeitig in dem
zweiten Raum (4), dem Beschichtungsraum, ein Absorbermate
rial, wie CsBr, CsJ, verdampft und gemeinsam mit dem Dotier
material auf dem Substrat (5) als Leuchtschicht abgeschieden
wird.
2. Verfahren zur Herstellung einer Leuchtschicht für insbe
sondere Röntgenbildverstärker, Speicherleuchtstoffplatten
oder Monitore,
wobei in einem ersten, von einem zweiten Raum (4), dem
eigentlichen Beschichtungsraum, getrennten Raum (2) ein
Absorbermaterial, wie CsBr, CsJ, durch Erhitzen verdampft und
dem zweiten Raum (4), dem Beschichtungsraum, zugeleitet wird,
während gleichzeitig in dem zweiten Raum (4), dem
Beschichtungsraum, ein Dotierungsmaterial wie NaJ, TlJ GaJ,
InJ oder deren Bromide verdampft und gemeinsam mit dem
Absorbermaterial auf dem Substrat (5) als Leuchtschicht ab
geschieden wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
wobei über einen zwischen dem ersten und dem zweiten Raum (2,
4) angeordneten Regler (9) der Materialdampfstrom vorgebbar
ist.
4. Verfahren nach Anspruch 3,
wobei das Mischungsverhältnis des Dotiermaterials und des
Absorbermaterials einstellbar ist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
wobei dem Materialdampf vor dem Auftreffen auf das Substrat
(5) ein Inertgas zugemischt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
wobei in dem ersten, in dem zweiten und/oder in einem dritten
Raum (1, 4, 12) ein Unterdruck erzeugbar ist, wobei der
Materialdampf von dem ersten Raum (1) über den dritten Raum
(12) in den zweiten Raum (4) geleitet wird.
7. Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens nach einem
der Ansprüche 1 bis 6,
aufweisend einen ersten, von einem zweiten Raum (4), dem
eigentlichen Beschichtungsraum getrennten Raum (2), wobei ein
Dotiermaterial oder ein Absorbermaterial durch Erhitzen ver
dampfbar und dem zweiten Raum (4), dem Beschichtungsraum, zu
leitbar ist, während in dem zweiten Raum (4), dem Beschich
tungsraum, ein Absorbermaterial oder ein Dotiermaterial ver
dampfbar ist und wobei das Absorbermaterial und das Dotier
material gemeinsam auf einem in den zweiten Raum (4), dem Be
schichtungsraum, einbringbares Substrat (5) abscheidbar sind.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7,
wobei der Materialdampf vom ersten Raum (1) über einen drit
ten Raum (12) in den zweiten Raum (4) leitbar ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 7 oder Anspruch 8,
mit Mitteln zum Zuführen eines Inertgases zu dem Materi
aldampf.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 9,
wobei dem ersten, zweiten und/oder dritten Raum (1, 4, 12)
eine Druckeinrichtung (14) zugeordnet ist zum Erzeugen eines
Unterdruckes.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 10,
wobei dem zweiten und/oder dem dritten Raum (4, 12) Heizmit
tel (3) zugeordnet sind.
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 11,
wobei der Materialdampf über einen Regler (8) zum Regeln des
Dampfstromes dem Substrat (5) zuführbar ist.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 12,
wobei der Materialdampf über einen vor dem Regler (9) ange
ordneten Kühler (13) kühlbar ist.
14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 13,
wobei die Mittel zum Leiten des Materialdampfes und die Räume
(1, 4, 12) zumindest annähernd gasdicht ausgeführt sind.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 14,
wobei der erste und dritte Raum (1, 12) als Gefäß ausgeführt
sind.
16. Vorrichtung nach Anspruch 15,
wobei das Gefäß zumindest Edelstahl, Glaskohlenstoff, Glas
oder Bornitrit aufweist.
17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 16,
wobei das Material (2) ein Dotierungsstoff, ein Absorberstoff
und/oder ein Leuchtstoff ist und wobei das Substrat Alumi
nium, Glas oder kohlefaserverstärkten Kunststoff aufweist.
18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 15,
wobei mehrere erste und/oder dritte Räume (1, 12) dem zweiten
Raum (4) zugeordnet sind.
19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 18,
wobei in dem zweiten Raum (4) ein weiterer Verdampfer (10)
zum Verdampfen eines weiteren Materials (11) angeordnet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1999120745 DE19920745C2 (de) | 1999-05-05 | 1999-05-05 | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates mit einem Material |
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DE19920745A1 DE19920745A1 (de) | 2000-11-16 |
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DE19920745A1 (de) | 2000-11-16 |
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