DE19856331A1 - Verfahren zur Eingehäusung elektronischer Bauelemente - Google Patents

Abstract

Ein Verfahren zur Eingehäusung von elektronischen Bauelementen weist die Schritte Ausbildung einer Mehrzahl von Hohlräumen (6) in einem Gehäusesubstrat (2; 20), Bestückung der Hohlräume (6) mit den elektronischen Bauelementen (8), Verschließen der Hohlräume (6) mit einer Deckschicht oder einem Deckelsubstrat (4) und Vereinzeln der so verpackten Bauelemente (8) auf. Dadurch wird eine kostengünstige gleichzeitige Herstellung einer Vielzahl von Bauelementgehäusen ermöglicht. Bei einer Variante des Verfahrens sind auch die Bauelemente auf einer Bauelementträgerschicht (16) angeordnet, wobei die Bestückung der Hohlräume (6) durch Aneinanderfügen von Gehäusesubstrat (2; 20) und Bauelementträgerschicht (16) erfolgt.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Eingehäu­ sung elektronischer Bauelemente wie etwa Gunn- Dioden.

Stand der Technik

Für ein Abstandsradar bei Kraftfahrzeugen (ACC = Adaptive Cruise Control) werden Radarwellen mit Frequenzen oberhalb 50 Gigaherz eingesetzt. Zur Er­ zeugung dieser Radarwellen kommen Gunn-Dioden zum Einsatz, die aus III-V-Halbleitermaterial wie GaAs oder InP bestehen und bei Anlegen einer Gleichspan­ nung eine hochfrequente elektromagnetische Welle erzeugen. Das Gunn-Dioden-Element hat beispielswei­ se einen Durchmesser von 70 µm und eine Dicke von 10 µm und wird auf seiner Ober- und Unterseite kon­ taktiert.

Solche bekannten Gunn-Dioden sind gewöhnlich von einem Gehäuse bestehend aus einem Bodenteil, einem Keramikring und einem Deckelteil vollständig um­ schlossen und hermetisch abgedichtet. Der Keramik­ ring dient einerseits als Isolator zwischen den beiden Polen der Diode und andererseits zur Aufnah­ me von mechanischen Kontakt- und Einbaukräften im Einsatzfall. Zur Kontaktierung der Diode wird eine gebondete Goldfolie ("Malteserkreuz") eingesetzt. Ein derartiges Gehäuse muß in sequenziellen Prozeß­ schritten hergestellt werden und ist daher teuer. Aufgrund von Toleranzen der Herstellungsprozesse und Komponenten ist außerdem eine relativ starke Streuung der Hochfrequenzeigenschaften des einge­ häusten Bauelementes nicht zu vermeiden.

Vorteile der Erfindung

Das durch Anspruch 1 definierte erfindungsgemäße Verfahren zur Eingehäusung von elektronischen Bau­ elementen weist die Schritte Ausbildung einer Mehr­ zahl von Hohlräumen auf einem Gehäusesubstrat, Be­ stückung der Hohlräume mit den elektronischen Bau­ elementen, Verschließen der Hohlräume mit einer Deckschicht oder einem Deckelsubstrat und Verein­ zeln der so verpackten Bauelemente auf. Mit dem er­ findungsgemäßen Verfahren kann eine große Anzahl von Bauelementgehäusen in einem Verfahren gleich­ zeitig hergestellt werden, was die Herstellungsko­ sten erheblich verringert.

Dabei kann das Gehäusesubstrat aus Halbleitermate­ rial, etwa Silicium, oder aus photostrukturierbarem Glas bestehen. Dies hat den Vorteil, daß die Pro­ zessierung von Silicium oder photostrukturierbarem Glas technologisch sehr gut beherrscht wird und da­ her sehr geringe Fertigungstoleranzen darstellbar sind. Dadurch kann eine gute Reproduzierbarkeit der Hochfrequenzeigenschaften erreicht werden.

Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht außerdem Gehäuse mit sehr kleinen Abmessungen, die eine ge­ ringe Belastung durch unterschiedliche thermische Ausdehnung verschiedener Materialien aufweisen.

Silicium-, Glas- beziehungsweise Glaskeramikmate­ rial ist außerdem in der Lage, die bei der Verwen­ dung auftretenden mechanischen Kontakt- und Einbau­ kräfte sicher aufzunehmen.

Das Gehäusesubstrat kann auf seiner dem Deckel­ substrat oder der Deckschicht abgewandten Seite mit einer Metallschicht versehen sein, die der Kontak­ tierung des verpackten elektronischen Bauelementes dient. Besteht das Gehäusesubstrat aus Halbleiter­ material, so wird die dem Deckelsubstrat oder der Deckschicht zugewandte Seite des Gehäusesubstrats vorteilhaft mit einer Isolierschicht zur Isolierung der beiden Pole des elektronischen Bauelementes versehen.

Die Hohlräume können in dem Gehäusesubstrats als Durchbrüche oder nur als flache Hohlräume in der Gehäusesubstratoberfläche ausgebildet werden.

Bei einer vorteilhaften Weiterbildung des erfin­ dungsgemäßen Verfahrens sind die zu verpackenden elektronischen Bauelemente auf einer Bauelementträ­ gerschicht in einer der Anzahl der in dem Gehäuse­ substrat ausgebildeten Hohlräume entsprechenden An­ zahl angeordnet, wobei der Schritt der Bestückung der Hohlräume mit den elektronischen Bauelementen durch Zusammenfügen des Gehäusesubstrats und der Bauelementträgerschicht erfolgt. Letztere kann als Metall, insbesondere als Silberschicht ausgebildet sein.

Das Deckelsubstrat kann aus Halbleitermaterial wie Silicium bestehen. Die alternativ verwendbare Deck­ schicht kann aus einem organischen Dielektrikum ge­ bildet werden, in das Kontaktlöcher eingebracht werden. Besteht das Deckelsubstrat aus einem lei­ tendem Material, so kann die Kontaktierung des Bau­ elementes vorteilhaft mittels einer mikrostruktu­ rierten Kontaktfeder erfolgen, die an der dem Hohl­ raum zugewandten Seite des Deckelsubstrats ange­ bracht wird. Dadurch wird eine dauerhafte und zu­ verlässige Kontaktierung des Bauelements sicherge­ stellt.

Besteht die Deckschicht aus einem organischen Die­ lektrikum, so kann eine Kontaktierung der nach oben weisenden Seite des Bauelementes vorteilhaft mit­ tels einer Metallschicht erfolgen, die in ein Kon­ taktloch in dem organischen Dielektrikum aufge­ dampft oder aufgesputtert ist. Als organisches Die­ lektrikum eignet sich daher besonders ein photosen­ sitiver Lack, z. B. Polyimid oder BCB (BenzoCycloßuten).

Die verpackten elektronischen Bauelemente können dann beispielsweise durch einen Sägeprozeß verein­ zelt werden und stehen beispielsweise auf einer "Blue-Tape" genannten Folie zur weiteren Verarbei­ tung zur Verfügung.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Verfahrensvari­ ante werden als Seitenwände des Gehäuses dienende Isolatorstrukturen aus dem Gehäusesubstrat, bei­ spielsweise aus photosensitivem Glas, freigelegt, die dem bekannten Keramikring entsprechen. Diese Isolatorstrukturen können jedoch auch in großer Zahl entsprechend der Anzahl der zu verpackenden Bauelemente parallel und somit kostengünstig bei­ spielsweise durch selektives Ätzen des photostruk­ turierbaren Glases hergestellt werden.

Zur Fertigstellung des Bauelementgehäuses kann zu­ erst das Deckelsubstrat mit dem Gehäusesubstrat zu­ sammengefügt werden und anschließend die Bauele­ mentträgerschicht mit den Bauelementen aufgesetzt werden oder umgekehrt zunächst die Bauelementträ­ gerschicht mit dem Gehäusesubstrat zusammengefügt werden und am Schluß das Deckelsubstrat aufgesetzt werden.

Figuren

Weitere Vorteile der Erfindung werden anhand der Beschreibung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen deutlich, in denen

Fig. 1 eine schematische Darstellung zur Illustra­ tion des erfindungsgemäßen Verfahrens ist;

Fig. 2 eine schematische Darstellung zur Illustra­ tion einer Variante des erfindungsgemäßen Verfah­ rens ist;

Fig. 3 ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestelltes Bauelementgehäuse mit tiefem Hohlraum und mikrostrukturierter Kontaktfeder zeigt;

Fig. 4 ein mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestelltes Bauelementgehäuse mit tiefem Hohlraum und einer aus organischem Dielektrikum gebildeten Deckschicht zeigt;

Fig. 5 ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestelltes Bauelementgehäuse mit flachem Hohl­ raum und organischem Dielektrikum als Deckschicht zeigt;

Fig. 6 ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestelltes Bauelementgehäuse mit flachem Hohl­ raum und Deckschicht aus organischem Dielektrikum und zusätzlicher Rückkontaktierung zeigt,

Fig. 7 die wesentlichen Verfahrensschritte eines Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Verfah­ rens zeigt;

Fig. 8 die wesentlichen Verfahrensschritte eines weiteren Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens zeigt.

Ausführungsbeispiele

Fig. 1 zeigt zur Erläuterung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Eingehäusung oder Verpackung eines elektronischen Bauelementes das Gehäusesubstrat 2, das schon mit Hohlräumen 6 zur Aufnahme der elek­ tronischen Bauelemente 8, beispielsweise Gunn- Dioden versehen ist, sowie ein Deckelsubstrat 4. Das Gehäusesubstrat 2 kann beispielsweise durch ei­ nen Si-Wafer gebildet sein; andere Materialien wie etwa photostrukturierbares Glas sind jedoch eben­ falls möglich. Mittels eines photolithographischen Verfahrens und nachfolgenden Ätzschritten oder an sich bekannten mikromechanischen Strukturierverfah­ ren wird eine regelmäßige zweidimensionale Anord­ nung von Hohlräumen 6 in die Siliciumoberfläche eingebracht. Die Größe der Hohlräume richtet sich nach der Größe des zu verpackenden Bauelements be­ ziehungsweise etwaiger Kontaktfedern oder derglei­ chen. In dem in Fig. 1 gezeigten Beispiel beträgt die Tiefe der Hohlräume ungefähr ein Drittel der Dicke des Gehäusesubstrates 2. Die Hohlraumtiefe kann jedoch auch geringer sein. Andererseits ist es auch möglich, den Hohlraum als durchgängige Öffnung in dem Gehäusesubstrat auszubilden, wie beispiels­ weise in den Fig. 2 bis 4 oder 7 dargestellt ist.

Zur Kontaktierung eines auf der Unterseite des Bau­ elementes 8, das im Hohlraum links bereits vorhan­ den ist, angeordneten Kontaktes kann das Gehäuse­ substrat 2 an seiner Unterseite mit einer leitfähi­ gen Schicht 3 versehen sein, wobei der Strom von der leitfähigen Schicht 3 zur Unterseite des elek­ tronischen Bauelements 8 durch das Silicium- Gehäusesubstrat fließt. Zur Isolierung gegenüber dem Deckelsubstrat 4, über die vorteilhaft die Kon­ taktierung eines an der Oberseite des Bauelementes befindlichen Kontaktes erfolgt, ist auf der Ober­ seite dem Gehäusesubstrat 2 eine isolierende Schicht 5, beispielsweise aus Siliciumoxid oder Si­ liciumnitrid vorgesehen. Diese wird vorzugsweise vor dem Ätzen der Hohlräume 6 aufgebracht.

Nach Präparierung der Hohlräume 6 werden diese mit den Bauelementen 8 bestückt, woraufhin das Gehäuse durch Aufbringen des Deckelsubstrats 4, das eben­ falls aus Silicium bestehen kann, geschlossen wird. Zur Kontaktierung eines auf der Oberseite des Bau­ elementes beziehungsweise der Diode 8 angeordneten Kontaktes wird vorzugsweise eine durch galvanische Abscheidung auf dem Deckelsubstrat 4 hergestellte Kontaktfeder verwendet, die beispielsweise in Fig. 3 gezeigt und mit Bezugszeichen 9 bezeichnet ist. Nach Aufsetzen und Verkleben des Deckelsubstrats 4 auf das Gehäusesubstrat 2 können die einzelnen ver­ packten Dioden beispielsweise durch Sägen verein­ zelt werden und stehen dann einer weiteren Verar­ beitung zur Verfügung. Gegenüber dem herkömmlichen Verfahren, bei dem jedes Gehäuse einzeln mit fein­ mechanischen Methoden hergestellt wird, ergibt sich aufgrund der gleichzeitigen Herstellung einer gro­ ßen Anzahl von Gehäusen eine erhebliche Kostenein­ sparung. Da die Silicium-Ätztechnik hohe Genauig­ keiten erlaubt, können die einzelnen Bauelementge­ häuse mit großer Präzision gefertigt werden, so daß sich eine gute Reproduzierbarkeit der von den Ab­ messungen abhängigen Hochfrequenzeigenschaften er­ gibt. Die geringen Fertigungstoleranzen erlauben auch sehr kleine Abmessungen des Gehäuses insge­ samt, wodurch die mechanische Belastung durch un­ terschiedliche thermische Ausdehnung verschiedener bei dem Gehäuse verwendeter Materialien während des Betriebes gering bleibt.

Es sei erwähnt, daß die in Fig. 1 gezeigte Iso­ lierschicht 5 entfallen kann, wenn das Gehäuse­ substrat 2 aus einem isolierenden Material wie etwa photosensitivem Glas ausgebildet ist. Eine Kontak­ tierung der Diode mittels des Substratmaterials ist dann natürlich nicht möglich.

Fig. 2 illustriert eine Variante des erfindungsge­ mäßen Verfahrens zur Eingehäusung elektronischer Bauelemente. Das Gehäusesubstrat 2, ein Si- oder Glaswafer, wird im mittleren Bereich abgedünnt und dort mit Durchbrüchen versehen. Der verbleibende dicke Substratrand stabilisiert das Substrat und dient Handhabungszwecken. Die Durchbrüche 6 bilden die Hohlräume zur Aufnahme der elektronischen Bau­ elemente. An den Wänden der Durchbrüche ist Iso­ liermaterial 7, beispielsweise SiN oder SiO₂ aufge­ bracht, wie auch Fig. 7 zu entnehmen ist. Im Ge­ gensatz zu der oben anhand Fig. 1 erläuterten Ver­ fahrensvariante sind die Bauelemente 8 bei dem in Fig. 2 illustrierten Verfahren auf einer Bauele­ mentträgerschicht 16, beispielsweise einem GaAs- Wafer angeordnet. Der die Bauelementträgerschicht bildende Wafer 16 hat vorzugsweise einen kleineren Durchmesser als der das Gehäusesubstrat bildende Si-Wafer 2, damit er in dem mittleren dünn geätzten Bereich des Wafers Platz findet. Vorzugsweise wer­ den die Bauelemente 8 in einem gemeinsamen Prozeß auf der Bauelementträgerschicht 16 hergestellt. Der Bestückungsvorgang der Hohlräume 6 mit den Bauele­ menten 8 erfolgt dann durch Aneinanderfügen des Bauelementräger-Wafers 16 mit dem Substrat-Wafer 2. Durch diese Verfahrensvariante wird der Bestüc­ kungsvorgang vereinfacht, wodurch ein insgesamt noch kostengünstigeres Herstellungsverfahren ermög­ licht wird.

Fig. 3 zeigt in Querschnittsansicht ein erstes Ausführungsbeispiel eines mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Bauelementgehäuses. In das Gehäusesubstrat 2 aus Silicium ist ein Hohlraum 6 durch mikromechanisches Ätzen ausgebildet. In dem Hohlraum 6 ist ein Bauelement 8 wie eine Gunn-Diode angeordnet, deren oberer Kontakt mittels einer durch galvanische Metallabscheidung mikromechanisch hergestellten Kontaktfeder 9 kontaktiert ist. Das Deckelsubstrat 4 ist ebenfalls aus Halbleitermate­ rial wie etwa Silicium und dient der Stromversor­ gung des oberen Diodenkontaktes. Der untere Dioden­ kontakt wird mittels einer an der Substratuntersei­ te durch Aufdampfen oder Sputtern aufgebrachten leitfähigen Schicht 3, beispielsweise aus Metall, kontaktiert. Zur Isolation beider Pole ist eine isolierende Schicht 5 vorgesehen.

Figut 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel ei­ nes mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens herge­ stellten Bauelementgehäuses vor der Vereinzelung. Wie bei dem in Fig. 3 gezeigten Ausführungsbei­ spiel ist in dem Gehäusesubstrat 2 ein tiefer Hohl­ raum 6 herausgeätzt, der mit dem Bauelement 8 be­ stückt wird. Bei dem in Fig. 4 gezeigten Ausfüh­ rungsbeispiel wird die Deckschicht 4 durch ein or­ ganisches Dielektrikum wie beispielsweise einen photosensitiven Lack gebildet. In diesem ist eine Ätzgrube ausgeformt, mittels welcher eine Kontakt­ schicht 11 aus aufgedampftem oder aufgesputtertem Metall einen Kontakt zur Diodenoberseite herstellt.

Ein weiteres Ausführungsbeispiel eines mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Bauele­ mentgehäuses vor dem Vereinzeln ist in Fig. 5 ge­ zeigt. Im Gegensatz zu den in Fig. 3 und 4 ge­ zeigten Ausführungsbeispiel ist der Hohlraum nur als flacher Hohlraum ausgebildet. Das Bauelement 8 wird von unten über das leitfähige Substrat selbst kontaktiert, während die elektrische Verbindung zur Oberseite des Bauelementes über eine Kontaktschicht 13 erfolgt, die, ähnlich dem in Fig. 4 gezeigten Ausführungsbeispiel, in einer Ausnehmung in einem als Deckschicht 4 dienenden organischen Dielektri­ kum ausgebildet ist.

Bei dem in Fig. 6 gezeigten weiteren Ausführungs­ beispiel eines mittels des erfindungsgemäßen Ver­ fahrens hergestellten Bauelementgehäuses besteht das Gehäusesubstrat 2 beispielsweise aus schlecht leitendem oder nichtleitendem Material wie etwa photostrukturierbarem Glas, so daß eine Kontakt­ schicht 15 zur Kontaktierung der nach unten weisen­ den Diodenvorderseite notwendig ist. Diese wird nach Atzen eines Kontaktloches in das Gehäuse­ substrat 2 aufgedampft oder aufgesputtert.

Fig. 7 zeigt schematisch die Verfahrensschritte eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens. Fig. 7a zeigt ein sich auf einer Bau­ elementträgerschicht 16 befindliches Bauelement 8 repräsentativ für die Vielzahl auf der Bauelement­ trägerschicht 16 befindlichen Bauelemente. Bei dem hier illustrierten erfindungsgemäßen Ausführungs­ beispiel besteht die Bauelementträgerschicht 16 beispielsweise aus Silber. Darüber ist das Gehäuse­ substrat 2 gezeigt, in die durch Ätzen bereits Hohlräume 6, die als Durchbrüche ausgebildet sind, präpariert wurden, wobei an den Rändern der Durch­ brüche Isoliermaterial 7, beispielsweise bestehend aus SiN, SiO₂ aufgebracht wurde.

Fig. 7b zeigt den Zustand im Herstellungsprozeß nach dem Fügen des Gehäusesubstrats auf die Bauele­ mentträgerschicht 16. Dann wird die Deckschicht 4, bestehend aus einem organischen, photosensitiven Dielektrikum, beispielsweise BCB aufgebracht (Fig. 7c), bevor die Bauelementträgerschicht 16 durch ei­ nen Ätzprozeß oder dergleichen entfernt wird und die verbleibende Anordnung beispielsweise durch Er­ hitzen ausgehärtet wird (Fig. 7d).

Daraufhin werden in dem organischen Dielektrikum an der Position der jeweiligen Bauelemente Kontaktlö­ cher ausgeformt (Fig. 7e), beispielsweise durch ein Photostrukturierungsverfahren oder mittels La­ serbearbeitungsverfahren, und gegebenenfalls das Dielektrikum zwischen den Gehäusen entfernt.

Fig. 7f zeigt den Zustand, wenn eine Kontakt­ schicht 11 zur Kontaktierung des Bauelements 8 durch das Kontaktloch aufgesputtert wurde. Darauf­ hin werden die einzelnen eingehäusten Bauelemente durch Sägen oder dergleichen vereinzelt (Fig. 7g).

Fig. 8 zeigt schematisch ein weiteres Ausführungs­ beispiel des erfindungsgemäßen Eingehäusungsverfah­ rens. Im Gegensatz zu den unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 7 beschriebenen Verfahren ist das Ge­ häusesubstrat 20 als eine Trägerschicht ausgebil­ det, aus der Isolatorstrukturen 21 gebildet werden, die den Keramikringen im Stand der Technik entspre­ chen. Die Trägerschicht 20 besteht aus einem photo­ strukturierbaren Glas, das beispielsweise unter dem Markennamen Foturan© erhältlich ist. In Fig. 8a bis 8d links ist diese Trägerschicht 20 im Quer­ schnitt und auf der rechten Seite die Photomaske 18 in Aufsicht gezeigt. Wie in Fig. 8a gezeigt ist, wird die Trägerschicht 20 zunächst durch die Maske 18 an den gestrichelt dargestellten Bereichen be­ lichtet und getempert. Damit werden die später zu ätzenden Glasbereiche festgelegt. Daraufhin wird eine beidseitige Metallisierung aufgebracht und die Metallisierung 22 auf der Vorderseite strukturiert (Fig. 8b). Es verbleiben somit kreisförmige nicht­ metallisierte Bereiche auf der Oberseite des Glas­ wafers 20, durch welche kreisförmige Löcher 23 in den Glaswafer 20 geätzt werden, wie in Fig. 8c schematisch gezeigt ist. Anschließend wird die Rückseitenmetallisierung entfernt (Fig. 8d). Dar­ aufhin wird die so strukturierte Trägerschicht 20 an eine mit einer Opferschicht 4a versehenen Trä­ gerschicht 4 angefügt. An der Innenseite der Trä­ gerschicht 4 sind jeweils mikrostrukturierte Kon­ taktfedern 9 angebracht. Bei dem in Fig. 8f ge­ zeigten Verfahrensschritt sind die in Verfahrens­ schritt 8a belichteten Glasbereiche weggeätzt, so daß von der Trägerschicht nur noch ringförmige Iso­ latorstrukturen 21 aus Glas übrigbleiben, die den Keramikringen 32 beim Stand der Technik entspre­ chen. Daraufhin wird eine Bauelementträgerschicht 16 mit den Bauelementen 8 ähnlich wie in Fig. 2 gezeigt angefügt, so daß abgeschlossene Hohlräume 6 mit den darin befindlichen Bauelementen 8 und Kon­ taktfedern 9 gebildet werden. Anschließend wird die Opferschicht 4a weggeätzt (Fig. 8g). Schließlich werden die so gebildeten mit Gehäuse versehenen Bauelemente etwa durch Sägen vereinzelt und stehen zur Weiterverarbeitung zur Verfügung. Eine vergrö­ ßerte Ansicht eines fertigen gepackten Bauelementes ist in Fig. 8i gezeigt.

Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht die gleichzeitige Herstellung einer großen Zahl von Ge­ häusen für elektronische Bauelemente einschließlich Kontaktierung mit hoher Präzision und geringen Her­ stellungskosten.

Claims (23)

1. Verfahren zur Eingehäusung von elektronischen Bauelementen, aufweisend die Schritte:

• - Ausbildung einer Mehrzahl von Hohlräumen (6) in einem Gehäusesubstrat (2; 20)
• - Bestückung der Hohlräume (6) mit den elektroni­ schen Bauelementen (8),
• - Verschließen der Hohlräume (6) mit einem Deckel­ substrat oder einer Deckschicht (4), und
• - Vereinzeln der so verpackten Bauelemente (8).

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß das Gehäusesubstrat (2) aus Halbleiterma­ terial, insbesondere Silicium besteht.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Gehäusesubstrat (2) auf sei­ ner dem Deckelsubstrat oder der Deckschicht (4) ab­ gewandten Seite mit einer Metallschicht (3) verse­ hen wird, die zur Kontaktierung der elektronischen Bauelemente (8) dient.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, da­ durch gekennzeichnet, daß das Gehäusesubstrat (2) auf seiner dem Deckelsubstrat oder der Deckschicht (4) zugewandten Seite mit einer Isolierschicht (5) versehen wird.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß das Gehäusesubstrat (2) aus photostruktu­ rierbarem Glas besteht.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 5, da­ durch gekennzeichnet, daß die Hohlräume (6) durch Ätzen mittels Photostrukturierung hergestellt wer­ den.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, da­ durch gekennzeichnet, daß die Hohlräume (6) als Durchbrüche durch das Gehäusesubstrat (2) ausgebil­ det werden.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, da­ durch gekennzeichnet, daß in dem Gehäusesubstrat (2) flache Hohlräume (6) zur Aufnahme der elektro­ nischen Bauelemente (8) ausgebildet werden.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, da­ durch gekennzeichnet, daß auf einer Bauelement- Trägerschicht (16) eine der Anzahl der auf dem Ge­ häusesubstrat (2) ausgebildeten Hohlräume (6) ent­ sprechende Anzahl von Bauelementen (8) aufgebracht wird und der Schritt der Bestückung der Hohlräume (6) mit den elektronischen Bauelementen (8) durch Zusammenfügen des Gehäusesubstrats (2) mit der Bau­ elementträgerschicht (16) ausgeführt wird.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeich­ net, daß die Bauelementträgerschicht (16) eine Me­ tallschicht, insbesondere eine Silberschicht ist.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das elektronische Bau­ element (8) eine Diode, insbesondere eine Gunn- Diode ist.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Deckelsubstrat (4) aus Halbleitermaterial, insbesondere Silicium be­ steht, das der Kontaktierung eines Anschlusses der elektronischen Bauelemente (8) dient.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß zur Kontaktierung der elektronischen Bauelemente (8) Kontaktfedern (9) an dem Deckelsubstrat (4) angebracht werden.

14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Kontaktfedern (9) durch galvani­ sche Metallabscheidung hergestellt werden.

15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschicht (4) aus einem organischen Dielektrikum gebildet wird.

16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das organische Dielektrikum ein pho­ tosensitiver Lack ist und jeweils ein Kontakt (11) zur Herstellung einer elektrischen Verbindung mit einem Anschluß des jeweiligen Bauelementes (8) durch Ätzen von Kontaktlöchern durch den photosen­ sitiven Lack und Aufbringen einer Metallschicht an­ gebracht wird.

17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die verpackten Bauele­ mente (8) durch Sägen vereinzelt werden.

18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäusesubstrat (20) als isolierende Trägerschicht ausgebildet ist, wobei die Hohlräume (6) von aus dem Gehäusesubstrat (20) freigelegten Isolatorstrukturen (21) umschlos­ sen werden, daß auf einer Bauelementträgerschicht (16) die Bauelemente (8) aufgebracht werden, und die Bestückung der Hohlräume mit den Bauelementen (8) durch Aneinanderfügen von Bauelementträger­ schicht (16), Isolatorstrukturen (21) und Deckel­ substrat(4) erfolgt.

19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekenn­ zeichnet, daß zunächst das Deckelsubstrat (4) und das Gehäusesubstrat (20) zusammengefügt werden, dann die separaten Isolatorstrukturen (21) ausge­ bildet werden und anschließend die Bauelementträ­ gerschicht (16) mit den elektronischen Bauelementen (8) angefügt wird.

20. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekenn­ zeichnet, daß zunächst die Bauelementträgerschicht (16) und das Gehäusesubstrat (20) zusammengefügt, dann die separaten Isolatorstrukturen (21) ausge­ bildet werden und anschließend das Deckelsubstrat (4) angefügt wird.

21. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäusesubstrat (20) als Trägerschicht aus photostrukturierbarem Glas besteht und die separaten Isolatorstrukturen (21) mittels selektiven Ätzens des Glases freige­ legt werden.

22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Deckelsubstrat (4) mit Kontaktfe­ dern (9) zur Kontaktierung von elektrischen An­ schlüssen der elektronischen Bauelemente (8) verse­ hen ist.

23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Kontaktfedern (9) durch galvani­ sche Metallabscheidung hergestellt werden.