DE19850144A1

DE19850144A1 - Verfahren und Vorrichtung zur optischen Oberflächenanalyse von Halbleiterscheiben

Info

Publication number: DE19850144A1
Application number: DE1998150144
Authority: DE
Inventors: Stefan Geyer; Eckhard Marx
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1998-10-30
Filing date: 1998-10-30
Publication date: 2000-05-11
Anticipated expiration: 2018-10-31
Also published as: DE19850144C2

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur optischen Oberflächenanalyse von Halbleiterscheiben, mit dem eine sichere und schnelle Erkennung von Oberflächenkontaminationen usw. möglich ist. Erfindungsgemäß wird ein flüssiger oder fester Stoff auf der Halbleiterscheibe kondensiert und das dabei entstehende Kondensationsbild bewertet. Als Temperierungseinrichtung wird ein in einem Rezipienten (6) angeordneter Thermochuck (2) verwendet, der die Halbleiterscheibe unter den Taupunkt kühlt. Das entstehende Kondensationsbild wird mit Schräglicht aus einer Beleuchtungseinrichtung (5) beleuchtet.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur optischen Oberflä chenanalyse von Halbleiterscheiben zur Erkennung von Ober flächenkontaminationen, Oberflächenunregelmäßigkeiten oder Oberflächenabnormitäten. Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.

Für die Herstellung von Halbleiterschaltkreisen werden die hierzu verwendeten Halbleiterscheiben bzw. Wafer einer Viel zahl von chemischen und physikalischen Bearbeitungsschritten ausgesetzt. Bei allen diesen Bearbeitungsschritten muß auf höchste Reinheit der Umgebung der Halbleiterscheiben und der Halbleiterscheiben selbst geachtet werden. Es ist bekannt, daß bereits geringste Oberflächenkontaminationen, Oberflä chenunregelmäßigkeiten oder Oberflächenabnormalitäten dazu führen können, daß die Halbleiterscheibe insgesamt und zu mindest teilweise unbrauchbar wird, womit erhebliche ökono mische Verluste verbunden sind. Besonders schwierig ist es, insbesondere bei naßchemischen Prozessen, dafür zu sorgen, daß die Oberfläche der Halbleiterscheibe nach Beendigung des entsprechenden Prozesses keinerlei Rückstände oder Abdrücke der Handlingsvorrichtungen o. dgl. aufweist. Es ist bekannt, daß nach naßchemischen Prozessen Carrier-Abdrücke oder Troc kenflecke auf den Halbleiterscheiben verbleiben können. Auch können nach CMP-Prozessen Kratzer oder Polierspuren auf der Halbleiterscheibe verbleiben.

Es ist äußerst schwierig, bzw. nahezu unmöglich, derartige Oberflächenstörungen optisch zu erkennen. Es besteht daher ein erhebliches Interesse daran, über eine Möglichkeit zu verfügen, eine einfache, sichere und schnelle Oberflächenanalyse von Halbleiterscheiben vornehmen zu kön nen. Dies ist angesichts der Verwendung von Halbleiterschei ben mit immer größer werdenden Durchmesser besonders wichtig.

Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein Ver fahren und eine Vorrichtung zur optischen Oberflächenanalyse von Halbleiterscheiben zu schaffen, mit dem eine sichere und schnelle Erkennung von Oberflächenkontaminationen, Ober flächenunregelmäßigkeiten oder Oberflächenabnormalitäten mög lich ist.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß aus ei nem gasförmigen Stoff ein flüssiger oder fester Stoff auf der Halbleiterscheibe kondensiert wird und daß anhand des dabei entstehenden Kondensationsbildes eine Bewertung der Oberflä che der Halbleiterscheibe vorgenommen wird. Hierzu ist bevor zugt eine Temperierungseinrichtung vorgesehen, mit der die Halbleiterscheibe während einer vorgegebenen Zeit auf die Taupunkttemperatur des auf der Oberfläche des Halb leiterscheibe zu kondensierenden Stoffes gekühlt und an schließend wieder erwärmt wird.

Die Kühlzeit sollte 60 Sekunden nicht überschreiten. Dadurch wird eine überhöhte Wasserkondensation verhindert, da das Wasser die Halbleiterscheibe am Thermochuck festkleben kann, so das beim Abnehmen der Halbleiterscheibe Probleme auftreten können.

Bei diesem überraschend einfachen Verfahren wird die Er kenntnis ausgenutzt, daß während der Kondensation von gas förmigen Wasser zu flüssigen Wasser auf Oberflächen eine se lektive Kondensation stattfindet, wodurch ansonsten nicht sichtbare Oberflächenspuren durch unterschiedliche Kondensa tionsstärke sichtbar gemacht werden. Insbesondere reagiert die Wasserdampfkondensation äußerst empfindlich auf Ober flächenunregelmäßigkeiten und macht diese sehr gut sichtbar.

Um die Erkennbarkeit des Kondensationsbildes weiter zu ver bessern, wird die Oberfläche der Halbleiterscheibe während der Bewertung beleuchtet, wobei gleichzeitig der Beobach tungsraum vom Umgebungslicht abgeschottet wird. Bevorzugt wird hierzu ein diffuses und/oder gefiltertes Licht verwen det.

Wenn die Beleuchtung des Kondensationsbildes in Fortführung der Erfindung mit Schräglicht erfolgt, lassen sich Ober flächenunregelmäßigkeiten besonders gut erkennen. Bevorzugt wird das Kondensationsbild mit einem Schräglicht in einem Winkel zwischen ± 20° beleuchtet.

In einer Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens wird der Winkel des Schräglichtes gegenüber der Oberfläche der Halb leiterscheibe stetig oder in Stufen verändert, wodurch die Struktur des Kondensationsbildes noch besser erkannt und be wertet werden kann.

Anstelle der Veränderung des Beleuchtungswinkels der Licht quelle ist es auch möglich, die Halbleiterscheibe mit ver änderbarem Kippwinkel unter der in diesem Fall feststehenden Lichtquelle rotieren zu lassen.

Für die Beleuchtung des Kondensationsbildes kann in einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung beispielsweise Laser oberflächenstreulicht verwendet werden.

Eine weitere Erleichterung bei der Bewertung der Oberfläche der Halbleiterscheibe, bzw. des Kondensationsbildes wird er reicht, wenn die Beleuchtung mit farbigen Licht erfolgt, wo bei bevorzugt grünes, gelbes Licht oder grüngelbes Mischlicht verwendet wird.

In einer Variante des Verfahrens erfolgt die Beleuchtung des Kondensationsbildes aus einer diffusen Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 540 Nm.

In einer weiteren Fortführung des erfindungsgemäßen Verfah rens wird die Halbleiterscheibe nach der Bewertung des Kon densationsbildes wieder auf Normaltemperatur temperiert. Da durch verdunstet das vorübergehend auf der Halbleiterscheibe kondensierte Wasser wieder in die Umgebungsatmosphäre.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabenstellung wird wei terhin durch eine Vorrichtung zur optischen Oberflächen analyse von Halbleiterscheiben gelöst, die dadurch gekenn zeichnet ist, daß die Halbleiterscheibe auf einem Thermochuck befestigt ist, der die Halbleiterscheibe auf die Kon densationstemperatur des auf deren Oberfläche zu kondensie renden Stoffes temperiert und daß über der Halbleiterscheibe eine Beleuchtungseinrichtung angeordnet ist.

Mit dieser sehr einfachen Vorrichtung kann auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe ein Kondensationsbild erzeugt werden, welches die visuelle Erkennung von Oberflächenunregel mäßigkeiten erlaubt. Um eine ausreichende und schnelle Kon densation von Wasser aus der Umgebungsluft auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe erreichen zu können, sollte die relati ve Luftfeuchtigkeit der Umgebungsluft mindestens 40% betra gen.

Um eine weitere Verbesserung der Erkennung von Oberfläche nunregelmäßigkeiten zu erreichen, ist der Leuchtwinkel der Beleuchtungseinrichtung veränderbar. Der gleiche Effekt wird auch erreicht, wenn der Thermochuck gegenüber der Beleuch tungseinrichtung drehbar und/oder schwenkbar ausgebildet wird.

Um die erforderliche relative Luftfeuchtigkeit auf einfache Weise realisieren zu können und um sonstige Umgebungsein flüsse auf die Halbleiterscheibe auszuschließen, ist eine weitere Ausgestaltung der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß der Thermochuck in einem Gehäuse/Rezipienten angeordnet ist, daß in dem Rezipienten ein Luftfeuchtigkeitssensor an geordnet ist und daß der Thermochuck mit einer Handling einrichtung für die Halbleiterscheiben außerhalb des Rezi pienten gekoppelt ist.

In weiterer Fortführung der Erfindung sind mehrere Beleuch tungseinrichtungen mit unterschiedlichen Leuchtwinkeln vor gesehen, die gleichzeitig oder nacheinander die Oberfläche der Halbleiterscheibe mit dem Kondensationsbild beleuchten.

Für Dokumentationszwecke oder zum elektronischen Vergleich der Kondensationsbilder mit bereits gespeicherten Kondensa tionsbildern ist oberhalb des Thermochucks neben oder zwi schen den Beleuchtungseinrichtungen ein Kamerasystem ange ordnet, das mit einer Anzeige- und Aufzeichnungsvorrichtung für die aufgenommenen Kondensationsbilder gekoppelt ist. Als Anzeigevorrichtung kann hierfür ein üblicher Monitor verwen det werden, der das aufgenommene Kondensationsbild unmittel bar oder aus einem Speicher anzeigt.

Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung ist noch dadurch ge kennzeichnet, daß die Handlingeinrichtung aus einem Wa ferhandler und einem zugeordneten Carrier mit gespeicherten Halbleiterscheiben besteht. Damit kann eine automatische Be stückung des Thermochucks aus dem Carrier erfolgen.

Die Erfindung soll nachfolgend anhand von Ausführungsbei spielen näher erläutert werden. In den zugehörigen Zeichnun gen zeigen:

Fig. 1 einen Laboraufbau für eine erfindungsgemäße Vor richtung zur optischen Oberflächenanalyse von Hal bleiterscheiben;

Fig. 2 eine Variante der Vorrichtung nach Fig. 1 zur pro duktiven Oberflächenanalyse mit einer schwenkbaren Beleuchtungseinrichtung;

Fig. 3 eine Variante der Vorrichtung nach Fig. 2 zur pro duktiven Oberflächenanalyse mit mehreren im Raum verteilten Beleuchtungseinrichtungen; und

Fig. 4 eine weitere Variante der Vorrichtung nach Fig. 2 mit einem schwenkbaren Thermochuck und einer fest stehenden Beleuchtungseinrichtung.

Fig. 1 zeigt einen einfachen Laboraufbau für eine erfin dungsgemäße Vorrichtung zur optischen Oberflächenanalyse von Halbleiterscheiben 1. Die Vorrichtung besteht aus einem Ther mochuck 2 zur Aufnahme und Temperierung der Halbleiterscheibe 1. Der Thermochuck 2 ist mit einem elektronischen Regler 3 und mit einem Kühlwasseranschluß 4 verbunden. Anstelle der Kühlung des Thermochucks 2 mit Kühlwasser für die Kühlung selbstverständlich auch ein Peltierelement vorgesehen werden, wobei gesichert werden muß, daß der Kühlvorgang möglichst schnell erfolgt.

Um einen möglichst guten Kompromiß zwischen höchster Maßhal tigkeit, geringstmöglicher Waferkontamination, geringstem Verschleiß des Thermochucks 2, geringsmöglicher Haftung der Halbleiterscheibe und einer möglichst guten Wärmeleitung zu erreichen, sollte der Thermochuck aus einer uneingefärbten und hartanodisierten AlMg₃-Legierung hergestellt werden.

Zur optischen Oberflächenanalyse der Halbleiterscheibe 1 wird diese per Hand auf den Thermochuck 2 abgelegt und durch ein Vakuum auf der Oberfläche des Thermochucks 2 großflächig an gesaugt. Anschließend wird die Halbleiterscheibe mit Hilfe des elektronischen Reglers auf eine vorgegebene Temperatur abgekühlt. Wenn die Kondensationstemperatur erreicht ist, be ginnt die umgebende Luftfeuchtigkeit auf der Halbleiter scheibe 1 zu kondensieren. Dabei entsteht ein Kondensations bild, wie später noch zu beschreiben ist, welches eine opti sche Oberflächenbewertung bzw. Oberflächenanalyse erlaubt. Um zu erreichen, daß das Kondensationsbild bis zum Rand der Halbleiterscheibe 1 reicht, sollte der Durchmesser des Ther mochucks 2 so gewählt werden, daß die Halbleiterscheibe 1 ma ximal 2 mm übersteht.

Die Kühlzeit sollte 60 Sekunden nicht überschreiten, nach de ren Ablauf die Halbleiterscheibe 1 wieder erwärmt werden muß. Dadurch wird eine überhöhte Wasserkondensation verhindert, da das Wasser die Halbleiterscheibe 1 am Thermochuck 2 festkle ben kann, so daß beim Abnehmen der Halbleiterscheibe Probleme auftreten können. Darüberhinaus ist darauf zu achten, daß die Halbleiterscheibe 1 erst ca. 5 Sekunden nach Erreichen der Raumtemperatur vom Thermochuck 2 abgenommen wird.

Um die optische Oberflächenanalyse noch weiter zu verbessern, ist oberhalb des Thermochucks 2 eine Beleuchtungseinrichung schwenkbar angeordnet, die ein diffuses Licht erzeugt, wel ches als Schräglicht das Kondensationsbild auf der Halblei terscheibe 1 beleuchtet. Das Licht der Beleuchtung kann ge filtert werden, so daß zum Beispiel gelbes, grünes bzw. gelb grünes Mischlicht auf die Halbleiterscheibe 1 projiziert wird. Mit dieser Beleuchtung können Kristallisationsdefekte und auch Makrodefekte sichtbar gemacht werden, die bei einer üblichen makroskopischen visuellen Kontrolle bei Normaltempe ratur nicht erkannt werden können.

Die Erkennbarkeit dieser Defekte wird noch dadurch ganz we sentlich verbessert, wenn die Beleuchtungseinrichtung ge schwenkt wird, so daß das abgestrahlte diffuse Licht in un terschiedlichen Winkeln auf das Kondensationsbild auf der Halbleiterscheibe 1 auftrifft.

In Fig. 2 ist eine Vorrichtung zu optischen Oberflächenana lyse von Halbleiterscheiben 1 dargestellt, mit der eine pro duktive Oberflächenanalyse der Halbleiterscheibe 1 möglich ist.

Bei dieser Ausführung ist der Thermochuck 2 in einem Gehäu se/Rezipienten 6 angeordnet, so daß mit Hilfe eines im Rezi pienten 6 angeordneten Luftfeuchtigkeitssensors 7 auf ein fache Weise die gewünschte Luftfeuchtigkeit und Lufttempera tur eingestellt werden kann. Die relative Luftfeuchtigkeit sollte bei 40% liegen und die Lufttemperatur beispielsweise bei 23°C. Wird nun die Halbleiterscheibe 1 auf dem Thermo chuck auf unter 10°C abgekühlt, so wird der Taupunkt unter schritten und es entsteht dadurch auf der Halbleiterscheibe 1 ein Kondensationsbild.

Oberhalb des Thermochucks 2 ist die Beleuchtungseinrichtung 5 schwenkbar angeordnet, so daß das Kondensationsbild auf der Halbleiterscheibe 1 unter unterschiedlichen Beleuchtungs winkeln beleuchtet werden kann, so daß eine optische Oberflä chenanalyse der Halbleiterscheibe 1 möglich wird. Weiterhin befindet sich neben der Beleuchtungseinrichtung 5 ein Kame rasystem 8, mit dem während der Beleuchtung des Kondensati onsbildes einzelne Bilder aufgenommen werden können, die gleichzeitig auf einem Monitor einer Anzeige- und Aufzeich nungsvorrichtung 9 zur Anzeige gebraucht werden können. Die Anzeige- und Aufzeichnungsvorrichtung 9 erlaubt ferner eine Speicherung der aufgenommenen Kondensationsbilder für spätere Analyse- oder Vergleichszwecke.

Um eine einfache und schonende Handhabung der Halbleiter scheiben 1 zu ermöglichen, ist ein Waferhandler 10 neben dem Thermochuck 2 außerhalb des Rezipienten 6 angeordnet. Neben dem Waferhandler 10 befindet sich weiterhin ein Carrier 11, in dem die zu analysierenden Halbleiterscheiben 1 gelagert sind. Mit dem Waferhandler 10 kann nun die zu analysierende Halbleiterscheibe 10 aus dem Carrier 11 entnommen und durch eine Öffnung im Rezipienten 6 auf dem Thermochuck 2 abgelegt werden. Anschließend erfolgt, wie bereits beschrieben, das Ansaugen der Halbleiterscheibe 1 und deren Temperierung auf eine vorgegebene Temperatur, was mit Hilfe des elektronischen Reglers 3 erfolgt. Nach erfolgter optischer Ober flächenanalyse wird die Halbleiterscheibe 1 mit Hilfe des Wa ferhandlers 10 vom Thermochuck 2 entnommen und wieder im Car rier 11 abgelegt. Anschließend kann der Vorgang mit einer neuen Halbleiterscheibe 1 wiederholt werden. Diese einfache und äußerst effektive Vorrichtung zur opti schen Oberflächenanalyse kann ohne weiteres auf einem übli chen Labortisch 12 aufgebaut werden.

In Fig. 3 ist eine Variante der Vorrichtung nach Fig. 1 dar gestellt, bei der oberhalb des Thermochucks 2 im Rezipienten 6 mehrere Beleuchtungseinrichtungen 5 angeordnet sind, die die auf dem Thermochuck 2 befindliche Halbleiterscheibe 1 je weils mit unterschiedlichen Beleuchtungswinkeln beleuchten. Zur Analyse der Halbleiteroberfläche bzw. des Kondensa tionsbildes werden die Beleuchtungseinrichtungen 5 nachein ander eingeschaltet, so daß eine Beleuchtung des Kondensa tionsbildes unter wechselnden Lichtverhältnissen erfolgt. Die optische Oberflächenanalyse kann dann wie bereits zu Fig. 2 beschrieben, erfolgen. Die Zu- und Abführung der Halbleiter scheiben 1 erfolgt hier ebenfalls rechnergesteuert, wobei es hier durch eine gezielte Beleuchtungsauswahl und Bilderfas sung über das Kamerasystem 8 möglich ist, eine Bildauswertung vorzunehmen, wobei der Kühlvorgang und die Bilderfassung syn chron erfolgen. Mit Hilfe der Temperatur- und Luftfeuchteer fassung mit dem Luftfeuchtigkeitssensor 7 kann in Verbindung mit der fest vorgegebenen Beleuchtung auch eine automatische Bilderkennung realisiert werden. Parallel dazu ist eine visu elle Kontrolle des Kondensationsbildes über die Anzeige und Aufzeichnungsvorrichtung 9 möglich.

Anstelle der Verwendung einer schwenkbaren Beleuchtungsein richtung (Fig. 1, 2) oder mehreren in unterschiedlichen Win keln angeordneten Beleuchtungseinrichtungen 5 ist es auch möglich, eine einzige feststehende Beleuchtungseinrichtung 5 über dem Thermochuck 2 anzuordnen. In diesem Fall ist der Thermochuck 2, wie in Fig. 4 dargestellt, im Rezipienten schwenkbar anzuordnen. Zusätzlich kann noch vorgesehen sein, daß der Thermochuck 2 auch drehbar ist, so daß die Halb leiterscheibe 1, die auf dem Thermochuck 2 befestigt ist, aus verschiedenen Richtungen analysiert werden kann. Alle anderen Einrichtungen entsprechen hier den Ausführungen nach Fig. 2 und 3. Durch das erfindungsgemäße Verfahren in Verbindung mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung zur optischen Oberflächena nalyse von Halbleiterscheiben können beispielsweise Carrier abdrücke nach naßchemischen Prozessen ohne weiteres erkannt werden, die im Falle der Nichterkennung unter Umständen zu PAD-Nitritabplatzungen führen können und es können bei Er kennen solcher Abdrücke Maßnahmen eingeleitet werden, die das Entstehen der Carrierabdrücke bei naßchemischen Prozessen verhindern.

Weiterhin können Unregelmäßigkeiten und Trockenflecken nach naßchemischen Prozessen/CMP-Prozessen erkannt und der Prozeß verbessert werden. Insbesondere können die notwendigen Spül schritte und Trockenmethoden besser eingeschätzt werden und anhand des Kondensationsbildes ausgewertet und gezielt aus gewählt werden. Beispielsweise sind auch radiale Linien bzw. Schleuderspuren sichtbar, wenn die Halbleiterscheiben durch Schleudern getrocknet werden.

Weiterhin lassen sich mit Hilfe des erfindungsgemäßen Ver fahrens sehr gut Kratzer und Polierspuren erkannt, so daß die entsprechenden Prozesse verbessert werden können.

Mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung können hervorragend Hy drophilgebiete und Hydrophobgebiete auf der Halbleiterscheibe 1 sichtbar gemacht und voneinander unterschieden werden. Wäh rend auf guten Hydrophilgebieten das Wasser als Film konden siert und dann während der Kondensation Interferenzfarben zeigt, ist die Kondensation auf Hydrophobgebieten tropfenför mig, was als Rauhigkeit erscheint. Die Erkennung von Hydro phil- und Hydrophobgebieten erlaubt es, die Qualität der Hy drophobierung im Bereich der Fototechnik sowie für den Be reich der Naßchemie einzuschätzen, da Hydrophobgebiete erheb lich partikelan.fälliger sind, als Hydrophilgebie te. Zusammenfassend ist festzustellen, daß durch die Erfindung Verunreinigungen auf der Halbleiterscheibe sichtbar gemacht werden können, die sonst mit Schräglicht oder mit einem Par tikelmeßgerät nicht erkennbar sind.

Ein weiterer besondere Vorteil der Erfindung ist darin zu se hen, daß es möglich ist, Kondensationsbilder mit Ausfall bildern zu vergleichen, so daß Probleme erkannt, aufgedeckt und dadurch gelöst werden können. Der besondere Vorteil der Erfindung ist noch darin zu sehen, daß die InLine-Kontrolle der Homogenität von Oberflächenzuständen auf unstrukturierten Halbleiterscheiben äußerst einfach möglich ist.

Bezugszeichenliste

1

Halbleiterscheibe

2

Thermochuck

3

elektronischer Regler

4

Kühlwasseranschluß

5

Beleuchtungseinrichtung

6

Gehäuse/Rezipient

7

Luftfeuchtigkeitssensor

8

Kamerasystem

9

Anzeige- und Aufzeichnungsvorrichtung

10

Waferhandler

11

Carrier

12

Labortisch

Claims

1. Verfahren zur optischen Oberflächenanalyse von Halblei terscheiben zur Erkennung von Oberflächenkontaminationen, Oberflächenunregelmäßigkeiten oder Oberflächenabnormitäten, dadurch gekennzeichnet, daß aus einem gasförmigen Stoff ein flüssiger oder fester Stoff auf der Halbleiterscheibe kondensiert wird und daß anhand des dabei entstehenden Kondensationsbildes eine Bewertung der Oberfläche der Halbleiterscheibe vorgenommen wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe mit Hilfe einer Temperierungseinrich tung während einer vorgegebenen Zeit auf die Taupunkttempera tur des auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe zu konden sierenden Stoffes gekühlt wird und anschließend wieder er wärmt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Kondensationsbild während der Bewertung der Oberfläche der Halbleiterscheibe beleuchtet wird und daß gleichzeitig der Beobachtungsraum vom Umgebungslicht abgeschottet wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Beleuchtung des Kondensationsbildes mit einem diffusen und/oder gefiltertem Licht erfolgt.

5. Verfahren nach Anspruch 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Beleuchtung des Kondensationsbildes mit Schräglicht er folgt.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Schräglicht das Kondensationsbild in einem Winkel zwi schen +/- 20° beleuchtet.

7. Verfahren nach den Ansprüchen 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Winkel des Schräglichtes gegenüber der Oberfläche der Halbleiterscheibe stetig oder in Stufen verändert wird.

8. Verfahren nach den Ansprüchen 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe mit veränderbarem Kippwinkel unter der Lichtquelle rotiert.

9. Verfahren nach den Ansprüchen 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Beleuchtung mit einem Laseroberflächenstreulicht vorge nommen wird.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Beleuchtung des Kondensationsbildes mit farbigem Licht erfolgt.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß grünes oder gelbes Licht oder grüngelbes Mischlicht verwendet wird.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Wellenlänge des Lichtes der diffusen Lichtquelle 540 nm beträgt.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe nach der Bewertung des Kondesationsbil des auf Normaltemperatur temperiert wird.

14. Vorrichtung zur optischen Oberflächenanalyse von Halb leiterscheiben nach den Ansprüchen 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe (1) auf einem Thermochuck (2) befestigt ist, der die Halbleiterscheibe (1) auf die Kondensationstem peratur des auf deren Oberfläche zu kondensierenden Stoffes temperiert und daß über der Halbleiterscheibe (1) eine Be leuchtungseinrichtung (5) angeordnet ist.

15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Leuchtwinkel der Beleuchtungseinrichtung (1) veränderbar ist.

16. Vorrichtung nach Anspruch 14 und 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Thermochuck (2) gegenüber der Beleuchtungseinrichtung (5) drehbar und/oder schwenkbar ist.

17. Vorrichtung nach den Ansprüchen 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Thermochuck (2) in einem Gehäuse/Rezipienten (6) ange ordnet ist, daß in dem Rezipienten (6) ein Luftfeuchtigkeits sensor (7) angeordnet ist und daß der Thermochuck (2) mit ei ner Handlingeinrichtung für Halbleiterscheiben (1) außerhalb des Rezipienten (6) gekoppelt ist.

18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Beleuchtungseinrichtungen (5) mit unterschiedlichen Leuchtwinkeln vorgesehen sind, die gleichzeitig oder nach einander die Oberfläche der Halbleiterscheibe (1) beleuchten.

19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß oberhalb des Thermochucks (2) neben oder zwischen den Be leuchtungseinrichtungen (5) ein Kamerasystem (8) angeordnet ist, das mit einer Anzeige- und Aufzeichnungsvorrichtung (9) für die aufgenommenen Kondensationsbilder gekoppelt ist.

20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Handlingeinrichtung aus einem Waferhandler (10) und einem zugeordneten Carrier (11) mit gespeicherten Halbleiterschei ben (1) besteht.