DE19848256C2 - Halbleiter-Druckmeßvorrichtung - Google Patents
Halbleiter-DruckmeßvorrichtungInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 51
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiter-Druckmeß
vorrichtung,
die folgendes aufweist:
ein Gehäuse, das ein Druckeinleitungsloch hat;
eine Basisplatte, die ein erstes Durchgangsloch in ihrer Mitte hat und an ihrem Umfang mit der Innenseite des Gehäuses ver bunden ist, so daß das erste Durchgangsloch mit dem Druckein leitungsloch im wesentlichen konzentrisch ist;
eine Halterung, die ein zweites Durchgangsloch in ihrer Mitte hat und so auf der Basisplatte angebracht ist, daß das zweite Durchgangsloch mit dem ersten Durchgangsloch im wesentlichen konzentrisch ist, und innerhalb von dem Verbindungsbereich des Gehäuses und der Basisplatte angeordnet ist; und
einen Halbleiter-Drucksensorchip, der auf der Halterung ange bracht ist, um einen Druck, der durch das in dem Gehäuse ge bildete Druckeinleitungsloch, das erste Durchgangsloch und das zweite Durchgangsloch eingeleitet wird, zu messen.
die folgendes aufweist:
ein Gehäuse, das ein Druckeinleitungsloch hat;
eine Basisplatte, die ein erstes Durchgangsloch in ihrer Mitte hat und an ihrem Umfang mit der Innenseite des Gehäuses ver bunden ist, so daß das erste Durchgangsloch mit dem Druckein leitungsloch im wesentlichen konzentrisch ist;
eine Halterung, die ein zweites Durchgangsloch in ihrer Mitte hat und so auf der Basisplatte angebracht ist, daß das zweite Durchgangsloch mit dem ersten Durchgangsloch im wesentlichen konzentrisch ist, und innerhalb von dem Verbindungsbereich des Gehäuses und der Basisplatte angeordnet ist; und
einen Halbleiter-Drucksensorchip, der auf der Halterung ange bracht ist, um einen Druck, der durch das in dem Gehäuse ge bildete Druckeinleitungsloch, das erste Durchgangsloch und das zweite Durchgangsloch eingeleitet wird, zu messen.
Eine derartige Halbleiter-Druckmeßvorrichtung ist aus der
JP-A-07-294 353 bekannt.
Die in dieser Veröffentlichung beschriebene Halbleiter-Druck
meßvorrichtung ist schematisch in Fig. 4 dargestellt und hat
einen Drucksensorchip 104, der in einer Ausnehmung 101a, die
in einem Körper 101 ausgebildet ist, mittels einer Basisplatte
102 und einer Glasbasis 103 angebracht ist, wie es Fig. 4
zeigt; ein Druck wird auf den Drucksensorchip 104 über Durch
gangslöcher 101a, 102a, 103a aufgebracht, die in dem Körper
101, der Basisplatte 102 bzw. der Glasbasis 103 konzentrisch
gebildet sind.
Die Basisplatte 102 ist durch Laserschweißen an ihrem Umfang
an dem Körper 101 befestigt, und ein zentraler Bereich ist er
haben bzw. hochgezogen ausgebildet, so daß eine Nut 102b, die
mit dem Durchgangsloch 102a konzentrisch ist, im Inneren des
lasergeschweißten Bereiches dieses bekannten Beispiels ausge
bildet ist, um zu verhindern, daß unnötige Beanspruchungen,
die durch Wärmeausdehnung von Bestandteilen aufgrund der Wärme
verursacht werden, die beim Laserschweißen erzeugt wird, auf
die Glasbasis 103 und den Drucksensorchip 104 übertragen wer
den.
Es besteht jedoch das Problem, daß die bekannte Halbleiter-
Druckmeßvorrichtung nicht kostengünstig hergestellt werden
kann, weil das Laserschweißen erhebliche Zeit erfordert. Es
ist zwar die Anwendung eines Buckelschweißverfahrens denkbar,
um dieses Problem zu lösen; in diesem Fall besteht jedoch das
Problem, daß eine Verbindung der Basis aufgrund einer Restbe
anspruchung brechen kann, die durch Stoß oder Wärme, die beim
Verbinden erzeugt werden, verursacht wird. Außerdem besteht
auch das Problem, daß dann, wenn ein hoher Druck von außen
aufgebracht wird, die aus Metall bestehende Basisplatte verbo
gen wird, was es unmöglich macht, einen ausreichenden Spiel
raum zum Messen eines Bereiches von Drücken bis zu einem hohen
Druck zu erhalten.
Eine weitere Halbleiter-Druckmeßvorrichtung ist aus der
US 4 790 192 bekannt. Bei dieser herkömmlichen Halbleiter-
Druckmeßvorrichtung gemäß der dortigen Fig. 23 ist eine Mon
tageplatte in ihrem mittleren Bereich mittels einer Spannungs
ausgleichsschicht auf einer Basisplatte montiert. Auf der Mon
tageplatte ist eine Membranplatte angebracht, die sich sowohl
in der Mitte als auch am Rand auf der Montageplatte abstützt.
Durch die Basisplatte und die Montageplatte führen Durchgangslöcher,
die dann zu zwei gegenüberliegenden separaten Kammern
abzweigen, denen jeweils ein Drucksensorchip zugeordnet ist,
der jeweils separat angeschlossen ist.
Weiterhin ist aus der DE-34 36 440 A1 eine Halbleiter-Druck
meßvorrichtung bekannt, die folgendes aufweist: ein Gehäuse,
das ein Druckeinleitungsloch hat; eine Basisplatte, die ein
erstes Durchgangsloch in ihrer Mitte hat und an ihrem Umfang
mit der Innenseite des Gehäuses verbunden ist, so daß das
erste Durchgangsloch mit dem Druckeinleitungsloch im wesentli
chen konzentrisch ist; und einen Halbleiter-Drucksensorchip
zum Messen eines Druckes, der durch das im Gehäuse gebildete
Druckeinleitungsloch und das Durchgangsloch eingeleitet wird.
Die Basisplatte hat dabei eine Ringnut, die den Halbleiter-
Drucksensorchip umgibt, um auf diese Weise Vorspannungen des
Drucksensorchips beim Einbringen in sein Gehäuse zu beseiti
gen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiter-
Druckmeßvorrichtung anzugeben, die relativ hohe Drücke messen
kann und in kostengünstiger Weise herstellbar ist.
Die erfindungsgemäße Lösung besteht darin, eine Halbleiter-
Druckmeßvorrichtung der eingangs genannten Art so auszubilden,
daß die Basisplatte folgendes aufweist:
eine erste Basisplatte, die am Umfang ihrer unteren Oberfläche auf das Gehäuse gebondet ist, und eine zweite Basisplatte, die auf die erste Basisplatte innerhalb des Umfanges der oberen Oberfläche der ersten Basisplatte gebondet ist, und wobei der Halbleiter-Drucksensorchip mittels der Halterung auf der zwei ten Basisplatte angebracht ist.
eine erste Basisplatte, die am Umfang ihrer unteren Oberfläche auf das Gehäuse gebondet ist, und eine zweite Basisplatte, die auf die erste Basisplatte innerhalb des Umfanges der oberen Oberfläche der ersten Basisplatte gebondet ist, und wobei der Halbleiter-Drucksensorchip mittels der Halterung auf der zwei ten Basisplatte angebracht ist.
Mit einer derartigen Ausführungsform der Halbleiter-Druckmeß
vorrichtung gemäß der Erfindung wird es in vorteilhafter Weise
ermöglicht, die durch eine äußere Kraft bewirkte Formänderung
der zweiten Basisplatte kleiner als die Formänderung der
ersten Basisplatte zu machen und zu verhindern, daß eine
äußere Kraft in unnötiger Weise über die Halterung auf den
Halbleiter-Drucksensorchip aufgebracht wird. Damit wird die
Zuverlässigkeit der Verbindung zwischen der Halterung und der
Basisplatte verbessert.
Eine solche Ausführungsform der Halbleiter-Druckmeßvorrichtung
kann in kostengünstiger Weise hergestellt werden, weil bei der
Herstellung das Buckelschweißen angewandt werden kann, das
innerhalb eines kurzen Zeitraumes abgeschlossen werden kann.
Weiterhin kann verhindert werden, daß unnötige Beanspruchungen
auf den Halbleiter-Drucksensorchip einwirken, wenn im Betrieb
ein Druck aufgebracht wird, so daß die Zuverlässigkeit
verbessert werden kann und relativ hohe Drücke gemessen werden
können.
In Weiterbildung der erfindungsgemäßen Halbleiter-Druckmeß
vorrichtung ist vorgesehen, daß die Verbindung zwischen der
ersten Basisplatte und der zweiten Basisplatte innerhalb des
Umfanges der Halterung angeordnet ist.
Eine derartige Konfiguration ermöglicht es, die durch eine
äußere Kraft bewirkte Formänderung der zweiten Basisplatte
wirksamer zu unterdrücken. Damit kann die Zuverlässigkeit
ebenfalls verbessert werden.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Beschreibung eines
Ausführungsbeispiels und unter Bezugnahme auf die beiliegenden
Zeichnungen näher erläutert. Die Zeichnungen zeigen in:
Fig. 1 eine Querschnittsansicht, die die Konfiguration einer
Halbleiter-Druckmeßvorrichtung zeigt;
Fig. 2 eine Perspektivansicht der Basisplatte der Druckmeß
vorrichtung gemäß Fig. 1;
Fig. 3 eine teilweise weggeschnittene Ansicht, die die Kon
figuration der Halbleiter-Druckmeßvorrichtung gemäß
einer ersten Ausführungsform der Erfindung zeigt; und
in
Fig. 4 eine Querschnittsansicht, die die Konfiguration einer
bekannten Halbleiter-Druckmeßvorrichtung zeigt.
Fig. 1 ist eine schematische Querschnittsansicht, die die Kon
figuration eines Halbleiter-Drucksensors zeigt. Der Halb
leiter-Drucksensor wird hergestellt, indem ein Halbleiter-
Drucksensorchip 1 in einem Gehäuse 4 angebracht wird, wie es
nachstehend beschrieben ist.
Der Halbleiter-Drucksensorchip 1 weist ein Siliciumsubstrat
mit einer Brückenschaltung auf, die aus einem diffundierten
Widerstand besteht, der in einem dünnwandigen Bereich davon
ausgebildet ist, wobei ein Druck, der auf den dünnwandigen
Bereich aufgebracht wird, eine Änderung des Widerstandswertes
bewirkt, die einer Beanspruchung oder elastischen Formänderung
entspricht. Die Änderung des Widerstandswertes bringt die
Brückenschaltung aus dem Gleichgewicht, so daß ein elektri
sches Ausgangssignal abgegeben wird, das dem aufgebrachten
Druck entspricht.
Das Gehäuse 4 weist einen Gehäusekörper 4a und eine Gehäuse
abdeckung 4b auf, und der Gehäusekörper 4a und die Gehäuse
abdeckung 4b bilden gemeinsam einen Raum zur Aufnahme des
Halbleiter-Drucksensorchips 1 darin.
Der Gehäusekörper 4a hat ein Druckeinleitungsloch 40, das in
seiner Mitte ausgebildet ist, eine Ausnehmung 42 von zylindri
scher Konfiguration, die so ausgebildet ist, daß sie mit dem
Druckeinleitungsloch 40 konzentrisch ist, und einen Steg 6,
der an einer unteren Oberfläche 42a der Ausnehmung 42 mit
Kreiskonfiguration ausgebildet und mit der Ausnehmung 42 für
Schweißzwecke konzentrisch ist.
Die Basisplatte 3 ist im wesentlichen scheibenförmig ausge
bildet, wie Fig. 2 zeigt, und hat ein Durchgangsloch 30 in der
Mitte und einen dünnwandigen Bereich 5 an ihrem Umfang. Bei
der dieser Konfiguration ist der Außendurchmesser der Basis
platte 3 ein wenig kleiner als die Ausnehmung 42 ausgebildet,
und der dünnwandige Bereich 5 ist so ausgebildet, daß er zum
Schweißen auf dem Steg 6 positioniert ist, wenn die Basis
platte 3 an der unteren Oberfläche 42a angeordnet ist.
Außerdem hat die Basisplatte 3 Nuten 7a, 7b, 7c und 7d, die so
darin ausgebildet sind, daß sie das Durchgangsloch 30 umgeben.
Das bedeutet, bei dieser Konfiguration sind die Nuten 7a, 7b,
die parallel zueinander verlaufen, so ausgebildet, daß das
Durchgangsloch 30 zwischen ihnen angeordnet ist, während die
Nuten 7c, 7d, die parallel zueinander verlaufen und im wesent
lichen rechtwinklig zu den Nuten 7a, 7b verlaufen, so ausge
bildet sind, daß das Durchgangsloch 30 zwischen ihnen angeord
net ist. Dadurch wird insgesamt eine Nut von quadratischer
Konfiguration gebildet, die das Durchgangsloch 30 umgibt.
(4) Die Halterung 2 besteht aus einer Säule aus Si, Glas oder
dergleichen, wobei ein Durchgangsloch 20 in der Mitte ausge
bildet ist. Die Halterung 2 ist so ausgebildet, daß sie eine
Querschnittskonfiguration hat, die derjenigen des Halbleiter-
Drucksensorchips 1 ähnlich ist, und der Querschnitt ist ge
wöhnlich von viereckiger Gestalt.
Dabei ist der Außendurchmesser der Halterung 2 kleiner als
eine Seite des Quadrats ausgebildet, so daß die Halterung
innerhalb der quadratischen Nut angeordnet ist, die das Durch
gangsloch 30 umgibt. Dabei ist es zweckmäßig, die Quer
schnittskonfiguration der Halterung 2 und die Querschnitts
konfiguration der Innenseite der quadratischen Nut, die die
Halterung 2 umgibt, im wesentlichen gleich zu machen, damit
die Beanspruchungen durch die Nut wirksam abgeschwächt werden.
Der Ausdruck "im wesentlichen gleich" bedeutet dabei, daß
beispielsweise eine Dimensionsabweichung innerhalb einer Tole
ranz von etwa 0,5 mm liegt, was die Abweichung bei der Her
stellung, beispielsweise dem Montageschritt, ist.
Dabei wird der Halbleiter-Drucksensor hergestellt, indem die
Basisplatte 3, die Halterung 2, der Halbleiter-Drucksensorchip
1 und ein Schaltungssubstrat 50 an dem Gehäusekörper 4a ange
bracht werden, der wie oben beschrieben ausgebildet ist, die
erforderliche Verdrahtung daran ausgebildet und dann die
Gehäuseabdeckung 4b angebracht wird.
Dabei wird die Basisplatte 3 an dem Gehäusekörper 4a so ange
bracht, daß das Durchgangsloch 30 mit dem Druckeinleitungsloch
40 im wesentlichen konzentrisch wird, und durch Buckel
schweißen des dünnwandigen Bereiches 5 und des Steges 6 be
festigt.
Die Halterung 2 wird so auf die Basisplatte 3 gebondet, daß
das Durchgangsloch 20 und das Durchgangsloch 30 im wesentli
chen konzentrisch angeordnet und innerhalb von der quadrati
schen Nut positioniert sind, die das Durchgangsloch 30 umgibt.
Der Halbleiter-Drucksensorchip 1 ist auf der Halterung 2 mit
einem Klebstoff oder dergleichen so befestigt, daß der dünn
wandige Bereich, in dem der diffundierte Widerstand ausgebil
det ist, unmittelbar über dem Durchgangsloch 20 angeordnet
ist. Der Halbleiter-Drucksensorchip 1 ist zum Beispiel durch
Drahtbonden mit der erforderlichen Innenverdrahtung versehen,
und Meßsignale werden über eine periphere Verdrahtung 50 und
einen Ausgangsanschluß 51 abgegeben, der an einem flachen Um
fangsbereich 41a des Gehäusekörpers 4a vorgesehen ist.
Da bei einem derartigen Halbleiter-Drucksensor die Nut um den
Bereich herum ausgebildet ist, in welchem die Halterung 2 auf
die Basisplatte 3 gebondet ist, damit diese die Halterung 2
umgibt, können Beanspruchungen, die auf die Basisplatte 3 auf
gebracht werden, in ihrer Gesamtheit absorbiert werden, so daß
die durch die Beanspruchungen in dem Bereich innerhalb von der
quadratischen Nut bedingten Formänderungen verringert werden.
Damit hat der Halbleiter-Drucksensor verschiedene vorteilhafte
Wirkungen, wie nachstehend angegeben.
- 1. Auch wenn ein relativ hoher Druck gemessen wird, kann ver hindert werden, daß die durch den Druck bewirkte Formänderung der Basisplatte 3 auf den Halbleiter-Drucksensorchip 1 über tragen wird, und daher kann der hohe Druck ohne einen Fehler, der von der Formänderung der Basisplatte 3 verursacht wird, gemessen werden.
- 2. Bei dem Halbleiter-Drucksensorchip kann verhindert werden, daß durch Stoß und Wärme bedingte Beanspruchungen infolge des Schweißvorganges auf die Halterung 2 übertragen werden, so daß es möglich ist, ein Brechen der Verbindung zwischen der Halte rung 2 und der Basisplatte 3 zu verhindern. Daher kann der Halbleiter-Drucksensor durch das Buckelschweißen, das zeitspa render als das Laserschweißen und andere Verfahren ist, kostengünstig hergestellt werden.
Auch wenn bei dem vorstehend beschriebenen Halbleiter-Druck
sensor die Nut, die das Durchgangsloch 30 umgibt, mit quadra
tischer Konfiguration ausgebildet ist, ist diese Nut nicht auf
eine quadratische Konfiguration beschränkt und kann mit ande
rer polygonaler Gestalt, als Kreis oder mit einer anderen Kon
figuration ausgebildet sein. Eine quadratische Gestalt ist je
doch zweckmäßig, damit die Beanspruchungen, die auf die Basis
platte 3 einwirken, wirksam absorbiert werden.
Fig. 3 zeigt eine teilweise weggeschnittene Ansicht, die die
Konfiguration eines Halbleiter-Drucksensors gemäß einer ersten
Ausführungsform der Erfindung zeigt. Dabei handelt es sich um
eine vergrößerte Ansicht von Bereichen einer Basisplatte 13,
der Halterung 2 und des Halbleiter-Drucksensorchips 1, die an
dem Gehäusekörper 4a angebracht sind.
Bei dem Halbleiter-Drucksensor dieser Ausführungsform weist
die Basisplatte 13 eine erste Basisplatte 13a und eine zweite
Basisplatte 13b auf, wie Fig. 3 zeigt, und ist an den Gehäuse
körper 4a gebondet, wie nachstehend beschrieben ist.
Die erste Basisplatte 13a ist scheibenförmig, wobei ein erstes
Durchgangsloch 31a in ihrer Mitte ausgebildet ist, und ist so
an dem Gehäusekörper 4a angeordnet, daß das erste Durchgangs
loch 31a mit dem Druckeinleitungsloch 40 des Gehäusekörpers 4a
konzentrisch ist. Die erste Basisplatte 13a ist am Umfang
ihrer unteren Oberfläche auf einen Steg 6 geschweißt, der mit
dem Druckeinleitungsloch 40 an dem Gehäusekörper 4a konzen
trisch ausgebildet ist.
Die erste Basisplatte 13a hat einen Steg 16, der auf ihrer
oberen Oberfläche mit dem ersten Durchgangsloch 31a konzen
trisch ausgebildet ist. Bei dieser Ausführungsform ist der
Durchmesser des Kreises des Steges 16 kleiner als der Kreis
des Steges 6 des Gehäusekörpers 4a ausgebildet und ist kleiner
als der Außendurchmesser der zweiten Basisplatte 13b.
Die zweite Basisplatte 13b ist scheibenförmig, wobei ein zwei
tes Durchgangsloch 31b in ihrer Mitte ausgebildet ist, und ist
auf der ersten Basisplatte 13a derart angeordnet, daß das
zweite Durchgangsloch 31b mit dem ersten Durchgangsloch 31a
der ersten Basisplatte 13a konzentrisch ist. Die zweite Basis
platte 13b ist an ihrer unteren Oberfläche auf den Steg 16 ge
schweißt, der auf der ersten Basisplatte 13a ausgebildet ist.
Der Halbleiter-Drucksensorchip 1 ist mit der Halterung 2 auf
der zweiten Basisplatte 13b angebracht.
Bei dem Halbleiter-Drucksensor der vorstehend beschriebenen
Ausführungsform, der in der vorstehend angegebenen Weise her
gestellt ist, besteht die Basisplatte 13 aus der ersten Basis
platte 13a und der zweiten Basisplatte 13b, und der Durchmes
ser des Steges 16 der ersten Basisplatte 13a, auf den die
zweite Basisplatte 13b geschweißt ist, ist kleiner als der
Durchmesser des Steges 6 des Körpers 4a ausgebildet, auf den
die erste Basisplatte 13a geschweißt ist. Damit kann eine
Formänderung der zweiten Basisplatte 13b kleiner als eine
durch eine äußere Kraft bewirkte Formänderung der ersten
Basisplatte 13a gemacht werden, und somit können verschiedene
vorteilhafte Wirkungen erzielt werden, wie es nachstehend be
schrieben ist.
- 1. Der Halbleiter-Drucksensor kann, auch wenn er einen rela tiv hohen Druck mißt, die Formänderung der zweiten Basisplatte 13b, die durch den Druck bewirkt wird, verringern und ist da her imstande, den hohen Druck ohne einen durch eine Formände rung der Basisplatte 13 bewirkten Fehler zu messen.
- 2. Bei dem Halbleiter-Drucksensor kann die Formänderung der zweiten Basisplatte 13b, die durch Beanspruchungen aufgrund von Stoß oder Wärme bewirkt wird, die beim Schweißen erzeugt werden, verringert werden. Daher ist es möglich, ein Brechen der Verbindung zwischen der Halterung 2 und der Basisplatte 13 zu verhindern. Dabei kann der Halbleiter-Drucksensor gemäß dieser Ausführungsform durch das Buckelschweißen, das zeitspa render als das Laserschweißen und andere Verfahren ist, kostengünstiger hergestellt werden.
Bei dem Halbleiter-Drucksensor der beschriebenen Ausführungs
form ist es bevorzugt, den Durchmesser des Steges 16, der auf
der ersten Basisplatte 13a ausgebildet ist, kleiner als den
Durchmesser der Halterung 2 auszubilden, wie Fig. 3 zeigt, um
die durch die äußere Kraft bewirkte Formänderung der zweiten
Basisplatte 13b wirksam zu minimieren.
Claims (2)
1. Halbleiter-Druckmeßvorrichtung,
die folgendes aufweist:
ein Gehäuse, das ein Druckeinleitungsloch (40) hat;
eine Basisplatte (13), die ein erstes Durchgangsloch (31a) in ihrer Mitte hat und an ihrem Umfang mit der Innenseite des Gehäuses verbunden ist, so daß das erste Durchgangsloch (31a) mit dem Druckeinleitungsloch (40) im wesentlichen konzentrisch ist;
eine Halterung (2), die ein zweites Durchgangsloch (31b) in ihrer Mitte hat und so auf der Basisplatte (13) ange bracht ist, daß das zweite Durchgangsloch (31b) mit dem ersten Durchgangsloch (31a) im wesentlichen konzentrisch ist, und innerhalb von dem Verbindungsbereich des Gehäuses und der Basisplatte (13) angeordnet ist; und
einen Halbleiter-Drucksensorchip (1), der auf der Halte rung (2) angebracht ist, um einen Druck, der durch das in dem Gehäuse gebildete Druckeinleitungsloch (40), das erste Durchgangsloch (31a) und das zweite Durchgangsloch (31b) eingeleitet wird, zu messen;
dadurch gekennzeichnet,
daß die Basisplatte (13) folgendes aufweist:
eine erste Basisplatte (13a), die am Umfang ihrer unteren Oberfläche auf das Gehäuse gebondet ist, und eine zweite Basisplatte (13b), die auf die erste Basisplatte (13a) innerhalb des Umfangs der oberen Oberfläche der ersten Basisplatte (13a) gebondet ist, und wobei der Halbleiter- Drucksensorchip (1) mittels der Halterung (2) auf der zweiten Basisplatte (13b) angebracht ist.
die folgendes aufweist:
ein Gehäuse, das ein Druckeinleitungsloch (40) hat;
eine Basisplatte (13), die ein erstes Durchgangsloch (31a) in ihrer Mitte hat und an ihrem Umfang mit der Innenseite des Gehäuses verbunden ist, so daß das erste Durchgangsloch (31a) mit dem Druckeinleitungsloch (40) im wesentlichen konzentrisch ist;
eine Halterung (2), die ein zweites Durchgangsloch (31b) in ihrer Mitte hat und so auf der Basisplatte (13) ange bracht ist, daß das zweite Durchgangsloch (31b) mit dem ersten Durchgangsloch (31a) im wesentlichen konzentrisch ist, und innerhalb von dem Verbindungsbereich des Gehäuses und der Basisplatte (13) angeordnet ist; und
einen Halbleiter-Drucksensorchip (1), der auf der Halte rung (2) angebracht ist, um einen Druck, der durch das in dem Gehäuse gebildete Druckeinleitungsloch (40), das erste Durchgangsloch (31a) und das zweite Durchgangsloch (31b) eingeleitet wird, zu messen;
dadurch gekennzeichnet,
daß die Basisplatte (13) folgendes aufweist:
eine erste Basisplatte (13a), die am Umfang ihrer unteren Oberfläche auf das Gehäuse gebondet ist, und eine zweite Basisplatte (13b), die auf die erste Basisplatte (13a) innerhalb des Umfangs der oberen Oberfläche der ersten Basisplatte (13a) gebondet ist, und wobei der Halbleiter- Drucksensorchip (1) mittels der Halterung (2) auf der zweiten Basisplatte (13b) angebracht ist.
2. Halbleiter-Druckmeßvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Verbindung zwischen der ersten Basisplatte (13a)
und der zweiten Basisplatte (13b) innerhalb des Umfangs
der Halterung (2) angeordnet ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10025446A JPH11223568A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 半導体圧力検出装置 |
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---|---|
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DE19848256C2 true DE19848256C2 (de) | 2002-08-08 |
Family
ID=12166244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19848256A Expired - Fee Related DE19848256C2 (de) | 1998-02-06 | 1998-10-20 | Halbleiter-Druckmeßvorrichtung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6021673A (de) |
JP (1) | JPH11223568A (de) |
DE (1) | DE19848256C2 (de) |
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