JPH06125096A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPH06125096A JPH06125096A JP4272015A JP27201592A JPH06125096A JP H06125096 A JPH06125096 A JP H06125096A JP 4272015 A JP4272015 A JP 4272015A JP 27201592 A JP27201592 A JP 27201592A JP H06125096 A JPH06125096 A JP H06125096A
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- semiconductor pressure
- metal
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザ再結晶化法によりシリコン単結晶から
なる拡散ゲージ抵抗を形成した半導体圧力センサを得る
ことを目的とする。 【構成】 レーザ再結晶化法により作製したＳＯＩ形の
半導体圧力センサチップ１がパイレックスガラス台座１
６に陽極接合され、この接合物が金属ヘッダ３１に高温
ロウ材３４により実装されている。半導体圧力センサチ
ップ１内の拡散ゲージ抵抗１２は、金属配線１４、金属
細線１９を介して、アウターリードピン１８に電気的に
接続されている。 【効果】 ２００℃〜３００℃の高温での動作が可能
で、かつ、圧力導入管３２を含む外装部と電気的出力端
子であるアウターリードピン１８間の電気絶縁耐力は１
５００Ｖ〜２０００Ｖを達成できる。
なる拡散ゲージ抵抗を形成した半導体圧力センサを得る
ことを目的とする。 【構成】 レーザ再結晶化法により作製したＳＯＩ形の
半導体圧力センサチップ１がパイレックスガラス台座１
６に陽極接合され、この接合物が金属ヘッダ３１に高温
ロウ材３４により実装されている。半導体圧力センサチ
ップ１内の拡散ゲージ抵抗１２は、金属配線１４、金属
細線１９を介して、アウターリードピン１８に電気的に
接続されている。 【効果】 ２００℃〜３００℃の高温での動作が可能
で、かつ、圧力導入管３２を含む外装部と電気的出力端
子であるアウターリードピン１８間の電気絶縁耐力は１
５００Ｖ〜２０００Ｖを達成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体圧力センサ、
特に、レーザ再結晶化法によりシリコン基板の酸化膜上
にシリコン単結晶からなる拡散ゲージ抵抗を形成したＳ
ＯＩ形の半導体圧力センサに関するものである。
特に、レーザ再結晶化法によりシリコン基板の酸化膜上
にシリコン単結晶からなる拡散ゲージ抵抗を形成したＳ
ＯＩ形の半導体圧力センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来のレーザ再結晶化法による
ＳＯＩ（Ｓilicon Ｏn Ｉnsulator）形半導体圧力セン
サを示す概略側断面図である。図において、シリコン基
板１１上には、シーズホール１１ａを除き酸化膜１０で
覆われており、この酸化膜１０及びシーズホール１１ａ
上には、酸化膜層１３が形成されている。シリコン基板
１１のほぼ中央の酸化膜１０上には、拡散ゲージ抵抗１
２が形成されており、金属配線１４を介して、金属細線
１９例えばＡｕ又はＡｌ細線に電気的接続されている。
金属細線１９は、インナーリードピン１７に接続され、
外部回路（図示しない）接続用のアウターリードピン１
８に電気的に接続されている。なお、リードピンは、便
宜上インナーリードピン１７及びアウターリードピン１
８として示してある。アウターリードピン１８は、絶縁
材３１ａ例えば封止ガラスによって、金属ヘッダ３１に
固定されている。また、拡散ゲージ抵抗１２及び金属配
線１４の表面は、ガラスコート１５により保護されてい
る。
ＳＯＩ（Ｓilicon Ｏn Ｉnsulator）形半導体圧力セン
サを示す概略側断面図である。図において、シリコン基
板１１上には、シーズホール１１ａを除き酸化膜１０で
覆われており、この酸化膜１０及びシーズホール１１ａ
上には、酸化膜層１３が形成されている。シリコン基板
１１のほぼ中央の酸化膜１０上には、拡散ゲージ抵抗１
２が形成されており、金属配線１４を介して、金属細線
１９例えばＡｕ又はＡｌ細線に電気的接続されている。
金属細線１９は、インナーリードピン１７に接続され、
外部回路（図示しない）接続用のアウターリードピン１
８に電気的に接続されている。なお、リードピンは、便
宜上インナーリードピン１７及びアウターリードピン１
８として示してある。アウターリードピン１８は、絶縁
材３１ａ例えば封止ガラスによって、金属ヘッダ３１に
固定されている。また、拡散ゲージ抵抗１２及び金属配
線１４の表面は、ガラスコート１５により保護されてい
る。
【０００３】シリコン基板１１の裏面には、ダイヤフラ
ム２が形成されており、シリコン基板１１はシリコン台
座２１を介して金属ヘッダ３１に固着されている。シリ
コン台座２１及び金属ヘッダ３１には、それぞれ貫通孔
２１ａ及び３１ｂが設けられており、これらの貫通孔２
１ａ、３１ｂに連通して、圧力導入管３２が金属ヘッダ
３１に接続されている。金属ヘッダ３１には、上記半導
体圧力センサチップ１、シリコン台座２１や金属細線１
９等を覆う金属キャップ３３が設けられている。
ム２が形成されており、シリコン基板１１はシリコン台
座２１を介して金属ヘッダ３１に固着されている。シリ
コン台座２１及び金属ヘッダ３１には、それぞれ貫通孔
２１ａ及び３１ｂが設けられており、これらの貫通孔２
１ａ、３１ｂに連通して、圧力導入管３２が金属ヘッダ
３１に接続されている。金属ヘッダ３１には、上記半導
体圧力センサチップ１、シリコン台座２１や金属細線１
９等を覆う金属キャップ３３が設けられている。
【０００４】従来の半導体圧力センサは上述したように
構成され、以下のようにして製造される。まず、シリコ
ン基板１１の表面に凸状のシーズ（Ｓeeds）部（シーズ
ホール１１ａ）を形成し、シリコン基板１１表面に酸化
膜１０を形成する。この酸化膜１０上にポリシリコン層
（図示しない）、窒化膜層（図示しない）を順次堆積し
た後、レーザ光線を照射、走査して、ポリシリコン層を
溶融再結晶化することによって、シーズホール１１ａの
部分と同じ結晶方位を持ったシリコン単結晶が得られ
る。
構成され、以下のようにして製造される。まず、シリコ
ン基板１１の表面に凸状のシーズ（Ｓeeds）部（シーズ
ホール１１ａ）を形成し、シリコン基板１１表面に酸化
膜１０を形成する。この酸化膜１０上にポリシリコン層
（図示しない）、窒化膜層（図示しない）を順次堆積し
た後、レーザ光線を照射、走査して、ポリシリコン層を
溶融再結晶化することによって、シーズホール１１ａの
部分と同じ結晶方位を持ったシリコン単結晶が得られ
る。
【０００５】次に、拡散ゲージ抵抗１２となる部分を残
して上記単結晶シリコン層を除去し、その残留シリコン
単結晶にボロンやリンなどの不純物を注入して、複数個
の拡散ゲージ抵抗１２とする。この複数の拡散ゲージ抵
抗１２を相互に金属配線１４により結線した後、拡散ゲ
ージ抵抗１２に対応する位置のシリコン基板１１裏面を
等方性エッチング又は異方性エッチングにより除去し、
ダイヤフラム２を形成してＳＯＩ形の半導体圧力センサ
チップ１とする。以上のようなレーザ再結晶化法による
ＳＯＩ形の半導体圧力センサチップは、例えば特開平４
−７６９５９号公報に記載されている。
して上記単結晶シリコン層を除去し、その残留シリコン
単結晶にボロンやリンなどの不純物を注入して、複数個
の拡散ゲージ抵抗１２とする。この複数の拡散ゲージ抵
抗１２を相互に金属配線１４により結線した後、拡散ゲ
ージ抵抗１２に対応する位置のシリコン基板１１裏面を
等方性エッチング又は異方性エッチングにより除去し、
ダイヤフラム２を形成してＳＯＩ形の半導体圧力センサ
チップ１とする。以上のようなレーザ再結晶化法による
ＳＯＩ形の半導体圧力センサチップは、例えば特開平４
−７６９５９号公報に記載されている。
【０００６】こうして作製された半導体圧力センサチッ
プ１の裏面には、ダイヤフラム２のリム部２ａにＡu／
Ｓiの共晶半田層又はＣr／Ｎi／Ａuなどの多層構造メタ
ライズ層２ｂを形成する。一方、シリコン単結晶から成
る高さ２〜４ｍｍのシリコン台座２１の両面には、Ａu
／Ｓiの共晶半田層又はＣr／Ｎi／Ａuなどの多層メタラ
イズ層を形成する。次に、半導体圧力センサチップ１の
裏面とシリコン台座２１の一方の面を対向させ、これら
を接合する。さらに、シリコン台座２１の他方の面と圧
力導入管３２が接合された金属ヘッダ３１とを、Ａu／
Ｓi共晶半田やＰb／Ｓn半田３４を用いて固着する。そ
の後、Ａu細線やＡl細線等の金属細線１９で圧力センサ
チップのボンディングパッド１４ａとインナーリードピ
ン１７をワイヤボンドして電気的に接続する。次いで、
金属キャップ３３を金属ヘッダ３１に溶接して再結晶化
方式のＳＯＩ形半導体圧力センサとしていた。なお、金
属ヘッダ３１、圧力導入管３２、金属キャップ３３及び
アウターリードピン１８により、外装が構成されてい
る。ここで、金属キャップ３３を真空中で金属ヘッダ３
１に溶接すれば絶対圧形の圧力センサができ、金属キャ
ップ３３の頂部に穴をあけておき、大気中で溶接すれば
ゲージ圧形の圧力センサができる。
プ１の裏面には、ダイヤフラム２のリム部２ａにＡu／
Ｓiの共晶半田層又はＣr／Ｎi／Ａuなどの多層構造メタ
ライズ層２ｂを形成する。一方、シリコン単結晶から成
る高さ２〜４ｍｍのシリコン台座２１の両面には、Ａu
／Ｓiの共晶半田層又はＣr／Ｎi／Ａuなどの多層メタラ
イズ層を形成する。次に、半導体圧力センサチップ１の
裏面とシリコン台座２１の一方の面を対向させ、これら
を接合する。さらに、シリコン台座２１の他方の面と圧
力導入管３２が接合された金属ヘッダ３１とを、Ａu／
Ｓi共晶半田やＰb／Ｓn半田３４を用いて固着する。そ
の後、Ａu細線やＡl細線等の金属細線１９で圧力センサ
チップのボンディングパッド１４ａとインナーリードピ
ン１７をワイヤボンドして電気的に接続する。次いで、
金属キャップ３３を金属ヘッダ３１に溶接して再結晶化
方式のＳＯＩ形半導体圧力センサとしていた。なお、金
属ヘッダ３１、圧力導入管３２、金属キャップ３３及び
アウターリードピン１８により、外装が構成されてい
る。ここで、金属キャップ３３を真空中で金属ヘッダ３
１に溶接すれば絶対圧形の圧力センサができ、金属キャ
ップ３３の頂部に穴をあけておき、大気中で溶接すれば
ゲージ圧形の圧力センサができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したような半導体
圧力センサでは、圧力導入管３２を含む外装とアウター
リードピン１８の間は、拡散ゲージ抵抗１２がシリコン
基板１１の酸化膜１０上に形成されているので電気的に
絶縁されている。しかし、レーザ再結晶化時に必要なシ
ーズホール１１ａと拡散ゲージ抵抗１２との間に介在す
る酸化膜層１３だけで絶縁されており、シーズホール１
１ａ端と拡散ゲージ抵抗１２部端との距離が５０μｍ程
度しかないため、この間で１５０Ｖ〜２００Ｖの電圧で
絶縁破壊してしまうという問題点があった。
圧力センサでは、圧力導入管３２を含む外装とアウター
リードピン１８の間は、拡散ゲージ抵抗１２がシリコン
基板１１の酸化膜１０上に形成されているので電気的に
絶縁されている。しかし、レーザ再結晶化時に必要なシ
ーズホール１１ａと拡散ゲージ抵抗１２との間に介在す
る酸化膜層１３だけで絶縁されており、シーズホール１
１ａ端と拡散ゲージ抵抗１２部端との距離が５０μｍ程
度しかないため、この間で１５０Ｖ〜２００Ｖの電圧で
絶縁破壊してしまうという問題点があった。
【０００８】また、冷媒圧測定用の圧力センサなどで
は、アウターリードピン１８と外装との間の絶縁耐力と
して、１５００Ｖ〜２０００Ｖを要求される。再結晶化
法によるＳＯＩ形半導体圧力センサは、ｐ−ｎ接合を用
いた半導体圧力センサとは異なり、２００℃〜３００℃
での高温動作が可能であるという特徴を有するが（ｐ−
ｎ接合形半導体圧力センサでは、１７５℃以上で接合リ
ークが増大し使用不可となる）、拡散ゲージ抵抗と外装
との絶縁耐力が不十分なため、高温動作時の性能が十分
に発揮できないという問題があった。この発明は、この
ような問題点を解決するためになされたもので、高温で
の動作が可能で、かつ、高い電気絶縁耐力を有する半導
体圧力センサを得ることを目的とする。
は、アウターリードピン１８と外装との間の絶縁耐力と
して、１５００Ｖ〜２０００Ｖを要求される。再結晶化
法によるＳＯＩ形半導体圧力センサは、ｐ−ｎ接合を用
いた半導体圧力センサとは異なり、２００℃〜３００℃
での高温動作が可能であるという特徴を有するが（ｐ−
ｎ接合形半導体圧力センサでは、１７５℃以上で接合リ
ークが増大し使用不可となる）、拡散ゲージ抵抗と外装
との絶縁耐力が不十分なため、高温動作時の性能が十分
に発揮できないという問題があった。この発明は、この
ような問題点を解決するためになされたもので、高温で
の動作が可能で、かつ、高い電気絶縁耐力を有する半導
体圧力センサを得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
圧力センサは、レーザ再結晶法により作製したＳＯＩ形
の半導体圧力センサチップを用い、この半導体圧力セン
サチップのシリコン基板の一方の面に陽極接合により接
着されると共に、半導体圧力センサチップのダイヤフラ
ムに対応した位置に貫通孔を有するパイレックスガラス
台座を使用したものである。
圧力センサは、レーザ再結晶法により作製したＳＯＩ形
の半導体圧力センサチップを用い、この半導体圧力セン
サチップのシリコン基板の一方の面に陽極接合により接
着されると共に、半導体圧力センサチップのダイヤフラ
ムに対応した位置に貫通孔を有するパイレックスガラス
台座を使用したものである。
【００１０】
【作用】この発明においては、リードピンと外装との電
気絶縁が半導体圧力センサチップ部分だけでなく、パイ
レックスガラス台座でもとれるため、１５００Ｖ〜２０
００Ｖの電気絶縁耐力が確保されると共に、レーザ再結
晶化方式により作製したＳＯＩ形の半導体圧力センサチ
ップを用いているので、２００℃〜３００℃の高温での
動作が可能である。
気絶縁が半導体圧力センサチップ部分だけでなく、パイ
レックスガラス台座でもとれるため、１５００Ｖ〜２０
００Ｖの電気絶縁耐力が確保されると共に、レーザ再結
晶化方式により作製したＳＯＩ形の半導体圧力センサチ
ップを用いているので、２００℃〜３００℃の高温での
動作が可能である。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図に基づいて説
明する。図１は、この発明の一実施例による半導体圧力
センサを示す概略側断面図である。なお、各図中、同一
符号は同一又は相当部分を示している。図１において、
シリコン基板１１の下には、パイレックスガラス台座１
６が設けられている。次に、この半導体圧力センサの製
造手順について説明する。Ｎ形のシリコン基板１１を用
意し、このシリコン基板１１上にシーズホール１１ａを
残して酸化膜１０を熱酸化により形成する。次に、シリ
コン基板１１上の全面にポリシリコン層（図示しない）
を５０００Å堆積し、この上にさらに厚さ５００Åの窒
化膜（図示しない）をストライプ状に形成してレーザ光
線の反射防止膜とした後、ポリシリコン層全面にアルゴ
ンレーザ光線を照射、走査させる。アルゴンレーザ光線
が照射された部分のポリシリコン層は溶融し、アルゴン
レーザ光線の照射が終わると再び固まるが、この時シー
ズホール１１ａの部分と同じ結晶方位をもって単結晶化
して固化する。この後、窒化膜からなる反射防止膜を除
去する。
明する。図１は、この発明の一実施例による半導体圧力
センサを示す概略側断面図である。なお、各図中、同一
符号は同一又は相当部分を示している。図１において、
シリコン基板１１の下には、パイレックスガラス台座１
６が設けられている。次に、この半導体圧力センサの製
造手順について説明する。Ｎ形のシリコン基板１１を用
意し、このシリコン基板１１上にシーズホール１１ａを
残して酸化膜１０を熱酸化により形成する。次に、シリ
コン基板１１上の全面にポリシリコン層（図示しない）
を５０００Å堆積し、この上にさらに厚さ５００Åの窒
化膜（図示しない）をストライプ状に形成してレーザ光
線の反射防止膜とした後、ポリシリコン層全面にアルゴ
ンレーザ光線を照射、走査させる。アルゴンレーザ光線
が照射された部分のポリシリコン層は溶融し、アルゴン
レーザ光線の照射が終わると再び固まるが、この時シー
ズホール１１ａの部分と同じ結晶方位をもって単結晶化
して固化する。この後、窒化膜からなる反射防止膜を除
去する。
【００１２】次に、上記再結晶化層を拡散ゲージ抵抗１
２となる部分を複数（通常４本）残してエッチング除去
する。残った再結晶化層に不純物（例えばボロン）を公
知のイオン注入法により注入し、その後熱処理を施し、
酸化膜１０上に拡散ゲージ抵抗１２を電気的にシリコン
基板１１と絶縁された状態で形成する。次いで、（高
温）酸化膜１３を形成し、拡散ゲージ抵抗１２の端部に
はコンタクトホール１２ａを写真製版技術により開孔す
る。このコンタクトホール１２ａからチップ外周近傍ま
でをアルミニウム等により金属配線１４を形成した後、
ボンディングパッド１４ａ部分を残してガラスコート１
５で金属配線１４を保護する。最後にシリコン基板１１
の裏面から拡散ゲージ抵抗１２が配置されている領域を
シリコンエッチングし、ダイヤフラム２を形成する。こ
うして作製した半導体圧力センサチップのシリコン基板
１１と拡散ゲージ抵抗１２間の電気絶縁耐力は、シーズ
ホールと拡散ゲージ抵抗１２との距離が５０μｍ程度し
かないため、１５０Ｖ〜２００Ｖ程度しかない。そこ
で、さらに電気絶縁耐力を高めるため、この発明では片
面にＣr／Ｎi／Ａuなどの多層メタライズ層を形成し貫
通孔を有するパイレックスガラス台座１６を用いたもの
である。従って、パイレックスガラス台座１６によって
電気的な絶縁が図られるので、１５００Ｖ〜２０００Ｖ
の絶縁耐力を達成することができる。なお、アウターリ
ードピン１８と金属ヘッダ３１との絶縁耐力は、半導体
圧力センサチップ１とパイレックスガラス台座１６との
絶縁耐力に比べ、１.２倍以上あることが望ましい。
２となる部分を複数（通常４本）残してエッチング除去
する。残った再結晶化層に不純物（例えばボロン）を公
知のイオン注入法により注入し、その後熱処理を施し、
酸化膜１０上に拡散ゲージ抵抗１２を電気的にシリコン
基板１１と絶縁された状態で形成する。次いで、（高
温）酸化膜１３を形成し、拡散ゲージ抵抗１２の端部に
はコンタクトホール１２ａを写真製版技術により開孔す
る。このコンタクトホール１２ａからチップ外周近傍ま
でをアルミニウム等により金属配線１４を形成した後、
ボンディングパッド１４ａ部分を残してガラスコート１
５で金属配線１４を保護する。最後にシリコン基板１１
の裏面から拡散ゲージ抵抗１２が配置されている領域を
シリコンエッチングし、ダイヤフラム２を形成する。こ
うして作製した半導体圧力センサチップのシリコン基板
１１と拡散ゲージ抵抗１２間の電気絶縁耐力は、シーズ
ホールと拡散ゲージ抵抗１２との距離が５０μｍ程度し
かないため、１５０Ｖ〜２００Ｖ程度しかない。そこ
で、さらに電気絶縁耐力を高めるため、この発明では片
面にＣr／Ｎi／Ａuなどの多層メタライズ層を形成し貫
通孔を有するパイレックスガラス台座１６を用いたもの
である。従って、パイレックスガラス台座１６によって
電気的な絶縁が図られるので、１５００Ｖ〜２０００Ｖ
の絶縁耐力を達成することができる。なお、アウターリ
ードピン１８と金属ヘッダ３１との絶縁耐力は、半導体
圧力センサチップ１とパイレックスガラス台座１６との
絶縁耐力に比べ、１.２倍以上あることが望ましい。
【００１３】さらに、半導体圧力センサチップ１の裏面
（シリコンの地肌が露出している）と貫通孔を有するパ
イレックスガラス台座１６のメタライズ層が形成されて
いない面を対向させ、公知の陽極接合技術を用いてシリ
コン基板１１とパイレックスガラス台座１６の直接接合
を行う。このようにして得た半導体圧力センサチップ１
とパイレックス台座１６との接合体を、圧力導入管３２
を有する金属ヘッダ３１にＡu／Ｓi半田などの高温ロウ
材３４で半田ダイボンドする。次に、半導体圧力センサ
チップ１のボンディングパッド１４ａと、金属ヘッダ３
１に絶縁材３１ａで固定されたインナーリードピン１７
とを金属細線１９でワイヤボンドし、アウターリードピ
ン１８と拡散ゲージ抵抗１２とを電気的に接続する。次
いで、金属ヘッダ３１に真空中で金属キャップ３３を溶
接することによって、絶対圧形の再結晶化法によるＳＯ
Ｉ形の半導体圧力センサが製造できる。
（シリコンの地肌が露出している）と貫通孔を有するパ
イレックスガラス台座１６のメタライズ層が形成されて
いない面を対向させ、公知の陽極接合技術を用いてシリ
コン基板１１とパイレックスガラス台座１６の直接接合
を行う。このようにして得た半導体圧力センサチップ１
とパイレックス台座１６との接合体を、圧力導入管３２
を有する金属ヘッダ３１にＡu／Ｓi半田などの高温ロウ
材３４で半田ダイボンドする。次に、半導体圧力センサ
チップ１のボンディングパッド１４ａと、金属ヘッダ３
１に絶縁材３１ａで固定されたインナーリードピン１７
とを金属細線１９でワイヤボンドし、アウターリードピ
ン１８と拡散ゲージ抵抗１２とを電気的に接続する。次
いで、金属ヘッダ３１に真空中で金属キャップ３３を溶
接することによって、絶対圧形の再結晶化法によるＳＯ
Ｉ形の半導体圧力センサが製造できる。
【００１４】なお、上述した実施例では、絶対圧形の半
導体圧力センサを示したが、金属キャップ３３の頂部に
穴を明けておき、大気中で金属ヘッダ３１を溶接するこ
とによって、ゲージ圧形の半導体圧力センサを得ること
ができる。また、シリコン基板１１の裏面側からシリコ
ン基板１１を均一にラッピング除去により削り取り、半
導体圧力センサチップ１全体の厚さを酸化膜１０の厚さ
近くまで薄くしても良い。
導体圧力センサを示したが、金属キャップ３３の頂部に
穴を明けておき、大気中で金属ヘッダ３１を溶接するこ
とによって、ゲージ圧形の半導体圧力センサを得ること
ができる。また、シリコン基板１１の裏面側からシリコ
ン基板１１を均一にラッピング除去により削り取り、半
導体圧力センサチップ１全体の厚さを酸化膜１０の厚さ
近くまで薄くしても良い。
【００１５】
【発明の効果】この発明は以上説明したとおり、レーザ
再結晶化法により作製され、一方の面にダイヤフラムが
形成されたシリコン基板及びこのシリコン基板の他方の
面に酸化膜を介して形成された拡散ゲージ抵抗を有する
ＳＯＩ形の半導体圧力センサチップと、この半導体圧力
センサチップのシリコン基板の上記一方の面に陽極接合
により接着されると共に、上記半導体圧力センサチップ
のダイヤフラムに対応した位置に貫通孔を有するパイレ
ックスガラス台座と、このパイレックスガラス台座に接
合され、上記パイレックスガラス台座の貫通孔に連通し
た貫通孔を有する金属ヘッダと、上記拡散ゲージ抵抗に
電気的に接続された金属細線と、この金属細線に電気的
に接続され、上記金属ヘッダに絶縁されて固定されたリ
ードピンと、上記半導体圧力センサチップ、上記パイレ
ックスガラス台座、上記金属細線及び上記リードピンを
覆って上記金属ヘッダに設けられた金属キャップとを備
えたので、電気絶縁耐力が１５００Ｖ〜２０００Ｖであ
り、同時に２００℃〜３００℃の高温での動作が可能で
あり、冷媒圧測定用の圧力センサとしても対応できると
いう効果を奏する。
再結晶化法により作製され、一方の面にダイヤフラムが
形成されたシリコン基板及びこのシリコン基板の他方の
面に酸化膜を介して形成された拡散ゲージ抵抗を有する
ＳＯＩ形の半導体圧力センサチップと、この半導体圧力
センサチップのシリコン基板の上記一方の面に陽極接合
により接着されると共に、上記半導体圧力センサチップ
のダイヤフラムに対応した位置に貫通孔を有するパイレ
ックスガラス台座と、このパイレックスガラス台座に接
合され、上記パイレックスガラス台座の貫通孔に連通し
た貫通孔を有する金属ヘッダと、上記拡散ゲージ抵抗に
電気的に接続された金属細線と、この金属細線に電気的
に接続され、上記金属ヘッダに絶縁されて固定されたリ
ードピンと、上記半導体圧力センサチップ、上記パイレ
ックスガラス台座、上記金属細線及び上記リードピンを
覆って上記金属ヘッダに設けられた金属キャップとを備
えたので、電気絶縁耐力が１５００Ｖ〜２０００Ｖであ
り、同時に２００℃〜３００℃の高温での動作が可能で
あり、冷媒圧測定用の圧力センサとしても対応できると
いう効果を奏する。
【図１】この発明の一実施例による半導体圧力センサを
示す概略側断面図である。
示す概略側断面図である。
【図２】従来の半導体圧力センサを示す概略側断面図で
ある。
ある。
１ 半導体圧力センサチップ ２ ダイヤフラム １０ 酸化膜 １１ シリコン基板 １１ａ シーズホール １２ 拡散ゲージ抵抗 １２ａ コンタクトホール １３ 酸化膜層 １４ 金属配線 １４ａ ボンディングパッド １５ ガラスコート １６ パイレックスガラス台座 １７ インナーリードピン １８ アウターリードピン １９ 金属細線 ２１ａ 貫通孔 ３１ 金属ヘッダ ３１ａ 絶縁材 ３１ｂ 貫通孔 ３２ 圧力導入管 ３３ 金属キャップ ３４ 高温ロウ材
Claims (1)
- 【請求項１】 レーザ再結晶化法により作製され、一方
の面にダイヤフラムが形成されたシリコン基板及びこの
シリコン基板の他方の面に酸化膜を介して形成された拡
散ゲージ抵抗を有するＳＯＩ形の半導体圧力センサチッ
プと、 この半導体圧力センサチップのシリコン基板の上記一方
の面に陽極接合により接着されると共に、上記半導体圧
力センサチップのダイヤフラムに対応した位置に貫通孔
を有するパイレックスガラス台座と、 このパイレックスガラス台座に接合され、上記パイレッ
クスガラス台座の貫通孔に連通した貫通孔を有する金属
ヘッダと、 上記拡散ゲージ抵抗に電気的に接続された金属細線と、 この金属細線に電気的に接続され、上記金属ヘッダに絶
縁されて固定されたリードピンと、 上記半導体圧力センサチップ、上記パイレックスガラス
台座、上記金属細線及び上記リードピンを覆って上記金
属ヘッダに設けられた金属キャップとを備えたことを特
徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4272015A JPH06125096A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4272015A JPH06125096A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06125096A true JPH06125096A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=17507946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4272015A Pending JPH06125096A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06125096A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6021673A (en) * | 1998-02-06 | 2000-02-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor pressure detecting device |
| US6127713A (en) * | 1998-02-17 | 2000-10-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor pressure detecting device |
| WO2015045779A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 力学量測定装置及びその製造方法 |
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-
1992
- 1992-10-09 JP JP4272015A patent/JPH06125096A/ja active Pending
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