DE19846261C2 - Halbleiterspeicher und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Halbleiterspeicher sowie Verfahren zu dessen Herstellung. Spezieller betrifft die Erfindung einen Halbleiterspeicher und Verfahren zu dessen Herstellung, bei denen die Anhaftung der unteren Elektrode eines ferroelektrischen Planarkondensators verbessert ist und Interdiffusion zwischen einer als Kondensatorelektrode zu verwenden Pt- Shcicht und einer unter derselben liegenden Adhäsionsshccht verhindert ist.

Aus der US 5,475,248 ist bereits ein Halbleiterspeicher bekannt, bei dem auf einer Isolierschicht übereinanderliegend eine paraelektrische Schicht, eine leitende Schicht, eine ferroelektrische Schicht sowie eine weitere leitende Schicht vorgesehen sind.

Zudem ist es aus der US 5,099,305 bereits bekannt, eine ferroelektrische Schicht eines Kondensators für eine Halbleiterspeicherzelle gitterange­ paßt zu den Elektroden vorzusehen.

Im allgemeinen verringert sich die Fläche von Kondensatoren in einem Halbleiterspeicher, wenn die Integrationsdichte desselben zunimmt. Um eine Verringerung der Kapazität aufgrund einer Flächenverringerung ei­ nes Kondensators zu verhindern, wurde allmählich die Dicke der dielektri­ schen Schicht der Kondensatoren verringert. Jedoch bewirkt eine Ver­ ringerung der Dicke der dielektrischen Schicht eine Zunahme des Leckstroms durch Tunneln, was zu einer Beeinträchtigung der Zuverlässigkeit des Kondensators führt. Um eine extreme Verringerung der Dicke der dielektrischen Schicht zu verhin­ dern, wird in weitem Umfang ein Verfahren verwendet, bei dem der Speicherknoten des Kondensators über eine ungleichmäßige Oberfläche verfügt, um seine wirksame Fläche zu erhöhen. Außerdem wird als dielektrische Schicht des Kondensators eine Laminatstruktur aus Nitrid/Oxid oder Oxid/Nitrid/Oxid verwendet, wobei die jeweiligen Materialien eine hohe Di­ elektrizitätskonstante aufweisen. Jedoch führt diese Technik zu einer starken Stufenüberdeckung auf einem Substrat, was Photolithographie erschwert und die Herstellkosten erhöht. So kann das obige herkömmliche Verfahren schlecht bei hoch­ integrierten Bauteilen wie einem DRAM über 256 M angewandt werden.

Demgemäß wurde zum deutlichen Erhöhen der Kapazität eines Kondensators unter Vermeidung einer unebenen Oberfläche ein Verfahren vorgeschlagen und untersucht, bei dem die dielek­ trische Schicht des Kondensators aus einem Material mit ho­ her Dielektrizitätskonstante besteht. Vor allem wurde Ta₂O₅, ein Material mit hoher Dielektrizitätskonstante für Konden­ satoren, häufig untersucht. Dieses Material trägt zu einer Verringerung der Dicke der dielektrischen Schicht eines Kon­ densators, zu einer Verbesserung der Eigenschaften und zu einer Vergrößerung der Integration von Halbleiterspeichern bei. Jedoch kann nicht erwartet werden, dass Ta₂O₅ in weitem Umfang verwendet wird, da seine wirksame Dielektrizitätskon­ stante nicht ausreichend hoch ist. Demgemäß haben in jünge­ rer Zeit Ferroelektrika zunehmendes Interesse als in Halb­ leiterbauteilen verwendbares dielektrisches Material gefun­ den. Es existieren BTO(BaTiO₃), PZT[(Pb(Zr,Ti)O₃] und PLZT[(Pb,La)(Zr,Ti)O₃] als ferroelektrische Materialien.

Jedoch reagieren diese Materialien leicht mit Silizium oder Polysilizium. Ferner wird der Speicherknoten des Kondensa­ tors bei stark oxidierender Umgebung beim Prozess des Her­ stellens der dielektrischen Schicht des Kondensators aus dem oben genannten ferroelektrischen Material oxidiert. So exis­ tieren viele Forschungsvorhaben zum Lösen der Probleme, wie sie bei den aktuellen Fertigungsprozessen vorliegen.

Die Fig. 1A bis 1F sind Schnittansichten, die einen Her­ stellprozess für einen herkömmlichen Halbleiterspeicher ver­ anschaulichen. Gemäß Fig. 1A wird eine Feldoxidschicht 3 un­ ter Verwendung eines herkömmlichen Prozesses auf einem Halb­ leitersubstrat 1 hergestellt, in dem eine p-Wanne 2 ausge­ bildet ist, um das Substrat in einen aktiven Bereich und einen Feldbereich zu unterteilen. Gemäß Fig. 1B wird auf einem vorbestimmten Teil des aktiven Bereichs des Halblei­ tersubstrats 1 eine Gateelektrode 4 hergestellt, und in der p-Wanne 2, die zu beiden Seiten der Gateelektrode 4 liegt, werden stark n-dotierte Fremdstoffbereiche 5 ausgebildet, die als Source und Drain zu verwenden sind. In Fig. 1B be­ zeichnet die Bezugszahl 6 einen Seitenwand-Abstandshalter zum Schützen oder Isolieren der Gateelektrode 4.

Gemäß Fig. 1C wird auf der Gesamtfläche des Halbleitersub­ strats 1 einschließlich der Gateelektrode 4 eine erste Oxid­ schicht 7 hergestellt, und es werden eine Ti-Schicht 8 und eine untere Elektrode 9 aufeinanderfolgend auf einem vorbe­ stimmten Teil der ersten Oxidschicht 7, der auf der Feld­ oxidschicht 3 liegt, hergestellt. Die untere Elektrode 9 dient als erste Elektrode eines Kondensators, und sie wird aus Pt hergestellt, während die Ti-Schicht 8 dazu dient, die Adhäsion zwischen der unteren Elektrode 9 und der ersten Oxidschicht 7 zu verbessern. Anstelle der Ti-Schicht 7 kann eine Ta-Schicht verwendet werden. Die als untere Elektrode 9 verwendete Pt-Elektrode hat schlechte Adhäsion zur Oxidschicht. Daher wird zwischen dieser Pt-Elektrode und der Oxidschicht die Adhäsionsschicht aus Ti oder Ta hergestellt, um die Adhäsion zu verbessern.

Gemäß Fig. 1D wird auf der unteren Elektrode 9 eine ferro­ elektrische Schicht 10 hergestellt, auf der eine obere Elek­ trode 11 hergestellt wird, wodurch ein ferroelektrischer Planarkondensator erhalten ist. Danach wird auf der ersten Oxidschicht 7 einschließlich der oberen Elektrode 11 eine zweite Oxidschicht 12 hergestellt. Hierbei wird die ferro­ elektrische Schicht 10 aus BST[(Ba,Sr)TiO₃] hergestellt, und die obere Elektrode 11 wird aus Pt hergestellt. Gemäß Fig. 1E wird auf die zweite Oxidschicht 12 ein Photoresist PR aufgetragen, und dieser wird durch Belichtung und Entwick­ lung strukturiert, wodurch ein Teil des Photoresists ent­ fernt wird, der auf der oberen Elektrode 11 und den stark dotierten Fremdstoffbereichen 5 liegt. Dann werden ein Teil der zweiten Oxidschicht 12, die auf der oberen Elektrode 11 liegt, und Teile der ersten und zweiten Oxidschicht 12 und 7, die auf den stark dotierten Fremdstoffbereichen 5 liegen, selektiv mittels eines Ätzprozesses unter Verwendung des strukturierten Photoresists PR als Maske entfernt, wodurch die Oberflächen der oberen Elektrode 11 und der stark do­ tierten Fremdstoffbereiche 5 freigelegt werden.

Gemäß Fig. 1F wird, nachdem der Photoresist PR entfernt wur­ de, eine Sperrmetallschicht 13 auf der oberen Elektrode 11 einschließlich der zweiten Oxidschicht 12 und den stark do­ tierten Fremdstoffbereichen 5 hergestellt, und darauf wird eine Al-Schicht 14 hergestellt. Danach werden Teile der Sperrmetallschicht und der Al-Schicht 14, die auf der Gate­ elektrode 4 liegen, selektiv durch Photolithographie- und Ätzprozesse entfernt. Die Sperrmetallschicht 13 dient zum Verringern des Widerstands, wie er aufgrund eines direkten Kontakts zwischen der Al-Schicht 14 und dem Halbleitersubstrat 1 erzeugt würde.

Fig. 2A ist eine Schnittansicht eines anderen herkömmlichen Halbleiterspeichers, und Fig. 2B ist ein Schaltbild dessel­ ben. Gemäß Fig. 2A ist dieser Halbleiterspeicher so aufge­ baut, dass als Source- und Drainbereiche dienende stark do­ tierte Fremdstoffbereiche 21 in vorbestimmten Teilen eines Halbleitersubstrats 20 ausgebildet sind, eine Gateoxid­ schicht 23 als paraelektrische Schicht auf einem Kanalbe­ reich 22 ausgebildet ist, der zwischen den stark dotierten Fremdstoffbereichen 21 liegt, eine untere Elektrode 24 auf der Gateoxidschicht 23 ausgebildet ist, eine ferroelektri­ sche Schicht 25 auf der unteren Elektrode 24 ausgebildet ist und eine obere Elektrode 26 auf dieser ausgebildet ist. Die obere Elektrode 26 steht in Kontakt mit einer Gateelektrode (nicht dargestellt), die die Wortleitung des Halbleiterspei­ chers bildet.

Bei diesem Halbleiterspeicher muss die Betriebsspannung des­ selben für eine Polarisationsumkehr der ferroelektrischen Schicht 25 erhöht werden, da die Kapazitätsdifferenz zwi­ schen der Gateoxidschicht (paraelektrische Schicht) 23 und der ferroelektrischen Schicht 25 groß ist, wenn die Gate­ elektrode (nicht dargestellt) und der Kondensator mit Sta­ pelstruktur ausgebildet werden. Wenn eine hohe Spannung in einer Richtung an das Ferroelektrikum angelegt wird, wird sein Kristall polarisiert. Dieser Effekt verbleibt selbst dann, wenn keine Spannung mehr an das Ferroelektrikum ange­ legt ist.

Die Fig. 3A bis 3D sind Schnittansichten, die einen Her­ stellprozess für einen anderen herkömmlichen Halbleiterspei­ cher veranschaulichen. Dieser Halbleiterspeicher wurde vor­ geschlagen, um die Probleme beim oben genannten, in Fig. 2A dargestellten Halbleiterspeicher zu überwinden, und er ist auf solche Weise aufgebaut, dass die ferroelektrische Schicht kleiner als die Gateelektrode ausgebildet ist, um dem ferroelektrischen Kondensator und der Gateoxidschicht selbst bei niedriger Betriebsspannung eine für die Polarisa­ tionsumkehr ausreichende Spannung zuzuführen. Gemäß Fig. 3A wird eine Oxidschicht 31 auf einem Halbleitersubstrat 30 hergestellt und durch Photolithographie- und Ätzprozesse strukturiert, um ein Kontaktloch 32 auszubilden, das einen Teil des Halbleitersubstrats 30 freilegt. Hierbei wird ein als Source oder Drain dienender Fremdstoffbereich (nicht dargestellt) in einem Teil des Halbleitersubstrats 30 ausge­ bildet, der durch das Kontaktloch 32 freiliegt.

Gemäß Fig. 3B wird im Kontaktloch 32 ein Polysiliziumstopfen 33 hergestellt, auf dem ein Ti-Stopfen 34 hergestellt wird. Danach wird auf der gesamten Oberfläche der Oxidschicht 31 einschließlich dem Ti-Stopfen 34 eine TiN-Schicht 35 herge­ stellt und durch Photolithographie- und Ätzprozesse so strukturiert, dass sie nur auf einem Kondenatorbereich ver­ bleibt. Der Kondensatorbereich entspricht dem Kontaktloch 32 und einem Teil der Oxidschicht in unmittelbarer Nachbar­ schaft des Kontaktlochs. Die TiN-Schicht 35 ist eine Sperr­ metallschicht zum Verhindern von Siliziumdiffusion ausgehend vom Polysiliziumstopfen 33. Siliziumdiffusion bildet auf der unteren Elektrode des Kondensators, die im folgenden Prozess hergestellt wird, eine dünne Oxidschicht, was den Widerstand der unteren Elektrode erhöht und die Eigenschaften der fer­ roelektrischen Schicht beeinträchtigt. Um diese Probleme zu verhindern, werden der Polysiliziumstopfen 33 und der Ti- Stopfen 34 hergestellt, woraufhin auf dem letzteren eine Sperrmetallschicht wie die TiN-Schicht 35 hergestellt wird, bevor die untere Elektrode hergestellt wird.

Gemäß Fig. 3C wird auf der Oxidschicht 31 einschließlich der TiN-Schicht 35 eine Pt-Schicht hergestellt und so strukturiert, dass sie nur auf der TiN-Schicht 35 verbleibt, wo­ durch eine untere Elektrode 36 gebildet ist. Gemäß Fig. 3D wird auf der unteren Elektrode 36 und der Oxidschicht 31 eine ferroelektrische Schicht 37 hergestellt, und auf dieser wird eine obere Elektrode 38 aus Pt hergestellt, wodurch ein Stapelkondensator unter Verwendung eines Polysiliziumstop­ fens fertiggestellt ist. Hierbei wird die ferroelektrische Schicht 37 aus BST[(Ba,Sr)TiO₃] hergestellt. Der obengenann­ te herkömmliche Halbleiterspeicher verwendet eine ferroelek­ trische Schicht mit einer Dielektrizitätskonstante von unge­ fähr 2000 zusammen mit Pt-Elektroden, die kaum Leckstrom er­ zeugen, wodurch gute Eigenschaften erhalten sind.

Wie oben beschrieben, wird bei herkömmlichen Halbleiterspei­ chern eine Adhäsionsschicht aus Ti oder Ta zwischen der un­ teren Pt-Elektrode und der Oxidschicht hergestellt, um die Adhäsion zwischen diesen zu verbessern. Jedoch bestehen bei diesen Bauteile die folgenden Probleme. Erstens diffundiert Ti oder Ta, das die Sperrmetallschicht bildet, während eines Wärmezyklus bei über 600°C durch Korngrenzen in der unteren Elektrode (Pt), wodurch sich auf dieser TiO₂ ausbildet. Fer­ ner diffundiert O₂ in der ferroelektrischen Schicht, das die Korngrenzen in der Pt-Elektrode durchläuft, zwischen der aus Ti bestehenden Sperrmetallschicht und der unteren Elektrode, um zwischen diesen TiO₂ auszubilden. D. h., dass Interdiffu­ sion erzeugt wird, was den Widerstand der Pt-Elektrode und der Sperrmetallschicht erhöht und die ferroelektrischen Eigenschaften beeinträchtigt, was zu einer Verringerung der Zuverlässigkeit des Halbleiterspeichers führt. Darüber hin­ aus wird die Zwischenfläche der Pt-Elektrode in der stark oxidierenden Umgebung beim Prozess des Abscheidens des Fer­ roelektrikums oxidiert, wodurch eine Volumenexpansion der Pt-Elektrode auftritt. Bei diesem Prozess erzeugte Spannun­ gen in der Zwischenschicht könnten ein Ablösen der Pt-Elek­ trode hervorrufen, was ebenfalls die Zuverlässigkeit des Halbleiterspeichers beeinträchtigt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Halbleiter­ speicher und Verfahren zu dessen Herstellung zu schaffen, die sich durch gute Adhäsion zwischen Schichten und geringe Interdiffusion auszeichnen.

Diese Aufgabe ist hinsichtlich des Halbleiterspeichers durch die Lehre von Anspruch 1 und hinsichtlich der Verfahren durch die Lehren der unabhängigen Ansprüche 11 und 23 ge­ löst.

Gemäß der Erfindung wird unter der ersten Elektrode eine paraelektrische Schicht hergestellt, die hinsichtlich einer Gitteranpassung in Beziehung zur ersten Elektrode steht, die als Speicherknoten eines Kondensators dient. Durch diese paraelektrische Schicht ist die Adhäsion von Schichten eines ferroelektrischen Planarkondensators verbessert, und es ist Interdiffusion zwischen einer als Elektrode des Kondensators dienenden Pt-Schicht und einer unter dieser liegenden Adhä­ sionsschicht verhindert, wodurch insgesamt die Zuverlässig­ keit des Halbleiterspeichers verbessert ist.

Die Erfindung wird aus der nachfolgenden detaillierten Be­ schreibung und den beigefügten Zeichnungen, die nur zur Ver­ anschaulichung dienen und demgemäß für die Erfindung nicht beschränkend sind, vollständiger zu verstehen sein.

Fig. 1A bis 1F sind Schnittansichten zum Veranschaulichen eines Herstellprozesses für einen herkömmlichen Halbleiter­ speicher;

Fig. 2A ist eine Schnittansicht eines anderen herkömmlichen Halbleiterspeichers;

Fig. 2B ist ein Schaltbild des Halbleiterspeichers von Fig. 2A;

Fig. 3A bis 3D sind Schnittansichten zum Veranschaulichen eines Herstellprozesses für einen anderen herkömmlichen Halbleiterspeicher;

Fig. 4 ist eine Schnittansicht eines erfindungsgemäßen Halb­ leiterspeichers;

Fig. 5A bis 5F sind Schnittansichten, die einen Herstellpro­ zess für einen erfindungsgemäßen Halbleiterspeicher veran­ schaulichen;

Fig. 6 ist ein Röntgenbeugungs(XRD = X-Ray Diffraction)-Dia­ gramm, das ein Ergebnis zeigt, wie es dadurch erhalten wur­ de, dass Gitteranpassung mittels Rutherford-Streuspektrome­ trie (RBS = Rutherford Backscattering Spectrometry) gemessen wurde, wenn eine Pt-Elektrode auf einer Siliziumoxidschicht ausgebildet war;

Fig. 7 ist ein XRD-Diagramm, das ein Ergebnis zeigt, wie es dadurch erhalten wurde, dass Gitteranpassung mittels RBS ge­ messen wurde, wenn eine paraelektrische Schicht aus BSTO auf einer Siliziumoxidschicht hergestellt war;

Fig. 8 ist ein XRD-Diagramm, das ein Ergebnis zeigt, wie es dadurch erhalten wurde, dass Gitteranpassung mittels RBS ge­ messen wurde, wenn eine paraelektrische Schicht aus BSTO auf einer Siliziumoxidschicht hergestellt und eine Pt-Schicht auf dieser BSTO-Schicht ausgebildet waren; und

Fig. 9 ist ein XRD-Diagramm, das ein Ergebnis zeigt, wie es dadurch erhalten wurde, dass Gitteranpassung mittels RBS ge­ messen wurde, wenn eine paraelektrische Schicht aus BSTO auf einer Siliziumoxidschicht hergestellt, eine als erste Elek­ trode eines Kondensators zu verwendende Pt-Schicht auf der BSTO-Schicht und eine ferroelektrische Schicht auf der Pt- Schicht ausgebildet war.

Nun wird auf die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung Bezug genommen, von denen Beispiele in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind.

Gemäß Fig. 4 umfasst der erfindungsgemäße Halbleiterspeicher eine auf einem Substrat 40 hergestellte Isolierschicht 41, eine auf dieser hergestellte paraelektrische Schicht 42, eine wiederum auf dieser hergestellte erste Elektrode 43, eine auf dieser hergestellte ferroelektrische Schicht 44 so­ wie eine auf dieser hergestellte zweite Elektrode 45.

Die Isolierschicht 41 besteht aus einem amorphen Isolator, vorzugsweise aus einem Oxid und/oder einem Nitrid. Die erste und die zweite Elektrode 43 und 45 bestehen aus Pt oder Ir. Dies, da diese Materialien die Erzeugung von Leckströmen eingrenzen. Die paraelektrische Schicht 42 besteht aus einem Material, das hinsichtlich der Gitteranpassung in Beziehung zu Pt oder Ir steht, und vorzugsweise besteht sie aus STO(SrTiO₃) oder BSTO[(Ba,Sr)TiO₃]. Wenn Materialien, die hinsichtlich einer Gitteranpassung in Beziehung zueinander stehen, sequentiell hergestellt werden, ist die Adhäsion zwischen ihnen aufgrund der Anpassungsbeziehung gut. Diese Gitteranpassungsbeziehung wird unten im Einzelnen erläutert.

Die ferroelektrische Schicht 44 besteht aus einem ferroelek­ trischen Material wie PZT[(Pb(Zr,Ti)O₃], PLZT[(Pb,La) (Zr,Ti)O₃], BTO(BaTiO₃) oder BST[(Ba,Sr)TiO₃]. Hierbei sind BSTO, eines der Materialien zum Herstellen der paraelektri­ schen Schicht 42, sowie BST, das zum Herstellen der ferro­ elektrischen Schicht 44 verwendet wird, identische Verbin­ dungen, und sie dienen entsprechend ihrer jeweiligen Zusam­ mensetzung als Ferroelektrikum oder Paraelektrikum. Die Zu­ sammensetzung von BST, einer Verbindung aus (Ba,Sr)TiO₃ be­ stimmt, ob es sich um ein Ferroelektrikum oder ein Paraelek­ trikum handelt, genauer gesagt, hat hierauf der jeweilige Anteil von Ba und Sr Einfluss. Wenn Ba und Sr insgesamt 1 ausmachen, wird BST als Ferroelektrikum verwendet, wenn der Anteil von Ba über 0,5 beträgt, und es wird als Paraelektri­ kum verwendet, wenn der Anteil unter 0,5 beträgt, wobei die Eigenschaften bei normaler Volumentemperatur gelten. Bei der Erfindung wird die Abkürzung BSTO im Fall des Paraelektri­ kums verwendet, während die Abkürzung BST im Fall des Ferro­ elektrikums verwendet wird. Die paraelektrische Schicht 42 wird, wie es in Fig. 4 dargestellt ist, als Material verwen­ det, das hinsichtlich der Gitteranpassung in Beziehung zu Pt oder Ir steht, wobei die paraelektrische Eigenschaft unter­ geordnet ist. Anders gesagt, hat die paraelektrische Schicht keine Beziehung zu den im Kondensator verwendeten dielektri­ schen Eigenschaften, da sie eine unten liegende, amorphe Schicht ist.

Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die Fig. 5A bis 5F ein Herstellverfahren für den erfindungsgemäßen Halbleiterspei­ cher erläutert. Gemäß Fig. 5A wird eine Feldoxidschicht 52 unter Verwendung eines herkömmlichen Prozesses auf einem Halbleitersubstrat 50 hergestellt, in dem eine Wanne 51 aus­ gebildet ist, wodurch das Substrat in einen aktiven Bereich und einen Feldbereich unterteilt wird. Gemäß Fig. 5B wird auf einem vorbestimmten Teil des aktiven Bereichs des Halb­ leitersubstrats 50 eine Gateelektrode 53 hergestellt, und zu beiden Seiten derselben werden in der Wanne 51 stark dotier­ te Fremdstoffbereiche 5 ausgebildet, die als Source und Drain zu verwenden sind. In Fig. 5B bezeichnet die Bezugs­ zahl 55 einen Seitenwand-Abstandshalter zum Schützen oder Isolieren der Gateelektrode 53.

Gemäß Fig. 5C wird auf der gesamten Oberfläche des Halblei­ tersubstrats 50 einschließlich der Gateelektrode 53 eine erste Isolierschicht 56 hergestellt, und auf einem vorbe­ stimmten Teil derselben, der auf der Feldoxidschicht 52 liegt, werden eine paraelektrische Schicht 57 und eine erste Kondensatorelektrode 58 aufeinanderfolgend hergestellt. Die erste Isolierschicht 56 wird aus einem Oxid und/oder einem Nitrid hergestellt, und die erste Elektrode 58 wird aus Pt oder Ir hergestellt. Die paraelektrische Schicht 57 dient zum Verbessern der Adhäsion zwischen der ersten Elektrode 58 und der ersten Isolierschicht 56, und sie wird aus einem paraelektrischen Material wie BSTO[(Ba,Sr)TiO₃] oder STO(SrTiO₃) hergestellt. Der Grund, weswegen die paraelek­ trische Schicht 57 zum Verbessern der Adhäsion zwischen der ersten Elektrode 58 und der ersten Isolierschicht herge­ stellt wird, besteht darin, dass STO oder BSTO leicht auf epitaktische Weise mit einer Dicke über 60 nm (600 Å) aufge­ wachsen werden kann und ausreichende Gitteranpassung zu Pt hat, um die Adhäsion zwischen der ersten Elektrode und der ersten Isolierschicht zu verbessern.

Nun wird die Gitteranpassung grob erläutert. Ein Gitter ist eine regelmäßige Anordnung von einen Kristall bildenden Ato­ men. Im Allgemeinen werden Feststoffe in kristallin, wie einkristallin oder polykristallin, und amorph eingeteilt. Eine periodische Anordnung von Atomen im kristallinen Material wird als Gitter bezeichnet. Die Gitterstruktur bestimmt nicht nur die mechanischen Eigenschaften eines Kristalls, sondern auch seine elektrischen Eigenschaften. Im Fall elek­ tronischer Bauteile bestimmen Eigenschaften des periodischen Kristallgitters die Energie, die von Elektronen aufgenommen wird, die am Leitungsprozess teilnehmen. Eine Kennzeichnung von Flächen oder Richtungen in einem Gitter ist zur Be­ schreibung eines Kristalls von Hilfe. Beim herkömmlichen Kennzeichnungsverfahren wird ein System mit drei ganzen Zah­ len (Millerindex) verwendet, das Orte von Ebenen und Rich­ tungen von Vektoren im Gitter bezeichnet. D. h., dass die Würfelflächen einer kubischen Gitterstruktur sechs dreidi­ mensionale Flächen sind, wobei viele Ebenen in einem Gitter identisch sind und Richtungen im Gitter durch drei ganze Zahlen gekennzeichnet werden, da sie in Beziehung zu einem Vektor stehen.

Diese drei ganze Zahlen kennzeichnen Koordinatenwerte x, y und z, die Vektorrichtungen im Gitter beschreiben. Die Kris­ tallrichtung in einer Gitterstruktur wird allgemein als Aus­ richtung (100) oder (111) angegeben. Die Ausrichtung (100) zeigt an, dass die sechs kubischen Flächen hinsichtlich der vertikalen und horizontalen Richtung äquivalent sind. Im Fall der Ausrichtung (111) entsprechen die Vektorrichtungen im Gitter, x, y und z, einem diagonalen Dreieck mit dem Ba­ sispunkt (0). Demgemäß ist die stabilste Gitterstruktur die­ jenige mit der Ausrichtung (100). Diese stabile Gitterstruk­ tur steht in Zusammenhang mit der Existenzzeit von Ladungs­ trägern und der Stabilität elektrischer Eigenschaften (Wi­ derstandsänderung oder Polaritätsumkehr während eines Wärme­ zyklus). Die Ausrichtung (100) oder (111) wird auf solche Weise gemessen, dass eine Probe Röntgenstrahlung ausgesetzt wird und der Winkel 2Θ und der Abstand zwischen Kristallflä­ chen in der Probe durch RBS gemessen werden, wenn die Inten­ sität der Röntgenstrahlung unter einem speziellen Winkel (z. B. Y-Achse bezogen auf die X-Achse und die Y-Achse) hoch ist, d. h., wenn die Röntgenstrahlung entsprechend der Aus­ richtung der Probe gebeugt wird.

Gemäß Fig. 5D wird auf der ferroelektrischen Schicht 59, nachdem diese auf der ersten Elektrode 58 hergestellt wurde, eine zweite Kondensatorelektrode 60 hergestellt, um einen ferroelektrischen Planarkondensator fertigzustellen. Danach wird auf der ersten Isolierschicht 56 einschließlich der zweiten Elektrode 60 eine zweite Isolierschicht 61 herge­ stellt. Die ferroelektrische Schicht 59 wird aus BST[(Ba,Sr)TiO₃], PZT[(Pb(Zr,Ti)O₃], PLZT[(Pb,La)(Zr,Ti)O₃] oder BTO(BaTiO₃) hergestellt, die zweite Elektrode 60 wird aus Pt oder Ir hergestellt, und die zweite Isolierschicht wird aus einem Oxid und/oder einem Nitrid hergestellt.

Gemäß Fig. 5E wird, um die zweite Elektrode 60 elektrisch mit den stark dotierten Fremdstoffbereichen 54 zu verbinden, ein Photoresist PR auf die zweite Isolierschicht 61 aufge­ tragen und durch Belichten und Entwickeln strukturiert, um selektiv Teile desselben zu entfernen, die auf der zweiten Elektrode 60 und den stark dotierten Fremdstoffbereichen 54 liegen. Ein Teil der zweiten Isolierschicht 61, der auf der zweiten Elektrode 60 liegt, sowie Teile der zweiten und der ersten Isolierschicht 61 und 56, die auf den stark dotierten Fremdstoffbereichen 54 liegen, werden durch einen Ätzprozess unter Verwendung des strukturierten Photoresists PR als Mas­ ke selektiv entfernt, um die Oberflächen der zweiten Elek­ trode 60 und der stark dotierten Fremdstoffbereiche 54 frei­ zulegen.

Gemäß Fig. 5F wird, nachdem der Photoresist PR entfernt wur­ de, auf der zweiten Elektrode 60 einschließlich der zweiten Isolierschicht 61 und der stark dotierten Fremdstoffbereiche 54 eine Sperrmetallschicht 62 hergestellt, auf der dann eine leitende Schicht 63 hergestellt wird. Anschließend werden Teile der Sperrmetallschicht 62 und der leitenden Schicht 63, die auf der Gateelektrode 53 liegen, selektiv durch Pho­ tolithographie- und Ätzprozesse entfernt. Die leitende Schicht 63 wird aus Aluminium oder Wolfram hergestellt, und die Sperrmetallschicht 62 dient zum Verringern des Kontakt­ widerstands der aus Aluminium hergestellten leitenden Schicht.

Fig. 6 ist ein XRD-Diagramm, das ein Ergebnis zeigt, wie es durch Messen der Gitteranpassung mittels RBS erhalten wurde, wenn die Pt-Elektrode auf einer Siliziumoxidschicht herge­ stellt war. Wenn die Siliziumoxidschicht und die Pt-Elektro­ de durch Röntgenstrahlung beleuchtet werden und ihre Gitter­ anpassung unter Verwendung einer RBS-Vorrichtung gemessen wird, zeigt die Gitteranpassung von Pt die Ausrichtung (111) (2), wie in Fig. 6 dargestellt. Wenn Pt mit schwachen Leck­ stromeigenschaften als Material für die untere Elektrode des Kondensators verwendet wird, ist die Adhäsion zwischen der Siliziumoxidschicht und der Pt-Elektrode verringert, da die Gitteranpassung die Ausrichtung (111) zeigt, so dass nur der Vorteil verbesserter Leckstromeigenschaften besteht. Um eine Beeinträchtigung der Adhäsion zu verhindern, wird zwischen der Pt-Elektrode und der Siliziumschicht herkömmlicherweise Ti oder Ta abgeschieden. In diesem Fall kombiniert jedoch Ti mit Sauerstoffatomen aus der ferroelektrischen Schicht, wo­ durch der Widerstand derselben zunimmt, was ihre Dielektri­ zitätskonstante verringert. Auch werden dadurch Kompressi­ onsspannungen erzeugt. Außerdem zeigt die Gitteranpassung die Ausrichtung (111), wenn Ti unmittelbar auf einer Sili­ ziumoxidschicht hergestellt wird.

In Fig. 6 zeigt die X-Achse, dass die Röntgenstrahlung unter 39,75° (2) beim Winkel 2Θ des Pt-Kristalls gebeugt wird und dass der Abstand zwischen Kristallflächen ungefähr 0,2265 nm (2,265 Å) beträgt, wenn eine Pt-Schicht auf einer Silizium­ oxidschicht ausgebildet ist und eine Röntgeneinstrahlung er­ folgt, um die Kristallausrichtung zu messen. Daraus ist er­ sichtlich, dass die Ausrichtung des Pt-Kristalls die Rich­ tung (111) ist. Wie oben beschrieben, ist ein Gitter eine regelmäßige Anordnung von einen Kristall bildenden Atomen, so dass die Flächenausrichtung des Gitters durch Messen des Pt-Kristalls gemessen werden kann. In Fig. 6 bezeichnet I/IO Werte, die dadurch erhalten werden, dass die Röntgenintensi­ täten der mit den Zahlen 1, 2 und 3 bezeichneten Materialien durch die maximale Röntgenintensität (z. B. die Zahl 2) ge­ teilt werden.

Fig. 7 ist ein XRD-Diagramm, das ein Ergebnis zeigt, das da­ durch erhalten wurde, dass die Gitteranpassung mittels RBS gemessen wurde, wenn eine paraelektrische Schicht aus BSTO auf einer Siliziumoxidschicht ausgebildet war. Wenn die Si­ liziumoxidschicht und das BSTO durch Röntgenstrahlung be­ leuchtet werden und ihre Gitteranpassung unter Verwendung einer RBS-Vorrichtung gemessen wird, zeigt die Gitteranpas­ sung hauptsächlich die Ausrichtung (100), wie es in Fig. 7 dargestellt ist. D. h., dass die Intensität der Röntgen­ strahlung eine spezielle Beugung zeigt, wie die Ausrichtun­ gen (100) (1) sowie (200) (3). Daraus ist erkennbar, dass BSTO bei über 600°C auf einfache Weise epitaktisch auf eine Siliziumoxidschicht aufwächst. In Fig. 7 zeigt die X-Achse, dass die Röntgenstrahlung unter 22,27° (1) und 45,45° (3) beim Winkel 2Θ des BSTO-Kristalls merklich gebeugt wird und die Abstände zwischen Kristallflächen ungefähr 0,398 nm (1) und 0,1903 nm (3) betragen, wenn eine paraelektrische Schicht aus BSTO auf einer Siliziumoxidschicht ausgebildet ist und diese Materialien durch Röntgenstrahlung beleuchtet werden, um ihre Kristallausrichtung zu messen. So ist er­ kennbar, dass die Ausrichtung des BSTO-Kristalls der Rich­ tung (100) entspricht.

Fig. 8 ist ein XRD-Diagramm, das ein Ergebnis zeigt, das da­ durch erhalten wurde, dass die Gitteranpassung mittels RBS gemessen wurde, wenn eine paraelektrische Schicht aus BSTO auf einer Siliziumoxidschicht ausgebildet war und darauf eine Pt-Schicht ausgebildet war. Die Gitteranpassung der Siliziumoxidschicht und von BSTO, wie in Fig. 8 dargestellt, zeigt die Hauptausrichtung (100). Gemäß diesem Ergebnis zeigt, wenn eine Pt-Elektrode auf BSTO ausgebildet ist und eine Röntgenbestrahlung erfolgt und ihre Gitteranpassung unter Verwendung einer RBS-Vorrichtung gemessen wird, die Gitteranpassung von Pt Hauptausrichtungen (111) (4) und (200) (7), wie in Fig. 8 dargestellt. Anders gesagt, zeigt, wenn eine Pt-Elektrode auf einer paraelektrischen Schicht aus BSTO ausgebildet ist, die Gitteranpassung die Hauptaus­ richtungen (111) und (200), und die Intensität der Hauptaus­ richtung (111) (4) ist deutlich schwächer als diejenige von (200) (7). D. h., dass der größte Teil der auf BSTO ausge­ bildeten Pt-Elektrode die stabile Hauptausrichtung (200) zeigt. Demgemäß kann BSTO selbst über 600°C auf stabile Wei­ se epitaktisch aufgewachsen werden, um stabile Gitteranpas­ sung zu erzeugen. Ferner verbessert diese stabile Gitteran­ passung die Adhäsion, wodurch die Erzeugung von Hügelchen merklich beschränkt ist, wie sie entstehen, wenn Pt bei ho­ hen Temperaturen bearbeitet wird.

In Fig. 8 zeigt die X-Achse, dass die Röntgenbeugung unter 40,01° (4) und 46,59° (7) beim Winkel 2Θ des Pt-Kristalls gebeugt wird und die Abstände zwischen Kristallflächen unge­ fähr 0,225 nm und 0,194 nm (3) betragen, wenn eine paraelek­ trische Schicht aus BSTO auf einer Siliziumoxidschicht her­ gestellt wird und darauf eine untere Pt-Elektrode herge­ stellt wird, woraufhin eine Röntgenbestrahlung erfolgt, um die Kristallausrichtung von Pt zu messen. So ist ersicht­ lich, dass die Ausrichtung des Pt-Kristalls der Richtung (100) entspricht.

Fig. 9 ist ein XRD-Diagramm, das ein Ergebnis zeigt, das da­ durch erhalten wurde, dass die Gitteranpassung mittels RBS gemessen wurde, wenn eine paraelektrische Schicht aus BSTO auf einer Siliziumoxidschicht ausgebildet war, eine als ers­ te Elektrode eines Kondensators zu verwendende Pt-Schicht auf dieser ausgebildet war und auf der Pt-Schicht wiederum eine ferroelektrische Schicht ausgebildet war. Aus Fig. 9 ist erkennbar, dass die Gitteranpassung hinsichtlich der Si­ liziumoxidschicht, des BSTO und des Pt stabil ist. Gemäß diesem Ergebnis zeigt, wenn eine ferroelektrische Schicht aus BST auf einer Pt-Elektrode ausgebildet ist und durch Röntgenstrahlung beleuchtet wird und die Gitteranpassung un­ ter Verwendung einer RBS-Vorrichtung gemessen wird, die Git­ teranpassung von Pt eine Beugung von Röntgenstrahlung unter Hauptausrichtungen (111) (3) und (200) (5), wobei die Inten­ sität der stabilen Hauptausrichtung (200) stärker als dieje­ nige für (111) ist, wie in Fig. 9 dargestellt. Die Gitteran­ passung des auf dem Pt liegenden BST zeigt die Ausrichtung (100) (1). Das Ausmaß der Sättigungspolarisation eines Fer­ roelektrikums wie BST oder PZT ist dann maximal, wenn es die Flächenausrichtung (100) oder (001) zeigt, und es ist dann hinsichtlich einer Ermüdung durch Domänensprünge um 180° am stabilsten. D. h., dass BST und PZT da Umschreiben von Daten erleichtern.

In Fig. 9 zeigt die X-Achse, dass die Röntgenstrahlung unter 39,92° und 46,53° beim Winkel 2Θ des Pt-Kristalls gebeugt wird und die Abstände zwischen Kristallflächen ungefähr 0,225 nm und 0,194 nm betragen, wenn eine paraelektrische Schicht aus BSTO auf einer Siliziumoxidschicht ausgebildet ist, eine als erste Elektrode eines Kondensators dienende Pt-Elektrode auf dem BSTO ausgebildet ist und eine ferro­ elektrische Schicht auf der Pt-Elektrode ausgebildet ist, wobei eine Beleuchtung mittels Röntgenstrahlung erfolgt, um die Kristallausrichtung von Pt zu messen. In diesem Fall zeigt der Pt-Kristall die Flächenausrichtungen (111) und (200). Die Intensität im Fall der Ausrichtung (111) beträgt 4064 (3), während die Intensität im Fall der Ausrichtung (200) 4984 (5) beträgt. D. h., dass Pt die stabile Ausrich­ tung (200) stärker als andere Ausrichtungen zeigt. Darüber hinaus zeigt die Gitteranpassung des auf dem Pt liegenden BST die Ausrichtung (100) (1), so dass ersichtlich ist, dass eine stabile Gitteranpassung selbst dann vorliegt, wenn BST auf dem Pt ausgebildet ist.

Wie oben beschrieben, führt die Erfindung auch dann zum sel­ ben Ergebnis, wenn eine paraelektrische Schicht auf einer Siliziumnitridschicht statt auf einer Siliziumoxidschicht ausgebildet ist und die Kondensatorelektrode aus Ir statt aus Pt besteht. Ferner können PZT, PLZT und BTO anstelle von BST als Ferroelektrikum verwendet werden. Gemäß der Erfin­ dung wird zwischen der Pt-Elektrode und der Siliziumoxid­ schicht eine paraelektrische Schicht mit derselben Flächen­ ausrichtung hergestellt, um die Adhäsion zwischen diesen Schichten zu verbessern. Dies verhindert, dass aufgrund von Kompressionsspannungen im Pt und im Siliziumoxid Hügelchen im Pt erzeugt werden, wodurch die Zuverlässigkeit von Halb­ leiterspeichern verbessert ist. Ferner wird die paraelektri­ sche Schicht, die bei über 600°C auf einfache Weise epitak­ tisch aufgewachsen werden kann, als Adhäsionsschicht verwen­ det, um das aufgrund von Ti oder Ta erzeugte Interdiffusi­ onsproblem zu überwinden. Demgemäß ist es möglich, unter Verwendung der ferroelektrischen Schicht beste Eigenschaften eines Halbleiterspeichers zu erzielen, insbesondere diesen stabil auszubilden.

Claims (31)

1. Halbleiterspeicher mit:
einer auf einem Halbleitersubstrat (40) hergestellten Isolierschicht (41);
einer auf der Isolierschicht (41) hergestellten paraelektrischen Schicht (42) und
einer auf der paraelektrischen Schicht (42) hergestellten ersten lei­ tenden Schicht (43), dadurch gekennzeichnet, daß die paraelektrische Schicht (42) aus einem Material hergestellt ist, das in Gitteranpassungbe­ ziehung mit der ersten leitenden Schicht (43) steht.

2. Halbleiterspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht (41) aus einem Oxid und/oder einem Nitrid besteht.

3. Halbleiterspeicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Oxid und/oder Nitrid die Hauptausrichtung (100) aufweist.

4. Halbleiterspeicher nach einem der vorstehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß die paraelektrische Schicht (42) aus STO(SrTiO₃) oder BSTO[(Ba,Sr)TiO₃] besteht.

5. Halbleiterspeicher nach einem der vorstehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß die erste leitende Schicht (43) aus Pt und/oder Ir besteht.

6. Halbleiterspeicher nach einem der vorstehenden Ansprüche, da ge­ kennzeichnet durch eine ferroelektrische Schicht (44) und eine zweite leitende Schicht (45), die aufeinanderfolgend auf der ersten leitenden Schicht (43) ausgebildet sind.

7. Halbleiterspeicher nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die ferroelektrische Schicht (44) in Gitteranpassung mit der ersten leiten­ den Schicht (43) steht.

8. Halbleiterspeicher nach einem der Ansprüche 6 oder 7, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die ferroelektrische Schicht (44) aus BST[(Ba,Sr)TiO₃], BTO(BaTiO₃), PZT[(Pb(Zr,Ti)O₃] und/oder PLZT[(Pb,La)(Zr,Ti)O₃] besteht.

9. Halbleiterspeicher nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die ferroelektrische Schicht (44) und die paraelektri­ sche Schicht (42) aus Materialien mit denselben Bestandteilen bestehen.

10. Halbleiterspeicher nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die zweite leitende Schicht (45) aus Pt und/oder Ir be­ steht.

11. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterspeichers, mit folgenden Schritten:

• - Herstellen einer paraelektrischen Schicht (42) auf einer Isolier­ schicht (41), die auf einem Halbleitersubstrat (40) hergestellt wurde;
• - Herstellen einer ersten Elektrode (43) auf der paraelektrischen Schicht (42);
• - Herstellen einer ferroelektrischen Schicht (44) auf der ersten Elek­ trode (42) und
• - Herstellen einer zweiten Elektrode (45) auf der ferroelektrischen Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die paraelektrische Schicht (42) aus einem Material hergestellt wird, das in Gitteranpassungsbeziehung mit der ersten Elektrode (43) steht.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die er­ ste und die zweite Elektrode (43, 45) aus Pt und/oder Ir hergestellt werden.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 oder 12, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die paraelektrische Schicht (42) aus einem Material herge­ stellt wird, das bei über 600°C auf einfache Weise epitaktisch aufgewach­ sen werden kann.

14. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die pa­ raelektrische Schicht (42) aus STO(SrTiO₃) und/oder BSTO[(Ba,Sr)TiO₃] hergestellt wird.

15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß im BSTO[(Ba,Sr)TiO₃] der Anteil von Ba unter 0,5 liegt, wenn Ba und Sr ge­ meinsam 1 ausmachen.

16. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die ferroelektrische Schicht (44) aus BST[(Ba,Sr)TiO₃], BTO(BaTiO₃), PZT[(Pb(Zr,Ti)O₃] und/oder PLZT[(Pb,La)(Zr,Ti)O₃] herge­ stellt wird.

17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß im BST[(Ba,Sr)TiO₃] der Anteil von Ba über 0,7 beträgt, wenn Ba und Sr ge­ meinsam 1 ausmachen.

18. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 17, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die paraelektrische Schicht (42) und die ferroelektrische Schicht (44) aus demselben Material hergestellt werden.

19. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die pa­ raelektrische Schicht (42), die erste Elektrode (43), die ferroelektrische Schicht (44) und die zweite Elektrode (45) dieselbe Ausrichtung aufweisen.

20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die pa­ raelektrische Schicht (42), die erste Elektrode (43), die ferroelektrische Schicht (44) und die zweite Elektrode (45) die Flächenausrichtung (100) oder (200) aufweisen.

21. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 20, dadurch gekenn­ zeichnet, daß auf dem Halbleitersubstrat (50) ein Transistor hergestellt wird, der über eine Gateelektrode (53) und als Source und Drain dienende Fremdstoffbereiche (54) verfügt.

22. Verfahren nach Anspruch 21, gekennzeichnet durch eine leitende Schicht (63) zum elektrischen Verbinden der Fremdstoffbereiche (54) mit der zweiten Elektrode (45; 60).

23. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterspeichers, mit folgenden Schritten:

• - Herstellen einer Isolierschicht (41) auf einem Halbleitersubstrat (40);
• - Herstellen einer paraelektrischen Schicht (42) auf der Isolierschicht (41) und
• - Herstellen einer ersten leitenden Schicht (43) auf der paraelektri­ schen Schicht (42), dadurch gekennzeichnet, daß die paraelektrische Schicht (42) aus einem Material herstellt wird, das in Gitteranpassungs­ beziehung mit der ersten leitenden Schicht (43) steht.

24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die pa­ raelektrische Schicht (42) die Hauptausrichtung (100) aufweist.

25. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die Iso­ lierschicht (41) aus einem Oxid und/oder einem Nitrid hergestellt wird.

26. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die pa­ raelektrische Schicht (42) aus STO(SrTiO₃) und/oder BSTO[(Ba,Sr)TiO₃] hergestellt wird.

27. Verfahren nach einem der Ansprüche 23 bis 26, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die erste leitende Schicht (43) aus Pt und/oder Ir hergestellt wird.

28. Verfahren nach einem der Ansprüche 23 bis 27, gekennzeichnet durch eine ferroelektrische Schicht (44) und darauf eine zweite leitende Schicht (45), die auf der ersten leitenden Schicht (43) ausgebildet werden.

29. Verfahren nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß die fer­ roelektrische Schicht (44) in Gitteranpassung mit der ersten leitenden Schicht (43) hergestellt wird.

30. Verfahren nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß die fer­ roelektrische Schicht (44) aus BST[(Ba,Sr)TiO₃], BTO(BaTiO₃), PZT[(Pb(Zr,Ti)O₃] und/oder PLZT[(Pb,La)(Zr,Ti)O₃] hergestellt wird.

31. Verfahren nach einem der Ansprüche 28 bis 30, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die zweite leitende Schicht (45) aus Pt und/oder Ir herge­ stellt wird.