DE19831593A1

DE19831593A1 - Magnetooptischer Aufzeichnungsträger

Info

Publication number: DE19831593A1
Application number: DE19831593A
Authority: DE
Inventors: Go Mori; Naoyasu Iketani; Michinobu Mieda; Ippei Suzuki; Junji Hirokane; Akira Takahashi
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-07-15
Filing date: 1998-07-14
Publication date: 1999-01-21
Also published as: JP3474401B2; KR100271460B1; JPH1139736A; KR19990013902A; US5982715A

Description

Die Erfindung betrifft einen magnetooptischen Aufzeichnungs träger zum Ausführen von Aufzeichnungs- und Abspielvorgängen für Information unter Verwendung eines modulierten Licht strahls und/oder eines Magnetfelds.

Herkömmlicherweise sind magnetooptische Aufzeichnungsträger unter Verwendung eines magnetooptischen Effekts als Informa tionsaufzeichnungsträger mit großer Kapazität bekannt, mit denen wiederholte Umschreibvorgänge ausgeführt werden kön nen. Es wurden verschiedene Untersuchungen und Forschungs vorhaben ausgeführt, um Aufzeichnen mit hoher Dichte bei ma gnetooptischen Aufzeichnungsträgern zu erzielen.

Jedoch besteht einer der Nachteile magnetooptischer Auf zeichnungsträger dieses Typs darin, daß dann, wenn der Durchmesser eines Aufzeichnungsbits, das eine Aufzeichnungs domäne bildet, relativ klein ist, oder wenn das Intervall der Aufzeichnungsbits relativ klein in bezug auf den Durch messer des auf den Aufzeichnungsträger fokussierten Licht strahls ist, die Abspieleigenschaften beeinträchtigt sind.

Dies beruht auf der Tatsache, daß im Fall eines kleinen Durchmessers eines Aufzeichnungsbits oder eines kleinen In tervalls zwischen Aufzeichnungsbits einzelne Aufzeichnungs bits nicht gesondert von Aufzeichnungsbits abgespielt werden können, da benachbarte Aufzeichnungsbits innerhalb des Flecks eines Lichtstrahls enthalten sind, der auf ein abzu spielendes Zielaufzeichnungsbit konvergiert wurde.

Magnetooptische Aufzeichnungsträger, die dazu konzipiert sind, den obigen Nachteil zu überwinden, sind in der Litera turstelle (1) JP-A-150418/1994 (Tokukaihei 6-150418) und der Literaturstelle (2) "Magnetooptische Platte ultrahoher Dich te unter Verwendung eines Abspielvorgangs mit Vergrößerung einer magnetischen Domäne", 22pE-4, Papers of the 20th Sym posium of Japan Applied Magnetics Society (1996) vorgeschla gen.

Beim in der Literaturstelle (1) beschriebenen Aufbau (nach folgend als erster bekannter Träger bezeichnet) ist eine Ab spielschicht vorhanden, die bei Raumtemperatur in der Ebene liegende Magnetisierung zeigt und bei einem Temperaturan stieg rechtwinklige Magnetisierung erlangt. Ferner ist zwi schen der Abspielschicht und der Aufzeichnungsschicht eine unmagnetische Zwischenschicht angeordnet, so daß zwischen der Abspielschicht und der Aufzeichnungsschicht magnetosta tische Kopplung erzielt ist.

So ist der erste bekannte Träger so konzipiert, daß der An teil der Abspielschicht, der sich im Zustand mit in der Ebe ne liegender Magnetisierung befindet, Aufzeichnungsbits (Aufzeichnungsmagnetdomäneninformation) der Aufzeichnungs schicht entsprechend dem obengenannten Teil maskieren kann. Anders gesagt, verhindert diese Maske beim ersten bekannten Träger, daß Aufzeichnungsbits, die benachbart zum abzuspie lenden Aufzeichnungsbit liegen, innerhalb des Lichtstrahl flecks enthalten sind, wodurch es möglich ist, einzelne Auf zeichnungsbits gesondert abzuspielen.

Bei einem Aufbau, wie er in der Literaturstelle (2) be schrieben ist (nachfolgend als zweiter bekannter Träger be zeichnet), ist eine unmagnetische Zwischenschicht in dersel ben Weise wie beim in der Literaturstelle (1) beschriebenen Aufbau zwischen die Aufzeichnungsschicht und die Abspiel schicht eingefügt. Bei diesem Aufbau wird durch ein von der Aufzeichnungsschicht erzeugtes Magnetfeld eine Magnetdomäne in der Abspielschicht erzeugt, die größer als das Aufzeich nungsbit in der Aufzeichnungsschicht ist. Das Abspielsystem dieses Typs, das einen Abspielvorgang dadurch ausführt, daß eine Magnetdomäne ausgebildet wird, die größer als das Auf zeichnungsbit in der Abspielschicht ist, wird als Abspiel system mit Vergrößerung der Magnetdomäne bezeichnet.

Jedoch hat es sich beim ersten bekannten Träger herausge stellt, daß dann, wenn der Durchmesser eines Aufzeichnungs bits extrem klein gemacht wird oder wenn das Intervall zwi schen Aufzeichnungsbits extrem klein gemacht wird, die In tensität des Abspielsignals abnimmt, so daß es nicht ge lingt, für ausreichende Abspielsignale zu sorgen.

Darüber hinaus ist beim zweiten bekannten Träger kein Ab spielvorgang möglich, solange nicht die jeweiligen Aufzeich nungsbits in einem isolierten Zustand gehalten werden. An ders gesagt, liegen, wenn das Intervall zwischen den Auf zeichnungsbits in der Aufzeichnungsschicht klein ist (im Fall des Aufzeichnens mit hoher Dichte) mehrere Aufzeich nungsbits unter der Domäne der Abspielschicht. In diesem Fall unterliegt die Magnetdomäne in der Abspielschicht Ma gnetflüssen (Magnetfeldern) von mehreren Aufzeichnungsbits. D. h., daß bei diesem Aufbau das Problem besteht, daß es nicht möglich ist, nur den Magnetfluß vom abzuspielenden Aufzeichnungsbit an die Magnetdomäne der Abspielschicht an zulegen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen magnetoopti schen Aufzeichnungsträger zu schaffen, der ein vorteilhaftes Abspielsignal dadurch erzeugen kann, daß er nur die Magne tisierung eines abzuspielenden Aufzeichnungsbits in eine Ab spielschicht kopiert, und zwar selbst dann, wenn der Durch messer von Aufzeichnungsbits in der Aufzeichnungsschicht ex trem klein ist oder wenn das Intervall von Aufzeichnungsbits extrem klein ist.

Diese Aufgabe ist durch die magnetooptischen Aufzeichnungs träger gemäß den unabhängigen Ansprüchen 1 und 37 gelöst.

Die Aufzeichnungsschicht ist ein Magnetfilm, in dem Auf zeichnungsbits zum Aufzeichnen von Information ausgebildet werden. Ferner ist die Abspielschicht eine magnetische Schicht, die zumindest im Signalabspielbereich im Zustand rechtwinkliger Magnetisierung gehalten wird.

Der Signalabspielbereich dient als Bereich auf der Abspiel schicht, der die Magnetisierung eines abzuspielenden Auf zeichnungsbits kopiert. Beim obenangegebenen Aufbau wird In formation, die im abzuspielenden Aufzeichnungsbit aufge zeichnet ist, dadurch abgespielt, daß von diesem Bereich ein reflektierter Lichtstrahl empfangen wird.

Hierbei ist der Signalabspielbereich ein Hochtemperaturab schnitt, der z. B. dadurch erzeugt wird, daß ein Licht strahl an ihn angelegt wird. Ferner kann hinsichtlich des Magnetisierungszustands von anderen Bereich als dem Signal abspielbereich in der Abspielschicht ein beliebiger Zustand verwendet werden; jedoch ist es bevorzugt, sie im Zustand mit in der Ebene liegender Magnetisierung zu halten.

Beim Aufbau gemäß Anspruch 1 ist die erste Abschirmungs schicht zwischen der Aufzeichnungsschicht und der Abspiel schicht ausgebildet. Die erste Abschirmungsschicht wird dazu verwendet, zu verhindern, daß die Magnetisierung anderer Aufzeichnungsbits als des abzuspielenden Aufzeichnungsbits in den Signalabspielbereich der Abspielschicht kopiert wird.

Anders gesagt, ist die erste Abschirmungsschicht z. B. durch Austausch oder elektrostatisch mit der Magnetisierung der anderen Aufzeichnungsbits als der des abzuspielenden Auf zeichnungsbits gekoppelt, so daß das von der Magnetisierung herrührende Streumagnetfeld die Abspielsschicht nicht beein flußt. Dann wird das Streumagnetfeld des abzuspielenden Aufzeichnungsbits durch die erste Abschirmungsschicht hin durchgelassen, oder die Magnetisierung des Aufzeichnungsbits wird hineinkopiert, mit dem Ergebnis, daß die Magnetisie rung des Aufzeichnungsbits in den Signalabspielbereich der Abspielschicht kopiert ist.

Bei diesem Aufbau führt beim obenangegebenen magnetoopti schen Aufzeichnungsträger selbst dann, wenn Aufzeichnungs bits in der Aufzeichnungsschicht so konzipiert sind, daß hohe Dichte vorliegt, die Magnetisierung von anderen Auf zeichnungsbits als dem abzuspielenden Aufzeichnungsbit zu keinen nachteiligen Effekten auf die Abspielschicht. Aus diesem Grund wird nur die Magnetisierung des abzuspielenden Aufzeichnungsbits in den Signalabspielbereich der Abspiel schicht kopiert. Daher ist es unter Verwendung eines magne tooptischen Aufzeichnungsträgers dieses Typs möglich, ein gewünschtes Abspielsignal selbst dann zu erhalten, wenn mit hoher Dichte aufgezeichnete Information abgespielt wird.

Für ein vollständigeres Verständnis der Art und der Vorteile der Erfindung ist auf die folgende detaillierte Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen Bezug zu neh men.

Fig. 1 ist eine erläuternde Darstellung, die den Aufbau und das Abspielprinzip eines erfindungsgemäßen magnetooptischen Aufzeichnungsträgers zeigt.

Fig. 2 ist eine erläuternde Darstellung, die den Aufbau und das Abspielprinzip eines herkömmlichen magnetooptischen Auf zeichnungsträgers zeigt.

Fig. 3 ist eine erläuternde Darstellung, die den Abspielvor gang bei einem herkömmlichen magnetooptischen Aufzeichnungs träger zeigt, bei dem Aufzeichnungsbits in einer Aufzeich nungsschicht vergrößert werden und in eine Abspielschicht kopiert werden.

Fig. 4 ist eine erläuternde Darstellung, die einen Abspiel vorgang bei einem herkömmlichen magnetooptischen Aufzeich nungsträger zeigt, bei dem Aufzeichnungsbits, die mit hoher Dichte in der Aufzeichnungsschicht ausgebildet sind, vergrö ßert werden und in die Abspielschicht kopiert werden.

Fig. 5 ist eine erläuternde Darstellung, die den Aufbau einer magnetooptischen Platte gemäß dem ersten Ausführungs beispiel der Erfindung zeigt.

Fig. 6 ist ein Kurvenbild, das die Ergebnisse von Messungen zur Markierungslängenabhängigkeit des TRV (Trägersignal/Rausch signal-Verhältnis) hinsichtlich einer Probe der in Fig. 5 dargestellten magnetooptischen Platte und anderer Proben zeigt.

Fig. 7 ist eine erläuternde Darstellung, die den Aufbau ei ner magnetooptischen Platte gemäß dem zweiten Ausführungs beispiel der Erfindung zeigt.

Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele erfindungsgemäßer magnetooptischer Aufzeichnungsträger erörtert.

Als erstes erfolgt, bevor der Aufbau und die Funktion des erfindungsgemäßen magnetooptischen Aufzeichnungsträgers er örtert werden, eine Erläuterung zum Aufbau und zur Funktion eines herkömmlichen magnetooptischen Aufzeichnungsträgers.

Die Fig. 2 bis 4 sind erläuternde Darstellungen, die den Aufbau und die Funktion eines herkömmlichen magnetooptischen Aufzeichnungsträgers (nachfolgend als bekannter Träger be zeichnet) zeigen. Wie es in Fig. 2 dargestellt ist, verfügt der bekannte Träger über eine Abspielschicht 91, eine unma gnetische Zwischenschicht 92 und eine Aufzeichnungsschicht 93.

Die Abspielschicht 91 besteht aus einer Legierung aus einem Seltenerdmetall und einem Übergangsmetall, und bei Bestrah lung mit einem Lichtstrahl 94 erlangt der Abschnitt mit ei nem Temperaturanstieg nicht unter einer vorbestimmte Über gangstemperatur rechtwinklige Magnetisierung.

Die Aufzeichnungsschicht 93 besteht aus einer Legierung aus einem Seltenerdmetall und einem Übergangsmetall, und ihre Kompensationstemperatur liegt bei der Raumtemperatur. Dar über hinaus sind Aufzeichnungsbits zum Aufzeichnen von In formation in der Aufzeichnungsschicht 93 ausgebildet. In Fig. 2 sind die Aufzeichnungsbits durch Abschnitte in der Aufzeichnungsschicht 93 repräsentiert, die durch gestrichel te Linien unterteilt sind. Ferner ist in dieser Figur ein abzuspielendes Aufzeichnungsbit als Aufzeichnungsbit 106b bezeichnet, und benachbart zum Aufzeichnungsbit 106b liegen de Aufzeichnungsbits sind als Aufzeichnungsbits 106a und 106c bezeichnet. Hierbei betrifft die Kompensationstempera tur diejenige Temperatur, bei der die Stärke des magneti schen Moments des Seltenerdmetalls im Gleichgewicht mit der Stärke des magnetischen Moments des Übergangsmetalls steht.

Die unmagnetische Zwischenschicht 92 ist zwischen der Ab spielschicht 91 und der Aufzeichnungsschicht 93 ausgebildet, und sie ermöglicht es, magnetostatische Kopplung dadurch zu erzielen, daß die Austauschkopplung zwischen der Abspiel schicht 91 und der Aufzeichnungsschicht 93 unterbunden wird.

Wenn der bekannte Träger einem Abspielvorgang unterzogen wird, wird ein Lichtstrahl 94 konvergiert und von der Seite der Abspielschicht 91 her eingestrahlt. Bei Bestrahlung mit dem Lichtstrahl 94 entsteht im bekannten Träger eine Tempe raturverteilung, die entsprechend der Intensitätsverteilung des Lichtstrahls 94 eine Normalverteilung zeigt, wie in Fig. 2 dargestellt.

Folgend auf die Ausbildung dieser Temperaturverteilung kann nur die Magnetisierung des Aufzeichnungsbits 106 im Zentrum des Flecks des Lichtstrahls 4, wo ein Temperaturanstieg bis über eine vorbestimmte Temperatur vorliegt, zunehmen. Ferner ist aufgrund eines durch die erhöhte Magnetisierung hervor gerufenen Streumagnetfelds dafür gesorgt, daß die Magneti sierungsrichtung der Aufzeichnungsschicht 91 mit derjenigen des Aufzeichnungsbits 106b übereinstimmt, mit dem Ergebnis, daß in der Aufzeichnungsschicht 91 eine Magnetdomäne 103 ausgebildet wird, die eine Kopie der Magnetisierungsrichtung des Aufzeichnungsbits 106b ist.

Dann wird Information dadurch abgespielt, daß eine Änderung des Kerr-Rotationswinkels der Magnetisierungsrichtung der Magnetdomäne 103, in die die Magnetisierungsrichtung des Aufzeichnungsbits 106b kopiert wurde, erfaßt wird, um da durch einen Abspielvorgang mit Superauflösung zu erzielen.

Hierbei ist beim bekannten Träger das Abspielsignal um so größer, je größer die in der Abspielschicht 91 ausgebildete Magnetdomäne 103 ist. Fig. 3 ist eine erläuternde Darstel lung, die einen Zustand zeigt, in dem eine vergrößerte Ma gnetdomäne 103a in der Abspielschicht 91 des bekannten Trä gers ausgebildet ist. Wie es in dieser Figur dargestellt ist, ist in diesem Zustand eine vergrößerte Magnetdomäne 103a in der Abspielschicht 91 ausgebildet. Die vergrößerte Magnetdomäne 103a ist größer als das Aufzeichnungsbit 106b in der Aufzeichnungsschicht 93, und sie hat eine Größe mit dem großen Wert von 1 µm, was dem Fleckdurchmesser des Lichtstrahls 94 entspricht.

Das TRV (Trägersignal/Rauschsignal-Verhältnis) des Abspiel signals ist dadurch erhöht, daß eine derartig vergrößerte Magnetdomäne 103a in der Abspielschicht 91 ausgebildet ist; daher ist es möglich, ein Abspielsignal hoher Qualität zu erzielen.

Jedoch ist die Magnetisierungsrichtung in der Abspielschicht 91 durch ein Streumagnetfeld von der Aufzeichnungsschicht 93 bestimmt. Daher ist es im Fall von Information, die mit ho her Dichte in der Aufzeichnungsschicht 93 aufgezeichnet ist, nicht möglich, die Magnetisierung in gewünschter Weise von der Aufzeichnungsschicht 93 in die Abspielschicht 91 zu ko pieren.

Anders gesagt, existiert im in Fig. 3 dargestellten Zustand ein Aufzeichnungsbit 106b mit nach oben zeigender Magneti sierungsrichtung auf isolierte Weise zwischen Aufzeichnungs bits mit nach unten zeigender Magnetisierungsrichtung. In diesem Zustand wird der durch den Lichtstrahl 93 beleuchtete Abschnitt in der Abspielschicht 91 durch ein Streumagnetfeld beeinflußt, das nur von einem Aufzeichnungsbit 106b ausge übt wird. Demgemäß wird in der Abspielschicht 91 eine ver größerte Magnetdomäne 103a ausgebildet, die diesem Aufzeich nungsbit 106b entspricht.

Wenn jedoch Aufzeichnen mit zufällig hoher Dichte dadurch versucht wird, daß die Intervalle der Aufzeichnungsbits in der Aufzeichnungsschicht 93 verkleinert werden, besteht die Tendenz, daß der durch den Lichtstrahl 94 in der Abspiel schicht 91 bestrahlte Abschnitt durch Streumagnetfelder be einflußt wird, die durch mehrere Aufzeichnungsbits ausgeübt werden.

Fig. 4 ist eine erläuternde Darstellung, die einen Zustand zeigt, in dem Streumagnetfelder vom Aufzeichnungsbit 106b und von diesem benachbarten Aufzeichnungsbits 106a und 106c auf die Abspielschicht 91 ausgeübt werden. Wie es in dieser Figur dargestellt ist, ist dann, wenn die Magnetisierungs richtung des Aufzeichnungsbits 106b entgegengesetzt zur Ma gnetisierungsrichtung der Aufzeichnungsbits 106a und 106c ist, der Einfluß des Streumagnetfelds, wie es vom Aufzeich nungsbit 106b auf die vergrößerte Magnetdomäne 103a ausgeübt wird, geschwächt, was es erschwert, die Magnetisierungsrich tung des Aufzeichnungsbits 106b zu kopieren. Darüber hinaus besteht dann, wenn mehrere Aufzeichnungsbits 106a und 106c mit nach oben zeigender Magnetisierung in bestimmtem Ausmaß dicht beieinander liegen, die Tendenz, daß die Magnetisie rungsrichtung dieser Aufzeichnungsbits 106a und 106c in die vergrößerte Abspiel-Magnetdomäne 103 kopiert wird, was es erschwert, einen gewünschten Abspielvorgang auszuführen.

Demgemäß ist es in diesem Zustand unmöglich, dem Aufzeich nungsbit 106b entsprechende Information genau abzuspielen. Ferner führt dieser Zustand zu einem weiteren Problem dahin gehend, daß die Magnetisierung der Abspielschicht 91 anfäl lig für Einflüsse externer, sich frei ändernder Magnetfelder usw. wird.

Die folgende Beschreibung erörtert einen erfindungsgemäßen magnetooptischen Aufzeichnungsträger (nachfolgend als ak tueller Aufzeichnungsträger bezeichnet). Der aktuelle Auf zeichnungsträger ist ein magnetooptischer Aufzeichnungsträ ger zum Ausführen eines Abspielvorgangs mit Superauflösung.

Fig. 1 ist eine erläuternde Darstellung, die den Aufbau und das Abspielprinzip des aktuellen Aufzeichnungsträgers zeigt. Wie es in dieser Figur dargestellt ist, besteht der aktuelle Aufzeichnungsträger aus einer Abspielschicht 1, einer zwei ten Abschirmungsschicht 2, einer unmagnetischen Zwischen schicht 3, einer ersten Abschirmungsschicht 4 und einer Auf zeichnungsschicht 5, die in dieser Reihenfolge aufgestapelt sind. Hierbei bezeichnen die Pfeile in Fig. 1 die Magneti sierungsrichtungen der jeweiligen Schichten.

Die Abspielschicht 1 ist ein Magnetfilm aus einer Legierung eines Seltenerdmetalls und eines Übergangsmetalls, und beim Bestrahlen mit einem Lichtstrahl erlangt der bestrahlte Ab schnitt rechtwinklige Magnetisierung.

Die zweite Abschirmungsschicht 2, die eine vorbestimmte kri tische Temperatur T2 aufweist, ist so ausgebildet, daß sie an die Abspielschicht 1 angrenzt. Die zweite Abschirmungs schicht 2 wird später erörtert.

Die unmagnetische Zwischenschicht 3, die z. B. aus einem Film aus einem unmagnetischen Metall, einem Film aus einem unmagnetischen Dielektrikum oder einer Schicht aus Stapel filmen dieser Materialien besteht, ist vorhanden, damit zwi schen der Abspielschicht 1 und der Aufzeichnungsschicht 5 eine magnetostatische Kopplung erzielt wird.

Die Aufzeichnungsschicht 5, die ein rechtwinklig magneti sierter Film aus einem Seltenerdmetall und einem Übergangs metall ist, ist mit Aufzeichnungsbits zum Aufzeichnen von Information versehen. In Fig. 1 sind die Aufzeichnungsbits durch Abschnitte gekennzeichnet, die in der Aufzeichnungs schicht 5 durch gestrichelte Linien abgeteilt sind. Darüber hinaus ist in dieser Figur ein abzuspielendes Aufzeichnungs bit als Aufzeichnungsbit 16a gekennzeichnet, und diejenigen Aufzeichnungsbits, die benachbart zum Aufzeichnungsbit 16a liegen, sind als Aufzeichnungsbits 16b bezeichnet. Hierbei kann, auf dieselbe Weise wie bei der Magnetisierung der Auf zeichnungsbits der in Fig. 2 dargestellten Aufzeichnungs schicht 93, die Magnetisierung der Aufzeichnungsbits der Aufzeichnungsschicht 5 bei einem Temperaturanstieg zunehmen.

Die erste Abschirmungsschicht 4, die eine vorbestimmte kri tische Temperatur T4 aufweist, ist so ausgebildet, daß sie an die Aufzeichnungsschicht 5 angrenzt. Die kritische Tempe ratur T4 ist eine Temperatur, die durch Einstrahlen eines Lichtstrahls erzielt werden kann.

Hierbei kann die erste Abschirmungsschicht 4 die Magnetisie rung der Aufzeichnungsschicht 5 durch diejenigen Abschnitte magnetisch maskieren, die Temperaturen unter der kritischen Temperatur T4 aufweisen. Anders gesagt, maskiert die erste Abschirmungsschicht 4 die Magnetisierung magnetisch gegen über Abschnitten mit Temperaturen unter der kritischen Tem peratur T4 in der Aufzeichnungsschicht 5. Demgegenüber mas kiert die erste Abschirmungsschicht 4 in einem Hochtempera turabschnitt nicht unter der kritischen Temperatur T4 die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 5 nicht, so daß das Streumagnetfeld von der Aufzeichnungsschicht 5 zur Abspiel schicht 1 durchtreten kann. D. h., daß im Hochtemperaturab schnitt der ersten Abschirmungsschicht 4 eine magnetische Öffnung 18 ausgebildet ist.

Demgemäß werden, wie es in Fig. 1 dargestellt ist, im ak tuellen Aufzeichnungsträger, wenn beim Abspielen ein Licht strahl 17 eingestrahlt wird, ein Hochtemperaturabschnitt 22, der das Aufzeichnungsbit 16a enthält und eine Temperatur nicht unter der kritischen Temperatur T4 aufweist, und Nie dertemperaturabschnitte 21, die die Aufzeichnungsbits 16b enthalten und Temperaturen unter der kritischen Temperatur T4 aufweisen, ausgebildet. Dann dient die erste Abschir mungsschicht 4, in den Niedertemperaturabschnitten 21, als Maske für die Aufzeichnungsbits 16b, während im Hochtempera turabschnitt 22 die Öffnung 18 in der ersten Abschirmungs schicht 4 ausgebildet ist. Durch diese Anordnung wird nur die Magnetisierung des Aufzeichnungsbits 16a innerhalb des Hochtemperaturabschnitts 22 in die Abspielschicht 1 kopiert, so daß in der Abspielschicht 1 eine vergrößerte Magnetdomä ne 13 ausgebildet wird, die der Magnetisierung des Aufzeich nungsbits 16a entspricht.

Wie oben beschrieben, führt beim aktuellen Aufzeichnungsträ ger, da die erste Aufzeichnungsschicht 4 vorhanden ist, kein Streumagnetfeld von den Aufzeichnungsbits 16b benachbart zum Aufzeichnungsbit 16a zu nachteiligen Auswirkungen auf die Abspielschicht 1, und zwar selbst dann, wenn der Abspielvor gang dadurch ausgeführt wird, daß die Magnetisierung des Aufzeichnungsbits 16a in der Aufzeichnungsschicht 5 vergrö ßert und abgespielt wird. Daher dient der aktuelle Aufzeich nungsträger als magnetooptischer Aufzeichnungsträger, der einen Abspielvorgang mit gewünschter Vergrößerung einer Ma gnetdomäne ausführen kann.

Als erste Abschirmungsschicht 4 kann jede beliebige Schicht verwendet werden, solange sie die Magnetisierung des Nieder temperaturabschnitts 21 in der Aufzeichnungsschicht 5 magne tisch maskiert, der eine Temperatur unter der kritischen Temperatur T4 aufweist, während sie die Magnetisierung des Hochtemperaturabschnitts 22 in der Aufzeichnungsschicht 5 nicht maskiert, der eine Temperatur nicht unter der kriti schen Temperatur T4 aufweist. Z. B. können Magnetfilme mit magnetischen Eigenschaften, wie sie in den folgenden Punkten (1) bis (3) angegeben sind, verwendet werden:

(1) jede Magnetschicht, die bei Temperaturen unter der kri tischen Temperatur T4 in der Ebene liegende Magnetisierung zeigt und deren Magnetisierung bei Temperaturen nicht unter T4 verschwunden oder extrem verkleinert ist;
(2) jede Magnetschicht, die einen Magnetisierungszustand zeigt, der bei Temperaturen unter der kritischen Temperatur T4 den Magnetisierungszustand der Aufzeichnungsschicht 5 entgegengesetzt ist, und deren Magnetisierung bei Temperatu ren nicht unter T4 verschwunden oder extrem verkleinert ist; und
(3) jede Magnetschicht, die bei Temperaturen unter der kri tischen Temperatur T4 in der Ebene liegende Magnetisierung zeigt und bei Temperaturen nicht unter der kritischen Tempe ratur T4 rechtwinklige Magnetisierung zeigt.

Zusätzlich ist es bevorzugt, wenn ein Magnetfilm mit den obengenannten magnetischen Eigenschaften (1) und (2) als erste Abschirmungsschicht 4 verwendet wird, daß die Magne tisierung im Hochtemperaturabschnitt 22 verschwindet. Aus diesem Grund wird die Curietemperatur der ersten Abschir mungsschicht 4 vorzugsweise niedriger als die Curietempera tur der Aufzeichnungsschicht 5 eingestellt.

Darüber hinaus wird, um zu verhindern, daß das Streumagnet feld von der Aufzeichnungsschicht 5 in den Niedertemperatur abschnitten 21 zu nachteiligen Auswirkungen auf die Abspiel schicht 1 führt, die Magnetisierung der ersten Abschirmungs schicht 4 vorzugsweise größer als die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 5 in den Niedertemperaturabschnitten 21 eingestellt (einschließlich Abschnitten auf Raumtemperatur).

Hierbei ist es bevorzugt, daß die vergrößerte Magnetdomäne 13, wie sie während eines Abspielvorgangs in der Abspiel schicht 1 ausgebildet wird, als große Domäne vorliegt. Dies, da die Größe des Abspielsignals um so größer wird und Stör signale um so kleiner werden, je größer die vergrößerte Ma gnetdomäne 13 ist. Darüber hinaus müssen in der Abspiel schicht 1 erzeugte Domänenwände entsprechend dem von der Aufzeichnungsschicht 5 erzeugten Streumagnetfeld bewegt wer den. Demgemäß ist es bevorzugt, die Koerzitivfeldstärke der Abspielschicht 1 so klein wie möglich einzustellen.

Jedoch macht es keinen Sinn, die vergrößerte Magnetdomäne 13 größer als den Fleckdurchmesser des Lichtstrahls einzustel len, und zwar aus dem Gesichtspunkt der Signalwiedergabe her. Darüber hinaus ist es bevorzugt, die in der Abspiel schicht 1 ausgebildete vergrößerte Magnetdomäne 13 nach dem Abspielvorgang zu löschen, um einen gleichmäßigen Abspiel vorgang zu erzielen; wenn jedoch die vergrößerte Magnetdomä ne zu groß ist, ist es schwierig, den Löschvorgang in ge wünschter Weise auszuführen.

Selbst dann, wenn eine vergrößerte Magnetdomäne 13 mit ge wünschter Größe innerhalb des Fleckdurchmessers des Licht strahls ausgebildet ist, wird die Magnetisierung im Grenzbe reich 15 (siehe Fig. 1) angrenzend an die vergrößerte Ma gnetdomäne 13 in der Abspielschicht 1 aus Gründen instabil, wie sie in den folgenden Punkten (1) bis (3) angegeben sind, was zu Störungen im Abspielsignal führt:

(1) Der Grenzbereich 15 unterliegt Einflüssen des Streuma gnetfelds von den Aufzeichnungsbits 16b angrenzend an das abzuspielende Aufzeichnungsbit 16a.
(2) Der Grenzbereich 15 liegt nicht genau über dem Aufzeich nungsbit 16a. Daher verläuft im Grenzbereich 15 die Richtung des Streumagnetfelds vom Aufzeichnungsbit 16a nicht recht winklig zur Filmoberfläche.
(3) Die Temperaturverteilung der Abspielschicht 1 zeigt eine Verteilung, die ausgehend vom Mittelbereich des Lichtstrahl flecks kontinuierlich zum Randbereich auf Raumtemperatur ab nimmt. Daher fällt dann, wenn die Abspielschicht 1 ein Ma gnetfilm ist, der bei Raumtemperatur in der Ebene liegende Magnetisierung zeigt und bei einem Temperaturanstieg recht winklige Magnetisierung erlangt, die Temperatur des Grenzbe reichs 15 mit der Übergangstemperatur vom Zustand mit recht winkliger Magnetisierung in den Zustand mit in der Ebene liegender Magnetisierung zusammen.

Aus diesem Grund ist beim aktuellen Aufzeichnungsträger die zweite Abschirmungsschicht 2 angrenzend an die Abspiel schicht 1 positioniert, um zu verhindern, daß die Magneti sierung des Grenzbereichs 15 instabil wird.

Die zweite Abschirmungsschicht 2 weist eine vorbestimmte kritische Temperatur T2 auf, und sie ist so ausgebildet, daß sie angrenzend zur Abspielschicht 1 liegt. Hierbei zeigt die zweite Abschirmungsschicht 2 von Raumtemperatur bis zur kritischen Temperatur T2 in der Ebene liegende Ma gnetisierung, und bei Temperaturen nicht unter der kriti schen Temperatur T2 verschwindet ihre Magnetisierung oder ist extrem verkleinert. Anders gesagt, ist die kritische Temperatur T2 die Curietemperatur der zweiten Abschirmungs schicht 2, die durch Bestrahlen mit einem Lichtstrahl er reicht wird.

Die zweite Abschirmungsschicht 2 ist so konzipiert, daß sie einen Abschnitt der Abspielschicht 1 durch denjenigen Ab schnitt magnetisch maskiert, der Temperaturen unter der kri tischen Temperatur T2 einnimmt, so daß das Streumagnetfeld von der Aufzeichnungsschicht 5 keine nachteiligen Auswirkun gen auf andere Abschnitte als die vergrößerte Magnetdomäne 13 in der Abspielschicht 1 hat (einschließlich des Grenzbe reichs 15; nachfolgend als überflüssige Abschnitte bezeich net), d. h. betreffend die Abschnitte, die nicht durch den Lichtstrahl beleuchtet werden. Anders gesagt, sind diejeni gen Abschnitte, die in der zweiten Abschirmungsschicht 2 Temperaturen unter der kritischen Temperatur T2 einnehmen, mit den überflüssigen Abschnitten in der Abspielschicht 1 austauschgekoppelt, so daß die überflüssigen Abschnitte in der Ebene liegende Magnetisierung zeigen können.

Demgegenüber verschwindet im Abschnitt der zweiten Abschir mungsschicht 2 mit Temperaturen nicht unter der kritischen Temperatur T2 die Magnetisierung, oder sie ist extrem ver kleinert; daher hindert dieser Abschnitt das Streumagnetfeld nicht daran, von der Aufzeichnungsschicht 5 die Abspiel schicht 1 zu erreichen. Anders gesagt, ist im Abschnitt der zweiten Abschirmungsschicht 2 mit Temperaturen nicht unter der kritischen Temperatur T2 eine magnetische Öffnung 19 (siehe Fig. 1) ausgebildet.

Demgemäß zeigen, in der Abspielschicht, die Magnetisierungs richtung der vergrößerten Magnetdomäne 13 und die Magneti sierungsrichtung der überflüssigen Abschnitte, die Abschnit te außer dieser Magnetdomäne sind, eine drastische gegensei tige Änderung am Grenzbereich 15 aufgrund der Maske und der Öffnung 19 der zweiten Abschirmungsschicht 2. So ist es mög lich, die Magnetisierung des Aufzeichnungsbits 16a der Auf zeichnungsschicht 5 positiv zu vergrößern und in die Ab spielschicht 1 zu kopieren und auch die vergrößerte Magnet domäne 13 mit gewünschten Bedingungen auszubilden.

Hierbei sind die durch die erste Abschirmungsschicht 4 mas kierten Abschnitte andere Abschnitte als derjenige des Auf zeichnungsbits 16a in der Aufzeichnungsschicht 5, und sie sind vorzugsweise so konzipiert, daß sie das Streumagnet feld aus diesem Abschnitt sicher abschirmen. Daher ist die in der ersten Abschirmungsschicht 4 ausgebildete Öffnung 18 vorzugsweise auf eine Größe nicht über derjenigen des Auf zeichnungsbits 16a eingestellt.

Demgegenüber sind die durch die zweite Abschirmungsschicht 2 maskierten Abschnitte solche, die von der vergrößerten Ma gnetdomäne 13 in der Abspielschicht 1 verschieden sind, und vorzugsweise sind sie so konzipiert, daß sie die Ausbildung der vergrößerten Magnetdomäne 13 nicht verhindern. Daher ist die Öffnung 19, die in Abschnitten mit Temperaturen nicht unter der kritischen Temperatur T2 der zweiten Abschirmungs schicht 2 ausgebildet ist, vorzugsweise auf eine Größe ein gestellt, die so groß wie die vergrößerte Magnetdomäne 13 ist.

Daher ist die Öffnung 19 in der zweiten Abschirmungsschicht 2 vorzugsweise größer als die Öffnung 18 in der ersten Ab schirmungsschicht 4 ausgebildet.

In diesem Fall werden beim Einstrahlen eines Lichtstrahls während eines Abspielvorgangs Temperaturverteilungen auf beinahe dieselbe Weise in der zweiten Abschirmungsschicht 2 und der ersten Abschirmungsschicht 4 ausgebildet. Daher wird, um die Größe der Öffnung 19 von der der Öffnung 18 verschieden zu machen, die kritische Temperatur T4 höher eingestellt als die kritische Temperatur T2, wie es in Fig. 1 veranschaulicht ist.

Demgemäß wird z. B. im Fall der Verwendung eines Magnet films, wie er durch die obengenannten Punkte (1) oder (2) definiert ist, als erste Abschirmungsschicht 4, die Curie temperatur dieser ersten Abschirmungsschicht 4 höher als die Curietemperatur der zweiten Abschirmungsschicht 2 einge stellt.

Außerdem ist es, wie bereits beschrieben, bevorzugt, die in der Abspielschicht 1 ausgebildete vergrößerte Magnetdomäne 13 nach einem Abspielvorgang zu löschen, um den Abspielvor gang beim aktuellen Aufzeichnungsträger gleichmäßig aus zu führen. Daher ist es bevorzugt, den abspielenden Lichtstrahl als impulsförmige Lichtemission auszubilden, so daß die Ma gnetdomäne gelöscht wird, während kein Lichtstrahl emittiert wird, wohingegen die Temperatur des Trägers erhöht wird, während ein Lichtstrahl emittiert wird. Durch diese Anord nung erfolgt ein Signalabspielvorgang in wünschenswerter Weise durch Kopieren des Aufzeichnungsbits 16a in der Auf zeichnungsschicht 5 in die Abspielschicht 1, was es ermög licht, für Abspielsignale höherer Qualität zu sorgen.

Als nächstes werden Ausführungsbeispiele 1 bis 3 der Erfin dung wie folgt erörtert.

[Ausführungsbeispiel 1]

Die folgende Beschreibung erörtert das erste Ausführungsbei spiel des aktuellen Aufzeichnungsträgers. Fig. 5 ist eine erläuternde Ansicht, die den Aufbau einer magnetooptischen Platte (nachfolgend als aktuelle magnetooptische Platte be zeichnet) zeigt, die das erste Ausführungsbeispiel des ak tuellen Aufzeichnungsträgers bildet. Wie es in dieser Figur dargestellt ist, besteht die aktuelle magnetooptische Platte aus einer transparenten dielektrischen Schicht 7, einer Ab spielschicht 1, einer zweiten Abschirmungsschicht 2, einer unmagnetischen Zwischenschicht 3, einer ersten Abschirmungs schicht 4, einer Aufzeichnungsschicht 5, einer Schutzschicht 8 und einer Überzugsschicht 9, die in dieser Reihenfolge auf ein Substrat 6 aufgestapelt sind.

Bei der vorliegenden magnetooptischen Platte wird als Auf zeichnungsverfahren dasjenige mit der Curietemperatur ver wendet. Bei diesem Verfahren wird ein von einem Halbleiter laser abgestrahlter Lichtstrahl durch eine Objektivlinse auf die Abspielschicht 1 konvergiert. Dann wird Information durch einen magnetooptischen Effekt, der als polarer Kerr effekt bekannt ist, aufgezeichnet und abgespielt. Der polare Kerreffekt betrifft den Effekt, daß die Richtung der Kreis polarisation reflektierten Lichts durch eine Magnetisierung umgekehrt wird, die rechtwinklig zur Einfallsfläche eines Lichtstrahls verläuft. Anders gesagt, wird die Richtung der Kreispolarisation des Lichtstrahls durch die Magnetisie rungsrichtung geändert.

Das Substrat 6, das aus einem transparenten Trägermaterial wie Polycarbonat besteht, ist plattenförmig ausgebildet.

Die transparente dielektrische Schicht 7 besteht vorzugswei se aus einem Material mit geeignetem Brechungsindex wie AlN, SiN, AlSiN oder TiO₂. Ferner muß die Filmdicke der transpa renten dielektrischen Schicht 7 so eingestellt werden, daß ein guter Interferenzeffekt hinsichtlich eines einfallenden Laserstrahls erzielt wird und der Kerr-Rotationswinkel am Träger erhöht wird. Aus diesem Grund muß die Filmdicke der transparenten dielektrischen Schicht 7 ungefähr λ/(4n) be tragen, wenn die Wellenlänge des Abspiellichts λ ist und der Brechungsindex der transparenten dielektrischen Schicht 7 n ist. Wenn z. B. die Wellenlänge des Laserstrahls 680 nm ist, wird die Filmdicke der transparenten dielektrischen Schicht 7 vorzugsweise im Bereich von 40 nm bis 100 nm ein gestellt.

Die Abspielschicht 1 ist eine magnetische Schicht aus einer Seltenerdmetall-Übergangsmetall-Legierung. Die Zusammenset zung der Abspielschicht 1 ist so konzipiert, daß sie bei Raumtemperatur in der Ebene liegende Magnetisierung zeigt, während sie bei einem Temperaturanstieg rechtwinklige Ma gnetisierung zeigt. Da die Abspielschicht 1 wirkungsvolle Abspieleigenschaften zeigen muß, wird sie vorzugsweise so eingestellt, daß sie eine Curietemperatur über derjenigen der Aufzeichnungsschicht 5 aufweist, was später beschrieben wird.

Die unmagnetische Zwischenschicht 3 besteht aus einer Schicht eines dielektrischen Materials wie AlN, SiN oder AlSiN, oder einer Schicht aus einer unmagnetischen Metalle gierung aus Elementen wie Al, Si und Ta, oder einer Stapel schicht aus dem obigen dielektrischen Material und Metall. Die Filmdicke der unmagnetischen Zwischenschicht 3 wird von nicht weniger als 1 nm bis nicht mehr als 40 nm eingestellt, so daß die Abspielschicht 1 und die Aufzeichnungsschicht 5 in bevorzugter Weise magnetostatisch gekoppelt sind.

Sowohl die zweite Abschirmungsschicht 2 als auch die erste Abschirmungsschicht 4 bestehen aus einem Magnetfilm aus einer Seltenerdmetall-Übergangsmetall-Legierung, einem Sel tenerdmetall oder einem Übergangsmetall als Hauptbestand teil, der bei Temperaturen über der Raumtemperatur in der Ebene liegende Magnetisierung zeigt.

Wie bereits beschrieben, besteht die erste Abschirmungs schicht 4 aus einem Magnetfilm, dessen Zusammensetzung so konzipiert ist, daß er in Niedertemperaturabschnitten unter der kritischen Temperatur T4 in der Ebene liegende Magneti sierung zeigt, während seine Magnetisierung bei Temperaturen nicht unter der kritischen Temperatur T4 in den Hochtempera turabschnitten verschwunden ist oder extrem klein ist.

So maskieren die Niedertemperaturabschnitte das von Auf zeichnungsbits in der Aufzeichnungsschicht 5 erzeugte Streu magnetfeld, sie verhindern, daß das überflüssige Magnetfeld in die Abspielschicht 1 streut, und sie verhindern auch, daß die Magnetisierung der Abspielschicht 1 instabil wird. Darüber hinaus ermöglichen es die Hochtemperaturabschnitte, daß das von der Aufzeichnungsschicht 5 erzeugte Streuma gnetfeld zur Abspielschicht 1 hindurchtritt.

Die zweite Abschirmungsschicht 2 besteht aus einem Magnet film, dessen Zusammensetzung so konzipiert ist, daß er in den Niedertemperaturabschnitten unterhalb der kritischen Temperatur T2 in der Ebene liegende Magnetisierung zeigt, während seine Magnetisierung in den Hochtemperaturabschnit ten mit Temperaturen nicht unter der kritischen Temperatur T2 verschwunden ist oder extrem klein ist.

So verhindern die Niedertemperaturabschnitte, daß das über flüssige Magnetfeld aus der Aufzeichnungsschicht 5 die Ab spielschicht 1 nachteilig beeinflußt, und zwar durch Mas kieren des von Aufzeichnungsbits der Aufzeichnungsschicht 5 erzeugten Streumagnetfelds. Ferner ermöglichen es die Hoch temperaturabschnitte, daß das von den Aufzeichnungsbits der Aufzeichnungsschicht 5 erzeugte Streumagnetfeld zur Abspiel schicht 1 hindurchtritt. Unter Verwendung dieser Niedertem peraturabschnitte und Hochtemperaturabschnitte ermöglicht die zweite Abschirmungsschicht 2 eine abrupte Umkehrung der Magnetisierung der Abspielschicht 1 im Grenzbereich zwischen der vergrößerten Magnetdomäne und anderen Abschnitten als derselben, die in der Abspielschicht 1 ausgebildet sind. Hierbei ist die Curietemperatur der zweiten Abschirmungs schicht 2 niedriger eingestellt als die Curietemperatur der ersten Abschirmungsschicht 4.

Die Aufzeichnungsschicht 5 besteht aus einem Film einer Sel tenerdmetall-Übergangsmetall-Legierung mit rechtwinkliger Magnetisierung. Die Filmdicke der Aufzeichnungsschicht 5 ist im Bereich von 20 nm bis 80 nm eingestellt.

Die Schutzschicht 8 besteht aus einem dielektrischen Mate rial wie AlN, SiN, AlSiN oder SiC oder einer unmagnetischen Metallegierung aus Elementen wie Al, Ti und Ta. Die Schutz schicht 8 wird so hergestellt, daß sie die bei der Abspiel schicht 1 und der Aufzeichnungsschicht 5 verwendeten Selten erdmetall-Übergangsmetall-Legierungen gegen Oxidation schützt. Die Filmdicke der Schutzschicht 8 ist im Bereich von 5 nm bis 60 nm eingestellt.

Die Überzugsschicht 9 wird dadurch hergestellt, daß ein durch Ultraviolettstrahlung oder wärmehärtbares Harz mittels eines Beschichtungsverfahrens mit einer Aufschleudereinrich tung aufgetragen und mit Ultraviolettstrahlung oder Wärme behandelt wird.

Hinsichtlich spezieller Beispiele einer magnetooptischen Platte mit dem obenangegebenen Aufbau werden deren Herstell verfahren (1) sowie die Aufzeichnungs- und Abspieleigen schaften (2) wie folgt gesondert beschrieben:

(1) Herstellverfahren

Die folgende Beschreibung erörtert ein Herstellverfahren für die aktuelle magnetooptische Platte mit der obenangegebenen Anordnung. Das folgende Herstellverfahren ist ein Beispiel für Herstellverfahren aktueller magnetooptischer Platten. Die bei diesem Beispiel hergestellte magnetooptische Platte wird als Probe #1 bezeichnet.

In einer Sputtervorrichtung mit einem Al-Target, einem GdFeCo-Legierungstarget, zwei Arten von GdFeAl-Legierungs targets, die der zweiten Abschirmungsschicht 2 und der ers ten Abschirmungsschicht 4 entsprechen, und einem GdDyFeCo-Le gierungstarget wurde ein Polycarbonatsubstrat 6 mit Vorab gräben und/oder Vorabvertiefungen, das plattenförmig ausge bildet war, auf einem Substrathalter angeordnet.

Nachdem die Sputtervorrichtung auf 1,33×10⁻⁶ hPa evakuiert wurde, wurde ein Mischgas aus Argon und Stickstoff in sie eingeleitet, und es wurde elektrische Energie dem Al-Target in solcher Weise zugeführt, daß auf dem Substrat 6 eine transparente dielektrische Schicht 7 aus AlN mit einer Film dicke von 80 nm ausgebildet wurde, wobei der Gasdruck auf 4×1,33×10⁻³ hPa eingestellt war.

Als nächstes wurde, nachdem die Sputtervorrichtung erneut auf 1,33×10⁻⁶ hPa evakuiert worden war, Argongas in diese eingeleitet, und dem GdFeCo-Legierungstarget wurde elektri sche Energie bei einem Gasdruck von 4×1,33×10⁻³ hPa in solcher Weise zugeführt, daß auf der transparenten dielek trischen Schicht 7 eine Abspielschicht 1 aus Gd_0,30(Fe_0,80Co_0,20)_0,70 mit einer Filmdicke von 20 nm aus gebildet wurde. Die Abspielschicht 1 hatte die Eigenschaft, daß sie bei Raumtemperatur in der Ebene liegende Magneti sierung zeigte, während sie bei 120°C rechtwinklige Magneti sierung zeigte. Ferner betrug die Kompensationstemperatur der Abspielschicht 1 300°C, und ihre Curietemperatur betrug 320°C.

Als nächstes wurde dem ersten GdFeAl-Legierungstarget bei einem Gasdruck von 4×1,33×10⁻³ hPa elektrische Energie so zugeführt, daß auf der Abspielschicht 1 eine zweite Ab schirmungsschicht 2 aus (Gd_0,11Fe_0,89)_0,5Al_0,5 mit einer Filmdicke von 10 nm ausgebildet wurde. Die zweite Abschir mungsschicht 2 hatte eine Curietemperatur von 95°C, und sie zeigte von Raumtemperatur bis zur Curietemperatur eine Ma gnetisierung in einer Richtung parallel zur Filmfläche.

Anschließend wurde ein Mischgas aus Argon und Stickstoff eingeleitet, und dem Al-Target wurde elektrische Energie so zugeführt, daß auf der zweiten Abschirmungsschicht 2 eine unmagnetische Zwischenschicht 3 aus AlN mit einer Filmdicke von 20 nm bei einem Gasdruck von 4×1,33×10⁻³ hPa ausge bildet wurde.

Als nächstes wurde dem zweiten GdFeAl-Legierungstarget elek trische Energie bei einem Gasdruck von 4×1,33×10⁻³ hPa so zugeführt, daß auf der unmagnetischen Zwischenschicht 3 eine erste Abschirmungsschicht 4 aus (Gd_0,11Fe_0,89)_0,75Al_0,25 mit einer Filmdicke von 20 nm aus gebildet wurde. Die erste Abschirmungsschicht 4 hatte eine Curietemperatur von 120°C, was höher als diejenige der zwei ten Abschirmungsschicht 2 ist, und sie zeigte von Raumtempe ratur bis zur Curietemperatur eine Magnetisierung in einer Richtung parallel zur Filmfläche.

Als nächste wurde, nachdem die Sputtervorrichtung erneut auf 1,33×10⁻⁶ hPa evakuiert worden war, Argongas in sie einge leitet, und dem GdDyFeCo-Legierungstarget wurde bei einem Gasdruck von 4×1,33×10⁻³ hPa elektrische Energie in sol cher Weise zugeführt, daß auf der ersten Abschirmungs schicht 4 eine Aufzeichnungsschicht 5 aus (Gd_0,50Dy_0,50)_0,23(Fe_0,80Co_0,20)_0,77 mit einer Filmdicke von 40 nm ausgebildet wurde. Die Kompensationstemperatur der Aufzeichnungsschicht 5 lag bei 25°C, und ihre Curietempera tur betrug 275°C.

Anschließend wurde ein Mischgas aus Argon und Stickstoff eingeleitet, und dem Al-Target wurde elektrische Energie in solcher Weise zugeführt, daß auf der Aufzeichnungsschicht 5 eine Schutzschicht 8 aus AlN mit einer Filmdicke von 20 nm ausgebildet wurde, was bei einem Gasdruck von 4×1,33×10⁻³ hPa erfolgte.

Als nächstes wurde durch ein Beschichtungsverfahren mit ei ner Aufschleudereinrichtung ein durch Ultraviolettstrahlung härtbares Harz auf die Schutzschicht 8 aufgetragen, und durch Bestrahlen mit Ultraviolettstrahlung wurde die Über zugsschicht 9 hergestellt.

So wurde die Probe #1 der aktuellen magnetooptischen Platte hergestellt.

(2) Aufzeichnungs- und Abspieleigenschaften

Die Ergebnisse von Messungen, wie sie hinsichtlich der Auf zeichnungs- und Abspieleigenschaften der aktuellen magneto optischen Platte ausgeführt wurden, sind in den folgenden Beispielen 1 bis 3 angegeben.

(Beispiel 1)

Fig. 6 ist ein Kurvenbild, das Ergebnisse von Messungen zeigt, wie sie hinsichtlich der Markierungslängenabhängig keit des TRV (Trägersignal/Rauschsignal-Verhältnis) betref fend die Probe #1 ausgeführt wurden, die gemäß dem obigen Herstellverfahren (1) hergestellt worden war. Diese Messun gen wurden unter Verwendung eines optischen Aufnehmers mit einem Halbleiterlaser mit einer Wellenlänge von 680 nm aus geführt.

Darüber hinaus zeigt diese Figur für Vergleichszwecke auch die Ergebnisse von Messungen, wie sie hinsichtlich einer Probe #2 und einer Vergleichsprobe #1 ausgeführt wurden. Hierbei war die Probe #2 eine magnetooptische Platte, bei der die zweite Abschirmungsschicht 2 aus dem Aufbau der Pro be #1 weggelassen war. Die Vergleichsprobe #1 war eine ma gnetooptische Platte, bei der die zweite Abschirmungsschicht 2 und die erste Abschirmungsschicht 4 aus dem Aufbau der Probe #1 weggelassen waren.

In diesem Fall ist die Markierungslängenabhängigkeit des TRV, wie in dieser Figur dargestellt, wie folgt definiert: Aufzeichnungsbits mit jeweils einer einer Markierungslänge entsprechenden Länge werden kontinuierlich so ausgebildet, daß die Schrittweite von Aufzeichnungsmagnetdomänen jeweils das Doppelte der Markierungslänge ist, und die Beziehung zwischen dem TRV und der Markierungslänge wird aufgefunden, wenn die Aufzeichnungsbits abgespielt werden.

Wie es in dieser Figur dargestellt ist, beträgt im Fall ei ner Markierungslänge von 0,3 µm das TRV bei der Vergleichs probe #1 34,0 dB, während das TRV bei der Probe #1 41 dB be trägt, so daß es um 7 dB größer als das erstere ist.

Dies, da die Aufzeichnungsbits bei der Probe #1, die keine Beziehung zum Abspielvorgang in der Aufzeichnungsschicht 5 hatten, durch die erste Abschirmungsschicht 4 maskiert wa ren, so daß die Abspielauflösung verbessert war, wobei au ßerdem überflüssige Streumagnetfelder zur Abspielschicht 1 hin durch die zweite Abschirmungsschicht 2 bei der Probe #1 maskiert waren, so daß die Magnetisierungsrichtung im Grenzbereich 15 angrenzend an die vergrößerte Magnetdomäne 13, wie in Fig. 1 dargestellt, eine drastische Änderung zeigte.

Darüber hinaus wurden Proben dadurch hergestellt, daß die zweite Abschirmungsschicht 2 aus dem Aufbau der aktuellen magnetooptischen Platte weggelassen wurde und die Filmdicke der ersten Abschirmungsschicht 4 variiert wurde. Für den Fall einer Markierungslänge von 0,3 µm wurden die TRV-Werte gemessen, und-die Tabelle 1 zeigt die Messergebnisse. In der Tabelle 1 zeigt das Ergebnis mit 0 nm der zweiten Abschir mungsschicht 2 und der ersten Abschirmungsschicht 4 das Er gebnis der Vergleichsprobe #1, bei der keine Abschirmungs schichten 2 und 4 ausgebildet sind. Ferner zeigt das Ergeb nis mit 0 nm der zweiten Abschirmungsschicht 2 sowie 20 nm der ersten Abschirmungsschicht 4 das Ergebnis zur Probe #2.

Tabelle 1

Wie es in dieser Tabelle dargestellt ist, ist beim Aufbau der aktuellen magnetooptischen Platte ohne zweite Abschir mungsschicht 2 selbst bei einem Aufbau mit sehr dünner ers ter Abschirmungsschicht 4 von 2 nm das TRV um 1 dB größer als der entsprechende Wert bei der Vergleichsprobe #1 ohne erste Abschirmungsschicht 4, und zwar durch den Effekt der magnetischen Maskierung (nachfolgend als Maske mit in der Ebene liegender Magnetisierung), der durch die Abschnitte der ersten Abschirmungsschicht 4 mit in der Ebene liegender Magnetisierung ausgeübt wird.

Ferner nimmt das TRV zu, wenn, wie es aus der Tabelle er sichtlich ist, die Filmdicke der ersten Abschirmungsschicht 4 zunimmt. Diese Zunahme rührt aus der Tatsache her, daß dann, wenn die Dicke der ersten Abschirmungsschicht 4 zu nimmt, die Maske mit in der Ebene liegender Magnetisierung der ersten Abschirmungsschicht 4 verstärkt ist.

Wenn jedoch die Dicke der ersten Abschirmungsschicht 4 30 nm überschreitet, nimmt das TRV ab. Diese Verringerung beruht vermutlich auf den Tatsachen, daß die Aufzeichnungsschicht und die Abspielschicht zu weit voneinander getrennt sind und daß die Maske mit in der Ebene liegender Magnetisierung der ersten Abschirmungsschicht 4 zu stark ausgebildet ist, als daß die magnetische Öffnung in der ersten Abschirmungs schicht 4 ausgebildet sein könnte, wodurch es nicht gelingt, eine vorteilhaft vergrößerte Magnetdomäne in der Abspiel schicht 1 auszubilden.

Die Tabelle 1 zeigt, daß zum Erzielen eines TRV über dem entsprechenden Wert der Vergleichsprobe #1 die Filmdicke der ersten Abschirmungsschicht 4 vorzugsweise von nicht weniger als 2 nm bis nicht mehr als 40 nm eingestellt wird. Darüber hinaus wird die Filmdicke der ersten Abschirmungsschicht 4 bei der Probe #1 und der Probe #2 auf 20 nm eingestellt, was der Wert zum Erzielen des höchsten TRV ist, wie es aus der Tabelle 1 ersichtlich ist.

Als nächstes wurden Proben dadurch hergestellt, daß beim Aufbau der Probe #1 die Filmdicke der zweiten Abschirmungs schicht 2 variiert wurde, und es wurden die TRV-Werte im Fall einer Markierungslänge von 0,3 µm gemessen. Die Tabelle 2 zeigt die Messergebnisse. Hierbei zeigt das Ergebnis mit 0 nm für die zweite Abschirmungsschicht 2 sowie 20 nm für die erste Abschirmungsschicht 4 das Ergebnis für die Probe #2. Ferner zeigt das Ergebnis mit 10 nm für die zweite Ab schirmungsschicht 2 und 20 nm für die erste Abschirmungs schicht 4 das Ergebnis für die Probe #1.

Tabelle 2

Wie es in dieser Tabelle dargestellt ist, ist beim Aufbau der Probe #1 selbst bei einer Probe mit einer sehr dünnen zweiten Abschirmungsschicht 2 von 2 nm das TRV um 1 dB grö ßer als bei der Probe #2, und zwar durch die Wirkung der Maske mit in der Ebene liegender Magnetisierung, wie durch die zweite Abschirmungsschicht 2 erzielt.

Ferner nimmt das TRV zu, wenn die Filmdicke der zweiten Ab schirmungsschicht 2 zunimmt, wie es aus dieser Tabelle er kennbar ist. Dieser Anstieg rührt von der Tatsache her, daß dann, wenn die Dicke der zweiten Abschirmungsschicht 2 zu nimmt, die Maske mit in der Ebene liegender Magnetisierung der zweiten Abschirmungsschicht 2 verstärkt wird.

Wenn jedoch die Dicke der zweiten Abschirmungsschicht 2 10 nm übersteigt, fällt das TRV. Diese Abnahme beruht ver mutlich auf den Tatsachen, daß die Aufzeichnungsschicht und die Abspielschicht zu weit voneinander getrennt sind und daß die Maske mit in der Ebene liegender Magnetisierung der zweiten Abschirmungsschicht 2 zu stark ausgebildet ist, als daß die magnetische Öffnung in der zweiten Abschirmungs schicht 2 ausgebildet sein könnte, wodurch es nicht gelingt, in der Abspielschicht 1 eine in vorteilhafter Weise vergrö ßerte Magnetdomäne auszubilden.

Die Tabelle 2 zeigt, daß zum Erzielen eines TRV über demje nigen der Vergleichsprobe #1 die Filmdicke der zweiten Ab schirmungsschicht 2 vorzugsweise auf nicht mehr als 40 nm eingestellt wird. Darüber hinaus ist die Filmdicke der zwei ten Abschirmungsschicht 2 bei der Probe #1 auf 10 nm einge stellt, was in der Tabelle 2 der Wert zum Erzielen des höch sten TRV ist.

Als nächstes wurden Proben dadurch hergestellt, daß die Filmdicke der Abspielschicht 1 beim Aufbau der Probe #1 va riiert wurde, und es wurden TRV-Werte im Fall einer Markie rungslänge von 0,3 µm gemessen. Die Tabelle 3 zeigt die Meßergebnisse.

Tabelle 3

Wie es in dieser Tabelle dargestellt ist, wird im Fall einer Abspielschicht 1 mit einer Filmdicke von 8 nm das TRV klei ner als bei der Vergleichsprobe #1, da lediglich ein kleines Abspielsignal erhalten wird. Darüber hinaus nimmt im Fall einer Abspielschicht 1 mit einer Filmdicke von 120 nm die durch die Abspielschicht 1 erzeugte Domänenwandenergie zu, was es unmöglich macht, in den Abschnitten mit Temperaturan stieg einen Zustand mit vollständig rechtwinkliger Magneti sierung zu erzielen (d. h., es gelingt nicht, eine in vor teilhafter Weise vergrößerte Magnetdomäne auszubilden); da her wird das TRV kleiner als dasjenige der Vergleichsprobe #1.

Die Tabelle 3 zeigt, daß zum Erzielen eines TRV über demje nigen der Vergleichsprobe #1 die Filmdicke der Abspiel schicht 1 im Bereich von 10 bis 80 nm einzustellen ist.

Als nächstes wurden mit dem Aufbau der Probe #1 Proben da durch hergestellt, daß die Filmdicke der unmagnetischen Zwischenschicht 3 variiert wurde, und es wurden TRV-Werte für den Fall einer Markierungslänge von 0,3 µm gemessen, wo bei ebenfalls das für einen Löschvorgang erforderliche Ma gnetfeld (das Löschmagnetfeld) gemessen wurde. Die Tabelle 4 zeigt die Meßergebnisse.

Tabelle 4

Wie es in der Tabelle 4 dargestellt ist, ist im Fall einer unmagnetischen Zwischenschicht 3 mit einer Filmdicke von 0,5 nm das TRV extrem verringert. Dies beruht vermutlich auf der Tatsache, daß die Filmdicke der unmagnetischen Zwi schenschicht 3 zu gering ist, um für einen bevorzugten ma gnetostatischen Kopplungszustand zwischen der Abspielschicht 1 und der Aufzeichnungsschicht 5 zu sorgen.

Darüber hinaus ist, wie es in dieser Tabelle dargestellt ist, das TRV bei derjenigen Probe am größten, bei der die unmagnetische Zwischenschicht 3 eine Filmdicke von 1 nm hat. Ferner fällt das TRV, wenn die Filmdicke der unmagnetischen Zwischenschicht 3 über 1 nm zunimmt. Dies beruht vermutlich auf der Tatsache, daß dann, wenn die unmagnetische Zwi schenschicht 3 dicker wird, die zwischen der Abspielschicht 1 und der Aufzeichnungsschicht 5 ausgeübte magnetostatische Kopplungskraft schwächer wird.

Die Tabelle 4 zeigt, daß zum Erzielen eines TRV über demje nigen der Vergleichsprobe #1, die Filmdicke der unmagneti schen Zwischenschicht 3 im Bereich von 1 bis 80 nm einzu stellen ist.

Ferner zeigt die Tabelle 4 auch, daß das Löschmagnetfeld dadurch minimiert werden kann, daß die Filmdicke der unma gnetischen Zwischenschicht 3 dicker gemacht wird, um die ma gnetostatische Kopplungskraft zwischen der Abspielschicht 1 und der Aufzeichnungsschicht 5 zu minimieren. Der Bereich des Löschmagnetfelds für die praktische Verwendung beträgt nicht mehr als 31 kA/m. Daher ist es zum Beibehalten des Löschmagnetfelds auf nicht mehr als 31 kA/m bevorzugt, die Filmdicke der unmagnetischen Zwischenschicht 3 auf nicht we niger als 4 nm einzustellen.

(Beispiel 2)

Für das Beispiel 1 sind die Meßergebnisse hinsichtlich Fäl len dargestellt, bei denen (Gd_0,11Fe_0,89)_0,5Al_0,5, dessen Curietemperatur 120°C beträgt, als erste Abschirmungsschicht 4 bei der Probe #1 und der Probe #2 oder als zweite Abschir mungsschicht 2 bei der Probe #1 verwendet ist.

Im vorliegenden Beispiel erfolgt eine Erläuterung für Fälle, bei denen für die zweite Abschirmungsschicht 2 oder die ers te Abschirmungsschicht 4 andere Zusammensetzungen verwendet sind. Insbesondere wurde beim vorliegenden Beispiel der Al-Ge halt der zweiten Abschirmungsschicht 2 und der ersten Ab schirmungsschicht 4, die stark zur Maskierung des magneto statischen, koppelnden Magnetfelds (Streumagnetfeld) beitra gen, wie es von den feinen Aufzeichnungsbits der Aufzeich nungsschicht 5 erzeugt wird, variiert. Für die jeweiligen Fälle wurden Aufzeichnungs- und Abspieleigenschaften gemes sen, und es erfolgt eine Erläuterung zu den Ergebnissen.

Mit dem Aufbau der Probe #1 wurden Proben dadurch herge stellt, daß die zweite Abschirmungsschicht 2 weggelassen wurde und der Wert von X (Zusammensetzungsanteil) in der durch (Gd_0,11Fe_0,89)_xAl_1-x repräsentierten Zusammensetzung der ersten Abschirmungsschicht 4 geändert wurde. Das TRV wurde für den Fall einer Markierungslänge von 0,3 µm gemes sen. Die Tabelle 5 zeigt die Messergebnisse. Ferner zeigt diese Tabelle auch die kritische Temperatur T4 (Curietempe ratur) jeder der Zusammensetzungen der ersten Abschirmungs schicht 4. Hierbei wurden diese TRV-Messungen unter Verwen dung eines optischen Aufnehmers mit einem Halbleiterlaser mit einer Wellenlänge von 680 nm ausgeführt. Ferner betrug die Filmdicke jeder ersten Abschirmungsschicht 4 20 nm. Dar über hinaus zeigt das Meßergebnis für X = 0,75 in dieser Tabelle das Meßergebnis für die Probe #2.

Tabelle 5

Die Tabelle 5 zeigt, daß X vorzugsweise im Bereich von 0,30 ≦ X ≦ 1,00 eingestellt wird, um ein TRV zu erzielen, das höher als dasjenige der Vergleichsprobe #1 (34,0 dB, siehe die Tabelle 1) ist, die weder die zweite Abschirmungs schicht 2 noch die erste Abschirmungsschicht 4 aufweist.

Wie bereits beschrieben, zeigt die Abspielschicht 1 der Pro be #1 bei einer Temperatur von 120°C in der Ebene liegende Magnetisierung. Da die erste Abschirmungsschicht 4 bei Tem peraturen nicht über 120°C nur die Aufzeichnungsschicht 5 mit in der Ebene liegender Magnetisierung maskieren muß, beträgt der optimale Wert der Curietemperatur (kritische Temperatur T4) der ersten Abschirmungsschicht 4 120°C.

Wenn jedoch, wie es in der Tabelle 5 dargestellt ist, die kritische Temperatur T4 der ersten Abschirmungsschicht 4 im Bereich von nicht unter 60°C bis nicht über 220°C liegt, ist der TRV-Wert der Probe #1 höher als derjenige der Ver gleichsprobe #1. Dies zeigt, daß die erste Abschirmungs schicht 4 dann eine gewünschte Maske mit in der Ebene lie gender Magnetisierung bilden kann, wenn die kritische Tempe ratur T4 der ersten Abschirmungsschicht 4 bei der Probe #1 im Bereich von nicht weniger als 60°C bis nicht mehr als 220°C liegt.

Mit dem Aufbau der Probe #1 wurden Proben durch Ändern des Werts von X (Zusammensetzungsanteil) in der durch (Gd_0,11Fe_0,89)_xAl_1-x repräsentierten Zusammensetzung der zweiten Abschirmungsschicht 2 hergestellt, und es wurde das TRV im Fall einer Markierungslänge von 0,3 µm gemessen. Die Tabelle 6 zeigt die Messergebnisse. Ferner zeigt diese Ta belle auch die kritische Temperatur T2 (Curietemperatur) je der der Zusammensetzungen der zweiten Abschirmungsschicht 2. Ferner beträgt die Filmdicke jeder zweiten Abschirmungs schicht 2 20 nm. Darüber hinaus zeigt das Meßergebnis bei X = 0,50 in dieser Tabelle das Meßergebnis zur Probe #1.

Tabelle 6

Die Tabelle 6 zeigt, daß es bevorzugt ist, X im Bereich von 0,30 ≦ X ≦ 0,50 einzustellen, um ein TRV über demjenigen (39,5 dB, siehe die Tabelle 5) der Probe #2 ohne zweite Ab schirmungsschicht 2 zu erzielen. Ferner wurde klargestellt, daß der Bereich von X, der für ein TRV über demjenigen (34,0 dB) der Vergleichsprobe #1 sorgt, die weder die zweite Abschirmungsschicht 2 noch die erste Abschirmungsschicht 4 aufweist, durch 0,25 ≦ X ≦ 1,00 repräsentiert ist.

Ferner ist es möglich, wie es in der Tabelle 6 dargestellt ist, wenn die kritische Temperatur T2 der zweiten Abschir mungsschicht 2 im Bereich von nicht unter 35°C bis nicht über 220°C liegt, möglich, ein TRV über demjenigen der Ver gleichsprobe #1 zu erzielen. Dies zeigt, daß die zweite Ab schirmungsschicht 2 dann, wenn die kritische Temperatur T2 der ersten Abschirmungsschicht 4 im Bereich von nicht unter 35°C bis nicht über 220°C liegt, eine gewünschte Maske mit in der Ebene liegender Magnetisierung bilden kann.

Darüber hinaus zeigt die Abspielschicht 1, wie oben be schrieben, bei 120°C in der Ebene liegende Magnetisierung. Hierbei ist es, hinsichtlich der in der Abspielschicht 2 ausgebildeten Magnetdomäne, aus dem Gesichtspunkt der Si gnaleigenschaft von Vorteil, diese Domäne so zu vergrößern, daß sie größere Abmessung als das Aufzeichnungsbit 16a in der Aufzeichnungsschicht 5 aufweist, wie im Fall der in Fig. 1 dargestellten vergrößerten Magnetdomäne 13. Aus diesem Grund ist es nicht bevorzugt, es zuzulassen, daß die zweite Abschirmungsschicht 2 die vergrößerte Magnetdomäne in der Abspielschicht 1 mit in der Ebene liegender Magnetisierung maskiert. Daher wird die kritische Temperatur T2 der zweiten Abschirmungsschicht 2 vorzugsweise niedriger als die Curie temperatur der Abspielschicht 1 eingestellt, und bevorzugter wird sie im Bereich von nicht weniger als 60°C bis nicht mehr als 95°C eingestellt.

Zusätzlich wurde bei den Beispielen 1 und 2 GdFeAl für die zweite Abschirmungsschicht 2 und die erste Abschirmungs schicht 4 verwendet, wofür die Meßergebnisse angegeben sind. Jedoch ist das Material der zweiten Abschirmungs schicht 2 und der ersten Abschirmungsschicht 4 nicht auf dieses Material beschränkt. D. h., daß für die zweite Ab schirmungsschicht 2 und die erste Abschirmungsschicht 4 je des beliebige Material verwendet werden kann, solange es eine Curietemperatur im Bereich von 60°C bis 220°C zeigt und unterhalb der Curietemperatur in der Ebene liegende Magneti sierung zeigt. Z. B. können außer GdFeAl auch Materialien wie NdFe, NdFeAl, DyFe und DyFeAl für die zweite Abschir mungsschicht 2 und die erste Abschirmungsschicht 4 verwendet werden.

(Beispiel 3)

Bei den Beispielen 1 und 2 wurden Meßergebnisse für Fälle erfaßt, bei denen GdFeAl bei der Probe #1 und der Probe #2 für die erste Abschirmungsschicht 4 verwendet war. Beim vor liegenden Beispiel erfolgt eine Erläuterung für Fälle, bei denen für die erste Abschirmungsschicht 4 andere Materialien verwendet sind.

Beim Aufbau der Probe #1 wurde (Gd_0,11Fe_0,89)_0,75Z_0,25 als Material der ersten Abschirmungsschicht 4 verwendet, und die Proben wurden dadurch hergestellt, daß der Z entsprechende Bestandteil geändert wurde. Das TRV wurde für eine Markie rungslänge von 0,3 µm gemessen. Die Tabelle 7 zeigt die Messergebnisse, und sie zeigt auch die kritische Temperatur T4 für jedes der Materialien der ersten Abschirmungsschicht 4.

Hierbei wurden Ti, Ta, Pt, Au, Cu, Al_0,5Ti_0,5 sowie Al_0,5Ta_0,5 als Bestandteil Z verwendet. Ferner ist in der obersten Zeile das TRV des Vergleichsbeispiels #1 angegeben, und in der zweiten Zeile von oben ist das TRV der Probe #1 (bei der Z Al ist) angegeben, jeweils zu Vergleichszwecken. Diese TRV-Messungen wurden unter Verwendung eines optischen Aufnehmers mit einem Halbleiterlaser mit einer Wellenlänge von 680 nm ausgeführt. Ferner betrug die Filmdicke der ers ten Abschirmungsschicht 4 jeweils 20 nm.

Tabelle 7

Die Tabelle 7 zeigt, daß das TRV bei allen Proben, bei de nen Ti, Ta, Pt, Au, Cu, Al_0,5Ti_0,5 oder Al_0,5Ta_0,5 als Z verwendet ist, ein höheres TRV als das Vergleichsbeispiel #1 zeigen. Ferner ist die Curietemperatur (kritische Temperatur T4) aller Materialien für die erste Abschirmungsschicht 4 im Bereich von 60°C bis 220°C gehalten, was der gewünschte Be reich für die Curietemperatur der ersten Abschirmungsschicht 4 ist (siehe Beispiel 2).

Außerdem können als Material der ersten Abschirmungsschicht 4 Materialien wie NdFeTi, NdFeTa, DyFeTi und DyFeTa verwen det werden.

[Ausführungsbeispiel 2]

Die folgende Beschreibung erörtert das zweite Ausführungs beispiel des aktuellen Aufzeichnungsträgers. Beim aktuellen Ausführungsbeispiel sind diejenigen Elemente, die dieselben Funktionen wie beim Ausführungsbeispiel 1 aufweisen und dort beschrieben sind, mit denselben Bezugszahlen gekennzeichnet, und die Beschreibung derselben wird weggelassen.

Fig. 7 ist eine erläuternde Zeichnung, die den Aufbau einer magnetooptischen Platte (nachfolgend als aktuelle magnetoop tische Platte bezeichnet) zeigt, die das zweite Ausführungs beispiel des aktuellen Aufzeichnungsträgers bildet. Wie es in dieser Figur dargestellt ist, hat die aktuelle magnetoop tische Platte einen Aufbau, bei dem eine Reflexionsschicht 10 zwischen die unmagnetische Zwischenschicht 3 und die ers te Abschirmungsschicht 4 im Aufbau der in Fig. 5 dargestell ten magnetooptischen Platte eingefügt ist.

Wenn bei der in Fig. 5 dargestellten magnetooptischen Platte z. B. die Filmdicke der ersten Abschirmungsschicht 4 auf kleiner als 10 nm eingestellt wird, wird ein Lichtstrahl 9, der durch die Abspielschicht 1 und die unmagnetische Zwi schenschicht 3 gelaufen ist, durch die Aufzeichnungsschicht 5 reflektiert. Da sich das durch die Aufzeichnungsschicht 5 reflektierte Licht mit dem reflektierten Licht vermischt, das vom optischen Aufnehmer zu empfangen ist, unterliegt das Abspielsignal einer Wechselwirkung mit überflüssiger Infor mation, was zu einer Beeinträchtigung der Qualität des Ab spielsignals führt.

Um dieses Problem zu überwinden, ist die aktuelle magnetoop tische Platte mit der Reflexionsschicht 10 zwischen der un magnetischen Zwischenschicht 3 und der ersten Abschirmungs schicht 4 versehen. Durch diese Anordnung wird der Licht strahl, der durch die Abspielschicht 1 gelaufen ist, durch die Zwischenschicht 10 reflektiert, so daß er die Aufzeich nungsschicht 5 nicht erreichen kann. Daher kann kein an der Aufzeichnungsschicht 5 reflektiertes Licht in den optischen Aufnehmer eintreten, so daß es möglich ist, eine Beein trächtigung der Qualität des Abspielsignals zu vermeiden.

Z. B. wird Al als Reflexionsschicht 10 verwendet. Ferner wird die Filmdicke der Reflexionsschicht 10 vorzugsweise im Bereich von 2 bis 80 nm eingestellt.

Hinsichtlich spezieller Beispiele der magnetooptischen Plat te der aktuellen Ausführungsform werden das Herstellverfah ren (1) sowie Aufzeichnungs- und Abspieleigenschaften (2) derselben gesondert wie folgt beschrieben:

(1) Herstellverfahren

Die folgende Beschreibung erörtert ein Herstellverfahren für die aktuelle magnetooptische Platte mit dem obigen Aufbau. Das folgende Herstellverfahren ist ein Beispiel für Her stellverfahren für die aktuelle magnetooptische Platte. Die bei diesem Beispiel hergestellte magnetooptische Platte wird als Probe #11 bezeichnet.

Beim Herstellverfahren der Probe #11 wird durch ein ähnli ches Herstellverfahren wie beim Ausführungsbeispiel 1 für die Probe #1 eine Reflexionsschicht 10 aus Al zwischen der unmagnetischen Zwischenschicht 3 und der ersten Abschir mungsschicht 4 hergestellt, wobei die Filmdicke der Abspiel schicht 1 auf 15 nm eingestellt wird, diejenige der zweiten Abschirmungsschicht auf 5 nm eingestellt wird und diejenige der ersten Abschirmungsschicht 4 auf 10 nm eingestellt wird.

Anders gesagt, sind bei der Probe #1 die Zusammensetzungen und Herstellverfahren für das Substrat 6, die transparente dielektrische Schicht 7, die unmagnetische Zwischenschicht 3, die Aufzeichnungsschicht 5, die Schutzschicht 8 und die Überzugsschicht 9 dieselben wie bei der Probe #1. Ferner sind die Herstellverfahren für die Abspielschicht 1, die zweite Abschirmungsschicht 2 und die erste Abschirmungs schicht 4 der Probe #1 dieselben wie diejenigen der Probe #1, abgesehen von den jeweiligen Filmdicken.

Nachdem die unmagnetische Zwischenschicht 3 hergestellt wur de, wird die Reflexionsschicht 10 auf dieselbe aufgestapelt. Anders gesagt, wurde nach der Herstellung der unmagnetischen Zwischenschicht 3 die Sputtervorrichtung auf 1,33×10⁻⁶ hPa evakuiert, Argongas wurde in sie eingeleitet, und dem Al-Tar get wurde elektrische Energie so zugeführt, daß auf der unmagnetischen Zwischenschicht bei der Probe #11 eine Refle xionsschicht 10 aus Al mit einer Filmdicke von 20 nm bei einem Gasdruck von 4×1,33×10⁻³ hPa hergestellt wurde.

(2) Aufzeichnungs- und Abspieleigenschaften

Die Ergebnisse von Messungen, wie sie hinsichtlich der Auf zeichnungs- und Abspieleigenschaften der aktuellen magneto optischen Platte ausgeführt wurden, sind wie folgt als Bei spiele 4 bis 6 angegeben.

(Beispiel 4)

Proben wurden dadurch hergestellt, daß die Filmdicke der Reflexionsschicht 10 beim Aufbau der Probe #11 variiert wur de, und es wurden TRV-Werte für den Fall einer Markierungs länge von 0,3 µm gemessen. Die Tabelle 8 zeigt die Meßer gebnisse. Hierbei wurden die Messungen unter Verwendung ei nes optischen Aufnehmers mit einem Halbleiterlaser mit einer Wellenlänge von 680 nm ausgeführt. Ferner wurde eine Ver gleichsprobe #3 ohne Reflexionsschicht 10 beim Aufbau der Probe #11 zu Vergleichszwecken hergestellt, und die Ergeb nisse von Messungen, wie sie an dieser Probe ausgeführt wur den, sind in der obersten Zeile der Tabelle 8 dargestellt.

Tabelle 8

Wie es in dieser Tabelle dargestellt ist, ist selbst im Fall einer Probe mit einer sehr dünnen Reflexionsschicht 10 von 2 nm das TRV um 1 dB größer als dasjenige der Vergleichspro be #3, und zwar aufgrund der Abschirmungswirkung betreffend die abgespielte Information (Abschirmung reflektierten Lichts) von der Aufzeichnungsschicht 5.

Wenn die Filmdicke der Reflexionsschicht 10 zunimmt, nimmt das TRV allmählich zu, und es zeigt bei einer Filmdicke von 20 nm seinen Maximalwert. Dies, da die Abschirmungswirkung zur Aufzeichnungsschicht 5 betreffend die abgespielte Infor mation größer wird, wenn die Filmdicke der Reflexionsschicht 10 zunimmt.

Darüber hinaus nimmt bei den Proben mit einer Filmdicke nicht unter 30 nm das TRV ab. Dies beruht auf der Tatsache, daß dann, wenn der Abstand zwischen der Aufzeichnungs schicht 5 und der Abspielschicht 1 zunimmt, die zwischen ih nen wirkende magnetostatische Kopplungskraft schwächer wird.

Hierbei zeigt Fig. 8, daß zum Erzielen eines TRV über dem des Vergleichsbeispiels #3 die Filmdicke der Reflexions schicht 10 vorzugsweise von nicht weniger als 2 nm bis nicht mehr als 30 nm eingestellt wird. Ferner wird, um ein TRV über dem TRV (34,0 dB) der beim Ausführungsbeispiel 1 und anderen Ausführungsbeispielen angegebenen Vergleichsprobe #1 zu erzielen, der Filmdickenbereich der Reflexionsschicht 10 vorzugsweise auf nicht mehr als 40 nm eingestellt.

(Beispiel 5)

Für das vorliegende Beispiel erfolgt eine Erläuterung zu Fällen, bei denen für die Reflexionsschicht 10 der Probe #11 andere Materialien als Al verwendet wurden.

Beim Beispiel 4 erfolgte eine Erläuterung zu den Abspiel eigenschaften der aktuellen magnetooptischen Platte mit ei nem Aufbau, bei dem Al für die Reflexionsschicht 10 verwen det war. Beim vorliegenden Beispiel sind, um die Aufzeich nungseigenschaften der aktuellen magnetooptischen Platte zu verbessern, Legierungen aus Al und anderen Metallen als Al für die Reflexionsschicht 10 verwendet, und es werden Ergeb nisse zu TRV-Messungen beschrieben.

Proben mit dem Aufbau der Probe #11 wurden unter Änderung des Werts X (Zusammensetzungsanteil) in der durch Al_1-xFe_x definierten Zusammensetzung der Reflexionsschicht 10 herge stellt, und das TRV wurde bei einer Markierungslänge von 0,3 µm gemessen, wobei auch das Löschmagnetfeld gemessen wurde. Die Tabelle 9 zeigt die Meßergebnisse.

Diese TRV-Messungen wurden unter Verwendung eines optischen Aufnehmers mit einem Halbleiterlaser mit einer Wellenlänge von 680 nm ausgeführt. Ferner betrug die Filmdicke der Re flexionsschicht 10 bei jeder dieser Proben 20 nm.

Tabelle 9

Die Tabelle 9 zeigt, daß dann, wenn der Fe-Gehalt zunimmt und X größer als 0,10 wird, das TRV allmählich abnimmt. Je doch werden bei jeder der Messungen TRV-Werte erhalten, die größer als das TRV der Vergleichsprobe #3 sind, wie in der Tabelle 8 angegeben, was die Wirkung der Ausbildung der Re flexionsschicht 10 zeigt.

Darüber hinaus ist, wie es in der Tabelle 9 angegeben ist, im Fall einer Reflexionsschicht 10 aus reinem Al ein großes Löschmagnetfeld von 50 kA/m erforderlich. Wenn jedoch X von nicht kleiner als 0,02 bis nicht größer als 0,50 eingestellt wird, kann das Löschmagnetfeld auf einen praxisgerechten Be reich von nicht mehr als 31 kA/m eingestellt werden.

Als nächstes wurden Proben mit dem Aufbau der Probe #11 un ter Änderung des Werts von X (Zusammensetzungsanteil) in der durch Al_1-xNi_x definierten Zusammensetzung der Reflexions schicht 10 hergestellt, und es wurde das TRV bei einer Mar kierungslänge von 0,3 µm gemessen, wobei auch das Löschma gnetfeld gemessen wurde. Die Tabelle 10 zeigt die Messergeb nisse. Hierbei wurden diese TRV-Messungen unter Verwendung eines optischen Aufnehmers mit einem Halbleiterlaser mit einer Wellenlänge von 680 nm ausgeführt. Ferner betrug die Filmdicke der Reflexionsschicht 10 bei jeder der Proben 20 nm.

Tabelle 10

Die Tabelle 10 zeigt, daß im Fall einer Fe enthaltenden Re flexionsschicht 10 durch Einstellen von X im Bereich von nicht unter 0,02 bis nicht über 0,50 das Löschmagnetfeld in einem praxisgerechten Bereich von nicht über 31 kA/m einge stellt werden kann.

Außer Fe und Ni können magnetische Metalle wie Co, Gd, Tb, Dy und Nd auf dieselbe Weise mit Al legiert sein, um das Löschmagnetfeld zu verringern.

(Beispiel 6)

Beim vorliegenden Beispiel erfolgt eine Erläuterung zu Fäl len, bei denen für die Reflexionsschicht 10 der aktuellen magnetooptischen Platte andere Materialien verwendet wurden.

Beim Beispiel 5 sind Messergebnisse angegeben, wie sie mit einer Reflexionsschicht 10 erhalten wurden, bei der magneti sche Metallelemente mit Al legiert sind. Beim vorliegenden Beispiel erfolgt eine Erläuterung hinsichtlich Verbesserun gen der Aufzeichnungseigenschaften der aktuellen magnetoop tische Platte für den Fall, daß für die Reflexionsschicht 10 zusammen mit Al Materialien verwendet sind, die unmagne tische Metallelemente enthalten.

Proben wurden mit dem Aufbau der Probe #11 dadurch herge stellt, daß der Wert von X (Zusammensetzungsanteil) in der durch Al_1-xTi_x definierten Zusammensetzung der Reflexions schicht 10 hergestellt wurden, und das TRV wurde bei einer Markierungslänge von 0,3 µm gemessen, wobei auch das Lösch magnetfeld gemessen wurde. Die Tabelle 11 zeigt die Meßer gebnisse. Diese TRV-Messungen wurden unter Verwendung eines optischen Aufnehmers mit einem Halbleiterlaser mit einer Wellenlänge von 680 nm ausgeführt. Ferner betrug die Film dicke der Reflexionsschicht 10 bei jeder der Proben 20 nm.

Tabelle 11

Die Tabelle 11 zeigt, daß dann, wenn der Ti-Gehalt zunimmt und X größer als 0,10 wird, das TRV allmählich abnimmt. Je doch werden bei jeder der Messungen TRV-Werte, die größer als das TRV bei der Vergleichsprobe #3 sind, wie in der Ta belle 8 dargestellt, erhalten, was die Wirkung der Ausbil dung der Reflexionsschicht 10 zeigt.

Darüber hinaus ist im Fall einer Reflexionsschicht 10 aus reinem Al ein großes Löschmagnetfeld von 50 kA/m erforder lich. Wenn jedoch X im Bereich von nicht unter 0,02 bis nicht über 0,98 eingestellt wird, kann das Löschmagnetfeld in einem praxisgerechten Bereich von nicht mehr als 31 kA/m eingestellt werden.

Die nächste Tabelle 12 zeigt den Verringerungseffekt auf das Löschmagnetfeld für den Fall, daß neben Al unmagnetische Elemente außer Ti zum Herstellen der Reflexionsschicht 10 verwendet wurden. Anders gesagt, wurden Proben mit dem Auf bau der Probe #11 dadurch hergestellt, daß im durch Al_0,5Z_0,5 repräsentierten Material der Reflexionsschicht 10 Z geändert wurde, und es wurde das TRV bei einer Markie rungslänge von 0,3 µm gemessen, wobei auch das Löschmagnet feld gemessen wurde. Die Tabelle 12 zeigt die Meßergebnis se. Hierbei wurden für Z andere Materialien als Ti wie Ta, Pt, Au, Cu und Si verwendet. Ferner wurden die TRV-Messungen unter Verwendung eines optischen Aufnehmers mit einem Halb leiterlaser mit einer Wellenlänge von 680 nm ausgeführt. Darüber hinaus betrug die Filmdicke der Reflexionsschicht 10 bei jeder der Proben 20 nm.

Tabelle 12

Die Tabelle 12 zeigt, daß in allen Fällen, in denen Ta, Pt, Au, Cu oder Si als Z verwendet ist, ein TRV über demjenigen der Vergleichsprobe #3 erhalten wird, was die Wirkung der Ausbildung der Reflexionsschicht 10 zeigt. Darüber hinaus zeigt es sich auf dieselbe Weise wie im Fall von Al mit Ti, daß das Löschmagnetfeld bei allen Proben verringert ist.

[Ausführungsbeispiel 3]

Die folgende Beschreibung erörtert das dritte Ausführungs beispiel des aktuellen Aufzeichnungsträgers. Beim vorliegen den Ausführungsbeispiel sind diejenigen Elemente, die die selben Funktionen wie bei den Ausführungsbeispielen 1 und 2 haben und dort beschrieben sind, mit denselben Bezugszahlen gekennzeichnet, und ihre Beschreibung wird weggelassen.

Eine magnetooptische Platte (nachfolgend als aktuelle magne tooptische Platte bezeichnet), die das dritte Ausführungs beispiel des aktuellen Aufzeichnungsträgers bildet, hat ei nen Aufbau, bei dem, beim in Fig. 5 dargestellten Aufbau einer magnetooptischen Platte, ein magnetischer Film, der bei Raumtemperatur in der Ebene liegende Magnetisierung zeigt und bei Temperaturen nicht unter der kritischen Tempe ratur T4 rechtwinklige Magnetisierung zeigt, als erste Ab schirmungsschicht 4 vorhanden ist.

Proben der aktuellen magnetooptischen Platte wurden als Pro be #21 hergestellt, und als Beispiel 7 erfolgt eine Erläute rung zu Ergebnissen von Messungen, wie sie hinsichtlich der Aufzeichnungs- und Abspieleigenschaften ausgeführt wurden.

(Beispiel 7)

Die Probe #21 verfügt über einen Aufbau, bei dem beim Aufbau der Probe #1 als erste Abschirmungsschicht 4 ein Magnetfilm verwendet ist, der aus Gd_0,30Fe_0,90Co_0,10)_0,70 besteht und eine Filmdicke von 20 nm aufweist. So zeigt die als Magnet film ausgebildete erste Abschirmungsschicht 4 bei Raumtempe ratur in der Ebene liegende Magnetisierung, sie zeigt bei Temperaturen nicht unter der kritischen Temperatur T4 (= 120°C) rechtwinklige Magnetisierung, und ihre Curietempe ratur beträgt 250°C.

Hinsichtlich der Probe #21 wurde das TRV für den Fall einer Markierungslänge von 0,3 µm unter Verwendung eines optischen Aufnehmers mit einem Halbleiterlaser mit einer Wellenlänge von 680 nm gemessen, und es wurde auch die Stärke des Lösch magnetfelds gemessen; die Ergebnisse zeigten, daß der TRV-Wert 41,5 dB betrug und das Löschmagnetfeld 35,0 kA/m be trug.

Wie oben beschrieben, ist bei der Probe #21 das Löschmagnet feld größer als bei der Probe #1. Jedoch ist bei der Probe #21 das TRV um 0,5 dB größer als bei der Probe #1, und es ist auch um 7,5 dB größer als bei der Vergleichsprobe #1.

Die Gründe für diese Messergebnisse werden wie folgt erläu tert.

In Abschnitten mit Temperaturen nicht über der kritischen Temperatur T4 ist bei der Probe #21 die Aufzeichnungsschicht 5 durch die in der Ebene liegende Magnetisierung der ersten Abschirmungsschicht 4 auf dieselbe Weise wie bei der Probe #1 magnetisch maskiert.

Demgegenüber ist in Abschnitten mit Temperaturen nicht unter der kritischen Temperatur T4 die Magnetisierung des abzu spielenden Aufzeichnungsbits 16a (siehe Fig. 1) in der Auf zeichnungsschicht 5 mit der Magnetisierung in der in der ersten Abschirmungsschicht 4 ausgebildeten Öffnung 18 (siehe Fig. 1) austausch-gekoppelt, und sie wird auf die Öffnung 18 kopiert. Dann sind die erste Abschirmungsschicht 4 und die Abspielschicht 1 durch das durch die Öffnung 18 erzeugte Streumagnetfeld magnetostatisch gekoppelt.

Aus diesem Grund wird bei der Probe #21 von Abschnitten nä her an der Abspielschicht 1 als bei der Probe #1 ein Streu magnetfeld erzeugt. Ferner sind bei der Probe #21 die Magne tisierung des Aufzeichnungsbits 16a und die Magnetisierung in der Öffnung 18 der ersten Abschirmungsschicht 4 aus tausch-gekoppelt. Demgemäß ist die Magnetisierung der Öff nung 18 in derselben Richtung wie die Magnetisierung des Aufzeichnungsbits 16a ausgerichtet. Daher ist das Streuma gnetfeld bei der Probe #21 größer als bei der Probe #1.

Anders gesagt, unterliegt, im Vergleich mit der Probe #1, die Abspielschicht 1 bei der Probe #21 einem größeren 19381 00070 552 001000280000000200012000285911927000040 0002019831593 00004 19262Streu magnetfeld aus näheren Abschnitten. Aus diesem Grund wird davon ausgegangen, daß das TRV bei der Probe #21 größer als das bei der Probe #1 wird.

Darüber hinaus sind bei der Probe #21 selbst während eines Aufzeichnungsvorgangs die Aufzeichnungsschicht 5 und die erste Abschirmungsschicht 4 im Zentrum eines Strahlflecks (Abschnitt mit einer Temperatur über der kritischen Tempera tur T4) auf dieselbe Weise wie beim Abspielvorgang aus tausch-gekoppelt. Demgemäß ist das Löschmagnetfeld bei der Probe #21 größer als das bei der Probe #1.

Wie oben beschrieben, maskiert die erste Abschirmungsschicht 4 der Probe #21 die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 5 in Niedertemperaturabschnitten, während die Magnetisierung in der Öffnung 18 in den Hochtemperaturabschnitten die Ma gnetisierung des Aufzeichnungsbits 16a in der Aufzeichnungs schicht 5 durch die Austauschkopplung kopiert. So überträgt die Probe #21 ein größeres Streumagnetfeld als die Probe #1 an die Abspielschicht 1. Daher hat die Probe #21 ein größe res TRV als die Probe #1.

Außerdem ist bei den Ausführungsbeispielen 2 und 3 die Re flexionsschicht 10 vorhanden, um zu verhindern, daß der Lichtstrahl die Aufzeichnungsschicht 5 erreicht; jedoch muß dadurch keine Beschränkung hinsichtlich des Aufbaus der Re flexionsschicht 10 bestehen. Die Reflexionsschicht 10 kann so aufgebaut sein, daß der Lichtstrahl die Aufzeichnungs schicht 5 erreichen kann, während das von ihr reflektierte Licht nicht durch ihn hindurchlaufen kann.

Bei den obenangegebenen Ausführungsbeispielen 1 bis 3 sowie bei den Beispielen 1 bis 7 ist als Abspielschicht 1 ein Ma gnetfilm verwendet, der bei Raumtemperatur in der Ebene lie gende Magnetisierung zeigt und bei hohen Temperaturen recht winklige Magnetisierung zeigt. Jedoch ist der Aufbau der Ab spielschicht 1 nicht durch diesen Aufbau beschränkt, sondern es kann ein beliebiger Aufbau verwendet werden, solange zu mindest der Signalabspielbereich (Bereich, der während des Abspielvorgangs über eine vorbestimmte Temperatur (Abspiel temperatur) erwärmt wird) rechtwinklige Magnetisierung zeigt.

Darüber hinaus wird, wie es bei den Ausführungsbeispielen 1 bis 3 sowie den Beispielen 1 bis 7 beschrieben ist, über flüssige Information nicht abgespielt, wenn die Abspiel schicht 1 bei Raumtemperatur in der Ebene liegende Magneti sierung zeigt. Anders gesagt, hat rechtwinklige Magnetisie rung, wenn sie in anderen Abschnitten als der in der Ab spielschicht ausgebildeten vergrößerten Magnetdomäne 13 aus geübt wird, die Tendenz, Störsignale zu erzeugen. Daher er laubt es die Anwendung einer Magnetschicht, die bei Raumtem peratur in der Ebene liegende Magnetisierung zeigt, als Ab spielschicht 1, daß nur die vergrößerte Magnetdomäne 13 rechtwinklige Magnetisierung zeigt, was es ermöglicht, Stö rungen im Abspielsignal zu verringern.

Darüber hinaus ist bei den Ausführungsbeispielen 1 bis 3 so wie den Beispielen 1 bis 7 eine Magnetschicht, die bei Tem peratur unter der kritischen Temperatur T4 in der Ebene lie gende Magnetisierung zeigt, als erste Abschirmungsschicht 4 verwendet; jedoch ist der Aufbau der ersten Abschirmungs schicht 4 nicht dadurch beschränkt. Es kann jeder Film mit rechtwinkliger Magnetisierung, bei dem die Richtung der Un tergittermagnetisierung des Übergangsmetalls entgegengesetzt zur Richtung des Aufzeichnungsbits der Aufzeichnungsschicht 5 bei Temperaturen nicht über der kritischen Temperatur T4 ausgerichtet ist, als erste Abschirmungsschicht 4 verwendet werden.

Darüber hinaus ist bei den Ausführungsbeispielen 1 bis 3 so wie den Beispielen 1 bis 7 die erste Abschirmungsschicht 4 angrenzend an die Aufzeichnungsschicht 5 ausgebildet, so daß sie in Bereichen mit Temperaturen nicht über der kriti schen Temperatur T4 mit der Aufzeichnungsschicht 5 aus tausch-gekoppelt ist. Jedoch kann zwischen der ersten Ab schirmungsschicht 4 und der Aufzeichnungsschicht 5 eine un magnetische Zwischenschicht wie die unmagnetische Zwischen schicht 3 vorhanden sein, so daß die erste Abschirmungs schicht 4 und die Aufzeichnungsschicht 5 in Bereichen mit Temperaturen nicht über der kritischen Temperatur T4 magne tostatisch miteinander gekoppelt sind. Dieser Aufbau ermög licht es, den Maskierungseffekt der ersten Abschirmungs schicht 4 zu verbessern.

Darüber hinaus ist die zweite Abschirmungsschicht 2 bei den Ausführungsbeispielen 1 bis 3 sowie den Beispielen 1 bis 7 angrenzend an die Abspielschicht 1 ausgebildet, so daß sie in Bereichen mit Temperaturen nicht über der kritischen Tem peratur T2 mit der Abspielschicht 1 austausch-gekoppelt ist. Jedoch kann zwischen der zweiten Abschirmungsschicht 2 und der Abspielschicht 1 eine unmagnetische Zwischenschicht wie die unmagnetische Zwischenschicht 3 vorhanden sein, so daß die zweite Abschirmungsschicht 2 und die Abspielschicht 1 in Bereichen mit Temperaturen nicht über der kritischen Tempe ratur T2 magnetostatisch miteinander gekoppelt sind. Dieser Aufbau ermöglicht es, den Maskierungseffekt der zweiten Ab schirmungsschicht 2 zu erhöhen.

Ferner kann beim in Fig. 5 oder Fig. 10 dargestellten Aufbau eine Hilfsaufzeichnungsschicht zwischen der Aufzeichnungs schicht 5 und der Schutzschicht 6 liegen. Z. B. kann als Hilfsaufzeichnungsschicht ein Film mit rechtwinkliger Magne tisierung verwendet werden, dessen Curietemperatur höher als diejenige der Aufzeichnungsschicht 5 ist, und dessen Magne tisierung bei einem Magnetfeld unter dem der Aufzeichnungs schicht 5 umgekehrt wird. Bei diesem Aufbau wird die Magne tisierung der Hilfsaufzeichnungsschicht beim Aufzeichnen um gekehrt, so daß eine durch die Hilfsaufzeichnungsschicht ausgeübte Austauschkopplungskraft dazu verwendet wird, die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 5 umzukehren; so ist es möglich, einen Aufzeichnungsvorgang unter Verwendung eines schwächeren Magnetfelds auszuführen.

Darüber hinaus ist bei den Ausführungsbeispielen 1 bis 3 so wie den Beispielen 1 bis 7 die zweite Abschirmungsschicht 2 so konzipiert, daß sie von Raumtemperatur bis zur kriti schen Temperatur T2 in der Ebene liegende Magnetisierung zeigt, während ihre Magnetisierung bei Temperaturen nicht unter T2 verschwindet oder extrem klein ist; jedoch soll der Aufbau der zweiten Abschirmungsschicht 2 nicht auf diesen Aufbau beschränkt sein. Als zweite Abschirmungsschicht 2 kann jede beliebige Magnetschicht verwendet werden, solange sie überflüssige Abschnitte in der Abspielschicht 1 mas kiert.

Gemäß der obigen Erläuterung wird die Magnetisierung des Aufzeichnungsbits 16a in der Aufzeichnungsschicht 5 in die Abspielschicht 1 kopiert; jedoch kann die Magnetisierungs richtung des Aufzeichnungsbits 16a dort hineinkopiert wer den.

Wie oben beschrieben, ist der erste erfindungsgemäße magne tooptische Aufzeichnungsträger, der ein solcher mit mindes tens einer Abspielschicht, die es ermöglicht, daß ein Si gnalabspielbereich rechtwinklige Magnetisierung zeigt, und einem rechtwinklig magnetisierten Film ist, der magnetosta tisch mit der Abspielschicht gekoppelt ist, mit folgendem versehen: einer ersten magnetischen Maskierungsschicht, die zwischen der Aufzeichnungsschicht und der Abspielschicht liegt, um ein Streuen von Magnetflüssen von der Aufzeich nungsschicht in die Abspielschicht zumindest bei Raumtempe ratur zu unterdrücken; und einer zweiten magnetischen Mas kierungsschicht, die zwischen der Aufzeichnungsschicht und der ersten magnetischen Maskierungsschicht liegt, um ein Streuen magnetischer Flüsse von der Aufzeichnungsschicht in die Abspielschicht zumindest bei Raumtemperatur zu unterdrücken.

Beim Aufbau des ersten magnetooptischen Aufzeichnungsträgers sind die erste und die zweite magnetische Maskierungsschicht zwischen der Aufzeichnungsschicht und der Abspielschicht ausgebildet. Hierbei sorgt die zweite Maskierungsschicht da für, daß zumindest bei Raumtemperatur Magnetisierung von der Aufzeichnungsschicht die Abspielschicht nicht erreicht. Demgemäß kann beim Abspielen der Einfluß der Magnetisierung von benachbarten Aufzeichnungsmagnetdomänen beseitigt wer den, so daß es möglich ist, Information nur von einer ge wünschten Aufzeichnungsmagnetdomäne zu erfassen.

Ferner sorgt die erste magnetische Maskierungsschicht dafür, daß keine überflüssigen Magnetflüsse eine Abspielmagnetdo mäne in der Abspielschicht erreichen. Darüber hinaus kann die Aufzeichnungsdichte erhöht werden, da es möglich ist, instabile Magnetisierung hinsichtlich der Richtungen in der Abspielschicht zu unterdrücken. So ist es möglich, Aufzeich nungs- und Abspielvorgänge unter Verwendung eines kleineren Bitdurchmessers und kleinerer Intervalle zwischen Aufzeich nungsbits auszuführen.

Darüber hinaus hat der zweite erfindungsgemäße magnetoopti sche Aufzeichnungsträger denselben Aufbau wie der erste ma gnetooptische Aufzeichnungsträger, jedoch ist der Bereich einer Aufzeichnungsmagnetdomäne in der Aufzeichnungsschicht kleiner als der Bereich einer stabilen Magnetdomäne in der Abspielschicht eingestellt.

Beim Aufbau des zweiten magnetooptischen Aufzeichnungsträ gers ist es möglich, die Stärke des Abspielsignals zu erhö hen und demgemäß die Qualität des Abspielsignals zu verbes sern, da der Bereich der stabilen Magnetdomäne in der Ab spielschicht größer als der Bereich der Aufzeichnungsmagnet domäne ist.

Darüber hinaus hat der dritte erfindungsgemäße magnetoopti sche Aufzeichnungsträger denselben Aufbau wie der erste oder zweite magnetooptische Aufzeichnungsträger, jedoch besteht die erste magnetische Maskierungsschicht aus einer magneti schen Schicht, die zumindest bei Raumtemperatur in der Ebene liegende Magnetisierung zeigt, und deren Magnetisierung bei Erwärmung nicht unter eine vorbestimmte Temperatur ver schwindet oder verringert ist.

Beim Aufbau des dritten magnetooptischen Aufzeichnungsträ gers wird, da für die erste magnetische Maskierungsschicht eine solche mit in der Ebene liegender Magnetisierung ver wendet wird, das von der Aufzeichnungsschicht erzeugte Ma gnetfeld bei Raumtemperatur absorbiert, so daß es möglich ist, das Magnetfeld von der Aufzeichnungsschicht zur Ab spielschicht zu sperren.

Demgegenüber verringert sich, wenn eine Erwärmung durch Ein strahlung eines Abspiellaserstrahls erfolgt, die Magnetisie rung der ersten magnetischen Maskierungsschicht, mit dem Er gebnis, daß der Sperreffekt für das Magnetfeld nicht mehr ausgeübt wird. Daher kann der Magnetfluß der Aufzeichnungs schicht im erwärmten Bereich der ersten magnetischen Maskie rungsschicht in die Abspielschicht streuen, so daß es mög lich ist, daß die Abspielschicht entsprechend Aufzeich nungsinformation rechtwinklige Magnetisierung zeigt.

Daher können Störungskomponenten von überflüssigen Abschnit ten der Abspielschicht (Abschnitte außerhalb des Bereichs, in dem durch die Magnetisierung von der Ziel-Aufzeichnungs magnetdomäne eine stabile Magnetdomäne ausgebildet ist) un terdrückt werden, weswegen es selbst im Fall von Aufzeich nungs- und Abspielvorgängen unter Verwendung eines kleineren Aufzeichnungsbitdurchmessers und kleinerer Intervalle zwi schen Aufzeichnungsbits möglich ist, ein ausreichendes Ab spielsignal zu erhalten.

Darüber hinaus ist beim vierten magnetooptischen Aufzeich nungsträger der Erfindung, der denselben Aufbau wie der dritte magnetooptische Aufzeichnungsträger hat, die erste magnetische Maskierungsschicht angrenzend an die Abspiel schicht ausgebildet.

Wenn die erste magnetische Maskierungsschicht beim dritten magnetooptischen Aufzeichnungsträger angrenzend an die Ab spielschicht ausgebildet wird, kann die Richtung der durch überflüssige Abschnitte der Abspielschicht (Abschnitte au ßerhalb des Bereichs, in dem durch die Magnetisierung von der Ziel-Aufzeichnungsmagnetdomäne eine stabile Magnetdomä ne erzeugt wird) erzeugten Magnetisierung auf eine Richtung parallel zur Filmfläche fixiert werden; so ist es möglich, die Erzeugung von Störsignalen zu unterdrücken.

Darüber hinaus besteht beim fünften magnetooptischen Auf zeichnungsträger, der denselben Aufbau wie der dritte oder vierte magnetooptische Aufzeichnungsträger hat, die zweite magnetische Maskierungsschicht aus einer magnetischen Schicht, die bei Raumtemperatur in der Ebene liegende Magne tisierung zeigt und deren Magnetisierung bei Erwärmung auf nicht unter eine vorbestimmte Temperatur verschwindet oder kleiner wird, wobei die Curietemperatur der ersten magneti schen Maskierungsschicht dieselbe wie die Curietemperatur der zweiten magnetischen Maskierungsschicht, oder kleiner, ist.

Beim Aufbau des fünften magnetooptischen Aufzeichnungsträ gers werden, da die Curietemperatur der ersten magnetischen Maskierungsschicht mit derjenigen der zweiten magnetischen Maskierungsschicht übereinstimmt, oder kleiner ist, Bereiche (Öffnungen) in denen die Magnetisierung während des Abspie lens nicht maskiert ist, auf solche Weise ausgebildet, daß der Bereich in der Abspielschicht größer als der Bereich in der Aufzeichnungsschicht wird. Daher kann ein Abspielvorgang unter Vergrößerung der Magnetdomäne, bei dem die Größe der in der Abspielschicht erzeugten Magnetdomäne erhöht ist, gleichmäßig ausgeführt werden.

Ferner sind beim sechsten magnetooptischen Aufzeichnungsträ ger, der einen ähnlichen Aufbau wie der fünfte magnetoopti sche Aufzeichnungsträger hat, eine transparente dielektri sche Schicht, die Abspielschicht, die erste magnetische Mas kierungsschicht, eine unmagnetische Zwischenschicht, die zweite magnetische Maskierungsschicht, die Aufzeichnungs schicht und eine Schutzschicht aufeinanderfolgend auf dem Substrat einer magnetooptischen Platte ausgebildet.

Wenn die transparente dielektrische Schicht, die Abspiel schicht, die erste magnetische Maskierungsschicht, die unma gnetische Zwischenschicht, die zweite magnetische Maskie rungsschicht, die Aufzeichnungsschicht und die Schutzschicht aufeinanderfolgend auf dem Substrat einer magnetooptischen Platte hergestellt werden, wird ein Abschnitt der in kleiner Form in der Aufzeichnungsschicht aufgezeichneten Bitinforma tion durch die magnetische Maske der zweiten magnetischen Maskierungsschicht, unter Maskierung durch die erste magne tische Maskierungsschicht auf dem Weg zur Abspielschicht, ausgewählt und in stark vergrößerter Weise durch die Magnet domäne der Abspielschicht abgespielt; so ist es möglich, selbst im Fall des Aufzeichnens mit hoher Dichte eine aus reichend größere Signalintensität zu erzielen.

Darüber hinaus sperrt die unmagnetische Zwischenschicht die Austauschkopplung zwischen der ersten magnetischen Maskie rungsschicht und der zweiten magnetischen Maskierungsschicht vollständig, um es dadurch zu ermöglichen, eine gewünschte magnetostatische Kopplung zwischen der Abspielschicht und der ersten magnetischen Maskierungsschicht wie auch zwischen der zweiten magnetischen Maskierungsschicht und der Auf zeichnungsschicht zu erzielen.

Ferner ist beim siebten erfindungsgemäßen magnetooptischen Aufzeichnungsträger, der denselben Aufbau wie der sechste magnetooptische Aufzeichnungsträger hat, die Filmdicke der ersten magnetischen Maskierungsschicht auf nicht mehr als 20 nm eingestellt, und die Filmdicke der zweiten magneti schen Maskierungsschicht ist von nicht unter 2 nm bis nicht über 40 nm eingestellt.

Wenn beim sechsten magnetooptischen Aufzeichnungsträger die Filmdicke der ersten magnetischen Maskierungsschicht auf nicht mehr als 20 nm eingestellt ist und die Filmdicke der zweiten magnetischen Maskierungsschicht auf nicht unter 2 nm bis nicht über 40 nm eingestellt ist, ist es möglich, den Maskierungseffekt an der Aufzeichnungsschicht durch die je weiligen magnetischen Maskierungsschichten in bevorzugter Weise einzustellen. Ferner ist es möglich, einen stabilen Abspielvorgang mit vergrößerter Magnetdomäne auszuführen.

Darüber hinaus ist beim achten erfindungsgemäßen magnetoop tischen Aufzeichnungsträger, der denselben Aufbau wie der sechste oder siebte magnetooptische Aufzeichnungsträger hat, die Curietemperatur der ersten magnetischen Maskierungs schicht von nicht unter 30°C bis nicht über 180°C einge stellt, und die Curietemperatur der zweiten magnetischen Maskierungsschicht ist von nicht unter 60°C bis nicht über 220°C eingestellt.

Wenn beim sechsten oder siebten magnetooptischen Aufzeich nungsträger die Curietemperatur der ersten magnetischen Mas kierungsschicht von nicht unter 30°C bis nicht über 180°C eingestellt ist und die Curietemperatur der zweiten magneti schen Maskierungsschicht von nicht unter 60°C bis nicht über 220°C eingestellt ist, können die Curietemperaturen der zwei Abschirmungsschichten optimiert sein. Demgemäß wird bei Tem peraturen nicht über der Curietemperatur der zweiten magne tischen Maskierungsschicht die Magnetisierung der Aufzeich nungsschicht magnetisch durch ihre in der Ebene liegende Ma gnetisierung maskiert, während bei Temperaturen nicht unter der Curietemperatur der zweiten magnetischen Maskierungs schicht nur der Magnetfluß vom Zielaufzeichnungsbit von der Aufzeichnungsschicht her durchgelassen wird.

Ferner werden, seitens der Abspielschicht, bei Temperaturen nicht über der Curietemperatur der ersten magnetischen Mas kierungsschicht, Magnetflüsse mit überflüssigen Richtungen magnetisch durch die in der Ebene liegende Magnetisierung maskiert, während bei Temperaturen nicht unter der Curietem peratur der ersten magnetischen Maskierungsschicht ein Ma gnetfluß vom Zielaufzeichnungsbit hindurchtreten kann.

In diesem Fall ist die Magnetisierungsrichtung in der Nähe der Übergangstemperatur, bei der sich die Magnetisierungs richtung in der Abspielschicht ändert, instabil. Aus diesem Grund wird die Magnetisierungsrichtung in der in der Ebene liegenden Richtung ausgerichtet, und Magnetflüsse mit über flüssigen Richtungen werden gesperrt, was durch die Kopp lungsänderung zur in der Ebene liegenden Magnetisierung der ersten magnetischen Maskierungsschicht erfolgt. Die Wirkun gen dieser Anordnungen halten in bevorzugter Weise die ma gnetostatische Kopplung zwischen der Aufzeichnungsschicht und der Abspielschicht aufrecht, um es dadurch zu ermögli chen, einen stabilen Abspielvorgang mit vergrößerter Magnet domäne zu erzielen.

Claims

1. Magnetooptischer Aufzeichnungsträger mit:

- einer Aufzeichnungsschicht (5) aus einem Film mit recht winkliger Magnetisierung, die Aufzeichnungsbits zum Auf zeichnen von Information enthält; und
- einer Abspielschicht (1), die in einem Signalabspielbe reich, in dem die Magnetisierung jedes Aufzeichnungsbits in der Aufzeichnungsschicht in diesem Bereich kopiert ist, im Zustand rechtwinkliger Magnetisierung gehalten wird;
gekennzeichnet durch
- eine erste Abschirmungsschicht (4), die zwischen der Auf zeichnungsschicht und der Abspielschicht ausgebildet ist, um zu verhindern, daß Magnetisierungen von anderen Aufzeich nungsbits als dem abzuspielenden Aufzeichnungsbit in der Aufzeichnungsschicht in die Abspielschicht kopiert werden.

2. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine zweite Abschirmungsschicht (2), die zwischen der ersten Abschirmungsschicht (4) und der Abspielschicht (1) ausgebildet ist, um zu verhindern, daß die Magnetisierung des Aufzeichnungsbits in der Aufzeichnungsschicht (5) in einen anderen Bereich als den Signalabspielbereich in der Abspielschicht kopiert wird.

3. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 2, dadurch gekenn zeichnet, daß der Signalabspielbereich eine Größe nicht un ter der des Aufzeichnungsbits hat.

4. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 2, dadurch gekenn zeichnet, daß die erste Abschirmungsschicht (4) so ausge bildet ist, daß ihre Magnetisierung in einem ersten Ab schnitt, der dem abzuspielenden Aufzeichnungsbit entspricht, verschwindet, während sie in einem zweiten Abschnitt, der ein anderer Abschnitt als der erste Abschnitt ist, in der Ebene liegende Magnetisierung zeigt.

5. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 4, dadurch gekenn zeichnet, daß die Magnetisierung des zweiten Abschnitts in der ersten Abschirmungsschicht (4) größer als die Magneti sierung des Aufzeichnungsbits in der Aufzeichnungsschicht ist, das dem zweiten Abschnitt entspricht.

6. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 4, dadurch gekenn zeichnet, daß der erste Abschnitt in der ersten Abschir mungsschicht (4) eine Größe nicht über der des Aufzeich nungsbits in der Aufzeichnungsschicht (5) hat.

7. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 4, dadurch gekenn zeichnet, daß die erste Abschirmungsschicht (4) von Raum temperatur bis zur Curietemperatur in der Ebene liegende Magnetisierung zeigt.

8. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 7, dadurch gekenn zeichnet, daß die Curietemperatur der ersten Abschirmungs schicht (4) niedriger als die Curietemperatur der Aufzeich nungsschicht (5) ist.

9. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 8, dadurch gekenn zeichnet, daß die Curietemperatur der ersten Abschirmungs schicht (4) von nicht unter 60°C bis nicht über 220°C einge stellt ist.

10. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 9, dadurch gekenn zeichnet, daß die erste Abschirmungsschicht (4) aus einem der folgenden Materialien ausgewählt ist: GdFeAl, GdFeTi, GdFeTa, GdFePt, GdFeAu, GdFeCu, GdFeAlTi, GdFeAlTa, NdFe, NdFeAl, NdFeTi, NdFeTa, DyFeAl, DyFeTi, DyFeTa und DyFe.

11. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 10, dadurch gekenn zeichnet, daß die erste Abschirmungsschicht (4) aus einer durch (Gd_0,11Fe_0,89)_0,75Z_0,25 repräsentierten Legierung be steht, wobei Z eines der folgenden Materialien ist: Ti, Ta, Pt, Au, Cu, Al_0,5Ti_0,5 und Al_0,5Ta_0,5.

12. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 10, dadurch gekenn zeichnet, daß die erste Abschirmungsschicht (4) aus einer durch (Gd_0,11Fe_0,89)_X1Al_1-X1 repräsentierten Legierung be steht, wobei X1 im Bereich von 0,3 ≦ X1 ≦ 1,00 liegt.

13. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 2, dadurch gekenn zeichnet, daß die erste Abschirmungsschicht (4) angrenzend an die Aufzeichnungsschicht (5) ausgebildet ist.

14. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 2, dadurch gekenn zeichnet, daß die erste Abschirmungsschicht (4) von Raum temperatur bis zu einer vorbestimmten kritischen Temperatur in der Ebene liegende Magnetisierung zeigt, und sie von der kritischen Temperatur bis zur Curietemperatur rechtwinklige Magnetisierung zeigt.

15. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 14, dadurch gekenn zeichnet, daß die Curietemperatur der ersten Abschirmungs schicht (4) niedriger als die Curietemperatur der Aufzeich nungsschicht (5) ist.

16. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 2, dadurch gekenn zeichnet, daß die erste Abschirmungsschicht (4) von Raum temperatur bis zur Curietemperatur rechtwinklige Magnetisie rung zeigt, die umgekehrt zur Magnetisierung der Aufzeich nungsschicht (5) ist.

17. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 4, dadurch gekenn zeichnet, daß die Magnetisierung der zweiten Abschirmungs schicht (2) in einem dritten Abschnitt verschwindet, der dem Signalabspielbereich in der Abspielschicht entspricht, wäh rend sie in einem vierten Abschnitt, der ein anderer Ab schnitt als der dritte Abschnitt ist, in der Ebene liegende Magnetisierung zeigt.

18. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 17, dadurch gekenn zeichnet, daß die zweite Abschirmungsschicht (2) von Raum temperatur bis zur Curietemperatur in der Ebene liegende Magnetisierung zeigt.

19. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 18, dadurch gekenn zeichnet, daß die Curietemperatur der zweiten Abschirmungs schicht (2) von nicht unter 35°C bis nicht über 220°C einge stellt ist.

20. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 19, dadurch gekenn zeichnet, daß die zweite Abschirmungsschicht (2) aus einem der folgenden Materialien besteht: GdFeAl, NdFe, NdFeAl, DyFe, DyFeAl.

21. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 20, dadurch gekenn zeichnet, daß die zweite Abschirmungsschicht (2) aus einer durch (Gd_0,11Fe_0,89)_X2Al_1-X2 repräsentierten Legierung be steht, wobei X2 im Bereich von 0,25 ≦ X2 ≦ 100 liegt.

22. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 18, dadurch gekenn zeichnet, daß die Curietemperatur der zweiten Abschirmungs schicht (2) nicht höher als die Curietemperatur der ersten Abschirmungsschicht (4) ist.

23. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 17, dadurch gekenn zeichnet, daß die zweite Abschirmungsschicht (2) angrenzend an die Abspielschicht (1) ausgebildet ist.

24. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 17, dadurch gekenn zeichnet, daß die dritte Abschnitt in der zweiten Abschir mungsschicht (2), der dem Signalabspielbereich der Abspiel schicht (1) entspricht, eine Größe aufweist, die nicht klei ner als der erste Abschnitt in der ersten Abschirmungs schicht (4) ist.

25. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 17, dadurch gekenn zeichnet, daß eine transparente dielektrische Schicht (7), die Abspielschicht (1), die zweite Abschirmungsschicht (2), eine unmagnetische Zwischenschicht (3), die erste Abschir mungsschicht (4), die Aufzeichnungsschicht (5) und eine Schutzschicht (8) aufeinanderfolgend in dieser Reihenfolge auf einem Substrat (6) ausgebildet sind.

26. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 25, dadurch gekenn zeichnet, daß die erste Abschirmungsschicht (4) eine Film dicke nicht über 40 nm aufweist.

27. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 26, dadurch gekenn zeichnet, daß die zweite Abschirmungsschicht (2) eine Film dicke nicht über 20 nm aufweist.

28. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 27, dadurch gekenn zeichnet, daß die Abspielschicht (1) eine Filmdicke von nicht unter 10 nm bis nicht mehr als 80 nm aufweist.

29. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 28, dadurch gekenn zeichnet, daß die unmagnetische Zwischenschicht (3) eine Filmdicke von nicht unter 1 nm bis nicht über 80 nm auf weist.

30. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 17, dadurch gekenn zeichnet, daß zwischen der ersten Abschirmungsschicht (4) und der zweiten Abschirmungsschicht (2) eine Reflexions schicht (10) liegt, um zu verhindern, daß ein Lichtstrahl die Aufzeichnungsschicht (5) erreicht.

31. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 30, dadurch gekenn zeichnet, daß die Reflexionsschicht (10) aus einem der Ma terialien Al, AlTi, AlTa, AlPt, AlAu, AlCu, AlSi, AlFe, AlNi, AlCo, AlGd, AlTb, AlDy und AlNd besteht.

32. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 31, dadurch gekenn zeichnet, daß die Reflexionsschicht (10) aus einer durch Al_1-X3Fe_X3 repräsentierten Legierung besteht, wobei X3 im Bereich von 0,02 ≦ X3 ≦ 0,50 liegt.

33. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 31, dadurch gekenn zeichnet, daß die Reflexionsschicht (10) aus einer durch Al_1-X4Ni_X4 repräsentierten Legierung besteht, wobei X4 im Bereich von 0,02 ≦ X4 ≦ 0,50 liegt.

34. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 31, dadurch gekenn zeichnet, daß die Reflexionsschicht (10) aus einer durch Al_1-X5Ti_X5 repräsentierten Legierung besteht, wobei X5 im Bereich von 0,02 ≦ X5 ≦ 0,50 liegt.

35. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 30, dadurch gekenn zeichnet, daß eine transparente dielektrische Schicht (7), die Abspielschicht (1), die zweite Abschirmungsschicht (2), eine unmagnetische Zwischenschicht (3), die Reflexions schicht (10), die erste Abschirmungsschicht (4), die Auf zeichnungsschicht (5) und eine Schutzschicht (8) aufeinan derfolgend in dieser Reihenfolge auf einem Substrat (6) aus gebildet sind.

36. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 35, dadurch gekenn zeichnet, daß die Reflexionsschicht (10) eine Filmdicke nicht über 40 nm aufweist.

37. Magnetooptischer Aufzeichnungsträger mit:

- einer Aufzeichnungsschicht (5) aus einem Film mit recht winkliger Magnetisierung, die Aufzeichnungsbits zum Auf zeichnen von Information enthält; und
- einer Abspielschicht (1), die in einem Signalabspielbe reich, in dem die Magnetisierung jedes Aufzeichnungsbits in der Aufzeichnungsschicht in diesem Bereich kopiert ist, im Zustand rechtwinkliger Magnetisierung gehalten wird;
gekennzeichnet durch
- eine zweite Abschirmungsschicht (2), die zwischen der Auf zeichnungsschicht (5) und der Abspielschicht (1) ausgebildet ist, um zu verhindern, daß die Magnetisierung eines Auf zeichnungsbits in der Aufzeichnungsschicht in einen anderen Bereich als den Signalabspielbereich in der Abspielschicht kopiert wird.