DE19829086A1 - Verfahren und Vorrichtung zur optischen Messung von ultradünnen Schichten - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur optischen Messung von ultradünnen SchichtenInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur optischen Messung von ultradünnen Schichten (1), insbesondere zur Detektion der chemischen und physikalischen Eigenschaften oder von Strukturen und Schichten, wobei DOLLAR A a) sich die Schicht (1) auf einer optisch transparenten Unterlage (8) mit einer dünnen Edelmetallschicht (7) für die Anregung der Oberflächenplasmonen befindet und die Schicht (1) gleichzeitig der optischen Molekülspektroskopie und Oberflächenplasmonen-Resonanz unterzogen wird, DOLLAR A b) die Molekülspektroskopie und Oberflächenplasmonen-Resonanz flächenaufgelöst durch Abtasten oder mittels Bilderfassung der Schicht (1) durchgeführt wird, DOLLAR A c) die gewonnenen Spektren aus der optischen Molekülspektroskopie gefiltert und daraus die Bindung der Moleküle auf der Oberfläche, deren Orientierung und Funktionalisierung bestimmt wird, DOLLAR A d) mittels der Oberflächenplasmonen-Resonanz die Dicke der Schicht (1) und/oder die dielektrische Funktion bestimmt wird, DOLLAR A e) die aus den Schritten c) und d) gewonnenen Werte überlagert werden, und DOLLAR A f) hieraus die chemischen und physikalischen Eigenschaften in einem bestimmten Bereich der Schicht (1) flächenaufgelöst dargestellt werden. DOLLAR A Eine Vorrichtung ist beschrieben. Mit der Erfindung lassen sich Aussage über die Ordnung und Orientierung von Mono- und Multischichten sich flächenaufgelöst bildhaft darstellen.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur optischen Messung von ultradünnen Schichten,
vorzugsweiser von Filmen auf Oberflächen, mit dem die chemischen und
physikalischen Eigenschaften der ultradünnen Schicht als Bild dargestellt werden.
Die Erfindung betrifft weiterhin eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
Zur Charakterisierung dünner Filme werden mikroskopische Verfahren für die bildliche
Erfassung der Topologie der Probe und strukturgruppenspezifische Methoden für die
Untersuchung des Verhaltens ausgewählter Probensegmente eingesetzt. Für die
strukturgruppenspezifischen Untersuchungen kommen spektroskopische und
elektrochemische Verfahren zum Einsatz.
Insbesondere die Untersuchung sehr dünner, zumeist monomolekularer Filme erweißt
sich als große Schwierigkeit. Dabei konzentrieren sich viele Untersuchungen auf die
Charakterisierung von Self-Assembly-Schichten.
In dem Journal Langmuir Jahrgang 1998 Nr. 14 ist zum Beispiel auf den Seiten 808-
815, 660-666 1998, und 821-824 die Untersuchung der Topologie von SA-Schichten
mittels Raster-Kraft-Mikroskopie (AFM) oder Tunnelmikroskopie (STM) beschrieben. Mit
diesen Methoden lassen sich die Homogenität der Schichten gut untersuchen. Die
chemischen Eigenschaften wie Anbindung der Moleküle und Bindungen zwischen den
Molekülen lassen sich nicht erkennen.
Ebenfalls in dem Journal Langmuir 1998, 14, 17-30, und 1998, 14, 113-123 werden
mittels hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) die topologischen
Eigenschaften und eingeschränkt die chemischen Bindungen untersucht. Mit diesen
Methoden werden die Eigenschaften der Schicht in der Regel ohne Flächenauflösung
erfaßt. Mit der Röntgen-Photoelektronen-Spektroskopie (XPS) läßt sich die Anbindung
der polymeren Ketten anhand des elektronischen Zustands der Atome nachweisen. Für
XPS-Untersuchungen muß die Probe allerdings ins Hochvakuum überführt werden.
Mittels FTIR-Spektroskopie lassen sich die einzelnen Strukturgruppen dünner
polymerer Schichten getrennt charakterisieren. Der besondere Vorteil der FTIR-
Untersuchungen ist, daß unter in-situ-Bedingungen gearbeitet werden kann. Zur
Verbesserung der Nachweisgrenze untersucht man geringste Probemengen gern in
Reflexion mit streifenden Lichteinfall. SA-Schichten können auch durch FTIR-
Messungen mit polarisiertem Licht charakterisiert werden flächenaufgelöste
Untersuchungen ausgewählter Strukturgruppen sind mittels FTIR-Mikroskopie möglich.
Der Einsatz für die chemische Bildgebung bei komplexen Proben wird neben dem
zeitlichen Faktor vor allem durch die Überlagerung der Informationen im IR-Spektrum
begrenzt. Für zivile Anwendungen stehen erst seit sehr kurzer Zeit Array-Detektoren für
die bildgebende FTIR-Spektroskopie zur Verfügung. Über die Untersuchung von
Polymerschichten mit dieser Technik sind der Anmelderin aus der Literatur noch keine
Arbeiten bekannt geworden. Die bisher erschienenen Untersuchungen entstammen
dem medizinischen Bereich. In dem Journal Nature Medicine, New York Bd. 1997, 3,
235-237 wird z. B. die Untersuchung der Grenzschicht zwischen Zellgeweben und
Implantaten mittels bildgebender Infrarotspektroskopie beschrieben.
Die Oberflächenplasmonen-Resonanz ist eine sehr empfindliche Methode zur
Charakterisierung der dielektrischen Eigenschaften von ultradünnen Schichten und zur
Dickenbestimmung bei diesen Schichten. Große Verbreitung hat die
Oberflächenplasmonen-Resonanz in der biochemischen Analytik gefunden. Die
Oberflächenplasmonen-Resonanz wird zunehmend auch zur Charakterisierung
polymerer Schichten eingesetzt. In dem Journal Trends Polymere Science
1994, 2, 313-323 wird das Potential der Oberflächenplasmonen-Resonanz zur
Charakterisierung von sehr feinen Polymerfilmen beschrieben.
Anwendungen der flächenaufgelösten Oberflächenplasmonen-Resonanz unter
Nutzung von Arraydetektoren sind zum Beispiel in dem Journal Analytical Chemistry,
1998, 70, 703-706; 1997, 69, 1449-1456 und 1997, 69, 4939-4947 beschrieben.
Die Aufgabe der Erfindung besteht nun darin, durch ein Verfahren und eine Anordnung
flächenaufgelöste Informationen über Schichtdicke sowie Anbindung, Ordnung und
Orientierung der Moleküle, die diese ultradünne Schicht auf einer Unterlage bilden, zu
erhalten.
Die Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den im Anspruch 1 genannten Merkmalen
gelöst. Vorteilhafte Verfahrensvarianten ergeben sich aus den zugehörigen
Unteransprüchen.
Die Aufgabe wird weiterhin durch eine Vorrichtung mit den im Anspruch 14 genannten
Merkmalen gelöst. Vorfeilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen ergeben sich aus
den Unteransprüchen.
Verfahrensgemäß wird zur optischen Messung von ultradünnen Schichten,
insbesondere zur Detektion der chemischen und physikalischen Eigenschaften oder
von Strukturen und Schichten, die Schicht, die sich auf einer optisch transparenten
Unterlage mit einer dünnen Edelmetallschicht für die Anregung der
Oberflächenplasmonen befindet, gleichzeitig der optischen Molekülspektroskopie und
Oberflächenplasmonen-Resonanz unterzogen. Die Molekülspektroskopie und
Oberflächenplasmonen-Resonanz werden flächenaufgelöst durch Abtasten oder mittels
Bilderfassung der Schicht durchgeführt. Die aus der optischen Molekülspektroskopie
gewonnenen Spektren werden unter Anwendung spezieller mathematischer
Algorithmen ausgewertet und daraus die Bindung der Moleküle auf der Oberfläche,
deren Orientierung und Funktionalisierung bestimmt. Mittels der
Oberflächenplasmonen-Resonanz wird die Dicke der Schicht und/oder die
dielektrischen Eigenschaften bestimmt. Die aus den Teilschritten gewonnenen Werte
werden überlagert und hieraus die chemischen und physikalischen Eigenschaften in
einem bestimmten Bereich der Schicht flächenaufgelöst dargestellt.
Anordnungsgemäß ist als optisch transparente Unterlage ein Prisma zur Ablage der
dünnen Edelmetallschicht mit der ultradünnen Schicht vorgesehen. Bezogen auf die
Schicht ist unterhalb dieser eine Anordnung zur Messung der Oberflächenplasmonen-
Resonanz vorgesehen.
Weiterhin ist bezogen auf die Schicht oberhalb oder unterhalb dieser eine Anordnung
zur optischen Spektroskopie vorgesehen. Diesen beiden Anordnungen sind Detektoren
zugeordnet, die mit einer Auswerteeinrichtung zur Berechnung der chemischen und
physikalischen Eigenschaften verbunden sind, so daß ein bestimmter Bereich der
Schicht flächenaufgelöst dargestellt wird.
Vorteilhaft wird die ultradünne Schicht mit polarisiertem Infrarot-Licht und gleichzeitig
mit sichtbarem Licht unter Ausnutzung der Oberflächenplasmonen-Resonanz
untersucht. Dabei ist eine schnelle Änderung der Polarisationsrichtung zweckmäßig.
Dies wird durch den Einsatz eines Polarisators und eines elektrooptischen
Polarisationsmodulators erreicht, der linear polarisierte IR-Licht sehr schnell in der
Polarisationsrichtung ändert. Das IR-Licht wird vorteilhaft mittels Umlenkspiegel auf die
Schicht gelenkt. Das von der Probe reflektierte IR-Licht wird über einen weiteren
Umlenkspiegel einen empfindlichen Infrarot-Detektorarray zugeführt. Das
Strahlenbündel für die Anregung der Oberflächenplasmonen-Resonanz wird an der
Grenzschicht zwischen optischen Substrat und Metallschicht total reflektiert. Die
reflektierte Strahlung fällt auf einen Array-Detektor für sichtbares Licht. Aus der
Kombination von beiden Bildern lassen sich die Eigenschaften der dünnen Schicht mit
sehr großer Auflösung ableiten.
Der Vorteil der Erfindung besteht darin, daß aus der gleichzeitigen Anwendung eines
Verfahrens der optischen Molekülspektroskopie und eines Verfahrens zur
Oberflächenplasmonen-Resonanz an ultradünnen Schichten, diese mit einem
Informationsgewinn untersucht werden können, wobei der Informationsgewinn in der
Aussage über die Ordnung und Orientierung von Mono- und Multischichten besteht. Die
Aussage läßt sich flächenaufgelöst bildhaft darstellen, woraus sich Aussagen über die
Verwendbarkeit ultradünner Schichten (z. B. als Haftgrund) treffen lassen.
Nachfolgend wird die Erfindung an Ausführungsbeispielen noch näher erläutert. In den
Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer ersten Variante einer erfindungsgemäßen
Vorrichtung,
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer zweiten Variante einer erfindungsgemäßen
Vorrichtung,
Fig. 3 eine schematische Darstellung einer dritten Variante einer erfindungsgemäßen
Vorrichtung,
Fig. 4 eine schematische Darstellung einer vierten Variante einer erfindungsgemäßen
Vorrichtung,
Fig. 5 eine schematische Darstellung zur Veranschaulichung der Signalverarbeitung
aus den Detektoren der beiden Teilanordnungen,
Fig. 6 eine schematische Darstellung zur Veranschaulichung des Verfahren nach der
Detektion der Schicht.
Fig. 1 zeigt eine erste Variante einer erfindungsgemäßen Vorrichtung. Die zu
untersuchende Probe ist in Form einer Schicht 1 auf einer Edelmetallschicht 7
aufgebracht. Die Edelmetallschicht 7 liegt auf einem Prisma 8 auf, welches als optisch
transparente Unterlage dient. In der Darstellung wird oberhalb der Schicht 1 eine
Anordnung zur optischen Spektroskopie gezeigt. Unterhalb der Schicht 1 ist eine
Anordnung zur Oberflächenplasmonen-Resonanz dargestellt.
In Strahlengangrichtung besteht die Anordnung zur optischen Spektroskopie (oberhalb
der Schicht 1) aus einer Lichtquelle (nicht dargestellt), einem Polarisator 3, einem
elektrooptischen Polarisationsmodulator 4, einem ersten Umlenkspiegel 5, (Schicht 1),
einem zweiten Umlenkspiegel 5 und einem Detektor 6.
In Strahlengangrichtung besteht die Anordnung zur Oberflächenplasmonen-Resonanz
(unterhalb der Schicht 1) aus einer Lichtquelle (nicht dargestellt), die ein paralleles
Strahlenbündel 9 erzeugt, einem Prisma 8, einer dünnen Edelmetallschicht 7 und einem
Detektor 10. Dargestellt ist außerdem, in stark vereinfachter Weise, eine XY-
Verstelleinheit 12, mit der das Prisma 8 (mit der Edelmetallschicht 7 und der Schicht 1)
gegenüber den beiden Strahlengängen aus den beiden Teilanordnungen verstellt
werden kann.
Fig. 2 zeigt eine schematische Darstellung einer zweiten Variante einer
erfindungsgemäßen Vorrichtung. Gegenüber der Fig. 1 ist in den Strahlengang der
Anordnung zur optischen Spektroskopie (oberhalb der Schicht 1) ein erstes Objektiv 11
nach dem ersten Umlenkspiegel 5 und ein zweites Objektiv 11 vor dem zweiten
Umlenkspiegel 5 vorgesehen. Mit der XY-Verstelleinheit 12 kann das Prisma 8 (mit der
Edelmetallschicht 7 und der Schicht 1) gegenüber den Fokuspunkt der Objektive
verstellt werden kann.
Fig. 3 zeigt eine schematische Darstellung einer dritten Variante einer
erfindungsgemäßen Vorrichtung. Gegenüber Fig. 2 entfallen die beiden Objektive 11
und die XY-Verstelleinheit 12. An Stelle eines Detektors 6 ist ein Array-Detektor 6'
vorgesehen.
Fig. 4 zeigt eine schematische Darstellung einer vierten Variante einer
erfindungsgemäßen Vorrichtung. Die Schicht 1 wird mit beiden Methoden von unten
betrachtet. Gegenüber den Bildern 1 bis 3 erfolgt die Messung mit dem polarisiertem
IR-Licht durch Abgeschwächte Totalreflexion an der Grenzschicht Prisma 8 - Schicht 1.
Zur Anregung der Oberflächenplasmonen werden anstatt der durchgehenden
Edelmetallschicht 7 Metallcluster 7' mit Abmessungen im Nanometerbereich eingesetzt.
Die Metallcluster 7' können gleichzeitig zur optischen Resonanzverstärkung der
Infrarotspektren eingesetzt werden.
In Fig. 5 ist schematisch dargestellt, wie die Signalverarbeitung nach den beiden
Detektoren 6, 10 erfolgt.
Fig. 6 dient der Veranschaulichung des Verfahrens nach der Detektion der Schicht 1.
Für die Untersuchung sehr dünner Schichten ist eine schnelle Änderung der
Polarisationsrichtung zweckmäßig. Dies wird durch den Einsatz eines Polarisators 3
und eines elektrooptischen Polarisationsmodulators 4 erreicht, der linear polarisierte IR-
Licht sehr schnell in der Polarisationsrichtung ändert. Gemäß der Fig. 2 wird die IR-
Strahlung 2 mit einem ersten Objektiv 11 sehr fein auf die Schicht 1 fokusiert. Die von
der Schichtoberfläche reflektierte Strahlung wird von einem zweiten Objektiv 11
gesammelt und über einen Umlenkspiegel 5 dem Detektor 6 zugeführt. Gleichzeitig wird
die Schicht 1 von der Unterseite mit der flächenaufgelösten Oberflächenplasmonen-
Resonanz, durch ein an der Edelmetallschicht 7 reflektiertes paralleles Strahlenbündel
9, das von einem CCD-Detektor 10 aufgefangen wird, untersucht. Das Strahlenbündel
9 wird an der Grenzschicht zwischen Prisma 8 und Edelmetallschicht 7 totalreflektiert.
Die Flächenauflösung der polarisationsmodulierten IR-Strahlung 2 wird durch Abrastern
der Schicht 1 mittels einer XY-Verstelleinheit 12 erreicht.
In der Fig. 3 wird die Flächenauflösung der polarisationsmodulierten IR-Strahlung 2
durch einen Infrarot-Arraydetektor 6' vorgenommen. Dazu wird die Schicht 1 mit
einem parallelen, polarisationsmodulierten Strahlenbündel 2 über einen ersten
Umlenkspiegel 5 beleuchtet. Das reflektierte parallele Bündel wird über einen weiteren
Umlenkspiegel 5 dem Array-Detektor 6' zugeführt.
Gemäß der Fig. 4 wird das von dem IR-Detektor 6 aufgenommene
polarisationsmodulierte Licht 2 über einen Multiplexer 13 in zwei Signale aufgetrennt.
Der Gleichanteil des Signales wird mit einen elektronischen Filter 14 abgetrennt und
einem Rechner 16 zur Weiterverarbeitung zugeführt. Der Wechselanteil des Signales,
der durch die Modulation der Polarisationsrichtung 3, 4 entsteht, wird mit einem
speziellen Verstärker 15 selektiv verstärkt und ebenfalls dem Rechner 16 zugeführt.
Aus den zwei Spektren können interessierenden Informationen herausgelesen werden.
Das Gleichsignal kann auch als Referenz verwendet werden, so daß Störungen des
Meßprozesses ausgeblendet werden. Das Bildsignal des CCD-Detektors 10 wird direkt
dem Rechner 16 zugeführt.
Das Prinzip der Datenverarbeitung und Bildkombination zeigt Fig. 5 Die für jeden
Bildpunkt erhaltenen Infrarotspektren werden einem chemometrischen
Auswertealgorithmus zugeführt. Dieser Algorithmus berechnet nach vorheriger
Modellbildung spezielle chemische und physikalische Eigenschaften der Schicht 1 aus
den Infrarotspektren. Diese Eigenschaften werden für jeden Bildpunkt einzeln berechnet
und ergeben zusammengesetzt ein Gesamtbild der Verteilung bestimmter Merkmale in
der untersuchten Schichtfläche. In einem folgenden Schritt wird das Bild der
Oberflächenplasmonen-Resonanz hinzugenommen mit dem durch ein spezielles
Verfahren der Kontrast und die Auflösung der abgebildeten chemischen und
physikalischen Eigenschaften verbessert werden.
Claims (21)
1. Verfahren zur optischen Messung von ultradünnen Schichten (1), insbesondere zur
Detektion der chemischen und physikalischen Eigenschaften oder von Strukturen
und Schichten, wobei
- a) sich die Schicht (1) auf einer optisch transparenten Unterlage (8) mit einer dünnen Edelmetallschicht (7) für die Anregung der Oberflächenplasmonen befindet und die Schicht (1) gleichzeitig der optischen Molekülspektroskopie und Oberflächenplasmonen-Resonanz unterzogen wird,
- b) die Molekülspektroskopie und Oberflächenplasmonen-Resonanz flächenaufgelöst durch Abtasten oder mittels Bilderfassung der Schicht (1) durchgeführt wird,
- c) die gewonnenen Spektren aus der optischen Molekülspektroskopie gefiltert und daraus die Bindung der Moleküle auf der Oberfläche, deren Orientierung und Funktionalisierung bestimmt wird,
- d) mittels der Oberflächenplasmonen-Resonanz die Dicke der Schicht (1) und/oder die dielektrische Funktion bestimmt wird,
- e) die aus den Schritten c) und d) gewonnenen Werte überlagert werden, und
- f) hieraus die chemischen und physikalischen Eigenschaften in einem bestimmten Bereich der Schicht (1) flächenaufgelöst dargestellt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die Eigenschaften der zu untersuchenden
Schicht (1) mit hoher lateraler und chemischer Auflösung erfaßt und dargestellt
werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die laterale Auflösung der
Oberflächenplasmonen-Resonanz und der optischen Molekülspektroskopie durch
Einsatz von Detektorarrays (6') erreicht wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem auf die Schicht (1) parallele Strahlenbündel (2)
fallen und das reflektierte Bündel unter Beibehaltung der optischen Abbildung den
jeweiligen Detektorarray (6') zugeführt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die laterale Auflösung durch Abrastern
mittels einer XY-Verstelleinheit (12) der Schicht (1) erreicht wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem die Strahlung als sehr fein fokusierte Strahlung
die Schicht (1) trifft und das reflektierte Licht den jeweiligen Detektoren zugeführt
wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem empfindliche Verfahren der optischen
Molekülspektroskopie eingesetzt werden.
8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die fouriertransformierte Polarisations-
Modulations-Spektroskopie mit Infrarotlicht angewendet wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem für die Anregung der
Oberflächenplasmonen eine Schicht sehr kleiner und feiner Metallcluster verwendet
werden, die sich auf der Oberfläche der optisch transparenten Unterlage (8)
befinden und von der anderen Seite Kontakt mit der Schicht (1) aufweisen.
10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die Metallcluster durch thermisches
Bedampfen, Sputtern, reaktives Abscheiden oder durch Ionenimplantation
hergestellt werden.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, bei dem die Metallcluster gleichzeitig zur
optischen Resonanzverstärkung der optischen Spektroskopie genutzt werden.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem eine homogen oder gezielt
strukturierte Schicht (1) verwendet wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem Strukturierung der Schicht (1) wenige
Mikrometer beträgt.
14. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 13
bei der
- a) als optisch transparente Unterlage (8) ein Prisma, oder eine andere geeignete Körperform (8) zur Ablage der dünnen Edelmetallschicht (7) mit der Schicht (1) vorgesehen ist,
- b) bezogen auf die Schicht (1) unterhalb eine Teilanordnung zur Messung der Oberflächenplasmonen-Resonanz vorgesehen ist,
- c) bezogen auf die Schicht (1) oberhalb oder unterhalb eine Teilanordnung zur optischen Spektroskopie vorgesehen ist,
- d) den Teilanordnungen von b) und c) Detektoren zugeordnet sind, und
- e) die Detektoren einer Auswerteeinrichtung zur Berechnung der chemischen und physikalischen Eigenschaften zugeordnet sind, so daß ein bestimmter Bereich der Schicht (1) flächenaufgelöst darstellt wird.
15. Vorrichtung nach Anspruch 14, bei der die Teilanordnung zur Messung der
Oberflächenplasmonen-Resonanz in Strahlengangrichtung aus Lichtquelle, die ein
paralleles Strahlenbündel (9) erzeugt, Prisma (8), dünner Edelmetallschicht (7) und
Detektor (10) besteht, wobei das Strahlenbündel (9) an der Grenzschicht Prisma
(8) Edelmetallschicht (7) total reflektiert wird.
16. Vorrichtung nach Anspruch 14 oder 15, bei der zur Anregung der
Oberflächenplasmonen anstatt der durchgehenden Edelmetallschicht (7)
Metallcluster (7') mit Abmessungen im Nanometerbereich vorgesehen sind, und die
Metallcluster (7') gleichzeitig zur optischen Resonanzverstärkung der
Infrarotspektren dienen.
17. Vorrichtung nach Anspruch 14, bei der die Anordnung zur optischen Spektroskopie
in Strahlengangrichtung aus Polarisator (2), Polarisationsmodulator (4), einem
ersten und einem zweiten Umlenkspiegel (5) und Detektor (6) besteht.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17, bei der die Anordnung zur optischen Spektroskopie
zwischen den beiden Umlenkspiegel (5) ein erstes und ein zweites Objektiv (11) zur
Fokussierung des Lichtes auf die Schicht (1) und zur Aufnahme des von der Schicht
(1) reflektierten Lichtes enthält und an Stelle des Detektors (6) ein Array-Detektor
(6') vorgesehen ist.
19. Vorrichtung nach Anspruch 14, bei der die Anordnungen b), c) mit optisch
transparentes Material für sichtbares und infrarotes Licht betrieben werden.
20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 19, bei der die Anordnungen b), c) in
ein herkömmliches FTIR-Spektrometer integrierbar sind.
21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 20, bei der die Einfallswinkel der
optischen Strahlung auf die Schicht (1) in einem weiten Bereich veränderbar sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19829086A DE19829086C2 (de) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | Verfahren zur optischen Bestimmung von chemischen und physikalischen Eigenschaften von ultradünnen Schichten und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
DE19829086A DE19829086C2 (de) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | Verfahren zur optischen Bestimmung von chemischen und physikalischen Eigenschaften von ultradünnen Schichten und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19829086A1 true DE19829086A1 (de) | 2000-01-13 |
DE19829086C2 DE19829086C2 (de) | 2001-10-31 |
Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19829086A Expired - Fee Related DE19829086C2 (de) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | Verfahren zur optischen Bestimmung von chemischen und physikalischen Eigenschaften von ultradünnen Schichten und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
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