DE19828476A1 - Teilchenstrahlgerät - Google Patents

Teilchenstrahlgerät

Info

Publication number
DE19828476A1
DE19828476A1 DE19828476A DE19828476A DE19828476A1 DE 19828476 A1 DE19828476 A1 DE 19828476A1 DE 19828476 A DE19828476 A DE 19828476A DE 19828476 A DE19828476 A DE 19828476A DE 19828476 A1 DE19828476 A1 DE 19828476A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sample
detector
particle beam
beam device
detectors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19828476A
Other languages
English (en)
Inventor
Eugen Weimer
Volker Drexel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss Microscopy GmbH
Original Assignee
Leo Elektronenmikroskopie GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leo Elektronenmikroskopie GmbH filed Critical Leo Elektronenmikroskopie GmbH
Priority to DE19828476A priority Critical patent/DE19828476A1/de
Priority to EP99109886A priority patent/EP0969495B1/de
Priority to JP16935199A priority patent/JP4482179B2/ja
Priority to US09/339,348 priority patent/US6498345B1/en
Publication of DE19828476A1 publication Critical patent/DE19828476A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/244Detectors; Associated components or circuits therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2448Secondary particle detectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28Scanning microscopes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Teilchenstrahlgerät, insbesondere ein Elektronenstrahlgerät wie ein Rasterelektronenmikroskop. Gemäß der vorliegenden Erfindung sind im Strahlführungsrohr zwischen dem Strahlerzeuger (1) und dem Objektiv (5, 6) zwei ringförmige Detektoren (11, 12, 13, 15, 16) in deutlichem Abstand entlang der optischen Achse angeordnet. Der Abstand zwischen beiden Detektoren beträgt dabei mindestens 25%, vorzugweise sogar 50-75% des Abstandes zwischen dem probenseitigen Detektor (11, 12) und der Probe (10). Der quellenseitige Detektor (13) dient zum Nachweis derjeinigen zurückgestreuten oder Sekundärelektronen, die durch die für den Durchtritt des Primärteilchenstrahls vorgesehene Bohrung durch den probenseitigen Detektor (11, 12) transmittieren. DOLLAR A Der quellenseitige Detektor (13, 15, 16) ist vorzugsweise als Konversionsblende (13) mit seitlich dazu angeordnetem Szintillationsdetektor ausgebildet. Die Konversionsblende (13) erzeugt bei Auftreffen geladener Teilchen selbst Sekundärelektronen. DOLLAR A Durch die Verwendung zweier in Richtung der optischen Achse versetzter Detektoren wird die Ausbeute der für die Bilderzeugung ausgenutzten Sekundärelektronen erhöht. Außerdem ist eine Separierung der Sekundärelektronen nach ihrem Austrittswinkel aus der Probe (10) möglich.

Description

Teilchenstrahlgeräte mit Ionen oder Elektronen werden bevorzugt zur Abbildung, Analyse und Bearbeitung von Probenoberflächen eingesetzt. Zur Bilderzeugung wird ein fokussierter Teilchenstrahl rasterförmig über die Probenoberfläche geführt und die bei der Wechselwirkung der Primärteilchen mit der Probe entstehenden Signale werden erfaßt und dem jeweiligen Entstehungsort zugeordnet. Neben einer hohen Ortsauflösung, die durch einen geringen Durchmesser des Teilchenstrahls in der Ebene der Probe erreicht wird, ist eine möglichst hohe Effizienz der Detektion der verschiedenen Signale erforderlich.
Die Auflösung von Korpuskularstrahlgeräten ist prinzipiell am besten, wenn sich die Probe sehr nahe an der Objektivlinse oder sogar innerhalb dieser Linse befindet. Dieses hat zur Folge, daß das Detektionssystem zum Nachweis von sekundär- und/oder rückgestreuten Teilchen innerhalb der Objektivlinse oder in einem feldfreien Bereich zwischen der Objektivlinse und der Teilchenquelle angeordnet sein muß. Die beste Auflösung, insbesondere bei niedrigen Teilchenenergien, wird mit Anordnungen erzielt, bei der die Teilchen im Strahlerzeugungssystem zunächst auf eine hohe Energie beschleunigt und am Ende der teilchenoptischen Anordnung in einer Objektivlinse oder im Bereich zwischen der Objektivlinse und der Probe auf die gewünschte Endenergie abgebremst werden.
Entsprechende Teilchenstrahlgeräte sind beispielsweise in der US-A 4,831,266 und der US-A 4,926,054 beschrieben. Durch Kombination eines elektrostatischen und eines magnetischen Feldes in der Objektivlinse wird selbst bei niedrigen Teilchenenergien eine sehr hohe Auflösung erzielt. Darüberhinaus werden die von der Probe zurückgestreuten oder anderweitig von der Probe emittierten Teilchen in entgegengesetzter Richtung vom elektrostatischen Feld beschleunigt und auf einen ringförmigen Szintillationsdetektor oberhalb der Objektivlinse abgebildet. In der US 4,896,036 ist eine ähnliche Anordnung mit einem ebenfalls ringförmigen Detektor beschrieben, bei der allerdings die Objektivlinse eine rein elektrostatische Linse ist.
Bei diesen bekannten Systemen hat es sich als nachteilig herausgestellt, daß der ringförmige Detektor mit Szintillator- und Glaslichtleiter eine relativ große Öffnung von ca. 2-3 mm aufweisen muß, damit der Primärteilchenstrahl nicht vom ringförmigen Detektor behindert wird. Rechnungen und Experimente haben ergeben, daß durch die zentrale Öffnung des Detektors bis zu etwa 80% der an der Probe entstehenden Teilchen hindurchtreten und damit nicht detektiert werden. Das detektierte Signal ist dadurch sehr schwach. Außerdem werden die detektierten Teilchen nur integral erfaßt, und können demzufolge nicht nach Energie und Startwinkel separiert werden.
Aus einem Aufsatz in Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A, Volium 363, Seiten 31-42, (1995) ist es bekannt, durch geeignete Anordnung zweier Wien-Filter, die von der Probe emittierten oder an der Probe zurückgestreuten Teilchen in achsenferne Bereiche zu lenken, ohne daß der Primärteilchenstrahl merklich beeinflußt wird. Diese Maßnahme führt zwar zu einer Verbesserung der Detektionseffizient, eine Unterscheidung der detektierten Signale nach Startwinkel usw. ist jedoch auch hier nicht möglich.
In der US-A 5,644,132 ist ein Rasterelektronenmikroskop beschrieben, bei dem der ringförmige Detektor mehrere ringförmige Unterteilungen aufweist. Durch diese Aufteilung sollen die an der Probe zurückgestreuten Elektronen, die im Vergleich zu den Sekundärelektronen schwerpunktsmäßig stärker im achsnahen Bereich nachweisbar sind, von den achsferneren Sekundärelektronen separiert werden. Im Zusammenhang mit einem Ausführungsbeispiel ist dabei auch die Möglichkeit angesprochen, daß aus Montagegründen der innere ringförmige Detektor und der äußere ringförmige Detektor leicht versetzt in Richtung der optischen Achse angeordnet werden können. Eine solche ringförmige Aufteilung des Detektors erlaubt zwar grundsätzlich eine Separierung der detektierten Elektronen nach deren Startwinkel beim Austritt aus der Probe. Das Problem, daß ein großer Anteil der Sekundärelektronen und der zurückgestreuten Elektronen durch den zentralen Bohrungsbereich transmittiert und demzufolge überhaupt nicht nachgewiesen wird, läßt sich durch diese ringförmige Unterteilung des Detektors jedoch nicht lösen.
Es ist das Ziel der vorliegenden Erfindung, bei einem Teilchenstrahlgerät die Detektion der von der Probe emittierten Sekundärteilchen und der an der Probe zurückgestreuten Teilchen zu verbessern. Darüberhinaus soll eine Selektion oder Zuordnung der detektierten Teilchen nach deren Startwinkel möglich sein.
Dieses Ziel wird erfindungsgemäß durch ein Teilchenstrahlgerät mit den Merkmalen des Anspruches 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Merkmalen der abhängigen Ansprüche.
Beim erfindungsgemäßen Teilchenstrahlgerät sind zwei Detektoren für die vom Objekt zurückgestreuten oder vom Objekt emittierten Teilchen in Richtung der optischen Achse des Teilchenstrahlgerätes zueinander versetzt angeordnet. Der Abstand in Richtung der optischen Achse zwischen beiden Detektoren beträgt dabei mindestens 25% des Abstandes zwischen dem objektseitigen Detektor und der Fokusebene des Objektivs, durch das der Teilchenstrahl auf die Probe fokussiert wird. Der probenseitige Detektor dient dabei zur Detektion derjenigen Teilchen, die unter einem relativ großen Raumwinkel aus der Probe austreten, während der quellenseitige Detektor zur Detektion derjenigen Teilchen dient, die unter einem relativ geringen Raumwinkel aus der Probe austreten und durch die für den Durchtritt des Primärteilchenstrahls durch den probenseitigen Detektor vorgesehene Öffnung durch diesen transmittieren. Durch die axial versetzte Anordnung beider Detektoren können mit dem quellenseitigen Detektor sogar dann durch die zentrale Bohrung des objektseitigen Detektors transmittierte Teilchen nachgewiesen werden, wenn beide Detektoren zentrale Öffnungen mit gleichen Durchmesser aufweisen. Vorzugsweise sollte jedoch die zentrale Öffnung für den Durchtritt des Primärteilchenstrahls beim quellenseitigen Detektor höchstens ein Drittel des Durchmessers der zentralen Bohrung des objektseitigen Detektors betragen. Entsprechend kleine Bohrungsdurchmesser von beispielsweise unter 0,2 mm durch den quellenseitigen Detektor sind dann möglich, wenn dieser Detektor als Konversionsblende ausgebildet ist, an der beim Auftreffen hochenergetischer Teilchen selbst wieder Sekundärelektronen entstehen. Die aus der Konversionsblende austretenden Sekundärelektronen werden dann durch einen seitlich angeordneten konventionellen Detektor, der ein elektrostatisches Absaugfeld für die aus der Konversionsblende austretenden Sekundärelektronen erzeugt, detektiert. Das Material der Konversionsblende sollte ein relativ leichtes Element mit einer Ordnungszahl < = 20 sein, z. B. Aluminium oder Kohlenstoff, da solche leichten Elemente eine relativ hohe Sekundärelektronen-Ausbeute aufweisen.
Wie bei dem eingangs genannten Stand der Technik weisen beide Detektoren eine symmetrisch zur optischen Achse ausgebildete, ringförmige Detektionsfläche auf. Im Unterschied zum eingangs genannten Stand der Technik sollte jedoch der Außendurchmesser der Detektionsfläche des quellenseitigen Detektors größer als der Durchmesser der zentralen Bohrung des probenseitigen Detektors sein.
Soweit der quellenseitige Detektor nur eine sehr kleine, die Apertur des Primärstrahls begrenzende Bohrung für den Durchtritt des Primärstrahls aufweist, sollte dieser Detektor an einer Justiervorrichtung aufgenommen sein, die eine Justierung des Detektors in den beiden zur optischen Achse senkrechten Richtungen erlaubt.
Für die Auswertung der mit beiden Detektoren detektierten Signale kann eine Signalverarbeitungselektronik vorgesehen sein, die aus den Detektorsignalen Ausgangssignale erzeugt, die Linearkombinationen beider Detektorsignale entsprechen. Durch Bildung entsprechender Linearkombinationen können die Einflüsse der Oberflächen-Topographie der Probe verstärkt und Ladungskontrastbilder erzeugt werden. Dieses ist insbesondere dann von Vorteil, wenn dünne Schichten mit zur Matrix unterschiedlicher Leitfähigkeit im Teilchenstrahlgerät untersucht werden. Die Koeffizienten der Linearkombinationen sollten dabei vom Benutzer des Teilchenstrahlgerätes frei wählbar sein.
Nachfolgend werden Einzelheiten der Erfindung anhand des in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiels für ein Rasterelektronenmikroskop näher erläutert.
Im einzelnen zeigen:
Fig. 1 die Prinzipskizze eines Rasterelektronenmikroskops im Schnitt, in dem die Erfindung realisiert ist; und
Fig. 2 ein Diagramm der Elektronenbahnen für Sekundärelektronen in Abhängigkeit vom Startwinkel an der Probenoberfläche.
Der Teilchenstrahlerzeuger beim erfindungsgemäßen Teilchenstrahlgerät besteht aus einer die Teilchen emittierenden Kathode (1), einer Extraktionselektrode (2) und einer Anode (3). Ist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät als Rasterelektronenmikroskop ausgebildet, ist die Kathode (1) vorzugsweise ein thermischer Feldemitter. Die aus der Kathode (1) austretenden Teilchen werden durch die in der Fig. 1 nicht dargestellte Potentialdifferenz zwischen der Kathode (1) und der Anode (3) auf das Anodenpotential beschleunigt.
Die Anode (3) bildet gleichzeitig das quellenseitige Ende des Strahlführungsrohres (4). Dieses Strahlführungsrohr (4) aus elektrisch leitendem Material ist durch die Bohrung durch die Polschuhe (5) einer als Objektiv wirkenden Magnetlinse geführt und ist am objektseitigen Ende (8) als Rohrlinse verdickt ausgebildet. Dieses verdickte objektseitige Ende des Strahlführungsrohres (4) endet erst hinter dem Polschuhspalt (5a) der Magnetlinse, deren Spulen mit (6) bezeichnet sind. Dem Strahlführungsrohr nachgeordnet ist eine Einzelelektrode (9), die gemeinsam mit der Rohrelektrode (8) des Strahlführungsrohres (4) eine elektrostatische Verzögerungseinrichtung bildet. Die Rohrelektrode (8) liegt gemeinsam mit dem gesamten Strahlführungsrohr (4) auf dem Anodenpotential, während die Einzelelektrode (9) und die Probe (10) auf einem gegenüber dem Anodenpotential niedrigeren Potential liegen, so daß die Teilchen nach Austritt aus dem Strahlführungsrohr auf die gewünschte niedrigere Energie abgebremst werden.
In der Bohrung des Polschuhs (5) der Objektivlinse, in Höhe des Polschuhspaltes (5a) ist noch ein Ablenksystem (7) angeordnet, durch das der durch das Objektiv (5) auf die Probe (10) fokussierte Primärelektronenstrahl senkrecht zu der strichpunktiert-dargestellten optischen Achse zum Abrastern der Probe (10) abgelenkt wird.
Insoweit wie gerade beschrieben, hat das in Fig. 1 dargestellte Rasterelektronenmikroskop einen Aufbau, wie dieser in der deutschen Patentanmeldung 197 32 093.7 beschrieben ist. Auf diese frühere Anmeldung sei auch bezüglich der Potentialbeaufschlagung von Kathode (1), Extraktionselektrode (2), Anode (3) und Bremselektrode (9) verwiesen.
Alternativ zu der Darstellung in Fig. 1 kann das Strahlführungsrohr (4) auch auf Höhe des Polschuhspaltes (5a) enden und die Abbremselektrode (9) auch in etwa in Höhe des Polschuhspaltes (5a) angeordnet sein. Die Abbremsung der Primärteilchen auf die gewünschte Auftreffenergie erfolgt dann bereits innerhalb des Objektivs, so daß sich das magnetische Feld der Objektivlinse und das elektrostatische Verzögerungsfeld räumlich überlagern.
Zur Detektion der aus der Probe (10) austretenden Teilchen, der zurückgestreuten Elektronen und der Sekundärelektronen, sind innerhalb des Strahlführungsrohres (4) zwischen dem Strahlerzeuger und dem Objektiv (5, 6) zwei Detektoren in Richtung der optischen Achse zueinander versetzt angeordnet. Beide Detektoren haben eine ringförmige, im wesentlichen symmetrisch zur optischen Achse angeordnete Detektionsfläche. Der objektseitige Detektor ist dabei in bekannter Weise als Szintillator mit einem Glaslichtleiter (11) und einem optischen Detektor (12) ausgebildet. Der Glaslichtleiter (11) dient dabei zur Konversionen der auftreffenden Elektronen in Photonen und gleichzeitig zur Leitung der Photonen zum optischen Detektor (12). Da der Glaslichtleiter für eine hohe Effizienz der Lichtleitung eine relativ große Dicke in Richtung der optischen Achse von ca. 5-7 mm aufweist, weist die Bohrung durch den Glaslichtleiter für den Durchtritt des Primärstrahls einen Durchmesser von 2-3 mm auf, damit der Primärstrahl durch den Glaslichtleiter nicht beeinflußt wird. Der probenseitige Detektor (11, 12) dient zur Detektion derjenigen Teilchen, die unter einem relativ großen Raumwinkel aus der Probe (10) austreten. Dabei handelt es sich in erster Linie um Sekundärelektronen, deren kinetische Energie beim Austritt aus der Probe (10) im Bereich zwischen 1-50 eV mit einem Maximum bei 2-4 eV liegt. An der Probe (10) zurückgestreute Elektronen, die im Vergleich zu den Sekundärelektronen eine relativ hohe kinetische Energie beim Austritt aus der Probe (10) aufweisen, werden dagegen vom Detektor (11) nur zu einem sehr geringen Anteil erfaßt. Denn die relativ zur optischen Achse in einem Raumwinkel von 0-5° aus der Probe austretenden zurückgestreuten Elektronen transmittieren durch das Loch durch den Detektor (11) und die unter einem Winkel von < 15° aus der Probe austretenden Elektronen treffen bereits im Polschuhbereich auf das Strahlführungsrohr (4) und werden dort absorbiert.
Der quellenseitige Detektor enthält eine ringförmige Konversionsblende (13), die vom probenseitigen Detektor (11) deutlich in Richtung der optischen Achse beabstandet an einer Justiereinrichtung (14) aufgenommen ist. Durch die Justiereinrichtung (14) ist die Konversionsblende (13) in den beiden Richtungen senkrecht zur optischen Achse justierbar. Die Konversionsblende ist eine dünne Platte mit einer Dicke von 0,1-1 mm aus einem Material mit kleiner Ordnungszahl und hat ein kleines zentrales Loch für den Durchtritt des Primärelektronenstrahls, wobei der Lochdurchmesser etwa 200-400 µm beträgt. Aufgrund des geringen Lochdurchmessers wirkt die Konversionsblende (13) aperturbegrenzend für den Primärelektronenstrahl und wirkt damit gleichzeitig als Aperturblende.
Die Konversionsblende besteht aus einem Material mit geringer Ordnungszahl, beispielsweise Aluminium, so das mit recht hoher Effizienz auf die Konversionsblende (13) auftreffende Elektronen wiederum Sekundärelektronen auslösen. Für die Detektion dieser von der Konversionsblende ausgelösten Sekundärelektronen ist probenseitig der Konversionsblende (13) seitlich von der optischen Achse ein Everhart Thornley Detektor (15) angeordnet. Dieser Everhart Thornley Detektor liegt über eine Gitterelektrode auf einem Potential, das etwa 6-10 kV höher als das auf Anodenpotential liegende Potential der Konversionsblende (13) ist. Durch diese Potentialdifferenz werden die aus der Konversionsblende (13) austretenden Sekundärelektronen in Richtung auf den Detektor (15) abgesaugt und beschleunigt.
Der Abstand entlang der optischen Achse zwischen der Detektionsebene des probenseitigen Detektors (11) und der Konversionsblende (13) beträgt mindestens 25%, vorzugsweise etwa 50-75% des Abstandes zwischen der Detektionsfläche des probenseitigen Detektors (11) und der Probe (10). Der äußere Durchmesser der Konversionsblende (13) ist gleichzeitig größer als der Durchmesser der Öffnung durch den probenseitigen Detektor (11). Durch diese geometrische Anordnung ist gewährleistet, daß ein Großteil der aus der Probe (10) austretenden und durch die Öffnung des probenseitigen Detektors (11) transmittierenden Elektronen (20) vom quellenseitigen Detektor (13) detektiert werden.
Die mit den zwei in Richtung der optischen Achse versetzt angeordneten Detektoren erzielte Wirkung ist anhand der Fig. 2 veranschaulicht. Dort sind die Bahnen für aus der Probe unter unterschiedlichen Winkeln austretende Sekundärelektronen mit einer kinetischen Energie von 3 eV beim Austritt aus der Probe für den Fall aufgetragen, daß die Energie des Primärteilchenstrahls beim Auftreffen auf der Probe 1 keV und der Abstand zwischen der Probe und der Objektivlinse 5 mm beträgt. Zur besseren Veranschaulichung ist der Abstand der Elektronenbahnen von der optischen Achse um einen Faktor 50 überhöht und die Bahn der Elektronen nach deren Schnitt mit der optischen Achse gespiegelt dargestellt. Der Abstand zwischen der Detektionsebene des probenseitigen Detektors (11) und der Probe beträgt 100 mm. Der Radius der zentralen Öffnung durch den probenseitigen Detektor (11) beträgt 1 mm. Wie sich aus dem Diagramm der Bahnverläufe ergibt, werden mit dem probenseitigen Detektor (11) lediglich solche Sekundärelektronen detektiert, die unter einem Winkel von < etwa 35° aus der Probe (10) austreten. Bei einer leitenden Probe (10) mit ebener Probenoberfläche sind die verschiedenen möglichen Startwinkel beim Austritt aus der Probe entsprechend einer Lambert'schen Kosinusverteilung verteilt. Daraus ergibt sich, daß etwa 40% der aus der Probe austretenden Sekundärelektronen beim Austritt aus der Probe einen Winkel relativ zur optischen Achse von unter 30° aufweisen, so daß etwa 40% der aus der Probe austretenden Sekundärelektronen vom probenseitigen Detektor nicht erfaßt werden können. Im Falle einer nichtleitenden Probenoberfläche werden in der Praxis infolge von lokalen Aufladungseffekten fast alle Elektronen mit sehr kleinen Winkeln zur Oberflächennormalen emittiert, so daß in diesem in der Praxis sehr wichtigen Fall sogar nur weniger als 20% der aus der Probe austretenden Sekundärelektronen mit dem probenseitigen Detektor (11) nachgewiesen werden können.
Ein Großteil der durch die Öffnung des probenseitigen Detektors (11) transmittierten Sekundärelektronen wird bei der Anordnung gemäß der Erfindung vom quellenseitigen Detektor (13) nachgewiesen. Dieser quellenseitige Detektor (13) weist in der Fig. 2 einen Abstand von 70 mm zur Detektionsebene des probenseitigen Detektors (11) auf. Der Durchmesser des quellenseitigen Detektors (13) bzw. dessen Detektionsfläche ist dabei größer als der Durchmesser der zentralen Öffnung im probenseitigen Detektor (11). Außerdem weist der quellenseitige Detektor (13) nur eine sehr kleine zentrale Öffnung mit einem Radius von 0,1 mm auf, so daß diese Detektorblende für den Primärteilchenstrahl aperturbegrenzend wirkt.
Wie den Bahnverläufen in Fig. 2 entnehmbar ist, können mit dem quellenseitigen Detektor auch solche Sekundärelektronen nachgewiesen werden, die unter einem Winkel von unter 35% aus der Probe austreten. Faßt man die mit beiden Detektoren (11, 13) insgesamt erfaßten Sekundärelektronen zusammen, so ergibt sich, daß bei der erfindungsgemäßen Anordnung der Detektoren sämtliche Sekundärelektronen erfaßt werden, die unter einem Winkel von < 2-3° aus der Probe austreten. Der Signalgewinn durch den zweiten, quellenseitigen Detektor gegenüber derselben Anordnung mit nur dem probenseitigen Detektor beträgt im Falle einer leitenden ebenen Probenoberfläche etwa 40% und im Falle nichtleitender Probenoberflächen bis zu 80%.
Darüberhinaus können durch geeignete Mischung, insbesondere der Summen- und Differenzbildung der Ausgangssignale beider Detektoren (11, 13) die Oberflächen-Topographie verstärkt und ein Ladungskontrast erzeugt werden. Für diese Mischung der beiden Detektorsignale (a, b) weist das Teilchenstrahlgerät in Fig. 1 eine Signalverarbeitung (17) auf, die beliebig vorgebbare Linearkombinationen beider Detektorsignale (a, b) bildet. Die Koeffizienten der Linearkombination sind dabei seitens des Benutzers beliebig vorgebbar, was in der Fig. 1 durch den Pfeil mit den kleinen Buchstaben (m, n) angedeutet ist. Das Ausgangssignal der Signalverarbeitung (17) wird nachfolgend als Funktion des Ortes auf der Probe (10) auf einem Monitor (18) dargestellt oder für eine weitergehende Bildverarbeitung in einem nicht dargestellten Bildspeicher abgelegt.
Besonders nützlich ist die beschriebenen Anordnung mit zwei in Richtung der optischen Achse deutlich versetzt angeordneten ringförmigen Detektoren, von denen der probenfernere nur eine sehr kleine zentrale Öffnung aufweist, in Fällen in denen die Primärenergie der Elektronen von mittleren Energien über 5 keV bis hinunter zu niedrigsten Primärenergien unter 200 eV beim Auftreffen auf der Probe variierbar ist. Denn es hat sich gezeigt, daß bei Primärenergien unter 200 eV, insbesondere im Primärenergiebereich 20-100 eV, ein sehr großer Anteil der Sekundärelektronen unabhängig von ihrem Austrittswinkel aus der Probe durch das Objektiv so abgelenkt werden, daß ihre Bahnen im Bereich des probenseitigen Detektors sehr nahe an der optischen Achse verlaufen und deshalb mit diesem Detektor nicht nachweisbar sind. Diese Sekundärelektronen werden mit dem quellenseitigen Detektor effizient detektiert. Gleichzeitig ermöglicht der probenseitige Detektor bei höheren Primärenergien den Nachweis derjenigen Sekundärelektronen, die unter einem großen Winkel relativ zur optischen Achse aus der Probe austreten.
Die Erfindung ermöglicht nicht nur eine Separierung der Sekundärelektronen nach deren Austrittswinkel aus der Probe sondern auch eine Separierung nach deren Energie beim Austritt aus der Probe. Denn da die Bahnen der niederenergetischen Sekundärelektronen unabhängig von deren Austrittswinkel näher an der optischen Achse verlaufen als die Bahnen der höherenergetischen Sekundärelektronen, werden mit dem quellenseitigen Detektor in erster Linie niederenergetische und mit dem probenseitigen Detektor in erster Linie höherenergetische Sekundärelektronen nachgewiesen.
Anhand des in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiels wurde die Erfindung für den Fall erläutert, daß die Primärteilchen Elektronen sind. Bei Anwendung der Erfindung auf positiv geladenen Teilchen braucht lediglich die Polung der verschiedenen Potentiale auf das geänderte Vorzeichen der Teilchenladung angepaßt zu werden.
Weiterhin muß das Objektiv nicht zwingend als Magnetlinse ausgebildet sein. Es ist auch denkbar und insbesondere bei Verwendung schwerer Korpuskeln wie Ionen als Primärteilchen vorteilhaft, für die Fokussierung der Korpuskeln eine elektrostatische Einzellinse einzusetzen. Eine solche elektrostatische Einzellinse kann in bekannter Weise aus drei aufeinanderfolgenden Elektroden aufgebaut sein, von denen die beiden äußeren Elektroden auf dem Potential des Strahlführungsrohres liegen und die mittlere Elektrode dann auf einem Potential das bezüglich der Polarität dem Kathodenpotential entspricht, jedoch betragsmäßig etwas kleiner ist. Eine solche elektrostatische Einzellinse führt im Gegensatz zur elektrostatischen Immersionslinse zu keiner Änderung der Teilchenenergie.
Desweiteren kann das Teilchenstrahlgerät auch weitere teilchenoptische Abbildungselemente aufweisen, wie z. B. einen zwischen der Teilchenquelle und dem quellenseitigen Detektor angeordneten, ein- oder mehrstufigen Kondensor zur Variierung der Sondengröße auf der Probe oder der Apertur des Teilchenstrahls.

Claims (9)

1. Teilchenstrahlgerät, insbesondere Elektronenstrahlgerät, mit einem Strahlerzeuger (1, 2, 3), einer Objektivlinse (5, 5a, 6) zur Fokussierung eines Teilchenstrahls auf eine Probe (10) und zwei zwischen dem Strahlerzeuger und der Fokusebene des Objektivs (5, 5a, 6) angeordneten Detektoren (11, 12, 13, 15, 16) für vom Objekt (10) zurückgestreute oder emittierte Teilchen (19, 20), wobei die Detektoren (11, 12, 13, 15, 16) in Richtung der optischen Achse von einander versetzt angeordnet sind und der Abstand zwischen beiden Detektoren mindestens 25% des Abstandes zwischen dem objektseitigen Detektor (11, 12) und der Fokusebene des Objektivs beträgt.
2. Teilchenstrahlgerät nach Anspruch 1, wobei der Außendurchmesser der teilchenempfindlichen Fläche des quellenseitigen Detektors (13, 15, 16) größer als der Durchmesser der zentralen Bohrung des probenseitigen Detektors (11, 12) ist.
3. Teilchenstrahlgerät nach Anspruch 1 oder 2, wobei beide Detektoren eine symmetrisch zur optischen Achse angeordnete, ringförmige Detektionsfläche (11, 13) aufweisen.
4. Teilchenstrahlgerät nach Anspruch 2 oder 3, wobei die zentrale Öffnung für den Durchtritt des Primärstrahls durch den quellenseitigen Detektors (13, 15, 16) höchstens ein Drittel der zentralen Öffnung des objektseitigen Detektors (11, 12) beträgt.
5. Teilchenstrahlgerät nach einem der Ansprüche 1-4, wobei der quellenseitige Detektor (13, 15, 16) als Konversionsblende (13) mit einem Szintillationsdetektor (15, 16) ausgebildet ist, und wobei der Szintillationsdetektor (15, 16) ein Absaugfeld für aus der Konversionsblende (13) austretende geladene Teilchen aufweist.
6. Teilchenstrahlgerät nach Anspruch 5, wobei die Konversionsblende (13) aus einem Material mit einer Ordnungszahl von höchstens 20 besteht.
7. Teilchenstrahlgerät nach Anspruch 5 oder 6, wobei die Konversionsblende (13) an einer Justiervorrichtung (14) aufgenommen ist.
8. Teilchenstrahlgerät nach einem der Ansprüche 1-7, wobei für die Ausgangssignale beider Detektoren (11, 12, 13, 15, 16) eine Signalverarbeitung (17) vorgesehen ist, die aus den Detektorsignalen Ausgangssignale erzeugt, die Linearkombinationen beider Detektorsignale entsprechen.
9. Teilchenstrahlgerät nach Anspruch 8, wobei die Koeffizienten (m, n) der Linearkombination vom Benutzer frei wählbar sind.
DE19828476A 1998-06-26 1998-06-26 Teilchenstrahlgerät Withdrawn DE19828476A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19828476A DE19828476A1 (de) 1998-06-26 1998-06-26 Teilchenstrahlgerät
EP99109886A EP0969495B1 (de) 1998-06-26 1999-05-20 Teilchenstrahlgerät mit Sekundärelektronen-Detektor
JP16935199A JP4482179B2 (ja) 1998-06-26 1999-06-16 粒子ビーム装置
US09/339,348 US6498345B1 (en) 1998-06-26 1999-06-23 Particle beam device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19828476A DE19828476A1 (de) 1998-06-26 1998-06-26 Teilchenstrahlgerät

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19828476A1 true DE19828476A1 (de) 1999-12-30

Family

ID=7872080

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19828476A Withdrawn DE19828476A1 (de) 1998-06-26 1998-06-26 Teilchenstrahlgerät

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6498345B1 (de)
EP (1) EP0969495B1 (de)
JP (1) JP4482179B2 (de)
DE (1) DE19828476A1 (de)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1439565A2 (de) * 2003-01-16 2004-07-21 LEO Elektronenmikroskopie GmbH Elektronenstrahlgerät und Detektoranordnung
DE102004037781A1 (de) * 2004-08-03 2006-02-23 Carl Zeiss Nts Gmbh Elektronenstrahlgerät
US7060978B2 (en) 2000-03-14 2006-06-13 Carl Zeiss Nts Gmbh Detector system for a particle beam apparatus, and particle beam apparatus with such a detector system
EP2317536A2 (de) 2009-10-30 2011-05-04 Carl Zeiss NTS GmbH Detektor und Teilchenstrahlvorrichtung mit einem solchen Detektor
DE102010041156A1 (de) 2010-09-21 2012-03-22 Carl Zeiss Nts Gmbh Blendeneinheit für ein Teilchenstrahlgerät
DE102011080341A1 (de) 2011-08-03 2013-02-07 Carl Zeiss Nts Gmbh Verfahren und Teilchenstrahlgerät zur Erzeugung eines Bildes eines Objekts
EP2706553A2 (de) 2012-09-07 2014-03-12 Carl Zeiss Microscopy GmbH Teilchenstrahlgerät und Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts
EP2239758A3 (de) * 2009-04-08 2014-08-06 Carl Zeiss NTS GmbH Teilchenstrahlmikroskop
EP2511939B1 (de) 2011-04-13 2016-03-23 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Anordnung und Verfahren zur Kontrastverbesserung in einem Teilchenstrahlapparat zur Inspektion eines Probestücks
DE112014002951B4 (de) 2013-08-02 2020-08-06 Hitachi High-Technologies Corporation Rasterelektronenmikroskop
CN111727489A (zh) * 2017-12-15 2020-09-29 德累斯顿莱布尼茨固体材料研究所 动量分辨光电子能谱仪及用于动量分辨光电子能谱的方法

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2001238148A1 (en) * 2000-02-09 2001-08-20 Fei Company Through-the-lens collection of secondary particles for a focused ion beam system
US6664546B1 (en) * 2000-02-10 2003-12-16 Kla-Tencor In-situ probe for optimizing electron beam inspection and metrology based on surface potential
DE10211977A1 (de) * 2002-03-18 2003-10-02 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Rasterelektronenmikroskop
JP2003331774A (ja) * 2002-05-16 2003-11-21 Toshiba Corp 電子ビーム装置およびその装置を用いたデバイス製造方法
DE10236738B9 (de) 2002-08-09 2010-07-15 Carl Zeiss Nts Gmbh Elektronenmikroskopiesystem und Elektronenmikroskopieverfahren
JP2006114225A (ja) * 2004-10-12 2006-04-27 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置
JP5033310B2 (ja) * 2005-02-18 2012-09-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置
JP4943733B2 (ja) * 2005-04-28 2012-05-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビームを用いた検査方法及び検査装置
US7462828B2 (en) 2005-04-28 2008-12-09 Hitachi High-Technologies Corporation Inspection method and inspection system using charged particle beam
JP4732917B2 (ja) * 2006-02-15 2011-07-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査型電子顕微鏡及び欠陥検出装置
DE602006021746D1 (de) * 2006-09-07 2011-06-16 Integrated Circuit Testing Asymmetrischer ringförmiger Detektor
US7851755B2 (en) 2006-12-20 2010-12-14 Jeol Ltd. Apparatus for detecting backscattered electrons in a beam apparatus
DE102007010873B4 (de) * 2007-03-06 2009-07-30 Carl Zeiss Nts Gmbh Objektivlinse
US7952073B2 (en) * 2008-08-01 2011-05-31 Direct Electron, Lp Apparatus and method including a direct bombardment detector and a secondary detector for use in electron microscopy
EP2219204B1 (de) * 2009-02-12 2012-03-21 ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Anordnung und Verfahren zur Kontrastverbesserung in einer Vorrichtung mit geladenem Partikelstrahl zur Inspektion eines Probestücks
US9202667B2 (en) * 2009-02-19 2015-12-01 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle radiation device with bandpass detection
JP5542537B2 (ja) * 2010-06-16 2014-07-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
US8319192B2 (en) 2010-08-24 2012-11-27 Hermes Microvision Inc. Charged particle apparatus
US8704176B2 (en) 2011-08-10 2014-04-22 Fei Company Charged particle microscope providing depth-resolved imagery
EP2557584A1 (de) * 2011-08-10 2013-02-13 Fei Company Mikroskopiebildgebungsverfahren mit geladenen Teilchen
JP5860642B2 (ja) 2011-09-07 2016-02-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
EP2665082A1 (de) * 2012-05-16 2013-11-20 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Element für schnelle Magnetstrahlablenkung
EP2682978B1 (de) * 2012-07-05 2016-10-19 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Verunreinigungsverringerungselektrode für Partikeldetektor
JP2012186177A (ja) * 2012-06-18 2012-09-27 Hitachi High-Technologies Corp 電子線応用装置
JP6124679B2 (ja) * 2013-05-15 2017-05-10 日本電子株式会社 走査荷電粒子顕微鏡および画像取得方法
US9558911B2 (en) * 2014-08-01 2017-01-31 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Method for analyzing and/or processing an object as well as a particle beam device for carrying out the method
JP2016115680A (ja) * 2014-12-17 2016-06-23 アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド 収差補正開孔を有する走査型荷電粒子ビームデバイスおよびその動作方法
US10008360B2 (en) 2015-01-26 2018-06-26 Hermes Microvision Inc. Objective lens system for fast scanning large FOV
AU2018273352B2 (en) 2017-05-22 2023-07-27 Howmedica Osteonics Corp. Device for in-situ fabrication process monitoring and feedback control of an electron beam additive manufacturing process
JP6705946B2 (ja) 2017-06-02 2020-06-03 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置
US10777382B2 (en) 2017-11-21 2020-09-15 Focus-Ebeam Technology (Beijing) Co., Ltd. Low voltage scanning electron microscope and method for specimen observation
EP3597333A1 (de) 2018-07-19 2020-01-22 Howmedica Osteonics Corporation System und verfahren für prozessinterne elektronenstrahlprofil- und positionsanalysen
US11168501B2 (en) 2018-11-29 2021-11-09 Magna Closures Inc. Adjustable lifter plate for frameless door
DE102019133658A1 (de) * 2019-12-10 2021-06-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten einer mikrostrukturierten Komponente

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4528452A (en) * 1982-12-09 1985-07-09 Electron Beam Corporation Alignment and detection system for electron image projectors
DE3766092D1 (de) 1986-12-12 1990-12-13 Integrated Circuit Testing Detektoranordnung mit einem detektorobjektiv fuer korpuskularstrahlgeraete.
EP0281743B1 (de) 1987-02-02 1994-03-30 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Detektorobjectiv für Rastermikroskope
US5063293A (en) * 1987-11-09 1991-11-05 The University Of Michigan Positron microscopy
US4926054A (en) 1988-03-17 1990-05-15 Ict Integrated Circuit Testing Gesellschaft Fur Halbleiterpruftechnik Mbh Objective lens for focusing charged particles in an electron microscope
EP0490154A3 (en) * 1990-12-07 1992-09-30 Siemens Aktiengesellschaft Method for determining the charge of a sample region
US5644132A (en) 1994-06-20 1997-07-01 Opan Technologies Ltd. System for high resolution imaging and measurement of topographic and material features on a specimen
US5466940A (en) * 1994-06-20 1995-11-14 Opal Technologies Ltd. Electron detector with high backscattered electron acceptance for particle beam apparatus
DE69504294T2 (de) * 1994-12-19 1999-04-08 Opal Technologies Ltd., Nes Ziona System zur Hochauflösungsbildgebung und Messung von topographischen Characteristiken und Materialcharakteristiken einer Probe
US5894124A (en) * 1995-03-17 1999-04-13 Hitachi, Ltd. Scanning electron microscope and its analogous device
DE69638126D1 (de) * 1995-10-19 2010-04-01 Hitachi Ltd Rasterelektronenmikroskop
JP3774953B2 (ja) * 1995-10-19 2006-05-17 株式会社日立製作所 走査形電子顕微鏡
JP3136353B2 (ja) * 1996-02-09 2001-02-19 株式会社ホロン 走査型電子顕微鏡の2次電子検出装置
EP0821393B1 (de) * 1996-07-25 1999-06-16 ACT Advanced Circuit Testing Gesellschaft für Testsystementwicklung mbH Detektor-Objektivlinse
US5945672A (en) * 1998-01-29 1999-08-31 Fei Company Gaseous backscattered electron detector for an environmental scanning electron microscope
WO1999046797A1 (de) * 1998-03-10 1999-09-16 Erik Essers Rasterelektronenmikroskop
US6201240B1 (en) * 1998-11-04 2001-03-13 Applied Materials, Inc. SEM image enhancement using narrow band detection and color assignment

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7060978B2 (en) 2000-03-14 2006-06-13 Carl Zeiss Nts Gmbh Detector system for a particle beam apparatus, and particle beam apparatus with such a detector system
EP2463889A3 (de) * 2003-01-16 2012-08-29 Carl Zeiss NTS GmbH Elektronenstrahlgerät und Detektoranordnung
US7425701B2 (en) 2003-01-16 2008-09-16 Carl Zeiss Nts Gmbh Electron-beam device and detector system
EP1439565A3 (de) * 2003-01-16 2009-07-22 Carl Zeiss NTS GmbH Elektronenstrahlgerät und Detektoranordnung
US7910887B2 (en) 2003-01-16 2011-03-22 Carl Zeiss Nts Gmbh Electron-beam device and detector system
EP1439565A2 (de) * 2003-01-16 2004-07-21 LEO Elektronenmikroskopie GmbH Elektronenstrahlgerät und Detektoranordnung
EP2463889A2 (de) 2003-01-16 2012-06-13 Carl Zeiss NTS GmbH Elektronenstrahlgerät und Detektoranordnung
DE102004037781A1 (de) * 2004-08-03 2006-02-23 Carl Zeiss Nts Gmbh Elektronenstrahlgerät
US8431894B2 (en) 2004-08-03 2013-04-30 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Electron beam device
EP2239758A3 (de) * 2009-04-08 2014-08-06 Carl Zeiss NTS GmbH Teilchenstrahlmikroskop
EP2317536A2 (de) 2009-10-30 2011-05-04 Carl Zeiss NTS GmbH Detektor und Teilchenstrahlvorrichtung mit einem solchen Detektor
DE102009046211B4 (de) * 2009-10-30 2017-08-24 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Detektionsvorrichtung und Teilchenstrahlgerät mit Detektionsvorrichtung
DE102009046211A1 (de) 2009-10-30 2011-05-26 Carl Zeiss Nts Gmbh Detektionsvorrichtung und Teilchenstrahlgerät mit Detektionsvorrichtung
US8513604B2 (en) 2009-10-30 2013-08-20 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Detection device and particle beam device having a detection device
US8779381B2 (en) 2010-09-21 2014-07-15 Carl Zeiss Nts Gmbh Aperture unit for a particle beam device
DE102010041156A1 (de) 2010-09-21 2012-03-22 Carl Zeiss Nts Gmbh Blendeneinheit für ein Teilchenstrahlgerät
EP2511939B1 (de) 2011-04-13 2016-03-23 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Anordnung und Verfahren zur Kontrastverbesserung in einem Teilchenstrahlapparat zur Inspektion eines Probestücks
DE102011080341A1 (de) 2011-08-03 2013-02-07 Carl Zeiss Nts Gmbh Verfahren und Teilchenstrahlgerät zur Erzeugung eines Bildes eines Objekts
EP2706553A2 (de) 2012-09-07 2014-03-12 Carl Zeiss Microscopy GmbH Teilchenstrahlgerät und Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts
DE102012215945A1 (de) 2012-09-07 2014-03-13 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlgerät und Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts
US9354188B2 (en) 2012-09-07 2016-05-31 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Particle beam device and method for operating a particle beam device
DE112014002951B4 (de) 2013-08-02 2020-08-06 Hitachi High-Technologies Corporation Rasterelektronenmikroskop
CN111727489A (zh) * 2017-12-15 2020-09-29 德累斯顿莱布尼茨固体材料研究所 动量分辨光电子能谱仪及用于动量分辨光电子能谱的方法
CN111727489B (zh) * 2017-12-15 2023-11-17 德累斯顿莱布尼茨固体材料研究所 动量分辨光电子能谱仪及用于动量分辨光电子能谱的方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000030654A (ja) 2000-01-28
JP4482179B2 (ja) 2010-06-16
EP0969495B1 (de) 2012-04-18
US6498345B1 (en) 2002-12-24
EP0969495A3 (de) 2001-08-01
EP0969495A2 (de) 2000-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0969495B1 (de) Teilchenstrahlgerät mit Sekundärelektronen-Detektor
DE112012003413B4 (de) Rasterelektronenmikroskop
DE112014002951B4 (de) Rasterelektronenmikroskop
EP1439565B1 (de) Elektronenstrahlgerät und Detektoranordnung
DE19732093B4 (de) Korpuskularstrahlgerät
EP0370276B1 (de) Vorrichtung zum Nachweis geladener Sekundärteilchen
DE112012002811T5 (de) Ladungsteilchenstrahlvorrichtung
DE69512410T2 (de) Partikel-optisches Gerät mit einem Sekundärelektrodendetektor
DE2151167B2 (de) Elektronenstrahl Mikroanalysator mit Auger Elektronen Nachweis
DE2255302C3 (de) Einrichtung für die Sekundär-Ionen-Massenspektroskopie
DE69920182T2 (de) Korpuskularstrahloptisches gerät mit auger-elektronendetektion
EP0075716B1 (de) Verbessertes Gegenfeld-Spektrometer für die Elektronenstrahl-Messtechnik
EP0911860B1 (de) Teilchenstrahlgerät mit Energiefilter
DE2420275C3 (de) Vorrichtung zum Analysieren einer Oberflächenschicht durch Ionenzerstreuung
EP1774560B1 (de) Elektronenstrahlgerät
DE69115589T2 (de) Mehrkanal-Ladungsteilchen-Analysator
DE2458025A1 (de) Vorrichtung fuer massenanalyse und strukturanalyse einer oberflaechenschicht durch ionenstreuung
DE2608958A1 (de) Vorrichtung zum erzeugen von strahlen aus geladenen teilchen
DE2705430C3 (de) Elektrostatischer Analysator für geladene Teilchen
DE2712857A1 (de) Ionenstreuspektrometer mit abgeaenderter vorspannungsversorgung
EP1134772A1 (de) Detektorsystem für ein Korpuskularstrahlgerät und Korpuskularstrahlgerät mit einem solchen Detektorsystem
DE112010005188T5 (de) Vorrichtung zum Bestrahlen mit geladenen Teilchen
DE19953300A1 (de) Instrument zum Detektieren von geladenen Teilchen
EP0917178A1 (de) Detektor für Sekundärkorpuskeln und dessen Anordnung in einem Korpuskularstrahlgerät
DE4341144C2 (de) Energieanalysator für geladene Teilchen

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: CARL ZEISS NTS GMBH, 73447 OBERKOCHEN, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: CARL ZEISS NTS GMBH, 73447 OBERKOCHEN, DE

Effective date: 20130319

R120 Application withdrawn or ip right abandoned

Effective date: 20130321