DE19827020A1 - Bilddetektor - Google Patents
BilddetektorInfo
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- OPFTUNCRGUEPRZ-UHFFFAOYSA-N (+)-beta-Elemen Natural products CC(=C)C1CCC(C)(C=C)C(C(C)=C)C1 OPFTUNCRGUEPRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPFTUNCRGUEPRZ-QLFBSQMISA-N (-)-beta-elemene Chemical compound CC(=C)[C@@H]1CC[C@@](C)(C=C)[C@H](C(C)=C)C1 OPFTUNCRGUEPRZ-QLFBSQMISA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
Abstract
Die Erfindung betrifft einen Bilddetektor mit einer Vielzahl von matrix- oder zeilenförmig angeordneten Bildpunkten, die ein lichtempfindliches Element (8) und einen Schalter (9) mit nicht rechteckförmiger, insbesondere dreieckiger Grundfläche, aufweisen.
Description
Die Erfindung betrifft Bilddetektoren mit einer Vielzahl von
matrix- oder zeilenförmig angeordneten Bildpunkten, die aus
einem lichtempfindlichen Element und einem Schalter bestehen.
Derartige Bilddetektoren werden sowohl für eine optische Ab
tastung von Vorlagen als auch für die Erstellung von digita
len Aufnahmen von Röntgenbildern verwendet.
Bei diesen in Fig. 1 dargestellten bekannten Bilddetektoren
besteht jeder Bildpunkt 1 aus einem lichtempfindlichen Ele
ment 8, einem rechteckförmigen Schalter 5 und Leiterbahnen 2
und 3, die alle durch Abstandsflächen 4 getrennt sind.
Soll eine hohe Ortsauflösung erreicht werden, müssen die
Bildpunkte 1 immer kleiner ausgebildet sein. Dabei sind die
Abmessungen der Leiterbahnen 2 und 3, die Abstände 4 und die
für die Schalter 5 sowie Kontakte 6 und 7 benötigten Flächen
meist durch die Designregeln vorgegeben, so daß die für das
lichtempfindliche Element 8 verbleibende Fläche drastisch ab
nimmt. Dementsprechend nimmt der Flächenfüllfaktor, d. h. der
Anteil der Fläche des lichtempfindlichen Elementes 8 an der
Fläche des Bildpunktes 1, ab. Dies führt zu einem kleineren
Bildsignal verbunden mit einem reduzierten Signal/Rausch-
Verhältnis (S/N). Dadurch ergibt sich eine untere Grenze für
eine praktikable Bildpunktgröße.
Bislang waren die verwendeten Schalter 5, die entweder als
Dioden oder als Dünnfilm-Transistoren (TFT) ausgeführt waren,
rechteckig geformt. Das lichtempfindliche Element 8, meist
eine Photodiode, hatte die Form eines L-förmigen Winkels, wie
dies beispielsweise anhand der Fig. 2 der Veröffentlichung
"Amorphous silicon X-ray image sensors" von J. Chabbal et al,
SPIE Vol.2708 (1996), Seiten 499 ff, beschrieben ist.
Durch diese Beschränkungen ist man gezwungen, eine gewisse
Mindestgröße der Bildpunkte nicht zu unterschreiten.
Die Erfindung geht von der Aufgabe aus, einen Bilddetektor
der eingangs genannten Art derart auszubilden, daß der Flä
chenfüllfaktor gegenüber dem Stand der Technik größer ist und
sich somit ein verbessertes Signal/Rausch-Verhältnis ergibt.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die
Schalter eine nicht rechteckförmige Grundfläche aufweisen.
Durch diese erfindungsgemäße Ausbildung läßt sich die untere
Grenze für eine praktikable Bildpunktgröße weiter verringern,
so daß höhere Auflösung der Bilddetektoren erreicht werden
kann.
In vorteilhafter Weise kann die Grundflächen der Schalter
dreieckig sein und insbesondere die Form eines gleichschenk
ligen Dreiecks aufweisen, wobei die Grundflächen der licht
empfindlichen Elemente die Form eines Fünfecks aufweisen. Zu
sammen sind die Grundflächen der lichtempfindlichen Elemente
und der Schalter rechteckförmig.
Die Erfindung ist nachfolgend anhand eines in der Zeichnung
dargestellten Ausführungsbeispieles näher erläutert. Es zei
gen:
Fig. 1 einen Bildpunkt eines Bilddetektors nach dem Stand
der Technik und
Fig. 2 eine erfindungsgemäße Ausbildung eines Bildpunktes.
In Fig. 2 ist ein Bildpunkt 1 dargestellt, bei dem erfin
dungsgemäß der Schalter 9 eine dreieckige Form aufweist. Das
lichtempfindliche Element 10 erhält die Form eines Fünfecks,
da die Fläche des Schalters 9, des lichtempfindlichen Elemen
tes 10 und deren Abstand 4 zueinander eine rechteckförmige
Fläche aufweisen.
Durch die Abkehr von der üblichen rechteckigen Formgebung
werden die Flächen der Abstände 4 minimiert, so daß man einen
größeren Flächenfüllfaktor erhält. Daraus resultiert ein ver
bessertes Signal/Rausch-Verhältnis bei vorgegebenem Bild
punktraster. Man erhält jedoch auch die Möglichkeit, kleinere
Bildpunkte 1 realisieren zu können.
Für einen Detektor wurde der Flächenfüllfaktor in Abhängig
keit vom Rastermaß der Bildpunkte berechnet. Unter der Annah
me, daß die Leiterbahnen 2 und 3 eine Breite von 10 µm auf
weisen und die Abstände zwischen den Strukturen 9 und 10
ebenfalls 10 µm betragen müssen, steigt bei einem Rastermaß
von 80 µm der Flächenfüllfaktor von 40,6% auf 43,2%, bei
60 µm sogar von 16,7% auf 21,3%. Dies bedeutet gerade im
Grenzbereich sehr kleiner Bildpunkte 1 einen nennenswerten
Gewinn im Signal/Rausch-Verhältnis.
Natürlich sind auch andere von der rechteckigen Form abwei
chende Geometrien der Schalter 9 denkbar, durch die Abstands
flächen verkleinert werden.
Durch die erfindungsgemäß verbesserte Formgebung der Bild
punkte wird die Apertur der Bilddetektoren vergrößert.
Claims (5)
1. Bilddetektoren mit einer Vielzahl von matrix- oder zeilen
förmig angeordneten Bildpunkten, die ein lichtempfindli
ches Element (8) und einen Schalter (9) mit nicht recht
eckförmiger Grundfläche aufweisen.
2. Bilddetektor nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Grundflächen der
Schalter (9) dreieckig sind.
3. Bilddetektor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Grundflächen der
Schalter (9) die Form eines gleichschenkligen Dreiecks
aufweisen.
4. Bilddetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da
durch gekennzeichnet, daß die
Grundflächen der lichtempfindlichen Elemente (10) die Form
eines Fünfecks aufweisen.
5. Bilddetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, da
durch gekennzeichnet, daß die
Grundfläche der lichtempfindlichen Elemente (10) und der
Schalter (9) zusammen rechteckförmig sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998127020 DE19827020A1 (de) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | Bilddetektor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998127020 DE19827020A1 (de) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | Bilddetektor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19827020A1 true DE19827020A1 (de) | 1999-12-30 |
Family
ID=7871183
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1998127020 Ceased DE19827020A1 (de) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | Bilddetektor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19827020A1 (de) |
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1998
- 1998-06-17 DE DE1998127020 patent/DE19827020A1/de not_active Ceased
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