DE19820489C2 - Verfahren zur Herstellung eines langgestreckten Supraleiters mit Hoch-Tc-Supraleitermaterial - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines langgestreckten Supraleiters mit Hoch-Tc-SupraleitermaterialInfo
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 33
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims description 28
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 69
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 42
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 17
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 5
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 6
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 claims 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 claims 1
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 claims 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 21
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- -1 metal oxide compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 229910017727 AgNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015901 Bi-Sr-Ca-Cu-O Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003336 CuNi Inorganic materials 0.000 description 1
- LFVLUOAHQIVABZ-UHFFFAOYSA-N Iodofenphos Chemical compound COP(=S)(OC)OC1=CC(Cl)=C(I)C=C1Cl LFVLUOAHQIVABZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100434911 Mus musculus Angpt1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910009203 Y-Ba-Cu-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 210000004072 lung Anatomy 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002990 reinforced plastic Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0801—Manufacture or treatment of filaments or composite wires
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung
eines langgestreckten Supraleiters mit mindestens einer sup
raleitenden Leiterader, welche ein Supraleitermaterial mit
einer metalloxidischen Hoch-Tc-Phase aufweist, die von einem
normalleitenden, aus Ag oder einer Ag-Legierung bestehenden
Material umgeben ist, mit welchem Verfahren ein von dem nor
malleitenden Material umgebenes Leitervorprodukt mit einem
Vormaterial des Supraleitermaterials erstellt wird, das min
destens einem querschnittsvermindernden Verformungsschritt
und mindestens einer Glühbehandlung unterzogen wird, wobei
nach dem letzten querschnittsvermindernden Verformungsschritt
und nach der letzten Glühbehandlung das normalleitende Mate
rial von außen mit wenigstens einer Umhüllung versehen wird.
Ein entsprechendes Herstellungsverfahren ist beispielsweise
aus dem Abstract zur JP 2-189815 A bekannt. Ähnliche Verfahren
sind zudem dem Abstract zur JP 8-22721 A, der DE 39 15 403 A1
sowie den "IEEE Transactions on Applied Superconducitivity",
Vol. 5, No. 2, Juni 1995, Seiten 1145 bis 1149 zu entnehmen.
Es sind supraleitende Metalloxidverbindungen mit hohen
Sprungtemperaturen Tc von über 77 K bekannt, die deshalb auch
als Hoch-Tc-Supraleitermaterialien oder HTS-Materialien be
zeichnet werden und insbesondere eine LN2-Kühltechnik erlau
ben. Unter solche Metalloxidverbindungen fallen insbesondere
Cuprate von speziellen Stoffsystemen wie z. B. der Typen Y-Ba-
Cu-O oder Bi-Sr-Ca-Cu-O oder (BI, Pb)-Sr-Ca-Cu-O. Innerhalb
einzelner Stoffsysteme können mehrere supraleitende Hoch-Tc-
Phasen auftreten, die sich durch die Anzahl der Kupfer-
Sauerstoff-Netzebenen bzw. -schichten innerhalb der kristal
linen Einheitszelle unterscheiden und die verschiedene
Sprungtemperaturen Tc aufweisen.
Mit den bekannten HTS-Materialien wird versucht, langge
streckte Supraleiter in Draht- oder Bandform herzustellen.
Ein hierfür als geeignet angesehenes Verfahren ist in die so
genannte "Pulver-im-Rohr-Technik", die prinzipiell von der
Herstellung von Supraleitern mit dem klassischen metallischen
Supraleitermaterial Nb3Sn her bekannt ist. Entsprechend die
ser Technik wird auch zur Herstellung von Leitern aus HTS-
Material in eine rohrförmige Umhüllung bzw. in eine Matrix
aus einem normalleitenden Material, insbesondere aus Ag oder
einer Ag-Legierung, Pulver aus einem Vormaterial des HTS-
Materials eingebracht, das im allgemeinen noch nicht oder nur
zu einem geringen Teil die gewünschte supraleitende Hoch-Tc-
Phase enthält. Der so zu erhaltende Aufbau wird anschließend
mittels Verformungsbehandlungen, die gegebenenfalls durch
mindestens eine Wärmebehandlung bei erhöhter Temperatur un
terbrochen sein können, auf die gewünschte Enddimension ge
bracht. Danach wird das so erhaltene Leitervorprodukt zur
Einstellung oder Optimierung seiner supraleitenden Eigen
schaften bzw. zur Ausbildung der gewünschten Hoch-Tc-Phase
mindestens einer Glühbehandlung unterzogen. Diese Glühbehand
lung wird wenigstens teilweise in einer sauerstoffhaltigen
Atmosphäre bei einer erhöhten Temperatur durchgeführt, die
für Materialien aus dem Stoffsystem (Bi, Pb)-Sr-Ca-Cu-O bei
einer Glühung an Luft im allgemeinen zwischen 835°C und 840°
und bei reduziertem Sauerstoff-Partialdruck bei etwa 815°C
liegt (vgl. z. B. auch "Supercond. Sci. Technol.", Vol. 4,
1991, Seiten 165 bis 171).
Bündelt man in an sich bekannter Weise mehrere entsprechende
Hoch-Tc-Supraleiter oder deren Leitervorprodukte, so kann man
auch Leiter mit mehreren supraleitenden Leiteradern, soge
nannte Mehrkern- oder Multifilamentleiter, erhalten (vgl.
auch "IEEE Transactions on Applied Superconducitivity", Vol.
5, No. 2, Juni 1995, Seiten 1259 bis 1261). Insbesondere für
AC-Anwendungen kann das Bündel von einzelnen Leiteradern um
die gemeinsame Leiterachse verdrillt (getwistet) werden.
Diese bekannten Multifilamentsupraleiter mit HTS-Material ha
ben bevorzugt eine Bandform. Um diese Form eines entsprechen
den Leiterendproduktes zu erhalten, muss gemäß der eingangs
genannten Literaturstelle mindestens ein Walzschritt vorgese
hen werden. Dabei wird im allgemeinen von einem zunächst zy
linderförmigen Aufbau ausgegangen mit einer gleichverteilten
Anordnung von Leiterkernen über den Querschnitt gesehen. Die
ser Aufbau wird dann mittels des Walzprozesses in die flache
Bandform überführt, um so die für eine hohe Stromtragfähig
keit notwendige Textur, d. h. eine weitgehend parallele Aus
richtung der Kristallebenen der supraleitenden Phase, zu er
reichen. Das Ergebnis ist dann ein Flachleiter mit einem
Breiten-zu-Dicken-Verhältnis von beispielsweise 10 oder hö
her.
Es zeigt sich jedoch, daß bei einer derartigen Herstellung
eines bandförmigen Multifilamentsupraleiters unter Verwendung
von Ag als normalleitendem Material die Weiterverarbeitung
des nach dem letzten querschnittsvermindernden Verformungs
schrittes und der letzten Glühung vorliegenden Bandleiters
aufgrund der verhältnismäßig geringen Festigkeitseigenschaf
ten des Ag-Materials äußerst problematisch ist. Bei schon ge
ringster Belastung des Bandleiters neigt nämlich die das ke
ramische Supraleitermaterial umgebende Ag-Matrix zu einer in
homogenen plastischen Verformung. Dabei können die spröden
Leiteradern aus dem keramischen Supraleitermaterial dieser
Dehnung nicht folgen und brechen.
Eine Verwendung von Ag-Legierungen als normalleitendes Mat
rixmaterial steigert zwar die Festigkeit des fertigen Band
leiters, welcher sich somit besser weiterverarbeiten lässt.
Es zeigt sich jedoch, daß der Einsatz von rohrförmigen Hüllen
Aus Ag-Legierungen zur Herstellung der Leitervorprodukte ge
mäß der erwähnten Pulver-im-Rohr-Technik die Bildung der er
wünschten Hoch-Tc-Phase des Supraleitermaterials derart be
einträchtigt, daß ein deutlicher Abfall der (kritischen)
Stromtragfähigkeit zu beobachten ist. Außerdem muss der ge
samte Herstellungsprozess auf die Verwendung des Legierungs
materials abgestimmt werden. Dies führt zu einer unerwünsch
ten Erhöhung des zeitlichen und apparativen Aufwandes. Man
will deshalb vielfach auf eine Verwendung von Ag-Legierungen
verzichten.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, das Ver
fahren mit den eingangs genannten Merkmalen dahingehend aus
zugestalten, daß dieser Aufwand vermindert ist. Insbesondere
soll mit dem Verfahren ein Leiterendprodukt hoher kritischer
Stromdichte zu erhalten sein, das ohne die Gefahr einer Be
schädigung seiner mindestens einen supraleitenden Leiterader
zu supraleitenden Einrichtungen wie Kabeln oder Magnetwick
lungen weiterverarbeitet werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die
Umhüllung mit einer Gesamtdicke von über 5 µm aus einer haft
vermittelnden Zwischenschicht und mindestens einer darauf ab
geschiedenen Umhüllungsschicht ausgebildet wird, wobei als
Material für die mit einer gegenüber der Umhüllungsschicht
vergleichsweise geringeren Dicke auszubildende Zwischen
schicht Cu oder eine Cu-Legierung oder eine Ag-Legierung
und für die Umhüllungsschicht ein Material mit einer größeren
mechanischen Festigkeit als die des die mindestens eine sup
raleitende Leiterader umgebenden normalleitenden Materials
vorgesehen wird.
Die Erfindung geht dabei von der Überlegung aus, daß eine
verbesserte mechanische Belastbarkeit des Leiterendproduktes
unter Beibehaltung der Stromtragfähigkeit des normalleitenden
Matrixmaterials zu gewährleisten ist, wenn die mechanische
Optimierung des Leiters erst dann vollzogen wird, wenn sein
Aufbau aus dem Matrixmaterial mit den eingebetteten supralei
tenden Leiteradern den gesamten herkömmlichen Herstellungs
prozess einschließlich eines abschließenden Verformungs
schrittes und einer abschließenden Glühung durchlaufen hat.
Durch die erfindungsgemäße Umhüllung des Matrixmaterials mit
mindestens einem weiteren Umhüllungsmaterial, das bessere me
chanische Eigenschaften, d. h. eine größere Festigkeit (Elas
tizitätsmodul) als das Matrixmaterial haben soll, kann dann
das Leiterendprodukt vorteilhaft stärker mechanisch belastet
werden. So tritt eine Degradation der Stromtragfähigkeit des
Leiterendproduktes erst bei deutlich höheren mechanischen
Spannungen und vor allem signifikant gesteigerten Dehnungen
ein. Dabei werden die aufgebrachten Kräfte in der festeren
Umhüllung homogen verteilt, wodurch der von der Umhüllung um
schlossene Leiterteil höhere Gesamtdehnungen erträgt. Es wird
so vermieden, daß in der mechanisch verhältnismäßig unstabi
len normalleitenden Matrix des Leiters Dehnungskonzentratio
nen an Inhomogenitätsstellen rasch zu einem Bruch des kerami
schen Supraleitermaterials und somit zu einem Versagen des
gesamten Leiters führen.
Um die geforderte bessere mechanische Festigkeit des gesamten
Supraleiters gewährleisten zu können, muss die erfindungsge
mäße Umhüllung nicht nur aus einem Material mit hinreichend
hoher Festigkeit bestehen, sondern muss dieses Material auch
eine hierfür hinreichende Dicke besitzen. Es hat sich ge
zeigt, daß Dicken über 5 µm ausreichen können. Wesentlich
größere Dicken als 1 mm sind unter dem Gesichtspunkt hoher
Packungsdichten der Leiter in supraleitenden Einrichtungen
wie z. B. Magneten weniger anzustreben.
Da ferner die erfindungsgemäße Umhüllung mit dem vergleichs
weise festeren Umhüllungsmaterial erst nach der letzten Glü
hung, insbesondere nach der entsprechenden Ausbildung der
Hoch-Tc-Phase des Supraleitermaterials, erfolgt, ist zudem
vorteilhaft eine Beeinträchtigung der supraleitenden Eigen
schaften des Leiters nicht zu befürchten. Mit den erfindungsgemäßen
Maßnahmen ist folglich vorteilhaft ein langgestreck
ter Supraleiter insbesondere mit Bandform zu erhalten, der
gegenüber den bekannten Leitern eine erhöhte kritische Strom
dichte aufweist.
Die erfindungsgemäße, aus mindestens einer Schicht aufzubau
ende Umhüllung kann aus metallischem Material erstellt wer
den. In diesem Fall ist es als besonders vorteilhaft anzuse
hen, wenn zur Abscheidung der mindestens einen Schicht ein
Galvanik-Prozeß vorgesehen wird. Entsprechende Prozesse
zeichnen sich nämlich im Hinblick auf eine kommerzielle Lei
terfertigung nicht nur durch eine schnelle und einfache
Durchführbarkeit aus, sondern erfordern auch nur einen ver
hältnismäßig geringen apparativen Aufwand und sind zudem ko
stengünstig. Dies gilt insbesondere, wenn derselbe Prozeß für
eine Abscheidung von mehreren die Umhüllung bildenden metal
lischen Schichten vorgesehen wird.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen
Verfahrens gehen aus den abhängigen Ansprüchen hervor.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die
Zeichnung noch weiter erläutert, in deren einziger Figur
schematisch ein Querschnitt durch ein erfindungsgemäß zu er
stelltes Endprodukt eines Hoch-Tc-Supraleiters veranschau
licht ist.
Ein erfindungsgemäß hergestellter, nachfolgend als Leiterend
produkt bezeichneter Supraleiter stellt einen langgestreckten
Verbundkörper in Band- oder Drahtform dar, der ein in ein
normalleitendes, Ag zumindest enthaltendes Matrixmaterial
eingebettetes Hoch-Tc-(HTS)-Supraleitermaterial zumindest
weitgehend phasenrein enthält. Als HTS-Material sind prak
tisch alle bekannten Hoch-Tc-Supraleitermaterialien, insbe
sondere selten-erd-freie Cuprate, mit Phasen geeignet, deren
Sprungtemperatur Tc über der Verdampfungstemperatur des flüs
sigen Stickstoffs (LN2) von 77 K liegt. Ein entsprechendes
Beispiel ist das HTS-Material vom Grundtyp
(Bi, Pb)2Sr2Ca2Cu3Ox, das nachfolgend als Ausführungsbeispiel
angenommen ist. Zur Herstellung eines entsprechenden HTS-
Leiters kann vorteilhaft eine an sich bekannte Pulver-im-
Rohr-Technik zugrundegelegt werden (vgl. z. B. die DE 44 44 937 A).
Hierzu wird ein pulverförmiges Vorproduktmate
rial, das eine Ausbildung der gewünschten supraleitenden Pha
se ermöglicht, oder das supraleitende Material in ein Hüll
rohr eingebracht, dessen Material als Matrixmaterial für das
fertige Endprodukt des Supraleiters dient. Für das Hüllrohr
wählt man vorzugsweise ein Basismaterial, das bei der Leiter
herstellung keine unerwünschte Reaktion mit den Komponenten
des HTS-Materials wie mit Sauerstoff eingeht und das sich
leicht verformen läßt. Deshalb ist als Basismaterial beson
ders ein Ag-Material geeignet, das entweder Ag in reiner Form
oder in Form einer Vorlegierung mit Ag als Hauptbestandteil
(d. h. zu mehr als 50 Gew.-% enthält). So ist z. B. reines Ag
beispielsweise in Form von kaltverfestigtem Silber oder re
kristallisiertem Silber verwendbar. Auch kann pulvermetallur
gisch hergestelltes Silber vorgesehen werden. Daneben ist
auch dispersionsgehärtetes Silber geeignet.
Der Aufbau aus dem Hüllrohr und dem von ihm umschlossenen
Kern z. B. aus dem Vorproduktmaterial des HTS-Materials kann
anschließend eine Abfolge von mehreren insbesondere quer
schnittsvermindernden Verformungsschritten und mindestens ei
ner Wärme-(Glüh-)Behandlung zur Ausbildung der gewünschten
supraleitenden Phase unterzogen werden. Für die Verformungs
schritte kommen alle bekannten Verfahren wie z. B. Strangpres
sen, Rollen, Walzen, Hämmern und Ziehen in Frage, die auch
miteinander kombiniert sein können. Diese mechanischen Be
handlungen können sowohl bei Raumtemperatur als auch bei er
höhter Temperatur durchgeführt werden. Nach den mindestens
zwei Verformungsschritten liegt dann ein Rohleiter in Form
eines Verbundkörpers mit einer dem angestrebten Endprodukt
zumindest weitgehend entsprechenden Gestalt, vorzugsweise in
Bandform, vor. Dieser Verbundkörper weist jedoch noch nicht
die gewünschten supraleitenden Eigenschaften auf. Deshalb er
folgt noch die mindestens eine Wärme- oder Glühbehandlung,
die vorzugsweise in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre wie
z. B. an Luft durchgeführt wird, um so dem Vorproduktmaterial
in an sich bekannter Weise den für die Ausbildung der ge
wünschten supraleitenden Phase erforderlichen Sauerstoff über
die Ag-haltige Umgebung bzw. Matrix zur Verfügung zu stellen.
Das vorstehend beschriebene Verfahren kann nicht nur zur Her
stellung von Einkernleitern dienen, sondern ist auch, wie für
die Figur der Zeichnung angenommen, zur Herstellung von Mehr
kernleitern geeignet. Solche Mehrkern- bzw. Multifilamentlei
ter werden im allgemeinen mittels einer an sich bekannten
Bündelungstechnik ausgebildet. Demgemäß ist z. B. eine Bünde
lung von mehreren Ausgangsprodukten, die jeweils aus einem
Hüllrohr und einem darin befindlichen Kern aus dem Vorpro
duktmaterial bestehen, in einem größeren Hüllrohr aus dem Ma
trixmaterial möglich. Selbstverständlich können auch vorver
formte oder gegebenenfalls vorgeglühte Rohleiter in ein sol
ches Hüllrohr eingebracht werden.
Ein nach einer Abfolge von Preß- und/oder Zieh- und Walzvor
gängen und mindestens einer Glühung zu erhaltender, nachfol
gend als Bandleiter bezeichneter bandförmiger Mehrkernleiter
geht aus der Figur der Zeichnung als Querschnitt hervor. Der
Bandleiter ist allgemein mit 2 bezeichnet. Seine beispiels
weise 19 Leiterkerne 3i (mit 1 ≦ i ≦ 19) aus dem fertigen
Hoch-Tc-Supraleitermaterial sind in einer Matrix 4 aus Ag
eingebettet. Der Bandleiter 2 hat z. B. die nachfolgend aufge
führten, für Bandformen typischen Abmessungen:
Banddicke D: 100 µm bis 500 µm,
vorzugsweise 200 µm bis 350 µm
Bandbreite B: 2 mm bis 6 mm,
vorzugsweise 3,5 mm bis 4,5 mm;
Leiterkerndicke d: 2 µm bis 50 µm,
vorzugsweise 5 µm bis 15 µm;
Leiterkernbreite b: 30 µm bis 200 µm,
vorzugsweise 150 µm bis 180 µm.
Banddicke D: 100 µm bis 500 µm,
vorzugsweise 200 µm bis 350 µm
Bandbreite B: 2 mm bis 6 mm,
vorzugsweise 3,5 mm bis 4,5 mm;
Leiterkerndicke d: 2 µm bis 50 µm,
vorzugsweise 5 µm bis 15 µm;
Leiterkernbreite b: 30 µm bis 200 µm,
vorzugsweise 150 µm bis 180 µm.
Die entsprechenden typischen Abmessungen für einen bandförmi
gen Einkernleiter sind:
50 µm ≦ D ≦ 400 µm, vorzugsweise 100 µm ≦ D ≦ 200 µm;
1,5 mm ≦ B ≦ 5 mm, vorzugsweise 2 mm ≦ B ≦ 3 mm;
10 µm ≦ d ≦ 40 µm, vorzugsweise 20 µm ≦ d ≦ 30 µm;
500 µm ≦ b ≦ 4,5 mm, vorzugsweise 1,5 mm ≦ b ≦ 2,5 mm.
50 µm ≦ D ≦ 400 µm, vorzugsweise 100 µm ≦ D ≦ 200 µm;
1,5 mm ≦ B ≦ 5 mm, vorzugsweise 2 mm ≦ B ≦ 3 mm;
10 µm ≦ d ≦ 40 µm, vorzugsweise 20 µm ≦ d ≦ 30 µm;
500 µm ≦ b ≦ 4,5 mm, vorzugsweise 1,5 mm ≦ b ≦ 2,5 mm.
Um die Stromtragfähigkeit des in der Figur gezeigten supra
leitenden Bandleiters 2 mit einer Ag-Matrix oder gegebenen
falls einer Matrix aus einer Ag-Legierung beizubehalten und
trotzdem eine deutlich verbesserte Festigkeit bei einer Hand
habung des Leiters bei einer Weiterverarbeitung zu einer su
praleitenden Einrichtung wie z. B. zu einer Magnetwicklung zu
gewährleisten, ist erfindungsgemäß vorgesehen, daß eine be
sondere Umhüllung 5 der Ag-Matrix 4 mit einem Material ver
gleichsweise höherer mechanischer Festigkeit, insbesondere
Elastizitätsmodul, dann vorgenommen wird, wenn der Bandleiter
2 den gesamten herkömmlichen Herstellungsprozeß einschließ
lich seiner letzten Glühung durchlaufen hat. Auch der letzte
querschnittsvermindernde Verformungsschritt, der im allgemei
nen wie auch die vorhergehenden Verformungsschritte eine
thermische Nachbehandlung bzw. Glühung erforderlich macht,
muß erfolgt sein. Zur Ausbildung der Umhüllung 5 wird der
Bandleiter 2 mit mindestens einer Schicht 6 einer im Hinblick
auf die geforderte Verbesserung der Festigkeit hinreichenden
Dicke δ aus speziellen Elementen oder Legierungen beschichtet.
Diese Beschichtung kann z. B. durch eine Lackierungstech
nik, durch eine Galvanik-Technik oder mittels einer PVD- oder
CVD-Technik erfolgen. Galvanik-Prozesse sind dabei im Falle
metallischer Umhüllungsmaterialien als besonders vorteilhaft
anzusehen. Auch kann der Bandleiter in anderer Weise z. B.
mittels einer entsprechenden Atmosphäre beaufschlagt werden.
Gemäß dem dargestellten Ausführungsbeispiel besteht die Um
hüllung 5 aus einer dünnen, haftvermittelnden Zwischenschicht
7 auf der Außenseite der Matrix 4. Auf dieser Zwischenschicht
ist dann die eigentliche Umhüllungsschicht 6 aus dem besonde
ren Umhüllungsmaterial aufgebracht. Die Schichtdicke δ der
Umhüllungsschicht 6 oder der gesamten Umhüllung 5 sollte da
bei insbesondere im Falle metallischer Umhüllungsmaterialien
vorteilhaft zwischen 1 µm und 1 mm, vorzugsweise zwischen
5 µm und 100 µm, liegen. Das so erhaltene, in der Figur all
gemein mit 8 bezeichnete Leiterendprodukt kann dann in be
kannter Weise zu einer supraleitenden Einrichtung wie z. B.
einer Magnetwicklung weiterverarbeitet bzw. geformt werden,
wobei querschnittsvermindernde Verformungen zu vermeiden
sind.
Um die geforderte Verformungsverbesserung des Bandleiters zu
gewährleisten, muß erfindungsgemäß zumindest das Material der
Umhüllungsschicht 6 gegenüber dem Ag-Material zwischen etwa
75 und der Matrix 4 eine erhöhte mechanische Festigkeit bei
hinreichender Duktilität aufweisen. Diese Forderung ist ins
besondere dann zu erfüllen, wenn ein Umhüllungsmaterial ge
wählt wird, dessen durch den Elastizitätsmodul E (gemessen in
kN/mm2) festgelegten mechanischen Festigkeitseigenschaften um
mindestens 10%, vorzugsweise um mindestens 20% größer sind
als bei dem Matrixmaterial. Legt man z. B. für ein Ag-
Matrixmaterial einen Wert zwischen etwa 75 und 80 zugrunde,
so wären Umhüllungsmaterialien mit E < 85 bis 90 geeignet.
Entsprechende Umhüllungsmaterialien sind z. B. Metalle wie
insbesondere Be, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb,
Mo, Ru, Rh, Pd, Cd, Ta, Wo, Re, Os, Ir oder Pt sowie Legie
rungen dieser Materialien. Auch Stähle kommen in Frage. Dane
ben sind auch vergleichsweise festere Ag-Legierungen geeig
net. So kann z. B. für eine Ag-Matrix 4 eine Umhüllung 5 aus
AgPt oder AgZn vorgesehen werden. Auch eine Ag-Legie
rungsmatrix wie z. B. aus Ag95Zr5 kann von einer Legierung der
selben Komponenten wie z. B. aus Ag60Zr40 oder von einer ande
ren Legierung umhüllt sein.
Im Falle von metallischen Umhüllungen 5 aus einer Zwischen
schicht 6 und mindestens einer sie umgebenden weiteren Umhül
lungsschicht 7 ist im allgemeinen eine Zwischenschicht erfor
derlich, die vergleichsweise dünner als die mindestens eine
weitere Umhüllungsschicht ist. In diesem Fall liegt die Dicke
der Zwischenschicht vorteilhaft zwischen 0,1 µm und 30 µm,
vorzugsweise zwischen 1 µm und 10 µm. Das Material der Zwi
schenschicht ist dabei gegenüber dem der mindestens einen
weiteren Umhüllungsschicht vorzugsweise verschieden. Als be
sonders vorteilhaft ist es anzusehen, wenn die Zwischen
schicht aus Cu oder einer Cu-Legierung oder einer Ag-Legie
rung ausgebildet wird. Im Legierungsfalle kann dabei eine der
Legierungskomponenten auch in dem Material der weiteren Um
hüllungsschicht vorhanden sein. So kommt z. B. im Falle einer
Ni-Umhüllungsschicht eine CuNi-Zwischenschicht oder AgNi-
Zwischenschicht in Frage. Die genannten Zwischenschichtmate
rialien lassen sich insbesondere durch einfach durchzuführen
de Galvanik-Prozesse abscheiden.
Neben den metallischen Materialien kommen für die Umhüllung 5
bzw. die Umhüllungsschicht 6 auch nicht-metallische Materia
lien mit hinreichend großem Elastizitätsmodul E in Frage.
Vorteilhaft kann mit entsprechenden Schichten zugleich eine
isolierende Funktion ausgeübt werden. Entsprechende Materia
lien sind z. B. mit Fasern aus Bor, Graphit oder Carbon ver
stärkte Kunststoffe (vgl. z. B. D. K. Felbeck, A. G. Atkins:
"Strength and Facture of Engineering Solids", Prentice-Hall,
Inc. (US), 1984, Seiten 520 bis 528; oder "Hütte - Die Grund
lagen der Ingenieurwissenschaften", Springer (DE), 30. Aufl.,
1996, Seiten D46 bis D49 und E66).
Nachfolgend ist ein konkretes Ausführungsbeispiel skizziert,
bei dem ein supraleitendes Leiterendprodukt mit einem Quer
schnitt gemäß der Figur zugrundegelegt ist. Die einzelnen su
praleitenden Leiteradern bestehen dabei aus einem HTS-Mate
rial vom Typ (Bi, Pb)2Sr2Ca2Cu3Ox mit der sogenannten 2223-
Phase, deren Sprungtemperatur Tc bei etwa 110 K liegt. Zur
Herstellung des Leiterendprodukts wird der Bandleiter 2 zu
nächst galvanisch mit einer 2 µm dicken Cu-Zwischenschicht 7
als Haftvermittler beschichtet. Auf dieser Zwischenschicht
wird anschließend ebenfalls galvanisch eine 20 µm dicke Ni-
Umhüllungsschicht aufgebracht. Ein derartiges Leiterendpro
dukt 8 erträgt dann mehr als dreimal so große Spannungen und
Dehnungen wie der reine Bandleiter 2, bevor eine Degradation
seiner Stromtragfähigkeit einsetzt.
Bei der der Figur zugrundegelegten Ausführungsform eines er
findungsgemäß hergestellten Leiterendproduktes 8 wurde davon
ausgegangen, daß der mit der Umhüllung 5 zu versehende HTS-
Leiter eine Bandform besitzt. Eine derartige Form ist als be
sonders vorteilhaft anzusehen. Die erfindungsgemäßen Maßnah
men können jedoch ebensogut auch bei einem drahtförmigen HTS-
Leiter mit kreisförmigem Querschnitt vorgesehen werden.
Claims (13)
1. Verfahren zur Herstellung eines langgestreckten Supralei
ters mit mindestens einer supraleitenden Leiterader, welche
ein Supraleitermaterial mit einer metalloxidischen Hoch-Tc-
Phase aufweist, die von einem normalleitenden, aus Ag oder
einer Ag-Legierung bestehenden Material umgeben ist, mit wel
chem Verfahren ein von dem normalleitenden Material umgebenes
Leitervorprodukt mit einem Vormaterial des Supraleitermateri
als erstellt wird, das mindestens einem querschnittsvermin
dernden Verformungsschritt und mindestens einer Glühbehand
lung unterzogen wird, wobei nach dem letzten querschnittsver
mindernden Verformungsschritt und nach der letzten Glühbe
handlung das normalleitende Material (4) von außen mit we
nigstens einer Umhüllung versehen wird, dadurch
gekennzeichnet, daß die Umhüllung (5) mit ei
ner Gesamtdicke (δ) von über 5 µm aus einer haftvermittelnden
Zwischenschicht (6) und mindestens einer darauf abgeschiede
nen Umhüllungsschicht (7) ausgebildet wird, wobei als Mate
rial
für die mit einer gegenüber der Umhüllungsschicht (7) ver gleichsweise geringeren Dicke auszubildende Zwischen schicht (6) Cu oder eine Cu-Legierung oder eine Ag-Legie rung und
für die Umhüllungsschicht (7) ein Material mit einer grö ßeren mechanischen Festigkeit als die des die mindestens eine supraleitende Leiterader umgebenden normalleitenden Materials
vorgesehen wird.
für die mit einer gegenüber der Umhüllungsschicht (7) ver gleichsweise geringeren Dicke auszubildende Zwischen schicht (6) Cu oder eine Cu-Legierung oder eine Ag-Legie rung und
für die Umhüllungsschicht (7) ein Material mit einer grö ßeren mechanischen Festigkeit als die des die mindestens eine supraleitende Leiterader umgebenden normalleitenden Materials
vorgesehen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Umhüllung (5) derart ausgebildet
wird, dass ihr Elastizitätsmodul mindestens 10%, vorzugsweise
mindestens 20% größer ist als der des normalleitenden Ma
terial (4).
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Umhüllung (5) mit einer
Gesamtdicke (δ) von höchstens 1 mm, vorzugsweise von höchs
tens 100 µm, ausgebildet wird.
4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß die Zwischen
schicht (6) mit einer Dicke zwischen 0,1 µm und 30 µm, vor
zugsweise zwischen 1 µm und 10 µm, ausgebildet wird.
5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß die mindes
tens eine Umhüllungsschicht (7) aus einem Material ausgebil
det wird, das von dem der Zwischenschicht (6) verschieden
ist.
6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß für die min
destens eine Umhüllungsschicht (7) ein metallisches Material
vorgesehen wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Material für die mindestens eine
Umhüllungsschicht (7) aus der Gruppe der Elemente Be, Ti,
V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Cd,
Ta, W, Re, Os, Ir, Pt oder aus einer Legierung mit mindestens
einem dieser Materialien oder aus einem Stahl oder aus einer
Ag-Legierung ausgewählt wird.
8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß für die Zwi
schenschicht (6) eine Cu- oder Ag-Legierung vorgesehen wird,
die mindestens eine Legierungskomponente aufweist, die in dem
Material der mindestens einen Umhüllungsschicht (7) vorhanden
ist.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, da
durch gekennzeichnet, daß die mindes
tens eine Umhüllungsschicht (7) mittels eines Galvanik-
Prozesses abgeschieden wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da
durch gekennzeichnet, daß für die min
destens eine Umhüllungsschicht (7) ein nicht-metallisches,
insbesondere isolierendes Material vorgesehen wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch ge
kennzeichnet, daß als Material für die mindes
tens eine Umhüllungsschicht (7) ein faserverstärkter Kunst
stoff vorgesehen wird.
12. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß mit dem min
destens einen Verformungsschritt eine Bandform des Supralei
ters (8) erzeugt wird.
13. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß ein metall
oxidisches Hoch-Tc-Supraleitermaterial auf Basis des Stoff
systems (Bi, Pb)-Sr-Ca-Cu-O vorgesehen wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19820489A DE19820489C2 (de) | 1997-05-15 | 1998-05-07 | Verfahren zur Herstellung eines langgestreckten Supraleiters mit Hoch-Tc-Supraleitermaterial |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19720462 | 1997-05-15 | ||
DE19820489A DE19820489C2 (de) | 1997-05-15 | 1998-05-07 | Verfahren zur Herstellung eines langgestreckten Supraleiters mit Hoch-Tc-Supraleitermaterial |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19820489A1 DE19820489A1 (de) | 1998-11-19 |
DE19820489C2 true DE19820489C2 (de) | 2003-10-02 |
Family
ID=7829579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19820489A Expired - Fee Related DE19820489C2 (de) | 1997-05-15 | 1998-05-07 | Verfahren zur Herstellung eines langgestreckten Supraleiters mit Hoch-Tc-Supraleitermaterial |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19820489C2 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE50009965D1 (de) * | 1999-08-04 | 2005-05-12 | Siemens Ag | Isolierter bandförmiger Supraleiter mit oxidischem Hoch-Tc-Supraleitermaterial sowie Verfahren zur Isolation des Supraleiters |
DE10216927B4 (de) * | 2002-04-17 | 2005-06-02 | Trithor Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Supraleitern und Supraleiter |
DE102004060615B4 (de) * | 2004-02-10 | 2006-07-06 | Siemens Ag | Supraleiterverbund |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3915403A1 (de) * | 1988-05-20 | 1989-11-23 | Asea Brown Boveri | Hochtemperatur-supraleiter in draht- oder bandform, auf der basis einer supraleitenden keramik der klasse (la,ba,sr) (pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)cu0(pfeil abwaerts)4(pfeil abwaerts) oder der klasse (y,se)ba(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)cu(pfeil abwaerts)3(pfeil abwaerts)0(pfeil abwaerts)6(pfeil abwaerts)(pfeil abwaerts),(pfeil abwaerts)(pfeil abwaerts)5(pfeil abwaerts)(pfeil abwaerts)+(pfeil abwaerts)(pfeil abwaerts)y(pfeil abwaerts), mit se - seltene erde und 0-y-l sowie eines mechanischen traegers und eines normalleiters |
DE4444937A1 (de) * | 1994-12-16 | 1996-06-27 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines langgestreckten Hoch-T¶c¶-Supraleiters mit einer Bi-2223-Phase |
-
1998
- 1998-05-07 DE DE19820489A patent/DE19820489C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3915403A1 (de) * | 1988-05-20 | 1989-11-23 | Asea Brown Boveri | Hochtemperatur-supraleiter in draht- oder bandform, auf der basis einer supraleitenden keramik der klasse (la,ba,sr) (pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)cu0(pfeil abwaerts)4(pfeil abwaerts) oder der klasse (y,se)ba(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)cu(pfeil abwaerts)3(pfeil abwaerts)0(pfeil abwaerts)6(pfeil abwaerts)(pfeil abwaerts),(pfeil abwaerts)(pfeil abwaerts)5(pfeil abwaerts)(pfeil abwaerts)+(pfeil abwaerts)(pfeil abwaerts)y(pfeil abwaerts), mit se - seltene erde und 0-y-l sowie eines mechanischen traegers und eines normalleiters |
DE4444937A1 (de) * | 1994-12-16 | 1996-06-27 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines langgestreckten Hoch-T¶c¶-Supraleiters mit einer Bi-2223-Phase |
Non-Patent Citations (6)
Title |
---|
CARTER,W.L., u.a.: Advances in the Developement of Silver Sheathed (Bi.P6) 2223 Composite Conduc- tors. In: IEEE Transactions on applied supercon- ductivity, ISSN 1051-8223, Juni 1995, Vol.5, No.2, S.1145-1149 * |
FELBECK,D., ATKINS,A.: Strength and Fracture of Engineering Solids, New Jersey, * |
FISCHER,K. u.a.: Processing, Microstructure and Critical Current Density of 2223 BPSCCO/Ag Tapes. In: IEEE 1051-8223, Juni 1995, Vol.5, No.2, S.1259-1262 * |
JP 8-22721 A (mit engl. Abstr. aus JAPIO) * |
Patent Abstracts of Japan: E-988 8.Oktober, 1990, Vol.14/Nr.463 JP 2-180915A * |
YAMADA,Y., OBST,B., FLÜKIGER,R. Microstructural study of Bi (2223) Ag tapes with Jc (77k, OT) val-ues of up to 3,3x10··4··Acm··-2··. In: Supercond. Sci. Technol., ISSN 0953-2048/91, 1991, Vol.4, S. 165-171 * |
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Publication number | Publication date |
---|---|
DE19820489A1 (de) | 1998-11-19 |
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