DE19800905A1 - Sprengverdichten von Hoch Temperatur Supra Leitern (HTSL) in Sauerstoffatmosphäre - Google Patents
Sprengverdichten von Hoch Temperatur Supra Leitern (HTSL) in SauerstoffatmosphäreInfo
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Description
Das bekannte Verfahren zur Herstellung von Hoch Temperatur Supra Leiter (HTSL) in Form
von Kabeln hat den großen Nachteil, daß die bereits supraleitende Keramik in ein Hüllrohr
gefüllt werden muß und in mehreren aufwendigen Arbeitsschritten zum Endprodukt "Kabel"
ver- und bearbeitet wird.
Ein wesentlicher Schritt ist das Einschmelzen in das Hüllrohr, das bei YBaCuO 1 2 3 bspw.
gerichtet vorgehen muß und daher mit sehr geringen Schmelzgeschwindigkeiten abläuft
ca. 2 mm/h. Danach ist der HTSL nur noch partiell supraleitend. Eine weitere Nachbehandlung
in Sauerstoffatmosphäre bei einer Temperatur von 900-970°C ist notwendig.
Ähnlich verhält sich dies bei Bi 2223, das nach Mahlen, Pressen und Sintern in einem Hüllrohr
gewalzt wird, muß danach wieder in einen Nachbehandlungsprozeß, in dem es einer
partiellen Schmelze und einer mechanischen Texturierung unterzogen wird.
Bei beiden Prozessen spielt eine wesentliche Rolle, daß wieder genügend Sauerstoff in dem
Kristall gebunden wird. Bekannt ist ein wesentlicher Faktor bspw. beim YBaCuO 1 2 3 der
Sauerstoff. Wird bspw. aus der Verbindung YBa2Cu3O7-δ nur geringfügig (δ = 0.1) Sauerstoff
entzogen, reduziert sich der HTSL Charakter beträchtlich.
In meiner Patentschrift DE 40 07 553 C2 wird der wesentlich einfachere Weg der
Sprengverdichtung von Keramik vorgeschlagen.
Nicht in dieser Patentschrift ist der Gedanke, daß kein Nachbehandlungsschritt nach dem
Sprengverdichten notwendig ist, daß Sprengverdichten wesentlich weniger aufwendig ist, als
die oben erwähnten Verfahrensschritte es zeigen. Insbesondere ist es weniger zeitaufwendig.
Das Sprengverdichten hat außerdem den Vorteil, daß auch beliebige räumliche Formen in
eine dafür vorbereitete Vorrichtung gesprengt werden können (beispielsweise einlagige
Spulen), oder weit größere Längen erstellt werden können als durch die klassischen
aufwendigen Verfahren.
Ein weiterer Vorteil ist, das pulverisierte Material kann vor dem Sprengverdichten mit
Sauerstoff durchflutet werden, so daß beim 100%igen Verdichten Sauerstoff eingeschlossen
wird. Es kommt nicht zu dem ungünstigen Nebeneffekt der Sauerstoffverarmung (δ = 0.0).
Das Gegenteil ist der Fall, so daß die supraleitende Eigenschaft in keinster Weise gemindert
wird.
Fig. 1 zeigt ein mit YBaCuO 1 2 3 gefülltes Ag-Rohr, das mit Sauerstoff durchströmt wird. Eine
anschließende Sprengverdichtung führt zu einem intakten HTSL ohne Nachbehandlung.
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung eines Hoch Temperatur Supra Leiters (HTSL) ohne
Sauerstoffverarmung (δ = 0.0), wobei zur Fertigung des HTSL ein Hüllrohr mit einer
supraleitenden Keramik gefüllt wird, dieses gefüllte Hüllrohr wird einer
Sauerstoffdurchflutung (auch wenn notwendig andere Reaktionsgase) ausgesetzt und
anschließend verschlossen.
2. Verfahren nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Verschließen des
Hüllrohres dieses mit der eingeschlossenen Keramik durch Explosion hochverdichtet wird.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2 dadurch gekennzeichnet, daß die Keramik nach
dem Hochverdichten ihre supraleitende Eigenschaft nicht verliert und dadurch keine weitere
Behandlung notwendig ist.
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Country | Link |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10013060A1 (de) * | 2000-03-19 | 2001-10-04 | Selic Heinz Anton | Beseitigen von Fehlstellen in HTSL-Kabel |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0505015A2 (de) * | 1987-03-13 | 1992-09-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Supraleitender Draht und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE4007553C2 (de) * | 1990-03-09 | 1993-07-22 | Heinz A. Dipl.-Phys. Dr. 5202 Hennef De Selic |
-
1998
- 1998-01-14 DE DE19800905A patent/DE19800905C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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EP0505015A2 (de) * | 1987-03-13 | 1992-09-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Supraleitender Draht und Verfahren zu seiner Herstellung |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10013060A1 (de) * | 2000-03-19 | 2001-10-04 | Selic Heinz Anton | Beseitigen von Fehlstellen in HTSL-Kabel |
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DE19800905C2 (de) | 2001-04-19 |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
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Owner name: SELIC, HEINZ ANTON, DR., 50997 KOELN, DE |
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