DE19800905C2 - Sprengverdichten von Hoch-Temperatur-Supra-Leitern (HTSL) in Sauerstoffatmosphäre - Google Patents

Sprengverdichten von Hoch-Temperatur-Supra-Leitern (HTSL) in Sauerstoffatmosphäre

Info

Publication number
DE19800905C2
DE19800905C2 DE19800905A DE19800905A DE19800905C2 DE 19800905 C2 DE19800905 C2 DE 19800905C2 DE 19800905 A DE19800905 A DE 19800905A DE 19800905 A DE19800905 A DE 19800905A DE 19800905 C2 DE19800905 C2 DE 19800905C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
htsl
oxygen
temperature super
oxygen atmosphere
explosive compaction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19800905A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19800905A1 (de
Inventor
Heinz A Selic
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SELIC, HEINZ ANTON, DR., 50997 KOELN, DE
Original Assignee
Heinz A Selic
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heinz A Selic filed Critical Heinz A Selic
Priority to DE19800905A priority Critical patent/DE19800905C2/de
Publication of DE19800905A1 publication Critical patent/DE19800905A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19800905C2 publication Critical patent/DE19800905C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0801Processes peculiar to the manufacture or treatment of filaments or composite wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

Verfahren zur Herstellung eines Hoch-Temperatur-Supra-Leiters (HTSL) ohne Sauerstoffverarmung (delta = 0.0), wobei zur Fertigung des HTSL ein Hüllrohr mit einer pulverförmigen supraleitenden Keramik gefüllt wird, dieses gefüllte Hüllrohr einer Sauerstoffdurchflutung ausgesetzt, anschließend verschlossen und mit dem eingeschlossenen Sauerstoff und der supraleitenden pulverförmigen Keramik durch Explosion hoch verdichtet wird.

Description

Das bekannte Verfahren zur Herstellung von Hoch-Temperatur-Supra-Leitern (HTSL) in Form von Kabeln hat den großen Nachteil, daß die bereits supraleitende Keramik in ein Hüllrohr gefüllt werden muß und in mehreren aufwendigen Arbeitsschritten zum Endprodukt Kabel ver- und bearbeitet wird.
Ein wesentlicher Schritt ist das Einschmelzen in das Hüllrohr, das bei YbaCuO 1 2 3 bspw. gerichtet vorgehen muß und daher mit sehr geringen Schmelzgeschwindigkeiten abläuft ca. 2 mm/h. Danach ist der HTSL nur noch partiell supraleitend. Eine weitere Nachbehandlung in Sauerstoffatmosphäre bei einer Temperatur von 900-970°C ist notwendig.
Ähnlich verhält sich dies bei Bi2223, das nach Mahlen, Pressen und Sintern in einem Hüllrohr gewalzt wird, muß danach wieder in einen Nachbehandlungsprozess, in dem es einer partiellen Schmelze und einer mechanischen Texturierung unterzogen wird.
Bei beiden Prozessen spielt eine wesentliche Rolle, daß wieder genügend Sauerstoff in dem Kristall gebunden wird. Bekannt ist ein wesentlicher Faktor bspw. beim YBaCuO 1 2 3 der Sauerstoff. Wird bspw. aus der Verbindung YBa2Cu3O7- δ nur geringfügig (δ = 0.1) Sauerstoff entzogen, reduziert sich der HTSL Charakter beträchtlich.
In meiner Patentschrift DE 40 07 553 C2 wird der wesentlich einfachere Weg der Sprengverdichtung von Keramik vorgeschlagen.
Nicht in dieser Patentschrift ist der Gedanke, daß kein Nachbehandlungsschritt nach dem Sprengverdichten notwendig ist, daß Sprengverdichten wesentlich weniger aufwendig ist, als die oben erwähnten Verfahrensschritte es zeigen. Insbesondere ist es weniger zeitaufwendig.
Aus der EP 05 05 015 A2 ist schließlich bekannt, zur Herstellung von Supraleitern, pulverförmiges Material unter Sauerstoffatmosphäre in einem Rohr einzuschließen.
Das Sprengverdichten hat außerdem den Vorteil, daß auch beliebige räumliche Formen in eine dafür vorbereitete Vorrichtung gesprengt werden können (beispielsweise einlagige Spulen), oder weit größere Längen erstellt werden können als durch die klassischen aufwendigen Verfahren.
Ein weiterer Vorteil ist, das pulverisierte Material kann vor dem Sprengverdichten mit Sauerstoff durchflutet werden, so daß beim 100%igen Verdichten Sauerstoff eingeschlossen wird. Es kommt nicht zu dem ungünstigen Nebeneffekt der Sauerstoffverarmung (δ = 0.0). Das Gegenteil ist der Fall, so daß die supraleitenden Eigenschaft in keinster Weise gemindert wird.
Fig. 1 zeigt ein mit YBaCuO 1 2 3 gefülltes Ag-Rohr. Das mit Sauerstoff durchströmt wird. Eine anschließende Sprengverdichtung führt zu einem intakten HTSL ohne Nachbehandlung.

Claims (1)

1. Verfahren zur Herstellung eines Hoch-Temperatur-Supra-Leiters (HTSL) ohne Sauerstoffverarmung (δ = 0.0), wobei zur Fertigung des HTSL ein Hüllrohr mit einer pulverförmigen supraleitenden Keramik gefüllt wird, dieses gefüllte Hüllrohr einer Sauerstoffdurchflutung ausgesetzt, anschließend verschlossen und mit dem eingeschlossenen Sauerstoffund der supraleitenden pulverförmigen Keramik durch Explosion hoch verdichtet wird.
DE19800905A 1998-01-14 1998-01-14 Sprengverdichten von Hoch-Temperatur-Supra-Leitern (HTSL) in Sauerstoffatmosphäre Expired - Fee Related DE19800905C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19800905A DE19800905C2 (de) 1998-01-14 1998-01-14 Sprengverdichten von Hoch-Temperatur-Supra-Leitern (HTSL) in Sauerstoffatmosphäre

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19800905A DE19800905C2 (de) 1998-01-14 1998-01-14 Sprengverdichten von Hoch-Temperatur-Supra-Leitern (HTSL) in Sauerstoffatmosphäre

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19800905A1 DE19800905A1 (de) 1999-07-22
DE19800905C2 true DE19800905C2 (de) 2001-04-19

Family

ID=7854441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19800905A Expired - Fee Related DE19800905C2 (de) 1998-01-14 1998-01-14 Sprengverdichten von Hoch-Temperatur-Supra-Leitern (HTSL) in Sauerstoffatmosphäre

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE19800905C2 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10013060A1 (de) * 2000-03-19 2001-10-04 Selic Heinz Anton Beseitigen von Fehlstellen in HTSL-Kabel

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0505015A2 (de) * 1987-03-13 1992-09-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Supraleitender Draht und Verfahren zu seiner Herstellung
DE4007553C2 (de) * 1990-03-09 1993-07-22 Heinz A. Dipl.-Phys. Dr. 5202 Hennef De Selic

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0505015A2 (de) * 1987-03-13 1992-09-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Supraleitender Draht und Verfahren zu seiner Herstellung
DE4007553C2 (de) * 1990-03-09 1993-07-22 Heinz A. Dipl.-Phys. Dr. 5202 Hennef De Selic

Also Published As

Publication number Publication date
DE19800905A1 (de) 1999-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3855717T3 (de) Supraleitender Draht und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0301283A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines ummantelten Drahtes aus einem keramischen Hochtemperatur-Supraleiter
EP0503525B1 (de) Verfahren zur Herstellung von supraleitenden Drähten
DE10114934A1 (de) Verfahren zur Herstellung von supraleitenden Drähten und Bändern auf Basis der Verbindung MgB¶2¶
SE8003530L (sv) Forfarande for framstellning av ett komposit av tva metaller
EP0396581B1 (de) Verfahren zur herstellung von drähten oder bändern aus hochtemperatur-supraleitern und dabei verwendeter hüllkörper
EP0301279A1 (de) Leiter, der aus einem Verbundwerkstoff besteht
DE3103882A1 (de) "gedaechtnislegierung auf der basis von kupfer, zink und aluminium und verfahren zu deren herstellung"
DE19800905C2 (de) Sprengverdichten von Hoch-Temperatur-Supra-Leitern (HTSL) in Sauerstoffatmosphäre
EP0389941B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines länglichen Körpers bestehend aus längsgerichteten nadelförmigen Kristallen aus einem supraleitenden keramischen Stoff
DE3730766C2 (de) Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung eines Supraleiters in trommelbarer Ausführung
EP0296379A3 (de) Verfahren zur Herstellung von draht- und/oder bandförmigen Supraleitern aus keramischer Sintermasse
GB1335447A (en) Superconductor and method of production thereof
EP0293657A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines phasenreinen Hochtemperatur Supraleiters
DE19822324A1 (de) Plastisch verformbares, hochtemperatur-supraleitendes Material und Verfahren zur Herstellung eines daraus geformten Körpers
JP2775946B2 (ja) 酸化物超電導線材の製造方法
DE1242767B (de) Verfahren zur Herstellung eines mit einem Metallmantel bekleideten nuklearen Brennstoffkoerpers
DE2819242A1 (de) Supraleiter und verfahren zu dessen herstellung
DE4139004A1 (de) Verfahren zur herstellung einer supraleitenden keramischen roehre
JP2611778B2 (ja) 超電導線の製造方法
DE4421163C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Leiters mit mindestens einem texturierten, supraleitenden Kern
JPH02183918A (ja) 酸化物超電導導体の製造方法
DE635644C (de) Verfahren zur Herstellung gesinterter Metallegierungen
JPS646311A (en) Superconducting oxide wire
RU2089974C1 (ru) Способ получения длинномерных изделий из высокотемпературных сверхпроводящих материалов

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: SELIC, HEINZ ANTON, DR., 50997 KOELN, DE

8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee