DE19747996C1 - Verfahren zur epitaktischen Herstellung von semiisolierenden III-V Verbindungshalbleitern - Google Patents

Verfahren zur epitaktischen Herstellung von semiisolierenden III-V Verbindungshalbleitern

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Description

Semiisolierende, d. h. intrinsisch leitende, III-V Verbindungshalbleiter, wie z. B. InP, werden derzeit zum Teil durch Dotierung mit Fe hergestellt und dienen als Substrat­ material oder zum Überwachsen von Bauelementstrukturen sowie für Bauelement­ schichten. Dabei besitzt Fe im allgemeinen einen hohen Diffusionskoeffizienten, welcher speziell in Verbindung und in Kontakt mit p-Typ Schichten stark erhöht ist [Wol94]. Ferner ist durch die Fe-Dotierung nur eine Kompensation von Elektronen gewährleistet, was die Anwendungsmöglichkeiten einschränkt. Alternativen zur Fe- Dotierung von InP gibt es zur Zeit nicht. Dotierung mit Ti, einem tiefen Donator, führt nur zur Kompensation von Akzeptoren [Den86]. Dotierung mit Cu oder Cl [Gar95, Leo92] führt zur Clusterbildung jedoch nicht zur Ausbildung von in der Nähe der Bandkante liegenden tiefen Energieniveaus. Versuchen, semiisolierende InP- Einkristalle durch die Dotierung mit in der Regel weniger diffusiven 4d- oder 5d- Übergangsmetallen herzustellen, waren bisher erfolglos. Bei der Kristallherstellung mit dem LEC- oder dem GF-Verfahren bilden sich meist Übergangsmetall-Phosphor Ausscheidungen, und es kann auch keine eindeutig mit der Dotierung korrelierte Absenkung der Ladungsträgerkonzentration beobachtet werden [Coc85, Bre87].
Neuere Versuche, mittels MOCVD 4d- und 5d-Übergangsmetalle zu dotieren, ergeben bei Ru, Os und Rh Dotierung elektrisch aktive Konzentrationen über 1×1015 cm⁻3. Bei der Rh-Dotierung zeigt sich eine deutliche Erhöhung der elektrisch aktiven Konzentration durch Verwendung von Stickstoffträgergas [Dad97].
Von großer Bedeutung für die Hochintegration von elektronischen und opto­ elektronischen Bauelementen (z. B. Transistoren, Photodioden, Halbleiterlasern, etc.) ist das Vorhandensein hochohmiger, kapazitätsarmer Schichten, um Bauelemente elektrisch voneinander zu isolieren, ohne durch einen zusätzlichen Kapazitätsbeitrag negativen Einfluß auf die Hochfrequenzeigenschaften zu nehmen.
Das im Patentanspruch 1 angegebene Verfahren beruht auf der Dotierung von III-V Verbindungshalbleitern in Epitaxieverfahren, wie z. B. der MOCVD oder der MOMBE, mit Ru zur Erzielung hochohmiger Schichten, wobei als Gruppe-V Ausgangsstoff ein Precursor mit weniger als drei direkt am Gruppe-V Element gebundenen Wasserstoff­ atomen eingesetzt wird. Zur Ru-Dotierung in diesen Verfahren ist meist der Einsatz einer flüchtigen Rutheniumverbindung, wie der in Unteranspruch 3 genannten metall­ organischen Rutheniumverbindung Bis(ν5-2,4-dimethylpentadienyl)ruthenium(II), notwendig. Die in diesen Verfahren mit Ru dotierten Schichten sind im Gegensatz zur Dotierung mit Fe oder Ti hochohmig sowohl bei Elektronen als auch bei Löcherinjektion. Die spezifischen Widerstände solcher Ru dotierter Schichten mit einer Ru-Konzentration über 1×1017cm⁻3 liegen bei Elektroneninjektion bei 1×106 Ωcm und bei Löcherinjektion über 5×108 Ωcm. Ruthenium als Dotand besitzt darüber hinaus einen um ca. 4 Größenordnungen geringeren Diffusionskoeffizienten als Fe und führt daher nicht zur bei Fe beobachteten äußerst unerwünschten Eindiffusion in Bauelementstrukturen. Die rutheniumdotierten Schichten können sowohl als isolierende Schicht zwischen, über oder unter Bauelementen als auch als aktive Bau­ elementschicht, z. B. für MSM- oder PIN-Photodetektoren, verwendet werden.
Der angegebene Unteranspruch 4 stellt eine Ausführungsmöglichkeit des in Patent­ anspruch 1 angegebenen Verfahrens mit Herstellungsmethoden, wie z. B. der MOCVD oder der MOMBE, dar. Hier werden als Ausgangsstoffe für die Gruppe-V Elemente meist Hydride wie PH3 oder AsH3 verwendet. Durch den Einsatz von sogenannten "alternativen Precursorn", wie TBP oder TBAs bzw. DTBP oder DTBAs, kann die elektrisch aktive Konzentration an tiefen rutheniuminduzierten Störstellen wesentlich erhöht werden, wodurch sich die semiisolierenden Eigenschaften des Materials verbessern.
Der Unteranspruch 2 betrifft alle Herstellungsprozesse, in denen ein Trägergas zum Transport der Ausgangsmaterialien zum Substrat verwendet wird. Durch ein inertes Trägergas anstelle von z. B. H2 kann eine Erhöhung der elektrisch aktiven ruthenium­ induzierten Störstellenkonzentration erreicht und die Semiisolierung verbessert werden.
Abkürzungen
AsH3
: Arsenwasserstoff (Arsin)
Cl: Chlor
Cu: Kupfer
DTBAs: Ditertiärbutylarsin, (C4
H9
)2
AsH
DTBP: Ditertiärbutylphosphin (C4
H9
)2
PH
Fe: Eisen
GF: Gradient-Freeze
InP: Indium-Phosphid
Inx
Ga1-x
As: Indium-Gallium-Arsenid
LEC: Liquid-Encapsulated-Czochralski
MOCVD: Metal Organic Chemical Vaporphase Deposition (Metallorganische Gasphasenepitaxie)
MOMBE: Metal Organic Molecular Beam Epitaxy (Metallorganische Molekularstrahlepitaxie)
MSM-Photodetektoren: Metal Semiconductor Metal-Photodetektoren
Os: Osmium
PH3
: Phosphorwasserstoff (Phosphin)
PIN-Photodetektoren: Photodetektoren einer Abfolge von p-Typ, intrinsisch leitendem (semiisolierendem) und n-Typ Halbleitermaterial
Rh: Rhodium
Ru: Ruthenium
TBAs: Tertiärbutylarsin, (C4
H9
)AsH2
TBP: Tertiärbutylphosphin, (C4
H9
)PH2
Ti: Titan
Referenzen
[Bre87] G. Bremond, A. Nouailhat, G. Guillot, Y. Toudic, B. Lambert, M. Gauneau, R. Coquille, and B. Deveaud, Semicond. Sci. Technol. 2, 772 (1987).
[Coc85] B. Cockayne, W.R. MacEwan, I.R. Harris, and N.A. Smith, J. of Mat. Sci. Lett. 4, 704 (1985).
[Dad97] A. Dadgar, L. Köhne, J. Y. Hyeon, T. Grundemann, O. Stenzel, M. Straßburg, M. Kuttler, R. Heitz, D. Bimberg, and H. Schumann, J. Cryst. Growth 170, 173 (1997).
[Den86] US 4774554.
[Gar95] N.F. Gardner, Q.J Hartmann, J.E. Baker, and G.E. Stillman, Appl. Phys. Lett. 67, 3004 (1995).
[Leo92] R.P. Leon, M. Kaminska, Kin Man Yu, and E.R. Weber, Phys. Rev. B 46, 12460 (1992).
[Wol94] T. Wolf, T. Zinke, A. Krost, H. Scheffler, H. Ullrich, P. Harde, and D. Bimberg, J. Appl. Phys. 75, 3870 (1994).

Claims (4)

1. Verfahren zur epitaktischen Herstellung von semiisolierenden III-V Verbindungs­ halbleitern, bei dem der Halbleiter mit Ruthenium dotiert wird, gekennzeichnet durch Verwendung von Gruppe-V Ausgangsstoffen mit weniger als drei direkt am Gruppe-V Element des Precursors gebundenen Wasserstoffatomen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Verwendung von Inertgas als Trägergas.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch Verwendung von Bis(η5-2,4-dimethylpentadienyl)ruthenium(II) als Ruthenium-Ausgangsstoff.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, gekennzeichnet durch Verwendung von Tertiärbutylphosphin, Tertiärbutylarsin, Ditertiärbutyl­ phosphin oder Ditertiärbutylarsin als Gruppe-V Ausgangsstoff.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1256988A2 (de) 2001-05-11 2002-11-13 Nippon Telegraph and Telephone Corporation Halbisolierendes Substrat, optische Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdünnschicht
US6717187B2 (en) 2001-04-18 2004-04-06 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Semiconductor optical device and the fabrication method
DE102010014112A1 (de) * 2009-06-15 2010-12-23 Mitsubishi Electric Corp. Optisches Halbleiterelement
WO2011098797A2 (en) 2010-02-09 2011-08-18 The Centre For Integrated Photonics Limited Opto-electronic device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110760932B (zh) * 2019-11-22 2021-02-23 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4774554A (en) * 1986-12-16 1988-09-27 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Semiconductor devices employing Ti-doped Group III-V epitaxial layer

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4774554A (en) * 1986-12-16 1988-09-27 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Semiconductor devices employing Ti-doped Group III-V epitaxial layer

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NL-Z: J. Crystal Growth, Bd. 170, 1997, S.173-176 *
US-Z: Appl.Phys. Letters, Bd. 67, 1995, S.3004ff. *
US-Z: J. of Mat.Sci.Lett., Bd. 4, 1985, S. 704ff. *
US-Z: J.Appl.Phys., Bd. 75, 1994, S. 3870 ff. *
US-Z: Phys.Rev. B, Bd. 46, 1992, S. 12460 ff. *
US-Z: Semicond.Sci.Technol., Bd. 2, 1987,S.772ff. *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6717187B2 (en) 2001-04-18 2004-04-06 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Semiconductor optical device and the fabrication method
US6982469B2 (en) 2001-04-18 2006-01-03 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Semiconductor optical device and the fabrication method
US7060518B2 (en) 2001-04-18 2006-06-13 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Semiconductor optical device and the fabrication method
EP1256988A2 (de) 2001-05-11 2002-11-13 Nippon Telegraph and Telephone Corporation Halbisolierendes Substrat, optische Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdünnschicht
EP1256988A3 (de) * 2001-05-11 2008-12-10 Nippon Telegraph and Telephone Corporation Halbisolierendes Substrat, optische Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdünnschicht
DE102010014112A1 (de) * 2009-06-15 2010-12-23 Mitsubishi Electric Corp. Optisches Halbleiterelement
DE102010014112B4 (de) * 2009-06-15 2012-06-21 Mitsubishi Electric Corp. Optisches Halbleiterelement
WO2011098797A2 (en) 2010-02-09 2011-08-18 The Centre For Integrated Photonics Limited Opto-electronic device

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