DE19742751A1 - Kapazitives Element für einen Trockenelektrolytkondensator sowie Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines solchen - Google Patents

Kapazitives Element für einen Trockenelektrolytkondensator sowie Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines solchen

Info

Publication number
DE19742751A1
DE19742751A1 DE19742751A DE19742751A DE19742751A1 DE 19742751 A1 DE19742751 A1 DE 19742751A1 DE 19742751 A DE19742751 A DE 19742751A DE 19742751 A DE19742751 A DE 19742751A DE 19742751 A1 DE19742751 A1 DE 19742751A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
face
capacitive element
chip
capacitor chip
capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19742751A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19742751C2 (de
Inventor
Takahiro Maeda
Shouichi Yanagi
Chojiro Kuriyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Publication of DE19742751A1 publication Critical patent/DE19742751A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19742751C2 publication Critical patent/DE19742751C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052—Sintered electrodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/43—Electric condenser making

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Description

Vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein kapazitives Ele­ ment für einen Trockenelektrolytkondensator, wie z. B. einen Tantal- oder Aluminiumkondensator. Vorliegende Erfindung bezieht sich auch auf eine Vorrichtung und eine Verfahren zur Herstellung eines solchen kapazitiven Elements.
Wie in der US-A-5,461,538 (welche der JP-A-7-74062 ent­ spricht) offenbart und in Fig. 9 der anliegenden Zeichnung dargestellt, umfaßt ein typisches kapazitives Element für einen Trockenelektrolytkondensator einen porösen Kondensat­ orchip A1 und einen Anodendraht A2, der von einer oberen Oberfläche A1a des Chips A1 hervorsteht. Der Kondensatorchip A1 wird durch Verdichten von Tantalpulver zu einem porösen Körper und dessen anschließender Sinterung hergestellt. Der Anodendraht A2 besteht ebenfalls aus Tantal. Um eine kapazi­ tive Funktionsweise zu ermöglichen, wird das kapazitive Element folgenden Verfahrensschritten unterzogen.
Zunächst wird, wie in Fig. 10 dargestellt, der poröse, ges­ interte Chip A1 in eine wäßrige Lösung von z. B. Phosphor­ säure getaucht und durch Anlegen eines Gleichstroms einer anodischen Oxidation (elektrolytischen Oxidation) unterzo­ gen. Als Folge wird auf den Oberflächen der Tantalpartikel und einem eingetauchten Fußbereich des Anodendrahtes A2 ein dielektrischer Überzug A3 aus z. B. Tantalpentoxid gebildet, wie in Fig. 11 dargestellt.
Anschließend wird der mit einem Dielektrikum überzogene Chip A1 soweit in eine wäßrige Lösung aus z. B. Mangannitrat ge­ taucht, daß die obere Oberfläche A1a des Chips A1 nicht unter die Oberfläche der Mangannitratlösung gelangt. Danach wird der Chip A1 für einen Backvorgang herausgenommen. Die­ ser Schritt wird mehrmals wiederholt, um eine Schicht A4 aus Trockenelektrolyt (z. B. Mangandioxid) auf dem dielektri­ schen Überzug A3 zu bilden.
Zuletzt wird eine Kathodenanschlußschicht (z. B. aus Silber oder Nickel) auf der Trockenelektrolytschicht gebildet, wobei zwischen der Kathodenanschlußschicht und der Trocken­ elektrolytschicht A4 eine Zwischenschicht z. B. aus Graphit vorgesehen ist.
Ein Trockenelektrolytkondensator mit einem solchen kapaziti­ ven Element hat bekannter Maßen eine erheblich größere Impe­ danz bei hohen Frequenzen als ein Schichtkondensator. Die Impedanz des Trockenelektrolytkondensators ist umgekehrt proportional zu der Kontaktfläche zwischen dem dielektri­ schen Überzug A3 und der Trockenelektrolytschicht A4.
Um die Impedanz eines Trockenelektrolytkondensators zu ver­ ringern wird, z. B. in der US-A-3,345,545, ein kapazitives Element mit einem porösen Kondensatorchip A1' aus Tantalpul­ ver, der seitlich mit einer Vielzahl von Nuten A6' versehen ist, und mit einem Anodendraht A2' vorgeschlagen, der von der oberen Oberfläche A1a' des Chips A1' hervorsteht, wie in Fig. 14 und 15 anliegender Zeichnung dargestellt. Jede der Nuten A6' erstreckt sich von der oberen Oberfläche A1a' ausgehend bis zu der unteren Oberfläche A1b'.
Die Nuten A6' des Kondensatorchips A1' erhöhen die Kontakt­ fläche zwischen dem (nachfolgend aufgebrachten) dielektri­ schen Überzug und der (ebenfalls nachfolgend aufgebrachten) Trockenelektrolytschicht und erniedrigen so die Impedanz des Kondensators. Des weiteren erleichtern die Nuten A6' auch das Eindringen einer Mangannitratlösung in der porösen Kon­ densatorchip A1' bei der Ausbilden der Trockenelektrolyt­ schicht. Allerdings erweist sich das in den Fig. 14 und 15 dargestellte, kapazitive Element in folgenden Punkten als nachteilig.
Erstens reduziert sich die elektrostatische Kapazität des kapazitiven Elements, da sich jede der Nuten A6' von der oberen Oberfläche A1a' des Chips A1' bis zu der unteren Oberfläche A1b' erstreckt, aufgrund dieser Nuten beträcht­ lich. Folglich muß die Größe des kapazitiven Elements in axiale Richtung des Anodendrahts A2' erhöht werden, um die durch die Nuten A6' bedingte Volumenreduktion zu kompensie­ ren.
Zweitens kann eine Mangannitratlösung, da jede der Nuten A6' sich von der oberen Oberfläche A1a' des Chips A1' bis zu der unteren Oberfläche A1b' erstreckt, schnell entlang der Nuten A6' abfließen, wenn bei der Herstellung einer Trockenelek­ trolytschicht der Chip A1' aus der Mangannitratlösung genom­ men wird. Folglich muß der Verfahrensschritt des Eintauchens des Chips A1' in die Mangannitratlösung und des anschließen­ den Backens des Chips genügend oft wiederholt werden, bis die Trockenelektrolytschicht vollständig aufgewachsen ist.
Es ist folglich Aufgabe vorliegender Erfindung, ein kapazi­ tives Element vorzusehen, welches vorbeschriebene Probleme vermeidet oder vermindert.
Weiterhin ist es Aufgabe vorliegender Erfindung, eine Ver­ dichtungseinrichtung vorzusehen, welches vorteilhaft zur Herstellung eines solchen kapazitiven Elements genutzt wer­ den kann.
Auch ist es Aufgabe vorliegender Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung eines solchen kapazitiven Elements vorzuse­ hen.
Einem ersten Aspekt vorliegende Erfindung folgend, wird ein kapazitives Element für einen Trockenelektrolytkondensator vorgeschlagen, welches: einen Kondensatorchip, der ein ver­ dichteter Körper aus einem eine elektrolytische Ventilwir­ kung aufweisenden Metallpulver ist sowie eine erste Stirnfläche und eine zweite, der ersten Stirnfläche gegen­ über liegende Stirnfläche aufweist; und einen Anodendraht, der von der ersten Stirnfläche des Kondensatorchips absteht, umfaßt; dadurch gekennzeichnet, daß der Kondensatorchip mindestens eine Seitenfläche aufweist, die mit mindestens einer Ausnehmung versehen ist, die sich auf die zweite Stirnfläche des Chips hinweisend, jedoch nicht bis zu der zweiten Stirnfläche hin erstreckt.
Bei einer Ausführungsform vorliegender Erfindung umfaßt die mindestens eine Ausnehmung eine erste, von der zweiten Stirnfläche des Kondensatorchips beabstandete Begrenzungs­ wand und eine zweite, von der ersten Stirnfläche des Kon­ densatorchips beabstandete Begrenzungswand.
Bei einer anderen Ausführungsform vorliegender Erfindung erstreckt sich die mindestens eine Ausnehmung von der ersten Stirnfläche des Kondensatorchips ausgehend auf die zweite Stirnfläche des Kondensatorchips hinweisend, jedoch nicht bis zu der zweiten Stirnfläche hin.
Bei jeder der Ausführungsformen kann mindestens eine Seiten­ fläche des Kondensatorchips vorzugsweise eine Vielzahl von Ausnehmungen aufweisen, von welchen jede sich auf die zweite Stirnfläche des Kondensatorchips hinweisend, jedoch nicht bis zu der zweiten Stirnfläche hin erstreckt.
Einem zweiten Aspekt vorliegender Erfindung folgend, wird eine Verdichtungseinrichtung zur Herstellung eines kapaziti­ ven Elements vorgeschlagen, welche: einen unteren Stempel mit einer nach oben offenen, formgebenden Nut; einen oberen Stempel zur Halterung eines nach unten abstehenden Anoden­ drahts, welcher obere Stempel auf den unteren Stempel zu und von diesem weg beweglich ist; und ein Paar einander gegen­ über liegender Druckeinrichtungen umfaßt, die in der formge­ benden Nut des unteren Stempels aufeinander zu und von einander weg, gleitend beweglich sind, wobei mindestens eine der Druckeinrichtungen eine Vorderseite aufweist, die mit mindestens einem Vorsprung versehen ist.
Vorzugsweise kann jede der Druckeinrichtungen eine Vorder­ seite aufweisen, die mit einem, in einer Linie mit dem Ano­ dendraht liegendem Vorsprung versehen ist.
Einem dritten Aspekt vorliegender Erfindung folgend, wird ein Verfahren zur Herstellung eines kapazitiven Elements unter Verwendung einer Verdichtungseinrichtung vorgeschla­ gen, welche: einen unteren Stempel mit einer nach oben offe­ nen, formgebenden Nut; einen oberen Stempel zur Halterung eines nach unten abstehenden Anodendrahts, welcher obere Stempel auf den unteren Stempel zu und von diesem weg be­ weglich ist; und ein Paar einander gegenüber liegender Druckeinrichtungen umfaßt, die in der formgebenden Nut des unteren Stempels aufeinander zu und von einander weg, glei­ tend beweglich sind, wobei mindestens eine der Druckeinrich­ tungen eine Vorderseite aufweist, die mit mindestens einem Vorsprung versehen ist; wobei das Verfahren die Schritte des: Gebens einer bestimmten Menge von einem eine elektroly­ tische Ventilwirkung aufweisendem Metallpulver in die form­ gebende Nut des unteren Stempels zwischen die Druckeinrich­ tungen; des Bewegens des oberen Stempels auf den unteren Stempel zu, um die formgebende Nut zu verschließen; und des Bewegens der Druckeinrichtungen aufeinander zu, um das bei­ gegebene, eine elektrolytische Ventilwirkung aufweisende Metallpulver zu verdichten, umfaßt.
Andere Ziele, Merkmale und Vorteile vorliegender Erfindung werden durch folgende, in Bezug auf anliegende Zeichnung erfolgende Detailbeschreibung bevorzugter Ausführungsformen offensichtlich. In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines kapazitiven Elements entsprechend einer ersten Ausführungsform vorliegender Erfindung;
Fig. 2 einen Schnitt entlang der Linie II-II in Fig. 1;
Fig. 3 einen Schnitt entlang der Linie III-III in Fig. 2;
Fig. 4 eine perspektivische Ansicht eines kapazitiven Elements entsprechend einer zweiten Ausführungs­ form vorliegender Erfindung;
Fig. 5 eine perspektivische Ansicht einer Verdichtungs­ einrichtung zur Herstellung des in Fig. 1 bis 3 dargestellten kapazitiven Elements;
Fig. 6 einen Schnitt entlang der Linie VI-VI in Fig. 5;
Fig. 7 einen Schnitt entlang der Linie VII-VII in Fig. 5;
Fig. 8 eine perspektivische Ansicht eines kapazitiven Elements entsprechend einer dritten Ausführungs­ form vorliegender Erfindung;
Fig. 9 eine perspektivische Ansicht eines kapazitiven Elements nach dem Stand der Technik;
Fig. 10 einen Schnitt, der einen Verfahrensschritt zur Bildung einer dielektrischen Schicht für das be­ kannte kapazitive Element darstellt;
Fig. 11 einen Schnitt durch das bekannte kapazitive Ele­ ment, welches dem Verfahrensschritt der Bildung der dielektrischen Schicht unterzogen wurde;
Fig. 12 einen Schnitt, der einen Verfahrensschritt zur Bildung einer Trockenelektrolytschicht für das bekannte kapazitive Element darstellt;
Fig. 13 einen Schnitt durch das bekannte kapazitive Ele­ ment, welches dem Verfahrensschritt der Bildung der Trockenelektrolytschicht unterzogen wurde;
Fig. 14 eine perspektivische Ansicht eines anderen kapazi­ tiven Elements nach dem Stand der Technik; und
Fig. 15 einen Schnitt entlang der Linie XV-XV in Fig. 14.
Die bevorzugten Ausführungsformen vorliegender Erfindung werden nachfolgend unter Bezug auf Fig. 1 bis 8 anliegender Zeichnung beschrieben.
Zunächst wird auf Fig. 1 bis 3 Bezug genommen, die ein kapazitives Trockenelektrolytelement nach einer ersten Aus­ führungsform vorliegender Erfindung beschreiben. Wie bei einem konventionellen kapazitiven Element umfaßt das kapazi­ tive Element dieser Ausführungsform einen porösen Kondensat­ orchip 1 und einen Anodendraht 2, der von einer ersten Stirnfläche 1a des Chips 1 hervorsteht. Der Kondensatorchip 1, welcher bei der dargestellten Ausführungsform kubisch ist, kann durch Verdichten von einem eine elektrolytische Ventilwirkung aufweisendem Metallpulver, wie Tantalpulver, zu einem porösen Körper und dessen anschließenden Sintern hergestellt werden. Der Anodendraht 2 kann aus Tantal oder einem anderen Metall bestehen. Normalerweise ist der Ano­ dendraht 2 teilweise in den Chip 1 eingebettet, wie in Fig. 3 dargestellt.
Der Kondensatorchip 1 weist ein Paar einander gegenüberlie­ gender Seitenflächen 1b, 1c auf, in welchen jeweils eine Vielzahl von Ausnehmungen 1d ausgeformt sind. Jede der Aus­ nehmungen 1d erstreckt sich nicht bis zu einer zweiten Stirnfläche 1e des Chips 1, die gegenüber der ersten Stirn­ fläche 1a angeordnet ist, und weist eine erste Begrenzungs­ wand LW1 auf. Des weiteren erstreckt sich auch jede der Ausnehmungen 1e nicht bis zu der ersten Stirnfläche 1a des Chips 1 und weist eine zweite Begrenzungswand LW2 auf.
Bei der Herstellung, wird der auf diese Weise ausgestaltete, poröse, gesinterte Kondensatorchip 1 in eine wäßrige Lösung von z. B. Phosphorsäure (nicht dargestellt) getaucht und durch Anlegen eines Gleichstroms einer anodischen Oxidation (elektrolytischen Oxidation) unterzogen, wie auch konventio­ nell durchgeführt (siehe Fig. 10). Die Folge ist, daß auf den Oberflächen der Metallpartikel und einem getauchten Fußbereich des Anodendrahts 2 ein dielektrischer Überzug aus z. B. Tantalpentoxyd (nicht dargestellt) erzeugt wird (siehe Fig. 11).
Anschließend wird der dielektrisch überzogene Chip 1 in eine wäßrige Lösung von z. B. Mangannitrat (nicht dargestellt) getaucht, so daß die erste Stirnfläche des Chips 1 nicht unter die Oberfläche der Mangannitratlösung gelang. An­ schließend wird der Chip 1 zum Backen aus der Lösung genom­ men. Dieser Schritt wird mehrfach wiederholt, um eine Trockenelektrolytschicht (z. B. Mangandioxid) auf dem dielektri­ schen Überzug zu bilden.
Zuletzt wird eine metallische Kathodenanschlußschicht (z. B. aus Silber oder Nickel) auf der Trockenelektrolytschicht aufgebracht, wobei zwischen der Kathodenanschlußschicht und der Trockenelektrolytschicht eine Zwischenschicht z. B. aus Graphit vorgesehen ist.
Bei dem vorbeschriebenen Herstellungsverfahren erleichtert jede der Ausnehmungen 1d das Eindringen der Mangannitratlö­ sung in den porösen Kondensatorchip 1 während der Herstel­ lung der Trockenelektrolytschicht. Des weiteren dient die untere Begrenzungswand LW1 als Damm zur Begrenzung eines Abwärtsflusses oder Ablaufens der Mangannitratlösung, wenn der Chip 1 nach dem Eintauchen aus der Lösung genommen wird. Folglich fährt ein in der Ausnehmung 1d zurückgehaltener Teil der Lösung fort, nach dem Eintauchen und vor dem Backen in den porösen Chip 1 einzudringen, wodurch sich die benö­ tigte Zahl der Tauchvorgänge in die Lösung zur Gewährlei­ stung eines kompletten Eindringens reduziert.
Des weiteren bedingen die ersten und zweiten Begrenzungs­ wände LW1, LW2 jeder Ausnehmung 1d eine Vergrößerung der Oberfläche, die teilweise eine Oberflächenreduzierung auf­ grund einer Längenverkürzung der Ausnehmungen 1d im Ver­ gleich zu jeder Nut der bekannten Kondensatorchips (Fig. 14 und 15) kompensiert.
Darüber hinaus ist die durch das Vorsehen der Ausnehmungen 1d bedingte Volumenverringerung des Kondensatorchips 1 ge­ ringer als die durch das Vorsehen der Nuten des bekannten Kondensatorchips bedingte Volumenverringerung. Folglich kann die Kapazität des Kondensatorchips 1 (insbesondere auch die eines den Kondensatorchip 1 umfassenden Kondensators) trotz der die Oberfläche des Chips 1 vergrößernden Ausnehmungen 1d verhältnismäßig grob gehalten werden.
Fig. 4 zeigt ein einer zweiten Ausführungsform vorliegender Erfindung entsprechendes kapazitives Element. Das kapazitive Element dieser Ausführungsform entspricht dem der vorbe­ schriebenen Ausführungsform abgesehen davon, daß die beiden gegenüberliegenden Seitenflächen 1b, 1c des Chips 1 mit einer Vielzahl länglicher Ausnehmungen 1d' versehen sind, die sich jeweils von der ersten Stirnfläche 1a des Chips 1 ausgehend in Richtung auf die zweite Stirnfläche 1e, aber nicht bis zu derselben hin, erstrecken. Anders ausgedrückt, weist jede der länglichen Ausnehmungen 1d' eine Begrenzungs­ wand LW1' auf, die als Damm zur Begrenzung des Abflusses der Mangannitratlösung dient.
Der in Fig. 1 bis 3 dargestellte Kondensatorchip 1 kann in vorteilhafter Weise durch Verwendung einer in Fig. 5 bis 7 dargestellten Verdichtungseinrichtung hergestellt werden. Im einzelnen umfaßt die Verdichtungseinrichtung einen unteren Stempel 3 mit einer nach innen offenen, formgebenden Nut 4, einen oberen Stempel 5, welcher auf den unteren Stempel 3 zu und von diesem weg beweglich ist, und ein Paar Druckeinrich­ tungen 6, 7, die in der formgebenden Nut 4 des unteren Stem­ pels 3 aufeinander zu und von einander weg, gleitend be­ weglich sind. Jede der Druckeinrichtungen 6, 7 weist eine Vorderseite auf, die mit einer Vielzahl von Vorsprüngen 6a, 7a versehen ist.
Bei der Anwendung wird eine vorbestimmte Menge an Metallpul­ ver in die formgebende Nut 4 des unteren Stempels 3 zwischen die in von einander entfernte Positionen gebrachten Druck­ einrichtungen 6, 7 gegeben. Auch wird ein Anodendraht 2 derart gehalten, daß er nach unten von dem oberen Stempel 5 absteht. Der Stempel 5 wird anschließend auf den unteren Stempel 3 zu bewegt und verschließt die formgebende Nut 4. Zuletzt werden die Druckeinrichtungen 6, 7 gleichzeitig aufeinander zu bewegt. Als Folge wird ein kapazitives Ele­ ment erhalten, welches die in Fig. 1 bis 3 beschriebene Form aufweist.
Während des oben beschriebenen Herstellungsvorgangs des kapazitiven Elements wird das eine elektrolytische Ventil­ wirkung aufweisende Metallpulver im wesentlichen in einer Richtung senkrecht zu dem Anodendraht 2 verdichtet, da die Verdichtung im wesentlichen aus der Näherungsbewegung der Druckeinrichtungen 6, 7 folgt. Des weiteren bedingt das Vorhandensein der Vorsprünge 6a, 7a, welche die Ausnehmungen 1d erzeugen, eine höhere Verdichtung des eine elektrolyti­ sche Ventilwirkung aufweisenden Metallpulvers um den Anoden­ draht 2. Als Folge kann ein Fußbereich des Anodendrahts 2 bei einer geringen Wahrscheinlichkeit eines unerwarteten Lösens fest in dem Kondensator 2 fixiert bzw. in diesem eingebettet werden.
Fig. 8 zeigt ein einer dritten Ausführungsform vorliegender Erfindung entsprechendes kapazitives Element. Das kapazitive Element dieser Ausführungsform ist ähnlich dem der zweiten Ausführungsform, abgesehen davon, daß jede der beiden Sei­ tenflächen 1b, 1c des Chips 1 mit einer einzigen, eine als Damm zur Begrenzung eines Abflusses der Mangannitratlösung dienende Begrenzungswand LW1'' aufweisenden, länglichen Ausnehmung 1d'' versehen ist.
Der Kondensatorchip 1 des dritten Ausführungsform kann durch eine Verdichtungseinrichtung, die abgesehen davon, daß jede der beiden, einander gegenüberliegenden Druckeinrichtungen 6'', 7'' nur einen in Lage und Ausgestaltung der jeweiligen Ausnehmung 1d'' entsprechenden Vorsprung aufweist, ähnlich der in Fig. 5 bis 7 dargestellten Verdichtungseinrichtung ist, hergestellt werden.
Der dritten Ausführungsform entsprechend, sind die Ausneh­ mungen 1d'' auf beiden gegenüberliegenden Seitenflächen 1b, 1c und der Anodendraht 2 auf einer Linie (bezüglich der Breite des Chips 1) angeordnet. Folglich ist ein Fußbereich des Anodendraht 2 noch fester in dem Chip 1 fixiert bzw. in diesen eingebettet, wenn das eine elektrolytische Ventilwir­ kung aufweisendes Metallpulver zu dem Chip 1 verdichtet wird.
Offensichtlich kann die so beschriebene Erfindung auf ver­ schiedene andere Weisen variiert werden. Zum Beispiel können die Ausnehmungen nur auf einer Seitenfläche des Kondensat­ orchips 1 vorgesehen werden. Solche Variationen sollen nicht als Abweichung von der Grundidee und Wirkung vorliegender Erfindung aufgefaßt werden, und es sind alle einem Fachmann naheliegenden Modifikationen als in den Schutzbereich nach­ folgender Ansprüche fallend anzusehen.

Claims (12)

1. Kapazitives Element für einen Trockenelektrolytkonden­ sator, welches: einen Kondensatorchip (1), der ein verdichteter Körper aus einem eine elektrolytische Ventilwirkung aufweisenden Metallpulver ist sowie eine erste Stirnfläche (1a) und eine zweite, der ersten Stirnfläche (1a) gegenüber liegende Stirnfläche (1e) aufweist; und einen Anodendraht (2), der von der ersten Stirnfläche (1a) des Kondensatorchips (1) absteht, umfaßt; dadurch gekennzeichnet, daß der Kondensatorchip (1) mindestens eine Seitenflä­ che (1b, 1c) aufweist, die mit mindestens einer Aus­ nehmung (1d, 1d', 1d'') versehen ist, die sich auf die zweite Stirnfläche (1e) des Chips (1) hinweisend, je­ doch nicht bis zu der zweiten Stirnfläche (1e) hin erstreckt.
2. Kapazitives Element nach Anspruch 1, bei welchem die mindestens eine Ausnehmung (1d) eine erste, von der zweiten Stirnfläche (1e) des Kondensatorchips (1) be­ abstandete Begrenzungswand (LW1) und eine zweite, von der ersten Stirnfläche (1a) des Kondensatorchips (1) beabstandete Begrenzungswand (LW2) umfaßt.
3. Kapazitives Element nach Anspruch 1, bei welchem sich die mindestens eine Ausnehmung (1d', 1d'') von der ersten Stirnfläche (1a) des Kondensatorchips (1) ausge­ hend auf die zweite Stirnfläche (1e) des Kondensator­ chips (1) hinweisend, jedoch nicht bis zu der zweiten Stirnfläche (1e) hin erstreckt.
4. Kapazitives Element nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei welchem mindestens eine Seitenfläche (1b, 1c) des Kondensatorchips (1) eine Vielzahl von Ausnehmungen (1d, 1d') aufweist, von welchen jede sich auf die zwei­ te Stirnfläche (1e) des Kondensatorchips (1) hinwei­ send, jedoch nicht bis zu der zweiten Stirnfläche (1e) hin erstreckt.
5. Kapazitives Element nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei welchem der Kondensatorchip (1) zwei einander ge­ genüberliegende Seitenflächen (1b, 1c) aufweist, die jeweils mit mindestens einer Ausnehmung (1d, 1d', 1d'') versehen sind, die sich auf die zweite Stirnfläche (1e) des Chips (1) hinweisend, jedoch nicht bis zu der zwei­ ten Stirnfläche (1e) hin erstreckt.
6. Kapazitives Element nach Anspruch 5, bei welchem jede der beiden einander gegenüberliegenden Seitenflächen (1b, 1c) des Kondensatorchips (1) eine Vielzahl von Ausnehmungen (1d, 1d') aufweist, von welchen jede sich auf die zweite Stirnfläche (1e) des Kondensatorchips (1) hinweisend, jedoch nicht bis zu der zweiten Stirn­ fläche (1e) hin erstreckt.
7. Kapazitives Element nach Anspruch 6, bei welchem jede der Ausnehmungen (1d) eine erste, von der zweiten Stirnfläche (1e) des Kondensatorchips (1) beabstandete Begrenzungswand (LW1) und eine zweite, von der ersten Stirnfläche (1a) des Kondensatorchips (1) beabstandete Begrenzungswand (LW2) umfaßt.
8. Kapazitives Element nach Anspruch 6, bei welchem sich jeder der Ausnehmung (1d', 1d'') von der ersten Stirn­ fläche (1a) des Kondensatorchips (1) ausgehend auf die zweite Stirnfläche (1e) des Kondensatorchips (1) hin­ weisend, jedoch nicht bis zu der zweiten Stirnfläche (1e) hin erstreckt.
9. Kapazitives Element nach Anspruch 5, bei welchem die Ausnehmungen (1d'') auf den beiden einander gegenüber liegenden Seitenflächen (1b, 1c) des Kondensatorchips (1) und der Anodendraht (2) in einer Linie angeordnet sind.
10. Verdichtungseinrichtung zur Herstellung eines kapaziti­ ven Elements, welche: einen unteren Stempel (3) mit einer nach oben offenen, formgebenden Nut (4); und einen oberen Stempel (5) zur Halterung eines nach unten abstehenden Anodendrahts (2) umfaßt, welcher obere Stempel (5) auf den unteren Stempel (3) zu und von diesem weg beweglich ist; dadurch gekennzeichnet, daß die Verdichtungseinrichtung des weiteren ein Paar einander gegenüber liegender Druckeinrichtungen (6, 6'', 7, 7'') umfaßt, die in der formgebenden Nut (4) des unteren Stempels (3) aufeinander zu und von ein­ ander weg, gleitend beweglich sind, wobei mindestens eine der Druckeinrichtungen (6, 6'', 7, 7'') eine Vor­ derseite aufweist, die mit mindestens einem Vorsprung (6a, 6a'', 7a, 7a'') versehen ist.
11. Verdichtungseinrichtung nach Anspruch 10, bei welcher jede der Druckeinrichtungen (6'', 7'') eine Vorderseite aufweist, die mit einem, in einer Linie mit dem Anoden­ draht (2) liegenden Vorsprung (6a'', 7a'') versehen ist.
12. Verfahren zur Herstellung eines kapazitiven Elements unter Verwendung einer Verdichtungseinrichtung, welche:
einen unteren Stempel (3) mit einer nach oben offenen, formgebenden Nut (4); einen oberen Stempel (5) zur Halterung eines nach unten abstehenden Anodendrahts (2), welcher obere Stempel (5) auf den unteren Stempel (3) zu und von diesem weg beweglich ist; und ein Paar einander gegenüber liegender Druckeinrichtungen (6, 6'', 7, 7'') umfaßt, die in der formgebenden Nut (4) des unteren Stempels (3) aufeinander zu und von ein­ ander weg, gleitend beweglich sind, wobei mindestens eine der Druckeinrichtungen (6, 6'', 7, 7'') eine Vor­ derseite aufweist, die mit mindestens einem Vorsprung (6a, 6a'', 7a, 7a'') versehen ist; wobei das Verfahren die Schritte des:
Gebens einer bestimmten Menge von einem eine elektroly­ tische Ventilwirkung aufweisendem Metallpulver in die formgebende Nut (4) des unteren Stempels (3) zwischen die Druckeinrichtungen (6, 6'', 7, 7'');
des Bewegens des oberen Stempels (5) auf den unteren Stempel (3) zu, um die formgebende Nut (4) zu ver­ schließen; und
des Bewegens der Druckeinrichtungen (6, 6'', 7, 7'') aufeinander zu, um das beigegebene, eine elektrolyti­ sche Ventilwirkung aufweisende Metallpulver zu verdich­ ten, umfaßt.
DE19742751A 1996-09-27 1997-09-27 Kapazitives Element für einen Trockenelektrolytkondensator sowie Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines solchen Expired - Fee Related DE19742751C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25619496A JP3863232B2 (ja) 1996-09-27 1996-09-27 固体電解コンデンサに使用するコンデンサ素子の構造及びコンデンサ素子におけるチップ体の固め成形方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19742751A1 true DE19742751A1 (de) 1998-04-23
DE19742751C2 DE19742751C2 (de) 2000-12-07

Family

ID=17289224

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19742751A Expired - Fee Related DE19742751C2 (de) 1996-09-27 1997-09-27 Kapazitives Element für einen Trockenelektrolytkondensator sowie Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines solchen

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5949639A (de)
JP (1) JP3863232B2 (de)
DE (1) DE19742751C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008036909A2 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Kemet Electronics Corporation Improved fluted anode with minimal density gradients and capacitor comprising same

Families Citing this family (122)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6322912B1 (en) * 1998-09-16 2001-11-27 Cabot Corporation Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide
US6191936B1 (en) * 1999-04-12 2001-02-20 Vishay Sprague, Inc. Capacitor having textured pellet and method for making same
US7274552B2 (en) * 2001-03-16 2007-09-25 Showa Denko K.K. Niobium for capacitor and capacitor using sintered body of the niobium
JP4015602B2 (ja) 2003-09-02 2007-11-28 ローム株式会社 固体電解コンデンサの製造方法、および製造装置
US7207103B2 (en) * 2003-12-08 2007-04-24 Kemet Electronics Corporation Powder compaction press for capacitor anodes
US7116548B2 (en) * 2004-04-23 2006-10-03 Kemet Electronics Corporation Fluted anode with minimal density gradients and capacitor comprising same
US7410509B2 (en) * 2005-01-19 2008-08-12 Greatbatch Ltd. Sputtered ruthenium oxide coatings in electrolytic capacitor
WO2007020464A1 (en) * 2005-08-19 2007-02-22 Avx Limited Solid state capacitors and method of manufacturing them
GB0517952D0 (en) * 2005-09-02 2005-10-12 Avx Ltd Method of forming anode bodies for solid state capacitors
US8717777B2 (en) 2005-11-17 2014-05-06 Avx Corporation Electrolytic capacitor with a thin film fuse
US8257463B2 (en) 2006-01-23 2012-09-04 Avx Corporation Capacitor anode formed from flake powder
US8241470B1 (en) * 2006-06-28 2012-08-14 Tantalum Pellet Company Method of anodizing
US7301754B1 (en) * 2006-04-27 2007-11-27 Tantalum Pellet Company Capacitor
US7468882B2 (en) * 2006-04-28 2008-12-23 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly
US7154742B1 (en) * 2006-05-10 2006-12-26 Kemet Electronics Corporation Fluted anode with improved capacitance and capacitor comprising same
JP2007311531A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Nichicon Corp 固体電解コンデンサ
US7280343B1 (en) * 2006-10-31 2007-10-09 Avx Corporation Low profile electrolytic capacitor assembly
US7532457B2 (en) 2007-01-15 2009-05-12 Avx Corporation Fused electrolytic capacitor assembly
US7554792B2 (en) 2007-03-20 2009-06-30 Avx Corporation Cathode coating for a wet electrolytic capacitor
US7649730B2 (en) 2007-03-20 2010-01-19 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a plurality of thin powder-formed anodes
US20080232032A1 (en) 2007-03-20 2008-09-25 Avx Corporation Anode for use in electrolytic capacitors
US7460356B2 (en) 2007-03-20 2008-12-02 Avx Corporation Neutral electrolyte for a wet electrolytic capacitor
US7460358B2 (en) 2007-03-21 2008-12-02 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a protective adhesive layer
US7515396B2 (en) 2007-03-21 2009-04-07 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a conductive polymer
US7483259B2 (en) 2007-03-21 2009-01-27 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a barrier layer
JP4911611B2 (ja) 2007-04-27 2012-04-04 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサ
US8057883B2 (en) * 2007-05-30 2011-11-15 Kemet Electronics Corporation Abrasive process for modifying corners, edges, and surfaces of capacitor anode bodies
US7658986B2 (en) * 2007-05-30 2010-02-09 Kemet Electronics Corporation Anodes with corner and edge modified designs
US7724502B2 (en) * 2007-09-04 2010-05-25 Avx Corporation Laser-welded solid electrolytic capacitor
US7760487B2 (en) 2007-10-22 2010-07-20 Avx Corporation Doped ceramic powder for use in forming capacitor anodes
US7852615B2 (en) 2008-01-22 2010-12-14 Avx Corporation Electrolytic capacitor anode treated with an organometallic compound
US7768773B2 (en) * 2008-01-22 2010-08-03 Avx Corporation Sintered anode pellet etched with an organic acid for use in an electrolytic capacitor
US7760488B2 (en) * 2008-01-22 2010-07-20 Avx Corporation Sintered anode pellet treated with a surfactant for use in an electrolytic capacitor
US7826200B2 (en) 2008-03-25 2010-11-02 Avx Corporation Electrolytic capacitor assembly containing a resettable fuse
US8094434B2 (en) 2008-04-01 2012-01-10 Avx Corporation Hermetically sealed capacitor assembly
US20090279233A1 (en) * 2008-05-12 2009-11-12 Yuri Freeman High volumetric efficiency anodes for electrolytic capacitors
US8199462B2 (en) * 2008-09-08 2012-06-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for embedding into a circuit board
CN102149294B (zh) * 2008-09-09 2016-08-24 株式会社Ndc 手套及其附件
US8023250B2 (en) 2008-09-12 2011-09-20 Avx Corporation Substrate for use in wet capacitors
US8344282B2 (en) 2008-09-24 2013-01-01 Avx Corporation Laser welding of electrolytic capacitors
US20100085685A1 (en) 2008-10-06 2010-04-08 Avx Corporation Capacitor Anode Formed From a Powder Containing Coarse Agglomerates and Fine Agglomerates
US8279585B2 (en) 2008-12-09 2012-10-02 Avx Corporation Cathode for use in a wet capacitor
US8075640B2 (en) 2009-01-22 2011-12-13 Avx Corporation Diced electrolytic capacitor assembly and method of production yielding improved volumetric efficiency
US8203827B2 (en) * 2009-02-20 2012-06-19 Avx Corporation Anode for a solid electrolytic capacitor containing a non-metallic surface treatment
GB2468942B (en) 2009-03-23 2014-02-19 Avx Corp High voltage electrolytic capacitors
US8223473B2 (en) 2009-03-23 2012-07-17 Avx Corporation Electrolytic capacitor containing a liquid electrolyte
US8405956B2 (en) * 2009-06-01 2013-03-26 Avx Corporation High voltage electrolytic capacitors
US8279583B2 (en) 2009-05-29 2012-10-02 Avx Corporation Anode for an electrolytic capacitor that contains individual components connected by a refractory metal paste
US8441777B2 (en) * 2009-05-29 2013-05-14 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with facedown terminations
US8199461B2 (en) 2009-05-29 2012-06-12 Avx Corporation Refractory metal paste for solid electrolytic capacitors
US8139344B2 (en) * 2009-09-10 2012-03-20 Avx Corporation Electrolytic capacitor assembly and method with recessed leadframe channel
US8194395B2 (en) 2009-10-08 2012-06-05 Avx Corporation Hermetically sealed capacitor assembly
US8125768B2 (en) 2009-10-23 2012-02-28 Avx Corporation External coating for a solid electrolytic capacitor
US8339771B2 (en) * 2010-02-19 2012-12-25 Avx Corporation Conductive adhesive for use in a solid electrolytic capacitor
US8619410B2 (en) 2010-06-23 2013-12-31 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use in high voltage applications
US8512422B2 (en) 2010-06-23 2013-08-20 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing an improved manganese oxide electrolyte
US8125769B2 (en) 2010-07-22 2012-02-28 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly with multiple cathode terminations
US8259436B2 (en) 2010-08-03 2012-09-04 Avx Corporation Mechanically robust solid electrolytic capacitor assembly
US8279584B2 (en) 2010-08-12 2012-10-02 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly
US9583273B2 (en) 2010-09-21 2017-02-28 Kemet Electronics Corporation Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing a solid electrolytic capacitor
JP5745632B2 (ja) 2010-09-21 2015-07-08 ケメット エレクトロニクス コーポレーション 固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサを製造する方法
US8199460B2 (en) 2010-09-27 2012-06-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with improved anode termination
US8824122B2 (en) 2010-11-01 2014-09-02 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use in high voltage and high temperature applications
US8355242B2 (en) 2010-11-12 2013-01-15 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor element
US8848342B2 (en) 2010-11-29 2014-09-30 Avx Corporation Multi-layered conductive polymer coatings for use in high voltage solid electrolytic capacitors
US8493713B2 (en) 2010-12-14 2013-07-23 Avx Corporation Conductive coating for use in electrolytic capacitors
US8576543B2 (en) 2010-12-14 2013-11-05 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a poly(3,4-ethylenedioxythiophene) quaternary onium salt
US8582278B2 (en) 2011-03-11 2013-11-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with improved mechanical stability
US8514550B2 (en) 2011-03-11 2013-08-20 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a cathode termination with a slot for an adhesive
US8451588B2 (en) 2011-03-11 2013-05-28 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a conductive coating formed from a colloidal dispersion
US8300387B1 (en) 2011-04-07 2012-10-30 Avx Corporation Hermetically sealed electrolytic capacitor with enhanced mechanical stability
US9767964B2 (en) 2011-04-07 2017-09-19 Avx Corporation Multi-anode solid electrolytic capacitor assembly
US8947857B2 (en) 2011-04-07 2015-02-03 Avx Corporation Manganese oxide capacitor for use in extreme environments
US8379372B2 (en) 2011-04-07 2013-02-19 Avx Corporation Housing configuration for a solid electrolytic capacitor
US9275799B2 (en) * 2011-12-20 2016-03-01 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing an improved anode
DE102013101443A1 (de) 2012-03-01 2013-09-05 Avx Corporation Ultrahigh voltage solid electrolytic capacitor
US8971019B2 (en) 2012-03-16 2015-03-03 Avx Corporation Wet capacitor cathode containing an alkyl-substituted poly(3,4-ethylenedioxythiophene)
JP2013219362A (ja) 2012-04-11 2013-10-24 Avx Corp 過酷な条件下で強化された機械的安定性を有する固体電解コンデンサ
US8760852B2 (en) 2012-04-24 2014-06-24 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing multiple sinter bonded anode leadwires
US8947858B2 (en) 2012-04-24 2015-02-03 Avx Corporation Crimped leadwire for improved contact with anodes of a solid electrolytic capacitor
US9776281B2 (en) 2012-05-30 2017-10-03 Avx Corporation Notched lead wire for a solid electrolytic capacitor
US8842419B2 (en) 2012-05-30 2014-09-23 Avx Corporation Notched lead tape for a solid electrolytic capacitor
GB2502703B (en) 2012-05-30 2016-09-21 Avx Corp Notched lead for a solid electrolytic capacitor
JP5933397B2 (ja) 2012-08-30 2016-06-08 エイヴィーエックス コーポレイション 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ
US8982536B2 (en) 2012-10-12 2015-03-17 Kemet Electronics Corporation Anode geometry with improved volumetric efficiency and improved ESR
JP6106418B2 (ja) * 2012-12-11 2017-03-29 日本ケミコン株式会社 電解コンデンサ
US9959979B2 (en) 2013-02-19 2018-05-01 Kemet Electronics Corporation Low ESR capacitor
US9324503B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor
US9240285B2 (en) 2013-04-29 2016-01-19 Avx Corporation Multi-notched anode for electrolytic capacitor
US9824826B2 (en) 2013-05-13 2017-11-21 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing conductive polymer particles
US9472350B2 (en) 2013-05-13 2016-10-18 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a multi-layered adhesion coating
US9892862B2 (en) 2013-05-13 2018-02-13 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a pre-coat layer
US9269499B2 (en) 2013-08-22 2016-02-23 Avx Corporation Thin wire/thick wire lead assembly for electrolytic capacitor
US9236193B2 (en) 2013-10-02 2016-01-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use under high temperature and humidity conditions
US9916935B2 (en) 2014-11-07 2018-03-13 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with increased volumetric efficiency
US9837216B2 (en) 2014-12-18 2017-12-05 Avx Corporation Carrier wire for solid electrolytic capacitors
US10297393B2 (en) 2015-03-13 2019-05-21 Avx Corporation Ultrahigh voltage capacitor assembly
US10014108B2 (en) 2015-03-13 2018-07-03 Avx Corporation Low profile multi-anode assembly
US9928963B2 (en) 2015-03-13 2018-03-27 Avx Corporation Thermally conductive encapsulant material for a capacitor assembly
US9754730B2 (en) 2015-03-13 2017-09-05 Avx Corporation Low profile multi-anode assembly in cylindrical housing
US9966196B2 (en) 2015-03-23 2018-05-08 Avx Corporation Tantalum embedded microchip
US9905368B2 (en) 2015-08-04 2018-02-27 Avx Corporation Multiple leadwires using carrier wire for low ESR electrolytic capacitors
US9842704B2 (en) 2015-08-04 2017-12-12 Avx Corporation Low ESR anode lead tape for a solid electrolytic capacitor
US9545008B1 (en) 2016-03-24 2017-01-10 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for embedding into a circuit board
US9907176B2 (en) 2016-03-28 2018-02-27 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor module with improved planarity
US10431389B2 (en) 2016-11-14 2019-10-01 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for high voltage environments
EP3570999A4 (de) * 2017-01-17 2020-06-17 Kemet Electronics Corporation Verbesserter draht zur anodenverbindung
US11929215B2 (en) 2017-01-17 2024-03-12 Kemet Electronics Corporation Wire to anode connection
US11177077B2 (en) * 2017-10-31 2021-11-16 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Electrolytic capacitor and method for manufacturing same
US11257629B2 (en) 2018-02-12 2022-02-22 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor for a tantalum embedded microchip
US11081288B1 (en) 2018-08-10 2021-08-03 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor having a reduced anomalous charging characteristic
US11222754B2 (en) 2018-11-19 2022-01-11 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor for a tantalum embedded microchip
US11380492B1 (en) 2018-12-11 2022-07-05 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor
JP7382605B2 (ja) * 2018-12-28 2023-11-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 成型体を製造するための金型、製造装置ならびに製造方法
DE102019106677A1 (de) 2019-03-15 2020-09-17 Biotronik Se & Co. Kg Elektrodenelement für einen Energiespeicher, Energiespeicher und Verfahren zur Herstellung eines Elektrodenelements
US11270847B1 (en) 2019-05-17 2022-03-08 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor with improved leakage current
DE112020002428T5 (de) 2019-05-17 2022-01-27 Avx Corporation Festelektrolytkondensator
US11756742B1 (en) 2019-12-10 2023-09-12 KYOCERA AVX Components Corporation Tantalum capacitor with improved leakage current stability at high temperatures
US11217397B2 (en) 2020-01-17 2022-01-04 Greatbatch Ltd. Segmented conformal anode for a capacitor
US11763998B1 (en) 2020-06-03 2023-09-19 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor
CN115917687A (zh) * 2020-07-07 2023-04-04 松下知识产权经营株式会社 固体电解电容器元件和固体电解电容器及其制造方法
US11676769B2 (en) * 2021-09-14 2023-06-13 Kemet Electronics Corporation Multi-directional and multi-channel anode for enhancement of capacitor performance

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2042283A (en) * 1932-03-09 1936-05-26 Rca Corp Electrolytic condenser
US3345545A (en) * 1964-11-27 1967-10-03 Johnson Matthey & Mallory Ltd Solid electrolytic capacitor having minimum anode impedance
US5483415A (en) * 1993-02-26 1996-01-09 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor and method of making the same
JP3150244B2 (ja) * 1993-07-09 2001-03-26 ローム株式会社 固体電解コンデンサにおけるコンデンサ素子の構造

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 08031700 A.,In: Patent Abstracts of Japan *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008036909A2 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Kemet Electronics Corporation Improved fluted anode with minimal density gradients and capacitor comprising same
WO2008036909A3 (en) * 2006-09-21 2008-06-19 Kemet Electronics Corp Improved fluted anode with minimal density gradients and capacitor comprising same

Also Published As

Publication number Publication date
DE19742751C2 (de) 2000-12-07
JPH10106897A (ja) 1998-04-24
JP3863232B2 (ja) 2006-12-27
US5949639A (en) 1999-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19742751C2 (de) Kapazitives Element für einen Trockenelektrolytkondensator sowie Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE60015141T2 (de) Herstellungsverfahren von festelektrolytkondensatoren
DE69006798T2 (de) Elektrischer Doppelschichtkondensator.
EP1208573B1 (de) Anode für elektrolytkondensatoren, elektrolyt-kondensator und verfahren zur herstellung der anode
DE4020556A1 (de) Verbesserter tantalkondensator und verfahren zu seiner herstellung
DE2159530C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE69923427T2 (de) Ic karte, ic karten antenne und antennengestell
DE19742793C2 (de) Kapazitives Element (Anodenkörper) für einen Trockenelektrolytkondensator
DE3511723C2 (de)
DE1104584B (de) Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kabelschuhes, der Kabelschuh selbst und Verbindung mittels dieses Kabelschuhes
DE1279799B (de) Verfahren zum Herstellen eines Isolierkoerpers mit nach aussen fuehrenden Anschluessen
DE2312337A1 (de) Verfahren zur herstellung trockener aluminiumkondensatoren, sowie gemaess diesem verfahren hergestellte kondensatoren
DE4414101B4 (de) Kondensatorelement für einen Trockenelektrolytkondensator und Preßvorrichtung sowie Verfahren zum Herstellen des Kondensators
DE2835022C2 (de) Anodenkörper für einen Festelektrolytkondensator
DE1298629B (de) Elektrischer Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69515986T2 (de) Verfahren zum dichten der dampfkammer eines bügeleisens
DE4314329C2 (de) Schleifkontakt für Elektromotoren und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2919851A1 (de) Elektrischer kontakt und insbesondere verfahren zu seiner herstellung
DE1952636C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einem Schottky-Kontakt
WO2006105766A1 (de) Anode für einen festelektrolytkondensator
DE2815890A1 (de) Elektrischer verbinderkontakt fuer den anschluss eines isolierten leiters
DE2402122A1 (de) Fester elektrolytkondensator
DE2555709C2 (de) Leiterkralle an elektrischen Crimpverbindern sowie Verfahren und Vorrichtung zu ihrer Formgebung
DE68916452T2 (de) Elektrolytischer Wickelkondensator.
DE2003423C3 (de) Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen

Legal Events

Date Code Title Description
OR8 Request for search as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8105 Search report available
8125 Change of the main classification

Ipc: H01G 9/052

8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: GROSSE, BOCKHORNI, SCHUMACHER, 45133 ESSEN

8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: GROSSE, SCHUMACHER, KNAUER, VON HIRSCHHAUSEN, 4513

8339 Ceased/non-payment of the annual fee