DE19730742A1 - Verfahren zur Herstellung eines Werkstoffes, Formkörpern aus diesem Werkstoff und deren Verwendung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Werkstoffes, Formkörpern aus diesem Werkstoff und deren Verwendung

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Si-enthaltenden nichtoxidischen keramischen Werkstoffes, Verfahren zur Herstellung von Formkör­ pern aus diesem Werkstoff und die Verwendung des Werkstoffes.
Nichtoxidische, Silizium enthaltende Keramikwerkstof­ fe zeichnen sich normalerweise durch relativ kleine Dichten, hohe Härte, hohe chemische und thermische Beständigkeit und weiter dadurch aus, daß sie in wei­ ten Grenzen gegenüber hohen Temperaturen stabil sind. Bei ihnen ist es in relativ weiten Grenzen möglich, bestimmte Eigenschaften, wie Wärme- oder elektrische Leitfähigkeit zu beeinflussen, so daß sie für die verschiedensten Anwendungen in der Technik geeignet sind.
Bauteile aus solchen keramischen Werkstoffen werden bekanntermaßen in einer Pulvertechnologie herge­ stellt, wobei die Bindung der einzelnen Pulverkörner durch verschiedene Möglichkeiten erreicht werden kann, die wiederum Einfluß auf die Eigenschaften des letztendlichen Werkstoffes haben. Solche Bauteile werden in der Regel durch herkömmliche Sinterverfah­ ren hergestellt, wobei das Sintern bei den bisher bekannten Verfahren ohne Sinterhilfsmittel nicht durchgeführt werden kann. Dies ist beispielsweise für Siliziumcarbidkeramik von J. Kriegesmann in Techni­ sche Keramische Werkstoffe, Kapitel 4.3.2.0 "Silizi­ umcarbidkeramik", herausgegeben von Prof. J. Krieges­ mann, Deutscher Wirtschaftsdienst, erklärt worden.
Die bisher üblicherweise verwendeten verschiedenen Sinterverfahren haben jedoch wesentliche Nachteile, die einmal einen hohen Aufwand bei der Verfahrensfüh­ rung mit entsprechend hohen Temperaturen bedingen und zum anderen bestimmte Formen für Bauteile nicht rea­ lisiert werden können. Ganz besonders negativ wirkt sich die relativ hohe Schwindung des Werkstoffes nach dem Sintern aus, die nicht in jedem Fall ausreichend berücksichtigt bzw. kompensiert werden kann. Diesen Nachteilen konnte in der Vergangenheit durch die Her­ stellung von beispielsweise Siliziuminfiltriertem SiC (SiSiC) entgegen getreten werden. Dabei erfolgt die Bindung beim pulverförmigen Ausgangsmaterial beim Infiltrieren bei relativ niedrigeren Temperaturen (ca. 1600°C) über ein Sekundär-SiC. Ein so herge­ stellter Werkstoff weist nahezu keine Schwindung mehr auf. Die unterste Temperaturgrenze für die Infiltra­ tion wird durch den Schmelzpunkt von Silizium, der bei 1410°C liegt, vorgegeben.
Eine SiSic-Keramik kann auf zwei verschiedenen Wegen hergestellt werden.
Dabei ist es einmal möglich, eine Mischung von minde­ stens einem SiC-Pulver und einer weiteren kohlen­ stoffhaltigen Verbindung zu verwenden. Die kohlen­ stoffhaltige Verbindung sichert die Grünfestigkeit und mittels eines zwischengeschalteten Pyrolyse­ schrittes wird dieser Kohlenstoff in elementaren Koh­ lenstoff umgewandelt. Im Anschluß daran wird dieser elementare Kohlenstoff wiederum mit einer Reaktion mit dem flüssigen oder gasförmigen Silizium zu Sekun­ där-SiC umgewandelt und die verbliebenen Poren mit Silizium gefüllt. Dabei kann der Siliziumanteil im fertigen Werkstoff im Bereich zwischen 8 bis 15 Mas­ se-% liegen, wie dies von P. Popper, Reaction-Sinte­ ring with Spezial Reference to Non-Oxid Ceramics, in Trans. VII. Intern. Ceram. Congr., London, 1960, Sei­ ten 451 bis 460 beschrieben worden ist. Der hierbei erforderliche zusätzliche Pyrolyseschritt erhöht den technologischen Aufwand und es müssen außerdem gebil­ dete Abprodukte beseitigt werden (K. Berroth, Her­ stellung von großen komplexen Bauteilen aus SiSiC durch Schlickerguß, Pulvertechnologische Wege in die Zukunft, 1995, Band 11, Seiten 243 bis 249).
Die zweite bekannte Möglichkeit besteht darin, rekri­ stallisiertes RSiC mit Silizium zu infiltrieren. Hierfür sind jedoch Temperaturen im Bereich von ca. 2200°C für die Rekristallisation erforderlich und es können nicht beliebige Formen hergestellt werden, so daß eine sinnvolle technische Nutzung dieses Verfah­ rens bisher nicht bekannt sind. In jüngster Vergan­ genheit wurden neue Verfahren zur Herstellung von Formkörpern vorgestellt, bei denen diese generativ, d. h. schrittweise, selbsttragend aufgebaut werden. Hierfür wird bevorzugt das in US 4,863,538 und in US 5,182,170 beschriebene selektive Lasersintern verwen­ det. Dort ist auch darauf hingewiesen worden, daß als Ausgangspulver für die generativ hergestellten Bau­ teile auch verschiedene Keramiken eingesetzt werden können.
Dabei wird insbesondere in US 5,182,170 auf den Ein­ fluß verschiedener Atmosphären während des selektiven Lasersinterns hingewiesen, wobei jedoch kein konkre­ tes keramisches Ausgangsmaterial bezeichnet worden ist. Dabei sollen nach der dort beschriebenen Lehre das keramische pulverförmige Ausgangsmaterial in Ver­ bindung mit mindestens einer zusätzlichen Material­ komponente eingesetzt werden.
Nach dem aus US 5,182,170 bekannten Verfahren bildet sich eine Bindephase, die dann Bestandteil des Werk­ stoffes wird und demzufolge dessen eigentlichen Ei­ genschaften maßgeblich bestimmt.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren vorzugeben, mit dem keramische Werkstoffe oder aus diesem gebildete Formkörper aus nichtoxidischen, Si­ lizium enthaltenden Pulvern hergestellt werden kön­ nen, das einen geringen Herstellungsaufwand bedingt, eine große Formenvielfalt ermöglicht und eine breite Verwendungsvielfalt garantiert.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestal­ tungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich mit Anwendung der in den untergeordneten Ansprü­ chen genannten Merkmale.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird ein Silizium enthaltender nichtoxidischer Keramikwerkstoff aus einem homogenen Pulver einer nichtoxidischen Silizi­ umverbindung oder reinem Silizium einer Wärmebehand­ lung bei Temperaturen von mindestens 800°C in einer oxidierenden Atmosphäre unterzogen. Dabei kann dieses Pulver mit einem bekannten Formgebungsverfahren in Form eines Grünkörpers gebracht oder als Schicht auf ein Substrat aufgebracht werden. Die Wärmebehandlung kann auf herkömmliche Weise in einem Ofen durchge­ führt oder durch gezielte relativ kurzzeitige lokale Erwärmung mit einem Strahl hoher Intensität, wie z. B. einem Laserstrahl, lokal differenziert, für bestimmte Bereiche schichtweise einen generativ zu erzeugenden Schichtaufbau erreichend durchgeführt werden oder der Laserstrahl im Nachgang über die Oberfläche des Grün­ körpers oder des Schichtaufbaus geführt wird. Dabei bietet sich insbesondere das aus dem Stand der Tech­ nik bekannte selektive Lasersintern an. Mit diesem Verfahren können neben einfachen Schichtaufbauten auch relativ kompliziert konturierte Formkörper schichtweise aufgebaut werden, wobei auch Überhänge und innere Hohlräume in den verschiedensten Formen und Konturen herstellbar sind.
Als Ausgangsmaterial können homogene Si, SiC oder Si3N4-Pulver, d. h. Pulver ohne Zusätze und Verunreini­ gungen verwendet werden.
Bei der bereits beschriebenen Wärmebehandlung bildet sich zwischen den Pulverkörnern eine temporäre Binde­ phase über die Reaktion der Oberfläche mit atmosphä­ ren Bestandteilen aus, wobei die Wärmebehandlung in einer Atmosphäre aus Luft oder einem Argon-Luftge­ misch durchgeführt werden kann. Die ausgebildete tem­ poräre Bindephase garantiert dann bei bereits sehr kleinen Gehalten eine verhältnismäßig hohe Festigkeit und es entstehen bei dieser Behandlung nahezu keine unerwünschten Abprodukte. Die temporäre Bindephase kann Silizium und/oder Verbindungen aus dem System Si-O-N sein, die sich in situ ausbilden. Sie entsteht durch Oxidation der Kornoberfläche und Verdampfungs- und Kondensationsprozesse. Nach der Wärmebehandlung verfügt das Bauteil bzw. der Schichtaufbau über eine ausreichende Grünfestigkeit für eine eventuell erfor­ derliche Nachbehandlung oder der Werkstoff kann be­ reits in dieser Form für verschiedene Applikationen eingesetzt werden. Wegen der relativ hohen Porosität des Werkstoffes ist eine Verwendung als Filtermateri­ al denkbar. Wird der Werkstoff aus SiC hergestellt, kann wegen der elektrischen Leitfähigkeit durch Anle­ gen eines elektrischen Feldes auch ein elektrostati­ scher Filter erhalten werden.
Wird der Grünkörper oder die Schicht aus reinem Sili­ zium hergestellt, wird dieses vor der weiteren Be­ handlung in einer Stickstoffatmosphäre bei Temperatu­ ren von 1350 bis 1450°C, zumindest teilweise in Si3N4 umgewandelt.
Das zu verwendende Pulver sollte eine mittlere Kör­ nung im Bereich zwischen 1 und 250 µm, bevorzugt zwi­ schen 10 und 100 µm aufweisen. Wird ein Grünkörper oder ein Schichtaufbau mit dem selektiven Lasersin­ tern erzeugt, ist es günstig die mittlere Körnung des verwendeten Pulvers kleiner als die Dicke der Schicht, mit der das Pulver vor jeder Laserbehandlung aufgetragen wird, gewählt wird.
Vorteilhaft ist es, den, wie beschrieben, erhaltenen Grünkörper oder eine solche Schicht im Nachgang mit einem Metall zu infiltrieren. Bei dem auszuwählenden Metall für die Infiltrierung ist ein gewisses Maß an Benetzungsvermögen des vorab erhaltenen Werkstoffes erforderlich, so daß eine Infiltration z. B. mit Alu­ minium möglich ist, wobei die Infiltration durch ei­ nen zusätzlichen Druckeinfluß, mit dem das Metall in den Werkstoff gepreßt wird, unterstützt werden kann.
Ganz besonders vorteilhaft ist eine Infiltration mit Silizium, die bei Temperaturen zwischen 1410 und 1800°C, bevorzugt bei 1600°C durchgeführt werden kann. Bei der Infiltration von Si3N4 sollte diese ebenfalls druckunterstützt erfolgen.
Es hat sich überraschend herausgestellt, daß hier­ durch der Siliziumgehalt in einer nichtoxidischen Keramik im Bereich zwischen 5 und 50 Masse-% ein­ stellbar ist, wobei die Siliziumgehalte oberhalb 20 Masse-% bei solchen Keramikwerkstoffen, die auf her­ kömmliche Art und Weise hergestellt worden sind, bis­ her nicht erhalten werden konnten. Nach der Infiltra­ tion hat der Werkstoff eine wesentlich höhere Festig­ keit und es können nahezu alle Poren im vorher porö­ sen Ausgangswerkstoff geschlossen werden. Durch Ein­ stellung des Siliziumgehaltes kann gezielt Einfluß auf die gewünschten Eigenschaften des Werkstoffes genommen werden. Dies betrifft im Wesentlichen Wärme- und elektrische Leitfähigkeit sowie die Dichte und demzufolge auch die Masse des Werkstoffes.
Die Infiltration soll bevorzugt im Vakuum durchge­ führt werden. Wird der erfindungsgemäße Werkstoff durch selektives Lasersintern als Grünkörper oder als Schichtaufbau hergestellt, kann bevorzugt ein CO2-La­ ser, der einen Lichtstrahl bei einer Wellenlänge von 10,6 µm aussendet, eingesetzt werden, da das Aus­ gangspulver bei dieser Wellenlänge einen hohen Ab­ sorptionsgrad aufweist und nur ein geringer Anteil reflektiert wird. Mit dem selektiven Lasersintern kann eine Schicht, die auch aus mehreren Lagen beste­ hen kann, auf einem metallischen Substrat aufgebracht werden, die im Nachgang dann ebenfalls mit bevorzugt Silizium infiltriert wird, so daß das metallische Substrat mit einer Schutzschicht versehen werden kann. Dabei entstehen keine Probleme, soweit Substra­ te aus einem Metall verwendet werden, die eine Schmelztemperatur oberhalb der Schmelztemperatur des Siliziums aufweisen. Hat das verwendete Substrat je­ doch eine Schmelztemperatur unterhalb der Schmelztem­ peratur des Siliziums, so kann die Infiltration bei gleichzeitiger Kühlung des metallischen Substrates durchgeführt werden.
Günstig ist es außerdem, wenn als Substrat reines Silizium verwendet wird, so daß der Grünkörper oder ein Schichtaufbau direkt auf einem Silizium-Wafer ausgebildet werden kann. Dies hat den Vorteil, daß das ganze Gebilde in einen evakuierbaren Ofen gegeben und nach Aufheizung das geschmolzene Silizium des Substrates zur Infiltration ausgenutzt werden kann, so daß kein zusätzlicher Aufwand für das Lösen des beim selektiven Lasersintern hergestellten Grünkör­ pers von einer Grundplatte, auf der der Grünkörper generativ schichtweise hergestellt worden ist, erfor­ derlich ist.
Nach dem Stand der Technik werden bisher üblicherwei­ se Stützkonstruktionenen auf der Grundplatte durch selektives Lasersintern hergestellt, auf denen dann der Aufbau des Grünkörpers erfolgt und dieser Grün­ körper dann nach Trennen der Stützkonstruktionen von der Grundplatte abgenommen werden kann, wobei an den Stellen der ursprünglichen Stützkonstruktion eine mechanische Nachbearbeitung in aufwendiger Form er­ forderlich ist, die bei der beschriebenen Verwendung von Silizium-Wafern entfallen kann.
Der für das selektive Lasersintern verwendete CO2-Laser hat vorzugsweise eine Leistung zwischen 45 und 60 W, wobei sein Strahl auf einen Strahldurchmesser zwischen 0,3 und 0,6 mm fokussiert werden sollte. Der Laserstrahl wird in bekannter Weise mit einem X-Y-Scanner mit einer Geschwindigkeit zwischen 200 und 300 mm/s bewegt. Dabei ist es günstig, die Laserlei­ stung und/oder den Laserstrahl so einzustellen, daß die Körner des homogenen Ausgangspulvers zumindest teilweise zertrümmert werden, so daß zu der Bindung mit den temporären Bindephasen auch ein Anteil mecha­ nischer Bindung durch Verzahnung der Pulverkörner hinzu kommt.
Als besonders günstig, bei dem erfindungsgemäß herge­ stellten Werkststoff, hat sich herausgestellt, daß die temporären Bindephasen bei der nachfolgenden In­ filtration in Bestandteile des Werkstoffes umgewan­ delt werden und nicht wie dies bei den bekannten Ver­ fahren der Fall ist, als Abprodukte anfallen.
Außerdem können Bauteile oder Schichten aus nichtoxi­ dischen, Silizium enthaltenden Ausgangsmaterialien hergestellt werden, bei denen keine Sinterhilfsmittel erforderlich sind und die während des gesamten Her­ stellungsprozesses nahezu keiner Schwindung unterlie­ gen.
Die Verfahrensführung kann weiter dahingehend ergänzt werden, daß dem Grünkörper oder der Schicht vor der Infiltration Kohlenstoff zugegeben wird. Dies kann beispielsweise durch Tränken mit einem thermoreakti­ ven Kunststoff erfolgen. Dies führt dazu, daß während der Infiltration bei Siliziumcarbid als Ausgangspul­ ver sekundäres Siliciumcarbid gebildet wird, ohne daß die aus dem Stand der Technik (RSiC) bekannten Nach­ teile auftreten.
Nach der Erfindung können aber auch größere oder kom­ pliziertere Formkörper aus mehreren Grün- oder Form­ körpern hergestellt werden, wenn diese zumindest teilweise mit einem Auftrag einen Suspension des Si­ lizium enthaltenden Pulvers auf den miteinander zu Verbindenden Oberflächenbereichen Versehen, diese Oberflächenbereiche dann miteinander in Kontakt ge­ bracht werden und in dieser Stellung die Infiltration durchgeführt wird, so daß eine dauerhafte Verbindung der Grün- oder Formkörper erhalten werden kann, wobei in der Regel auf eine Nachbearbeitung der Nahtstellen zwischen den miteinander verbundenen Grün- oder Form­ körpern verzichtet werden kann.
Nach der Infiltration kann der Werkstoff eine Dichte aufweisen, die oberhalb 99% der theoretischen Dichte beträgt.
Die letztendliche Dichte des Werkstoffes kann ent­ sprechend des Siliziumanteils zwischen der Ausgangs­ dichte des Verwendeten homogenen Pulvers und der Dichte des Siliziums eingestellt werden. Dadurch kann in weiten Grenzen die Masse und Festigkeit eines aus dem erfindungsgemäßen Werkstoff hergestellten Bautei­ les beeinflußt werden.
Nachfolgend soll die Erfindung an Ausführungsbeispie­ len beschrieben werden:
Beispiel 1
Für die Herstellung von prismatischen Vollkörpern mit Abmessungen 6×6×50 mm (Biegebruchstab) wird han­ delsübliches, reines SiC-Pulver mit einer Dichte von 3,21 g/cm3 verwendet, das eine mittlere Korngröße von 23 µm aufweist und gut rieselfähig ist. Dieses Pulver wird als Pulverbett mit einer Schichtdicke von 50 µm aufgebracht, wobei eine Bauplattform aus gestrahltem Stahl mit RZ = 30 µm verwendet wird.
Die so aufgebrachte Schicht wird mit einem CO2-Laser mit einer Leistung zwischen 45 und 60 W bestrahlt, wobei der Laserstrahl auf 0,3 bis 0,6 mm Strahldurch­ messer fokussiert wird. Der Laserstrahl wird mit ei­ ner Geschwindigkeit zwischen 200 und 300 mm/s abge­ lenkt und vorzugsweise kreuzweise über die Oberfläche der Schicht geführt. Dabei kann der Laserstrahl ge­ zielt abgelenkt werden, so daß der Sintervorgang des SiC-Pulvers lokal differenziert durchgeführt wird, wie dies vom selektiven Lasersintern her bekannt ist. Dabei ist es sehr günstig, den Laserstrahl so zu steuern, daß keine größeren Flächenbereiche hinter­ einander nachfolgend gesintert werden und kleinere Flächenbereiche, die voneinander beabstandet sind, nacheinander sprungweise bestrahlt werden. Dadurch können nahezu gleiche Sinterbedingungen in einer Schicht erreicht werden, da die kleinen lokal gesin­ terten Bereiche relativ schnell abkühlen und das Sin­ tern bei nahezu konstanten Temperaturen auf der ge­ samten Schichtoberfläche erfolgt. Das selektive La­ sersintern wird bei atmosphären Bedingungen durchge­ führt, so daß in der Umgebung normale Luft vorhanden ist. Mittels dem selektiven Lasersintern kann dann ein nahezu beliebig geformter Formkörper aufgebaut werden, der keine Gefügefehler (Risse, Delaminatio­ nen, Verformungen) aufweist und dessen geometrische Abweichungen kleiner als 0,1 mm von der Vorgabe sind, wobei diese Abweichungen durch Verbesserungen der Software noch verkleinert werden können.
Der so aufgebaute Formkörper hat eine ausreichende Grünfestigkeit und kann im Nachgang mit Silizium in­ filtriert werden, wobei die Infiltration vorzugsweise ohne Ausheizen in einem Vakuumofen bei 1600°C durch­ geführt werden kann.
Die so erhaltenen Körper haben eine Dichte von 2,65 g/cm3 und sind porenfrei infiltriert. Im Werkstoff hat sich eine ausgeprägte Schichtstruktur ausgebil­ det. Die so hergestellten Biegebruchstäbe haben eine Biegebruchfestigkeit von ca. 195 MPa und einen E-Mo­ dul von ca. 225 GPa.
2. Beispiel
Hierbei wurden dünnwandige sechseckige Hohlprismen mit einem offenen Boden und einer geschlossenen Deck­ schicht mit einer Kantenlänge von 15 mm, einer Wand­ stärke von 1,5 mm und einer Deckschichtdicke von 3 mm hergestellt.
Die Herstellung der Hohlprismen erfolgte, wie beim Beispiel 1 beschrieben, wobei jedoch die Laserlei­ stung auf 45 W und die Ablenkgeschwindigkeit des La­ serstrahles bei 200 mm/s gehalten worden ist.
Die Prismen hatten eine sehr gute Maßhaltigkeit, ent­ sprachen der gewünschten Form und konnten im Nachgang gut bearbeitet werden, wobei die Deckschicht nach dem Infiltrieren durch eine mechanische Nachbearbeitung (Schleifen, Läppen und Polieren) auf eine mittlere Rauhtiefe von Ra ≦ 10 nm geglättet worden ist.

Claims (23)

1. Verfahren zur Herstellung eines Silizium enthal­ tenden nichtoxidischen Keramikwerkstoffes, bei dem ein aus einem homogenen Pulver einer nichtoxidischen Siliziumverbindung oder reinem Silizium geformter Grünkörper oder eine solche Schicht in oxidierender Atmosphäre einer Wärme­ behandlung bei Temperaturen von mindestens 800°C unterzogen wird und/oder ein Wärmeeintrag mit einem abgelenkten Laserstrahl erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Grünkörper oder die Schicht nach der Wärmebehandlung mit einem Metall infiltriert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Grünkörper oder die Schicht mit Silizium infiltriert wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Infiltration bei Temperaturen zwischen 1410 und 1800°C durchge­ führt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 oder, dadurch gekennzeichnet, daß die Infiltration im Vakuum durchgeführt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall oder Si­ lizium beim Infiltrieren in den Grünkörper oder die Schicht eingepreßt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Grünkörper oder die Schicht aus reinem Silizium einer Stick­ stoffatmosphäre ausgesetzt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein SiC-Pulver oder ein Si3N4-Pulver verwendet wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein Pulver mit einer mittleren Körnung zwischen 1 und 250 µm verwen­ det wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß im fertigen Werk­ stoff ein Si-Gehalt zwischen 5 und 50 Masse-% eingestellt wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Grünkörper durch schichtweises selektives Lasersintern herge­ stellt wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht auf ein metallisches oder keramisches Substrat durch selektives Lasersintern aufgebracht wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht auf ein Siliziumsubstrat aufgebracht oder der Grünkörper dort generativ aufgebaut wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Laserprozeßpara­ meter so eingestellt werden, daß die Pulverkör­ ner zumindest teilweise zertrümmert werden.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Wärmebehand­ lung in oxidierender Atmosphäre zwischen den Pulverkörnern temporäre Bindephasen aus Silizium und/oder dem System Si-O-N in situ erzeugt und bei der Infiltration wieder gelöst werden.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß temporäre Bindepha­ sen in Bestandteile des Werkstoffes umgewandelt werden.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß dem Grünkörper oder der Schicht vor der Infiltration Kohlenstoff zugegeben wird.
18. Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers aus einem Werkstoff, hergestellt mit einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Formkörper schichtweise durch selektives Lasersintern her­ gestellt wird.
19. Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers aus einem Werkstoff, hergestellt mit einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß ein Grünkörper aus einer Suspension des Si-enthaltenden Pulvers vorgeformt und im Anschluß daran einer Wärmebe­ handlung unterzogen wird.
20. Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers nach Anspruch 18 oder 19, daß mehrere Grün- oder Formkörper durch zumin­ dest teilweisen Auftrag einer Suspension des Si-ent­ haltenden Pulvers auf zu fügende Oberflächen­ bereiche, diese Oberflächenbereiche miteinander in Kontakt gebracht und anschließend diese Ober­ flächenbereiche der Formkörper bei der Infiltra­ tion miteinander verbunden werden.
21. Verwendung des nach Anspruch 1 hergestellten Werkstoffes als Filtermaterial.
22. Verwendung des nach Anspruch 1 hergestellten Werkstoffes durch Anlegen eines elektrischen Feldes als elektrostatischer Filter.
23. Verwendung des nach einem der Ansprüche 1 bis 17 hergestellten Werkstoffes als Schutzschicht auf metallischen Substraten.
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