DE19726839A1 - Halbleitersensor - Google Patents

Halbleitersensor

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Halbleitersensor wie bei­ spielsweise einen Drucksensor, Beschleunigungssensor und der­ gleichen.
In den letzten Jahren sind zahlreiche Arten von Halbleitersenso­ ren aufgrund eines Fortschrittes einer Technologie zum Herstel­ len von integrierten Schaltungsbausteinen zu einer Herstellung auf einem Halbleitersubstrat gekommen. Fig. 7 ist eine Modellan­ sicht eines herkömmlichen Halbleitersensors zum Erfassen einer Beschleunigung, wobei der Sensor durch Preßspritzformen herge­ stellt ist. Der in Fig. 7 gezeigte Halbleitersensor kann herge­ stellt werden, indem ein Halbleitersensorchip 1 auf ein Einsatz­ trägerteil 3 eines Anschlußrahmens geklebt wird und eine (nicht gezeigte) Elektrode auf dem Halbleiterchip 1 mit einem Anschluß­ teil 4 an dem Anschlußrahmen mittels eines Bonddrahts 2 verbun­ den wird, und indem anschließend eine Kunstharzmasse 5 durch Preßspritzformen ausgeformt wird. Für den Fall, daß ein Halblei­ tersensor einen Druck anstelle der Beschleunigung erfassen soll, ist der Halbleitersensor gebildet, indem ein Loch zum Einführen eines Außenluftdrucks unmittelbar auf den Halbleiterchip 1 beim Aufbau des in Fig. 7 gezeigten Halbleitersensors in der Kunst­ harzmasse 5 vorgesehen wird.
Der herkömmliche Halbleitersensor zum Erfassen des herkömmlichen Drucks oder der Beschleunigung hat ein Problem, das darin be­ steht, daß, da der Halbleitersensorchip 1 direkt mit der Kunst­ harzmasse 5 überzogen wird, eine thermische Spannung zwischen der Kunstharzmasse 5 und dem Halbleitersensorchip 1 aufgrund ei­ nes Unterschieds der thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwi­ schen dem Halbleitersensorchip 1 und der Kunstharzmasse 5 bei einer Veränderung der Umgebungstemperatur des Halbleitersensors erzeugt wird. Folglich wird eine zusätzliche Spannung auf den Halbleiterchip aufgebracht, die sich von der Verschiebung unter­ scheidet, die durch den Druck und die Beschleunigungsgeschwin­ digkeit hervorgerufen wird, welche zu erfassen sind. Daher ver­ schlechtert sich die Erfassungseigenschaft des Halbleitersensors und die Temperatureigenschaft verschlechtert sich.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Halbleitersensor mit einer guten Temperatureigenschaft zu schaffen, wobei der Sensor dazu in der Lage ist, die Verschlechterung der Eigen­ schaft zum Zeitpunkt der Veränderung der Umgebungstemperatur zu verhindern.
Es wurde herausgefunden, daß die vorstehende Aufgabe mittels ei­ nes Aufbaus gelöst werden kann, der eine Spannung herabsenken kann, die in dem Halbleiterchip als Folge des thermischen Schrumpfens und Aufweitens des Kunstharzes hervorgerufen wird.
Erfindungsgemäß ist ein Halbleitersensor mit folgenden Bauteilen geschaffen:
einem Halbleiterchip, der ungefähr in der Mitte eines Einsatz­ trägers eines Anschlußrahmens vorgesehen ist, um einen Versatz­ betrag entsprechend einem Druck oder einer Beschleunigung zu er­ fassen und um den Versatzbetrag aus zugeben, in dem der Versatz­ betrag in ein elektrisches Signal umgewandelt wird;
einer Kunstharzmasse, die so ausgeformt ist, daß sie den Halb­ leiterchip bedeckt,
wobei ein Dämpfermaterialring auf dem Einsatzträger vorgesehen ist, um den Umfang des Halbleitersensorchips zu umgeben, wodurch eine Spannung, die durch thermisches Schrumpfen (Aufweiten) der Kunstharzmasse hervorgerufen wird, daran gehindert wird, auf den Halbleiterchip seitlich aufgebracht zu werden.
Des weiteren ist es beim Halbleitersensorchip der vorliegenden Erfindung vorzuziehen, daß die Oberfläche des vorstehend genann­ ten Halbleitersensorchips mit einem Kunstharz überzogen ist, um die Oberfläche des Halbleitersensorchips zu schützen.
Des weiteren kann bei dem Halbleitersensor der vorliegenden Er­ findung die vorstehend genannte Kunstharzmasse in einer derarti­ gen Weise ausgeformt sein, daß ein offener Teil unmittelbar un­ ter dem vorstehend erwähnten Halbleitersensorchip ausgebildet wird, um die durch die Kunstharzmasse hervorgerufene Spannung zu schwächen.
Des weiteren kann bei dem Halbleitersensor der vorliegenden Er­ findung der Halbleitersensor weiterhin so zusammengesetzt sein, daß er den externen Luftdruck bezüglich einem Bezugsdruck erfas­ sen kann, indem ein Loch zum Einführen eines externen Luftdruc­ kes, das in der Kunstharzmasse, die unmittelbar auf dem Halblei­ terchip liegt, ausgebildet wird, und ein Loch vorgesehen wird, das auf einem Einsatzträger ausgebildet ist, dessen Oberfläche dem offenen Teil ausgesetzt ist, wobei das Loch dazu dient, ei­ nen Luftdruck einzuführen, der als Bezug dient.
Des weiteren ist es bei dem Halbleitersensor der vorliegenden Erfindung vorzuziehen, daß eine Dämpferlage zwischen dem vorste­ hend erwähnten Einsatzträger und der vorstehend erwähnten Kunst­ harzmasse vorgesehen ist.
Des weiteren ist es bei dem Halbleitersensor der vorliegenden Erfindung weiterhin möglich, daß der vorstehend erwähnte Ein­ satzträger und der vorstehend erwähnte Halbleitersensorchip mit einem Klebstoff verklebt sind, der Dämpferfunktion hat, wobei der Klebstoff dick ausgebildet ist, so daß eine Spannung, die durch die Kunstharzmasse hervorgerufen wird, daran gehindert wird, auf den vorstehend erwähnten Halbleiterchip über den vor­ stehend erwähnten Einsatzträger aufgebracht zu werden.
Des weiteren ist es bei dem Halbleitersensor der vorliegenden Erfindung vorzuziehen, daß der vorstehend erwähnte Dämpfermate­ rialring aus Silikonkunstharz gebildet ist.
Da die Halbleitervorrichtung der vorliegenden Erfindung mit ei­ nem Dämpfermaterialring versehen ist, der einen äußeren Umfang des vorstehend erwähnten Halbleiterchips umgibt, kann, wie aus den vorstehenden Erläuterungen offensichtlich ist, die Ver­ schlechterung der Eigenschaft zum Zeitpunkt einer Veränderung der Umgebungstemperatur verhindert werden, und die Temperaturei­ genschaft kann günstiger gemacht werden.
Da des weiteren bei dem Halbleiterchip der vorliegenden Erfin­ dung die Oberfläche des vorstehend erwähnten Halbleiterchips mit Kunstharz als dem Dämpfer überzogen ist, kann eine Kraft daran gehindert werden, auf den Halbleitersensorchip von oben aufge­ bracht zu werden, und die Temperatureigenschaft kann günstiger gemacht werden.
Da des weiteren bei dem Halbleitersensor der vorliegenden Erfin­ dung die Kunstharzmasse derart ausgeformt werden kann, daß ein offener Teil direkt unter dem vorstehend erwähnten Halbleiter­ sensorchip ausgebildet ist, kann eine Kraft daran gehindert wer­ den, auf den Halbleitersensorchip von unten aufgebracht zu wer­ den, wenn die Kunstharzmasse schrumpft oder sich aufweitet, und die Temperatureigenschaft kann günstiger gemacht werden.
Da des weiteren bei dem Halbleitersensor der vorliegenden Erfin­ dung ein Loch zum Einführen eines externen Luftdrucks in der Kunstharzmasse, die unmittelbar auf dem Halbleiterchip liegt, und ein Loch vorgesehen ist, das auf dem Einsatzträger ausgebil­ det ist, dessen Oberfläche dem offenem Teil ausgesetzt ist, wo­ bei das Loch dazu dient, einen Luftdruck als Bezugsgröße einzu­ führen, kann der Halbleitersensor gebildet werden, der den Be­ zugsdruck mit dem externen Luftdruck vergleicht und der den ex­ ternen Luftdruck gegenüber dem Bezugsdruck erfassen kann.
Da des weiteren beim Halbleitersensor eine Dämpferlage zwischen dem vorstehend erwähnten Träger und der vorstehend erwähnten Kunstharzmasse vorgesehen ist, kann eine Kraft daran gehindert werden, auf den Halbleiterchip von unten beim Aufweiten aufge­ bracht zu werden, und die Temperatureigenschaft kann günstiger gemacht werden.
Da des weiteren beim Halbleitersensor der vorliegenden Erfindung der vorstehend erwähnte Einsatzträger und der vorstehend erwähn­ te Halbleitersensorchip mit einem Klebstoff verklebt sind, der eine Dämpferwirkung hat, und da der Klebstoff dick ausgebildet ist, kann eine Kraft daran gehindert werden, von unten auf den Halbleiterchip aufgebracht zu werden, wenn die Kunstharzmasse schrumpft oder sich aufweitet, und die Temperatureigenschaft kann günstiger gemacht werden.
Des weiteren kann beim Halbleitersensor der vorliegenden Erfin­ dung die Temperatureigenschaft günstiger über einen breiten Tem­ peraturbereich gemacht werden, indem der vorstehend erwähnte Dämpfermaterialring aus Silikonkunstharz gebildet wird.
Die Fig. 1A bis 1D sind Ansichten, die schematisch einen Halbleitersensor gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung in einer Reihenfolge des Herstellvor­ gangs zeigen.
Fig. 2 ist eine Modellansicht, die einen Aufbau des Halbleiter­ sensors gemäß einer Abwandlung des ersten, in Fig. 1 gezeig­ ten Ausführungsbeispiels zeigt.
Fig. 3 ist eine Modellansicht, die einen Aufbau eines Halblei­ tersensors gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung zeigt.
Fig. 4 ist eine Modellansicht, die einen Aufbau eines Halblei­ tersensors gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung zeigt.
Fig. 5 ist eine Modellansicht, die einen Aufbau des Halbleiter­ sensors gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorlie­ genden Erfindung zeigt.
Fig. 6 ist eine Modellansicht, die einen Aufbau des Halbleiter­ sensors gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel der vorlie­ genden Erfindung zeigt.
Fig. 7 ist eine Modellansicht, die den herkömmlichen Halbleiter­ sensor zeigt.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele des Halbleitersensors gemäß der vorliegenden Erfindung werden unter Bezugnahme auf die beigefüg­ ten Zeichnungen erläutert.
Erstes Ausführungsbeispiel
Der Halbleitersensor gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel ist ein Beschleunigungssensor, der mit einem Halbleitersensorchip 1 zum Erfassen einer Beschleunigung versehen ist, wobei der Sensor zur Vibrationserfassung und Beschleunigungsregelung verwendet wird. Der Halbleitersensor wird durch den in Fig. 1 gezeigten Vorgang hergestellt. Wie in Fig. 1A gezeigt ist, wird nämlich der Halbleitersensorchip 1 auf den Einsatzträger 3 eines An­ schlußrahmens mit einem Klebstoff 21 geklebt. Nachfolgend wird, wie in Fig. 1B gezeigt ist, ein ringförmiger Silikonkunstharz­ ring 6, der aus einem Silikonkunstharzring gebildet ist, auf den Einsatzträger 3 um den Halbleitersensorchip 1 mit einem Kleb­ stoff 22 geklebt. Die Breite des Silikonkunstharzrings 6 kann 10 µm oder mehr sein, um als ein Dämpfermaterial (zur Dämpfungs­ funktion) zu dienen. Zur Vereinfachung dessen Handhabung beim Herstellungsvorgang ist es jedoch vorzuziehen, daß die Breite des Kunstharzrings mit 3 µm oder darüber ausgewählt wird. Des weiteren ist die Dicke des Silikonkunstharzrings 6 im wesentli­ chen gleich wie die des Halbleitersensorchips 1 gewählt. Des weiteren kann der Silikonkunstharzring 6 so vorgesehen sein, daß er mit der Seite des Halbleitersensorchips 1 in Kontakt kommt. Anderenfalls kann der Silikonkunstharzring 6 unter Bildung eines kleinen Spalts zur Seite des Halbleitersensorchips 1 vorgesehen sein. Des weiteren werden, wie in Fig. 1C gezeigt sind, danach die (nicht gezeigte) Elektrode auf dem Halbleitersensorchip 1 und der Anschluß 4 des Anschlußrahmens miteinander durch den Bonddraht 2 verbunden. Abschließend wird die Kunstharzmasse 5 ausgeformt, wie in Fig. 1D gezeigt ist, wodurch der Halbleiter­ sensor gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel hergestellt ist.
Da der Halbleitersensor gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel, der in der vorstehend erwähnten Weise gebildet ist, mit dem Si­ likonkunstharzring 6, der einen kleinen vertikalen Elastizitäts­ koeffizienten und eine geringe Härte hat, um den Halbleitersen­ sorchip 1 vorgesehen ist, kann eine Kraft mit einer hervorragen­ den Dämpferwirkung des Kunstharzrings 6 daran gehindert werden, direkt auf den Halbleiterchip 1 aufgebracht zu werden, wenn die Kunstharzmasse 5 durch eine Temperaturveränderung schrumpft oder sich aufweitet. Daher kann die Verschlechterung der Erfas­ sungseigenschaft des Halbleitersensors verhindert werden und dessen Temperatureigenschaft kann verbessert werden.
Da des weiteren bei dem Halbleitersensor gemäß dem ersten Aus­ führungsbeispiel, das in der vorstehend erwähnten Weise gebildet ist, der Silikonkunstharzring 6, der als Dämpfermaterial verwen­ det wird, eine Dämpferfunktion über einen breiten Temperaturbe­ reich hat, kann ein Halbleitersensor vorgesehen werden, der eine zuverlässige Erfassungsfunktion über einen breiten Bereich hat.
Da des weiteren der Halbleitersensor gemäß dem ersten Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung einen Druck beim Formen daran hindern kann, direkt auf den Halbleitersensorchip zum Zeitpunkt des Formens beim Herstellvorgang aufgebracht zu wer­ den, kann der Halbleitersensor mit einer beständigen Qualität hergestellt werden und der Ertrag beim Herstellvorgang kann ver­ bessert werden.
Wie zuvor beschrieben ist, ist beim ersten Ausführungsbeispiel der Halbleitersensor, der ein Beschleunigungssensor ist, dadurch ausgebildet, daß der Halbleiterchip 1 verwendet wird, der die Beschleunigung erfaßt. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Wie in Fig. 2 gezeigt ist, kann ein Halbleitersensor 1, der ein Drucksensor ist, dadurch gebildet sein, daß der Halbleiterchip 1a verwendet wird, der den Druck erfaßt. In diesem Fall ist der Halbleitersensor dadurch gebil­ det, daß als die Kunstharzmasse die Kunstharzmasse 5a verwendet wird, die in Fig. 1 gezeigt ist und die in sich ein Druckein­ führloch 7 ausgebildet hat. In Fig. 2 sind ähnliche Teile, die gleich den entsprechenden Teilen der Fig. 1 sind, durch ähnliche Bezugszeichen bezeichnet. Wenn der Halbleitersensor in der vor­ stehend erwähnten Weise ausgebildet ist, kann dieselbe Wirkung wie beim ersten Ausführungsbeispiel vorgesehen werden.
Zweites Ausführungsbeispiel
Fig. 3 ist eine Modellansicht, die einen Aufbau eines Halblei­ tersensors gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegen­ den Erfindung zeigt. Der Halbleitersensor gemäß dem zweiten Aus­ führungsbeispiel ist ein Beschleunigungssensor. Bei dem in Fig. 2 gezeigten Halbleitersensor gemäß dem zweiten Ausführungsbei­ spiel ist die obere Fläche des Halbleitersensorchips mit einem Silikonkunstharz 8 überzogen. Wenn die Kunstharzmasse 5 schrumpft oder sich aufweitet, kann folglich der Halbleitersen­ sorchip 1 geschützt werden, und die Erfassungseigenschaft kann im Vergleich zum ersten Ausführungsbeispiel weiter verbessert werden. Auch beim zweiten Ausführungsbeispiel kann der Drucksen­ sor gebildet werden, indem der Halbleitersensorchip 1a zum Er­ fassen eines Druckes in der gleichen Weise wie beim ersten Aus­ führungsbeispiel verwendet wird.
Drittes Ausführungsbeispiel
Fig. 4 ist eine Modellansicht, die einen Aufbau eines Halblei­ tersensors gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegen­ den Erfindung zeigt. Der Halbleitersensor gemäß dem dritten Aus­ führungsbeispiel ist ein Beschleunigungssensor. Beim Halbleiter­ sensor gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel ist ein offener Teil 9 vorgesehen, wobei Kunstharz an einem Teil aus der Kunst­ harzmasse 5 entfernt ist, das entgegengesetzt zum Halbleiterchip 1 bezüglich des Einsatzträgers 3 liegt. Wenn die Kunstharzmasse 5 schrumpft oder sich aufweitet, kann folglich eine Kraft daran gehindert werden, von unten auf den Halbleitersensorchip 1 auf­ gebracht zu werden. Daher kann die Temperatureigenschaft im Ver­ gleich zum ersten Ausführungsbeispiel günstiger gemacht werden. Beim dritten Ausführungsbeispiel kann ein Drucksensor gebildet sein, indem ein Halbleitersensorchip 1a zum Erfassen eines Drucks verwendet wird.
Viertes Ausführungsbeispiel
Der Halbleitersensor gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, der in Fig. 5 gezeigt ist, ist ein Drucksensor in Bezugsdruckbauweise, bei dem der Halbleitersen­ sorchip 1a verwendet wird, wobei ein Druckeinführloch 7 in der oberen Kunstharzmasse 5b ausgeformt wird, und ein offener Teil zum Einführen eines Drucks an dem Einsatzträger ausgebildet wird. Der Drucksensor in Bezugsdruckbauweise bezieht sich auf einen Drucksensor, der zwei Einführlöcher für externen Luftdruck (offener Teil 10 und Druckeinführloch 7 in Fig. 5) hat, und der einen der Drücke auswählt, der über das eine Loch eingeführt wird, und den anderen Druck in Bezug auf den ersteren Druck er­ faßt. Durch Bilden des Halbleitersensors der vorliegenden Erfin­ dung in der vorstehend beschriebenen Weise hat das vierte Aus­ führungsbeispiel dieselbe Wirkung wie das dritte Ausführungsbei­ spiel und der Drucksensor in Bezugsdruckbauweise kann einfach gebildet werden. Des weiteren kann beim vierten Ausführungsbei­ spiel, das in Fig. 5 gezeigt ist, ein Drucksensor in Absolut­ druckbauweise vorgesehen sein, indem der Einsatzträger 3a durch einen Einsatzträger 3 ohne das offene Teil 10 ersetzt wird. Ent­ sprechend kann der Halbleitersensor (Drucksensor) gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel sowohl bei Absolutdruckbauweise als auch bei Bezugsdruckbauweise angewendet werden, indem nur der Anschlußrahmen ersetzt wird. Folglich kann ein Versuch gemacht werden, gemeinsame Bauteile zu verwenden, so daß die Herstellko­ sten beseitigt werden können.
Fünftes Ausführungsbeispiel
Der Halbleitersensor gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel, der in Fig. 6 gezeigt ist, ist mit einer Gummilage wie beispielswei­ se Silikon zwischen dem Einsatzträger 4 und der Kunstharzmasse 5 versehen. Folglich kann eine Kraft abgeschwächt werden, die durch das Schrumpfen und das Aufweiten der Kunstharzmasse 5 her­ vorgerufen wird und auf den Sensorchip 1 aufgebracht werden wür­ de. Im Vergleich zum ersten Ausführungsbeispiel kann die Tempe­ ratureigenschaft noch günstiger gemacht werden.
Sechstes Ausführungsbeispiel
Bei dem Ausführungsbeispiel 6 wird ein Klebstoff mit einer Dämpffunktion als der Klebstoff 21 verwendet, und die Dicke des Klebstoffs 21 wird auf 10 µm oder darüber angesetzt, wodurch eine Kraft daran gehindert wird, von der unteren Fläche des Halblei­ tersensorchips 1 auf diesen aufgebracht zu werden. Somit kann die Temperatureigenschaft im Vergleich zu den Ausführungsbei­ spielen 1 bis 5 günstiger gemacht werden. Im übrigen ist es vor­ zuziehen, daß die Dicke des Klebstoffs auf 500 µm oder weniger unter Berücksichtigung des Aspekts der Regelung und dergleichen beim Herstellvorgang angesetzt wird.
Abwandlung
Bei den vorstehend erwähnten Ausführungsbeispielen 1 bis 6 wird ein Silikonkunstharz als ein Material für einen Dämpfermaterial­ ring verwendet. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht dar­ auf beschränkt, und jedes andere Material kann verwendet werden, solange das Material einen kleinen vertikalen Elastizitätskoef­ fizienten (100 kgf/mm2 oder 980665000 P oder darunter) hat. Bei­ spielsweise können Materialien wie mit Fluroid behandelter Gum­ mi, Elastomer, Teflon und dergleichen verwendet werden.
Ein Halbleitersensor ist mit einer guten Temperatureigenschaft versehen, wobei der Sensor dazu in der Lage ist, eine Ver­ schlechterung der Erfassungseigenschaft eines Drucks oder einer Beschleunigung zum Zeitpunkt einer Veränderung der Umgebungstem­ peratur zu verhindern.
Beim Halbleitersensor, der einen Halbleitersensorchip 1 auf­ weist, ist ein Halbleiterchip ungefähr in der Mitte eines Ein­ satzträgers 3 eines Anschlußrahmens 3, 4 vorgesehen, um einen Versatzbetrag entsprechend einem Druck und einer Beschleunigung zu erfassen und um den Versatzbetrag aus zugeben, indem der Ver­ satzbetrag in ein elektrisches Signal umgewandelt wird; eine Kunstharzmasse 5 ist so ausgeformt, daß sie den Halbleiterchip 1 bedeckt; ein Dämpfermaterialring 6 ist an dem vorstehend erwähn­ ten Einsatzträger 3 vorgesehen, um einen Außenumfang des vorste­ hend erwähnten Halbleitersensorchips 1 zu geben.

Claims (7)

1. Halbleitersensor mit
einem Anschlußrahmen (3, 4), der einen Einsatzträger (3) hat;
einem Halbleiterchip (1), der ungefähr in der Mitte des Ein­ satzträgers (3) montiert ist, um einen Betrag einer Verformung zu erfassen, der einem Druck oder einer Beschleunigung ent­ spricht, die darauf aufgebracht werden, und um den erfaßten Ver­ formungsbetrag in eine elektrische Signalausgabe umzuwandeln; und
einer Kunstharzmasse (5), die so ausgeformt ist, daß sie den Halbleiterchip (1) bedeckt;
wobei der Halbleiterchip (1) mit einem Dämpfermaterialring (6) versehen ist, der auf dem Einsatzträger (3) montiert ist, um den Umfang des Halbleiterchips (1) zu umgeben, wodurch eine Spannung, die durch ein thermisches Schrumpfen oder Aufweiten der Kunstharzmasse (5) hervorgerufen wird, daran gehindert wird, direkt auf den Halbleiterchip (1) seitlich aufgebracht zu wer­ den.
2. Halbleitersensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterchip (1) mit einem Kunstharzschutzüberzug (8) an seiner Oberfläche versehen ist.
3. Halbleitersensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kunstharzmasse (5) mit einem offenen Teil (9) genau un­ ter dem Halbleiterchip (1) versehen ist.
4. Halbleitersensor zum Erfassen eines Außendrucks nach An­ spruch 3, gekennzeichnet durch
ein erstes Loch (7) zum Einführen eines externen Luftdrucks, das in der Kunstharzmasse (5), die genau über dem Halbleiterchip (1) liegt, ausgebildet ist; und
ein zweites Loch (10), das an dem Einsatzträger (3) ausge­ bildet ist, dessen Oberfläche dem offenen Teil (9) genau unter dem Halbleiterchip (1) ausgesetzt ist, wobei das zweite Loch (10) dazu dient, einen Luftdruck als Bezugsgröße einzuführen.
5. Halbleitersensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Dämpferlage (11) zwischen einer zum Halbleiterchip (1) entgegengesetzten Oberfläche des Einsatzträgers (3) und der Kunstharzmasse (5) angeordnet ist.
6. Halbleitersensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Einsatzträger (3) und der Halbleitersensorchip (1) mit einem Klebstoff (21) verklebt sind, der Dämpferfunktion hat, wo­ bei der Klebstoff (21) eine Dicke hat, so daß eine Spannung, die durch die Kunstharzmasse (5) hervorgerufen wird, daran gehindert wird, auf den Halbleiterchip (1) durch den Einsatzträger (3) aufgebracht zu werden.
7. Halbleitersensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Dämpfermaterialring (6) aus einem Silikonkunstharz ge­ bildet ist.
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