JPS6262234A - ピロ電気式検出器用センサエレメント装置およびその製造方法 - Google Patents

ピロ電気式検出器用センサエレメント装置およびその製造方法

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JPS6262234A
JPS6262234A JP61209387A JP20938786A JPS6262234A JP S6262234 A JPS6262234 A JP S6262234A JP 61209387 A JP61209387 A JP 61209387A JP 20938786 A JP20938786 A JP 20938786A JP S6262234 A JPS6262234 A JP S6262234A
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JP
Japan
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sensor element
foil
electrodes
holding frame
concave mirror
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JP61209387A
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English (en)
Inventor
ハンス、マイクスナー
ラインハルト、フライターク
フエリツクス、ペトケ
ハンス、ジウオン
ウルリツヒ、アルモニエル
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、周囲と異なる温度を有し検出器の指向性検出
範囲内に入る物体を検出するためのピロ電気式検出器で
あって、物体から発せられる熱線に焦点を結ばせるため
の凹面鏡と、凹面鏡の焦点に取付けられる第1のセンサ
エレメントと、周囲の影響を補償するための2つの追加
センサエレメントとが含まれており、 第1のセンサエレメントおよび両追加センサエレメント
に対して、同一方向の永久的配向分極を有しかつ両側に
位置する薄い金属層から成る電極を有する同一の非導電
性材料から成る箔が設けられており、 電極が導電体を経て電子評価装置と接続されており、 センサエレメント装置が凹面鏡のなかに存在するホルダ
ーのなかに取付けられており、またセンサエレメントを
有する箔は凹面鏡の中に、凹面鏡の中で反射された熱線
が箔の両表面に入射するように配置されており、 凹面鏡は凹面鏡の内側の半部中に焦点を有する放物面鏡
であり、 センサエレメントを有する箔は凹面鏡の光学軸線上に位
置しており、第1のセンサエレメントは主として遠いほ
うの距離に位置する検出すべき物体から発せられ凹面鏡
のなかで反射された熱線のみを当てられる ピロ電気式検出器に用いられる保持枠内のセンサエレメ
ント装置に関する。
本発明は、さらに、保持枠内のセンサエレメント装置の
製造方法であって、先ず特にボリビニリデンジフルオリ
ド(PVDF)から成る合成樹脂箔の上に相応の金属被
覆によりセンサエレメントが形成され、この装置が電流
供給部を設けられ、その後に保持枠のなかに収容される
製造方法に関する。
〔従来の技術〕
上記の特徴を有するピロ電気式検出器の構造および特に
作用は特開昭56−21023号公報に詳細に記載され
ている。上記公報には、第7TI!Jおよび第8図なら
びにその説明中に、また特許請求の範囲第8項および第
10項に、個々のセンサエレメントに対する合成樹脂箔
の永久的配向分極が同一方向に向けられているセンサエ
レメント装置の実施例が示されている。しかし、第7図
による実施例には2つのセンサエレメントに対して1つ
の共通の対向電極が示されており、他方第8図による実
施例には2つのセンサエレメントのみが示されている。
前記特開昭56−21023号公報の第3図には確かに
3つのセンサエレメントが示されており、また説明され
ているが、これらの3つのセンサエレメントは合成樹脂
箔の各面にそれぞれ共通の電極のみを有する。
検出すべきでない熱線が追加センサエレメントにより本
来の検出過程から良好に消去されればされるほど、検出
器の作用は良好である。この過程は、これらの追加セン
サエレメントが焦点に位置するセンサエレメントにくら
べて反対向きの分極方向を有するならば、一層強められ
る。このことを実現するため、前記特開昭56−210
23号公報から、センサエレメントに対する合成樹脂箔
のなかに当該の個所において反対向きの分極を与えてお
き、それぞれの電極を各々評価回路と接続すること、も
しくは全面にわたり同一方向の配向分極を有するセン号
笛を使用し、この場合にも電極をそれぞれ個々に評価回
路と接続することが考えられる。
これらの構成は基本的には可能であり、試作品も製作さ
れたが、このようなピロ電気式検出器は製造技術的に非
常に費用がか力ごり、特に量産がほとんど不可能なので
、コストが高くつき、妥当な販売価格を設定し得ない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、冒頭に記載した種類のピロ電気式検出
器のセンサエレメント装置であって、わずかな製造費用
で特に量産を可能にし、また一層正確な検出を可能にす
るセンサエレメント装置を提供することである。本発明
の他の目的は、このような保持枠を有するセンサエレメ
ント装置の製造方法を提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
この目的は、本発明によれば、冒頭に記載した種類の保
持枠内のセンサエレメント装置において、箔の各面上に
両極性の電極が存在しており、電極が各面上で1つのほ
ぼ蛇行状に延びている金属被覆されていない絶縁帯によ
り互いに隔てられており、 電極の形状が、鉤の形態でかみ合うように構成されてお
り、 電極の鉤の箔の中央に存在する端面が焦点の位置に配置
されるセンサエレメントの反対極性の被 ′覆を形成し
、他方において電極の鉤の箔の中央から外れている端面
がそれぞれ向かい合う電極面と共に補償用の両センサエ
レメントの反対極性の被覆を形成することによって、3
つのセンサエレメントが形成されるように、箔の上面上
の電極は下面上の電極と向かい合っており、 箔の縁範囲で両面のそれぞれ向かい合う反対極性の電極
が互いに箔の外側の導電体により互いに接続されており
、 箔および導電体を含めてセンサエレメント装置が、ピロ
電気式検出器のホルダー内に中心合わせされかつ調節さ
れて差し込み可能な1つの保持枠により包囲されている ことを特徴とする保持枠内のセンサエレメント装置によ
り達成される。
〔実施態様〕
電極がアルミニウム、亜鉛、スズ、銅、銀または金また
は白金金属の1つから成り、また蒸着法により製造され
ていることは有利である。
電極が銅および銀層から成っている場合には、これらの
眉の表面がそれぞれの硫化物(CuSまたはAg25)
に転化されているならば、検出すべき放射線(赤外線)
の吸収を改善するため、または反射を低減するために有
利である。他の材料の層から成る電極はこの目的で、た
とえばポリイミド、ポリエチレン、テレフタール酸ポリ
エチレンまたはザポンラックから成り、また同時に周囲
からの影響に対して保護する合成樹脂層を設けられてい
てよい。銅および銀層から成る電極もこのような合成樹
脂層を設けられていてよい。
凹面鏡の焦点の位置に設けられている中央のセンサエレ
メントの面が焦点面に適合されていることは有利である
。さらに、2つの平面内で湾曲が他方の平面に対する湾
曲が他方の平面に対する湾曲よりも強くてよい1つの凹
面鏡に対して、中央のセンサエレメントの面が、箔の縁
範囲に向かう方向には、ほぼ蛇行状に延びている金属被
覆されていない帯の直線状に延びている部分により画成
されており、またそれに対して横方向には、上記の金属
被覆されていない帯の同一の向きに湾曲して延びている
部分により画成されていることは有利である。
これらの実施態様は、ピロ電気式検出器は、指向性検出
方向を別として、外に向かって閉じられており有害な影
響に対して成る程度まで遮蔽された空間をなす構造でな
ければならないので有利である。
従って、1つの平面内でのみ湾曲された凹面鏡、すなわ
ち断面がその全幅にわたり常に放物線に従う凹面鏡を選
択すれば、焦点面は、中心軸線に沿ってまた鏡面に対し
て平行に本来の焦線を広げる範囲である。この場合、追
加センサエレメントは熱線の入射方向にこの焦点面の前
または後に配置されていなければならず、また側部は鏡
面に対して垂直に閉じられていなければならない。
はるかに望ましい実施態様では、垂直に連続している2
つの平面内で湾曲された凹面鏡が使用される。この場合
、一方の軸線を他方の軸線よりも長く選定することは有
利であり、その際に一方の平面内の湾曲が他方の平面内
の湾曲よりも強いことは有利である。このような凹面鏡
では焦点面は成る程度まで鎌形または月形であり、また
ケース側部まで達しない。この実施態様では、凹面鏡の
焦点の位置に対して設けられている中央のセンサエレメ
ントの面は焦点面に適合されている。それにより、追加
センサエレメントを熱線の入射方向に焦点面の両側に配
置することが可能であり、それにより他の製造技術上の
利点およびピロ電気式検出器の一層正確な検出能力が得
られる。
センサ箔の両面に、本発明による仕方で互いに入り込ん
でいる両極性の電極が存在していることにより、向かい
合う側の同一極性の電極を互いに箔の外側で接続し、箔
および導電体を含めてセンサエレメント装置全体を、中
心合わせされかつ調節されて凹面鏡の内側のホルダーの
なかに差し込まれている保持枠のなかに組み込みことが
可能になる。
センサエレメントの箔を支えておりかつセンサエレメン
トへの電流供給のための導電体と電子評価装置との接続
のための差し込みピンとを設けられている保持枠内のセ
ンサエレメント装置において、本発明により、保持枠が
プレスされた絶縁材料から成り互いに結合されている上
側部分および下側部分から成っており、それらの間に箔
も差し込みピンに移行する導電体も取付けられているこ
とは特に有利である。
保持枠の両部分は導電体を溝のなかに含んでおり、その
際にそれぞれ上側部分の溝が下側部分の溝に対して互い
にわずかな大きさだけずらされており、またそれにより
箔の保持と、導電体と電極の金属層との間の締付は接触
部の保持とを行っている。
さらに、保持枠の上側部分および下側部分がスナップ原
理による両部分の結合のためにそれぞれ同一の個所にピ
ンを、またそれに相応してそれぞれ同一の個所に孔を設
けられていることは有利である。
これらのすべての特徴は、上側保持枠および下側保持枠
が平面図および断面図で互いに同一であることを可能に
する。保持枠の組立の際に保持枠の両部分は容易に互い
に結合され得る。
以上に記載した保持枠を有するセンサエレメント装置の
製造方法は、本発明によれば、a)特にポリビニリデン
ジフルオリドから成る合成樹脂箔が両面に金属を被覆、
特に蒸着されることによって、両面に金属被覆された1
つのバンドが製造され、その際にバンドの長手方向に両
側に金属被覆されていない縁帯が残され、またその際に
またはその後にほぼ蛇行状に延びている金属被覆されて
いない帯がバンドの上面に、またほぼ蛇行状に延びてい
る帯がバンドの下面に常に繰り返して、センサエレメン
トに対する電極の所望の形状が生ずるように形成される
過程と、 b)先ず過程a)と同期して、または他の時点で少なく
とも1つの梯子状の構成物が、貯蔵ロールから走り出る
線からこれらの線にまたは離されて形成され溝、ピボッ
トおよび孔を有する2つの保持枠部分から、線が後の導
線として溝のなかに取付けられることにより形成される
ことによって、保持枠を製造し、その際に平面図および
断面図で同一の保持枠部分の間にそれぞれ後で必要とさ
れる差し込みピンの長さに相応する間隔が保たれる過程
と、C)過程a)によるバンドの、電極およびセンサエ
レメントを有する箔を成す相応の部分の中間接ぎの前ま
たは後に、保持枠部分を梯子状の構成物からその進行方
向に対して横方向に切り離し、またスナップ結合を行う
過程とを含んでいることを特徴とする。
過程a)によるバンドがスクリーン印刷法で金属被覆さ
れ、その際にほぼ蛇行状の帯が相応のマスクパターンに
より形成されることは有利である。
過程a)によるバンドがアルミニウム、亜鉛、スズ、銅
、銀または金または白金金属の1つの蒸着または陰極ス
パッタリングにより金属被覆され、またほぼ蛇行状の帯
が電気侵食(たとえば電極として作用する転勤する車に
よる)、化学的エツチング、レーザーエネルギーまたは
機械的方法による除去により形成されることは特に有利
である。
銅または銀層から成る電極において、それらの表面をそ
れぞれ硫化物(CuSまたはAg25)に転化させるた
め、過程a)の後に別の過程として、銅または銀から成
る電極を設けられている箔が、硫化水素(H2S)がガ
スまたは硫化水素水として入れられている容器を通して
導かれることは有利である。この処理のみにより層の表
面における十分な化学的置換が行われる。
〔発明の効果〕
本発明により提案される特別な仕方で合成樹脂箔上の個
々のセンサエレメントに対する電極を配置することによ
り、本発明による保持枠がセンサ箔の上面および下面の
同一極性の電極接続を可能にすることと結び付いて、ピ
ロ電気式検出器用の保持枠を有するセンサエレメント装
置を、特に経済的に製造可能であり、従ってまた量産に
遺したものとすることができる。
〔実施例〕
以下、図面により本発明を説明する。2つの図面中で同
一の部分には同一符号が付されている。
第1図には、ピロ電気式検出器が第2図中の線1−1に
沿う断面図で示されている。遮蔽の役割もするケース1
0のなかに、図面では左方に開いている回転放物面の凹
面鏡1が収容されている。
開口は蜂の巣状格子7およびその上に張られている窓箔
5により閉じられている。蜂の巣状格子の機能および構
成は冒頭にあげた特開昭56−21023号公報に詳細
に説明されている。
第1図および第2図かられかるように、凹面鏡1の中央
部に2つの部分から成るホルダー12が配置されている
。さらに、凹面鏡1はその中央に、左方に向けられた開
口と向かい合ってもう1つの開口64を有し、そこから
ホルダー12の両部分が出発している。ホルダー12の
これらの部分は、第3図かられかるように、断面がU字
形である。
このホルダーのなかにセンサエレメント装置がそれを支
える保持枠37と一緒に差し込まれている。第1図には
、その上に位置するセンサエレメント2.3および4を
有する箔13が示されており、その際にセンサエレメン
ト2は凹面鏡1の焦点に配置されている。センサエレメ
ント3および4は入射する熱線の方向に対して横方向に
センサエレメント2の両側に配置されている。さらに第
1図には、後でまた詳細に説明するように箔13の上面
および下面の個々の電極を互いに接続し、また電子評価
装置11との接続のための差し込みピンとしての役割を
する導電体33.34.35および36が示されている
。箔13の厚みは所望の応答時間(指向性検出範囲内に
物体が進入してから信号が発せられるまで)に関係し、
好ましくは10μmである。
この電子評価装置11は、プリントされた導電帯および
その上に取付けられた能動的および受動的電気部品を有
する1つの板から成っている。電子評価装置11は、そ
のつどの検出状況に相応す・・ る信号を発生する役割
をし、この信号はたとえば切換過程の制御のために利用
され得る。
第2図に示されているように、蜂の巣状格子7が凹面鏡
1に位置する止め鉤8および蜂の巣状格子7に位置する
止め鉤9により凹面鏡1のなかに取付けられている。第
2図中の線I−1は同時に凹面鏡1の光学軸線6を示し
ている。センサエレメント2は凹面鏡1の光学軸線6の
上にも、凹面鏡1の構造形態によりその内側の半部に生
ずるその焦点にも位置している。
第4図には、第2図中の矢印Aの方向に見たピロ電気式
検出器の平面図が示されており、蜂の巣状格子7、窓5
、ホルダー12の両部会および止め鉤8が見られる。
第5図には保持枠なしのセンサエレメントの上面14が
、第6図には第5図中の線Vl−Vlに沿う断面が、ま
た第7図にはセンサエレメントの下面15が、また第8
図には第5図中の線■−■に沿う断面が示されている。
第5図、第61!l、第7図および第8図を以下に一括
して説明する。
箔13の上面14に、ほぼ蛇行状に延びており金属被覆
されていない絶縁帯20により互いに隔てられている金
属層が電極16および17として被覆されている。この
絶縁帯により電極16および17は鉤22および23の
形態で互いに入り込んでいる。相応に箔130下面15
には、ほぼ蛇行状に延びており金属被覆されていない絶
縁帯21により互いに隔てられている金属層が電極18
および19として被覆されている。電極18および19
は鉤24および25の形態で互いに入り込んでいる。電
極が鉤状に延びていることは鎖線で示されている。
鉤22および25の端27および30は箔13の両面か
ら向かい合っており、こうして、面に対して垂直に延び
ている破線により示されているセンサエレメント2の互
いに反対極性の被覆面を形成する。
鉤23および24の端28および29はそれらに向かい
合う電極面31および32と協同して、第8図中に斜線
を施して示されておりセンサエレメント2の両側に位置
するセンサエレメント3および4を形成する。センサエ
レメント3および4の向かい合う被覆面の大きさは、そ
れぞれの蛇行線が延長され、かつ(または)それぞれ他
の蛇行線の端における金属被覆されていない面65.6
6を縮小することにより拡大され得る。
線Vl−Vlは同時に箔13の中心26を示している。
さらに、箔13の上面14および下面15には金属被覆
されていない縁帯52.53.54.55が存在してお
り、それによりこの範囲内に上面14および下面15の
電極の間の十分に大きな絶縁距離が存在している。
箔13の縁範囲で両面14択よび15のそれぞれ向かい
合う互いに同一極性の電極16および18(正)ならび
に17および19(負)が導電体33および35または
34および36により、これらの導電体が箔13の外側
で互いに接触することにより互いに接続されている。
第6図および第8図には極性が相応の記号(+および−
)により示されている。第6図では1つの範囲でのみ+
および−が向かい合っており、それにより中央のセンサ
エレメント2が形成されている。他方、第8図には電極
形状により3つのセンサエレメントが存在していること
が示されている。
第8図の箔13中の矢印は箔の同一方向の永久的配向分
極を示している。センサエレメント2の範囲内には上側
に正の層が、また下側に負の層が位置し、他方センサエ
レメント2の両側ではセンサエレメント3および4の範
囲内で正および負の層が互いに反転された方向で向かい
合っている。
このことから明らかに認識されるように、箔13内の多
(のセンサエレメントおよび同一方向の配向分極にもか
かわらず反対向きの極性により所望の効果、すなわち検
出すべきでない熱線を避けるための個々の信号の差形成
が簡単な仕方で達成される。
特に第5図および第7図から明らかなように、凹面鏡1
の焦点の位置に対して設けられている中央のセンサエレ
メント2の面は焦点面に連合されている。第1図ないし
第4図に示されているピロ電気式検出器の構造に対する
好ましい実施例として、中央のセンサエレメント2は縁
範囲、すなわち導電体33および35または34および
36が位置する範囲に向かう方向には、金属被覆されて
いない帯20および21の直線状に延びている部分によ
り画成されており、またそれに対して横方向には、上記
の帯20および21の同一の向きに湾曲して延びている
部分38および39により画成されている。
第5図ないし第8図、特に第6図および第8図では、場
合によっては電極16.17.18および19の表面に
位置する銅または銀層上の硫化物層を図示することは、
図面の見易さを損なわないように放棄されている。同じ
理由から、場合によっては存在する合成樹脂層も図示さ
れていない。
第1図ないし第4図に示されているピロ電気式検出器の
実施例では凹面鏡1は回転対称な反射面を有する。しか
し、凹面鏡1は2つの平面内で、すなわち線1−1(−
第1図)により与えられる平面および線I[−11(=
第2図)により与えられる平面に対して湾曲されていて
もよく、その際に線1−Iにより与えられる平面に対す
る湾曲は線■−■により与えられる平面に対する湾曲よ
りも強(てよく、その際に後者の湾曲が放物線に相当す
る必要はない。
箔13の両面14および15の電極の特別な形態は実際
上、それに対して特別に構成された以下に第9図ないし
第15図により説明する本発明による保持枠が存在する
ときにのみ有効である。
第9図には完成した保持枠37の上側部分40が平面図
で示されている。
第10図には、保持枠37が上側部分40および下側部
分41から成っていることが示されており、その際に両
部会40および41は特に絶縁材料からプレスされてい
る。両部会40および41は互いに結合されており、ま
たそれらの間に箔13も保持枠の外側で差し込みピン4
2および43に移行する導電体33.34.35.36
も取付けられている。
保持枠37の窓59(第9図)のなかに、電極16およ
び17ならびにほぼ蛇行状に延びている金属被覆されて
いない帯20を有する合成樹脂箔13が見える。
第11図には、保持枠37の縁範囲に上側部分40が溝
44および45を、また下側部分41が溝46および4
7を設けられていることが示されている。これらの溝の
なかに導電体33および34または35および36が、
完全には溝のなかに位置せずに若干溝を越えてはみ出す
ように入れられている(第15図も参照)。上側部分4
0の溝44.45は下側部分41の溝46.47に対し
て互いにわずかな大きさだけずらされている。それによ
り、枠37の組立状態で箔13はその平面かられずかな
大きさだけずらされており、従って上からの導電体33
および34ならびに下からの導電体35および36と左
側の金属層16および18または右側の金属層17およ
び19との間の密な押圧接触が行われる。
もちろん、導電体33.34.35および36として、
たとえばそれぞれの電極とはんだ付けされるプリントさ
れた導電帯を使用することも可能であり、また本発明の
範囲内に属する。箔13の電極と線状の導電体33ない
し36との間の接触も、箔13のピロ電気特性が損なわ
れないかぎり、はんだ付けにより行われ得る。
組立のために、保持枠37の上側部分40および下側部
分41はスナップ原理による両部会40.41の結合の
ためにそれぞれ同一の個所にピン48.49を有し、ま
たそれに相応してそれぞれ同一の個所に孔50.51が
存在していてよい。ピン48および49ならびに孔50
および51は枠部分40および41の製造の際に同時に
形成される。
第9図中に示されている左側の開口60および右側の開
口61は必ずしも必要ではないが、凹面鏡1のホルダー
12のなかに保持枠37を拘束する役割をし得る。
さらに第10図および第11図には、保持枠37の上側
部分40および下側部分41が、凹面鏡1の開口64を
通してホルダー12内への差し込みを容易にしかつ中心
合わせを保証するための弓状の延長部67および68を
設けられていてよいことが示されている。
第12図ないし第15図により本発明によるセンサエレ
メント装置を製造するための方法を説明する。
第121!Iには、保持枠の上側部分40および線57
iBよび58から形成される梯子状構成物56の一部分
が示されている。線57および58が貯蔵ロールから走
り出ること、また保持枠の部分を、両線57および58
が相応のプレス装置を通して導かれることによってこれ
らの部分が直接に線に形成されることにより、設けられ
ていることは好ましい。しかし、保持枠部分40および
41を各々それ自体で製造し、その後に初めて線57お
よび58と結合することも可能であり、また好ましい。
各2つの保持枠部分の間には、後の差し込みピン42お
よび43の長さにほぼ相当する間隔63が保たれる。
上側部分40を有する梯子状構成物と下側部分41を有
する梯子状構成物とを別々に形成し、これらの両梯子状
構成物を後で結合することもできるし、保持枠部分40
および41ならびに線から成るただ1つの梯子状構成物
56を製造することもできる。なぜならば、両部分は平
面図および横断面図で完全に同一であるからである。
各1つの保持枠部分を梯子状構成物56から切り離した
後、これは次に切り離すべき部分と、センサ箔13を中
間に置いた後に結合される。そのためには両保持枠部分
の一方を回転させる必要がある。それによりピン48ま
たは49と孔50または51とが互いに正確に合致する
本方法の図示を簡単にするため、2つの梯子状構成物の
製造から出発する。その際、第12図には保持枠の上側
部分40を有する梯子状構成物56が、また第14図に
は下側部分41を有する梯子状構成物が示されている。
第1211!J、第13図および第14図にはピン48
および49もそれらに対応付けられている孔50および
51も窓59および60も示されている。
第15図には、第14図中の線xv−xvに沿う断面が
示されており、下側部分41のなかの溝46および47
と、ピン49および孔51と、溝46および47のなか
に位置する線58および57とが見られる。これらの線
57および58は前記の目的でわずかな大きさだけ溝4
6および47から突き出ている。
保持枠部分から成る梯子状構成物の製造と同期して、ま
たは他の時点で、好ましくはポリビニリデンジフルオリ
ド(PVDF)から成る合成樹脂箔が両面に金属を被覆
、特に蒸着されることによって、両面に金属被覆された
バンドが製造され、その際にバンドの長手方向に両側に
金属被覆されていない縁帯52.53.54.55が残
され、またその際にまたはその後にほぼ蛇行状に延びて
いる金属被覆されていない帯20がバンドの上面14に
、またほぼ蛇行状に延びている帯20がバンドの下面1
5に常に繰り返して、センサエレメント2.3.4に対
する電極16.17.18.19の所望の形状が生ずる
ように形成される。
梯子状構成物56から個々の保持枠部分を切り離す前ま
たは後に、バンドから個々の箔13が切り離されかつそ
れぞれ2つの保持枠部分の間に梯子状構成物の進行方向
に対して横方向に接がれる。
スナップ結合を行うことにより、保持枠37の部分40
および41が互いに固く結合される。
【図面の簡単な説明】
第1図は第2図中の断面I−1により組み込まれたセン
サエレメント装置を有するピロ電気式検出器を示す図、
第2図は第1図中の断面n−nにより第1図によるピロ
電気式検出器を示す図、第3図は第1図中の線■−■に
沿う断面図、第4図は第2111U中の矢印Aの方向に
見たピロ電気式検出器の平面図、第5図は保持枠なしの
センサエレメント装置の平面図、第6図は第5図中の線
vr−vrに沿うセンサエレメント装置の断面図、第7
図は第5図によるセンサエレメント装置の下面の平面図
、第8図は第5図中の線■−■に沿うセンサエレメント
装置の断面図、第9図はセンサエレメント箔、保持枠お
よび導電体を組み込まれた完成したセンサエレメント装
置の平面図、第10図は第  □9図中の矢印Bの方向
に見た第9図によるセンサエレメント装置の側面図、第
11図は第9図中の線XI−XIに沿う断面図、第12
図は枠および導電体から成る梯子状構成物の一部分を示
す図、第13図は第14図中の線x■−xmに沿う断面
図、第14図は第12図による梯子状構成物を裏側から
見た図、第15図は第14図中の線XV−XVに沿う断
面図である。 1・・・凹面鏡、2.3.4・・・センサエレメント、
5・・・窓、6・・・光学軸線、7・・・蜂の巣状格子
、8.9・・・止め鉤、10・・・ケース、11・・・
電子評価装置、12・・・ホルダー、13・・・箔、1
6〜19・・・電極、20.21・・・絶縁帯、22〜
25・・・鉤、33〜36・・・導電体、37・・・保
持枠、42.43・・・差し込みピン、44〜47・・
・溝、48.49・・・ピン、50.51・・・孔、5
6・・・梯子状構成物。 IG2 IG3 IG4 FIGIO FIG

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)周囲と異なる温度を有し検出器の指向性検出範囲内
    に入る物体を検出するためのピロ電気式検出器であって
    、物体から発せられる熱線に焦点を結ばせるための凹面
    鏡(1)と、凹面鏡(1)の焦点に取付けられる第1の
    センサエレメント(2)と、周囲の影響を補償するため
    の2つの追加センサエレメント(3、4)とが含まれて
    おり、 第1のセンサエレメント(2)および両追加センサエレ
    メント(3、4)に対して、同一方向の永久的配向分極
    を有しかつ両側に位置する薄い金属層から成る電極を有
    する同一の非導電性材料から成る箔(13)が設けられ
    ており、電極が導電体を経て電子評価装置(11)と接
    続されており、 センサエレメント装置が凹面鏡(1)のなかに存在する
    ホルダー(12)のなかに取付けられており、またセン
    サエレメント(2、3、4)を有する箔(13)は凹面
    鏡(1)の中に、凹面鏡(1)の中で反射された熱線が
    箔(13)の両表面に入射するように配置されており、
    凹面鏡(1)は凹面鏡(1)の内側の半部中に焦点を有
    する放物面鏡であり、 センサエレメント(2、3、4)を有する箔(13)は
    凹面鏡(1)の光学軸線(6)上に位置しており、第1
    のセンサエレメント(2)は主として遠いほうの距離に
    位置する検出すべき物体から発せられ凹面鏡(1)のな
    かで反射された熱線のみを当てられる ピロ電気式検出器に用いられる保持枠内のセンサエレメ
    ント装置において、 箔(13)の各面(14、15)上に両極性(正および
    負)の電極(16、17、18、19)が存在しており
    、 電極(16、17、18、19)が各面(14、15)
    上で1つのほぼ蛇行状に延びている金属被覆されていな
    い絶縁帯(20、21)により互いに隔てられており、 電極(16、17、18、19)の形状が、鉤(22、
    23、24、25)の形態でかみ合うように構成されて
    おり、 電極(16、19)の鉤(22、25)の箔(13)の
    中央(26)に存在する端面(27、30)が焦点の位
    置に配置されるセンサエレメント(2)の反対極性の被
    覆を形成し、他方において電極(18、19)の鉤(2
    3、24)の箔(13)の中央(26)から外れている
    端面(28、29)がそれぞれ向かい合う電極面(31
    、32)と共に補償用の両センサエレメント(3、4)
    の反対極性の被覆を形成することによって、3つのセン
    サエレメント(2、3、4)が形成されるように、箔(
    13)の上面(14)上の電極(16、17)は下面(
    15)上の電極(18、19)と向かい合っており、箔
    (13)の縁範囲で両面(14、15)のそれぞれ向か
    い合う反対極性の電極(16および18または17およ
    び19)が互いに箔(13)の外側の導電体(33、3
    4、35、36)により互いに接続されており、 箔(13)および導電体(33、34、35、36)を
    含めてセンサエレメント装置が、ピロ電気式検出器のホ
    ルダー(12)内に中心合わせされかつ調節されて差し
    込み可能な1つの保持枠(37)により包囲されている ことを特徴とするピロ電気式検出器用センサエレメント
    装置。 2)電極(16、17、18、19)がアルミニウム、
    亜鉛、スズ、銅、銀または金または白金金属の1つから
    成る蒸着された層から成っていることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載のセンサエレメント装置。 3)銅および銀層から成る電極(16、17、18、1
    9)が表面をそれぞれの硫化物(CuSまたはAg_2
    S)に転化されていることを特徴とする特許請求の範囲
    第2項記載のセンサエレメント装置。 4)凹面鏡(1)の焦点の位置に設けられている中央の
    センサエレメント(2)の面が焦点面に適合されている
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第3項の
    いずれか1項に記載のセンサエレメント装置。 5)2つの平面( I − I およびII−II)内で湾曲され
    ており、一方の平面( I − I )に対する湾曲が他方の
    平面(II−II)に対する湾曲よりも強くてよい1つの凹
    面鏡(1)に対して、中央のセンサエレメント(2)の
    面が、箔(13)の縁範囲に向かう方向には、ほぼ蛇行
    状に延びている金属被覆されていない帯(20、21)
    の直線状に延びている部分により画成されており、また
    それに対して横方向には、上記の金属被覆されていない
    帯の同一の向きに湾曲して延びている部分(38、39
    )により画成されていることを特徴とする特許請求の範
    囲第4項記載のセンサエレメント装置。 6)センサエレメント(2、3、4)の箔(13)を支
    えておりかつセンサエレメント(2、3、4)への電流
    供給のための導電体と電子評価装置(11)との接続の
    ための差し込みピンとを設けられている1つの保持枠内
    のセンサエレメント装置であって、保持枠(37)がプ
    レスされた絶縁材料から成り互いに結合されている上側
    部分(40)および下側部分(41)から成っており、
    それらの間に箔(13)も差し込みピン(42、43)
    に移行する導電体(33、34、35、36)も取付け
    られていることを特徴とする特許請求の範囲第1項ない
    し第5項のいずれか1項に記載のセンサエレメント装置
    。 7)保持枠(37)の両部分(40、41)が導電体(
    33、34、35、36)を溝(44、45または46
    、47)のなかに含んでおり、その際にそれぞれ上側部
    分(40)の溝(44、45)が下側部分(41)の溝
    (46、47)に対して互いにわずかな大きさだけずら
    されており、またそれにより箔(13)の保持と、導電
    体(33および35または34および36)と電極(1
    6および18または17および19)の金属層との間の
    締付け接触部の保持とを行っていることを特徴とする特
    許請求の範囲第6項記載のセンサエレメント装置。 8)保持枠(37)の上側部分(40)および下側部分
    (41)がスナップ原理による両部分(40、41)の
    結合のためにそれぞれ同一の個所にピン(48、49)
    を、またそれに相応してそれぞれ同一の個所に孔(50
    、51)を設けられていることを特徴とする特許請求の
    範囲第6項または第7項記載のセンサエレメント装置。 9)先ず特にポリビニリデンジフルオリド(PVDF)
    から成る合成樹脂箔の上に相応の金属被覆によりセンサ
    エレメントが形成され、この装置が電流供給部を設けら
    れ、その後に1つの保持枠のなかに収容されるピロ電気
    式検出器用の保持枠内のセンサエレメント装置の製造方
    法において、 a)特にポリビニリデンジフルオリド(PVDF)から
    成る合成樹脂箔が両面に金属を被覆、特に蒸着されるこ
    とによって、両面に金属被覆された1つのバンドが製造
    され、その際にバンドの長手方向に両側に金属被覆され
    ていない縁帯が残され、またその際にまたはその後にほ
    ぼ蛇行状に延びている金属被覆されていない帯(20)
    がバンドの上面(14)に、またほぼ蛇行状に廷びてい
    る帯(20)がバンドの下面(15)に常に繰り返して
    、センサエレメント(2、3、4)に対する電極(16
    、17、18、19)の所望の形状が生ずるように形成
    される過程と、 b)先ず過程a)と同期して、または他の時点で少なく
    とも1つの梯子状の構成物(56)が、貯蔵ロールから
    走り出る線からこれらの線にまたは離されて形成され溝
    (44、45、46、47)、ピボット(48、49)
    および孔(50、51)を有する2つの保持枠部分(4
    0、41)から、線が後の導線(33、34、35、3
    6)として溝(44、45、46、47)のなかに取付
    けられることにより形成されることによって、保持枠(
    37)を製造し、その際に平面図および断面図で同一の
    保持枠部分(40、41)の間にそれぞれ後で必要とさ
    れる差し込みピン(42、43)の長さに相応する間隔
    (63)が保たれる過程と、 c)過程a)によるバンドの、電極(16、17、18
    、19)およびセンサエレメント(2、3、4)を有す
    る箔(13)を成す相応の部分の中間接ぎの前または後
    に、保持枠部分(40、41)を梯子状の構成物(56
    )からその進行方向に対して横方向に切り離し、またス
    ナップ結合を行う過程と を含んでいることを特徴とするピロ電気式検出器用セン
    サエレメント装置の製造方法。 10)過程a)によるバンドがスクリーン印刷法で金属
    被覆され、その際にほぼ蛇行状の帯(20、21)が形
    成されることを特徴とする特許請求の範囲第9項記載の
    方法。 11)過程a)によるバンドがアルミニウム、亜鉛、ス
    ズ、銅、銀または金または白金金属の1つの蒸着または
    陰極スパッタリングにより金属被覆され、またほぼ蛇行
    状の帯(20、21)が電食、化学的エッチング、レー
    ザーエネルギーまたは機械的方法による除去により形成
    されることを特徴とする特許請求の範囲第9項記載の方
    法。 12)過程a)の後に別の過程として、銅または銀から
    成る電極(16、17、18、19)を設けられている
    箔が硫化水素(H_2S)を入れた容器を通して導かれ
    、それにより銅または銀層の表面がそれぞれ硫化物(C
    uSまたはAg_2S)に転化される過程が挿入されて
    いることを特徴とする特許請求の範囲第9項ないし第1
    1項のいずれか1項に記載の方法。
JP61209387A 1985-09-11 1986-09-05 ピロ電気式検出器用センサエレメント装置およびその製造方法 Pending JPS6262234A (ja)

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DE3532454.6 1985-09-11
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DE3618732.1 1986-06-04

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6049120A (en) * 1997-01-14 2000-04-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Thermal-stress-resistant semiconductor sensor

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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