DE102005008272A1 - Sensorvorrichtung - Google Patents

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Toshiya Kariya Ikezawa
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Abstract

Eine Sensorvorrichtung (S1) umfasst einen Schaltungschip (3) und einen Sensorchip (5). Der Schaltungschip (3) weist einen Verbindungsabschnitt (3a) auf. Der Sensorchip (5) ist über dem Verbindungsabschnitt (3a) des Schaltungschips (3) angeordnet (gestapelt). Der Schaltungschip (3) und der Sensorchip (5) sind durch ein folienartiges Klebemittel (4) miteinander verbunden, das 91 ± 3 Gewichtsprozent Polyimid, jedoch keinen Füllstoff enthält.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Sensorvorrichtung mit einem Sensorchip, einem Schaltungschip und einem folienartigen Klebemittel, das zwischen dem Sensorchip und dem Schaltungschip angeordnet ist.
  • Eine herkömmliche Sensorvorrichtung wie etwa ein Beschleunigungssensor und/oder ein Winkelgeschwindigkeitssensor umfasst einen Schaltungschip mit einem Verbindungsabschnitt, einen Sensorchip, der über dem Verbindungsabschnitt des Schaltungschips angeordnet ist, und ein folienartiges Klebemittel, das zwischen dem Schaltungschip und dem Sensorchip angeordnet ist.
  • In diesem Typ einer herkömmlichen Sensorvorrichtung wird eine Stapelstruktur, bei der der Sensorchip auf dem Schaltungschip angeordnet ist, verwendet, um durch Minimierung der Implementierungsgröße Kosten zu senken.
  • Das Klebemittel, das eine obere Oberfläche des Schaltungschips mit einer unteren Oberfläche des Sensorchips verbindet, ist ein folienartiges Polyimid-Klebemittel, das einen anorganischen Füllstoff wie etwa BN (Bornitrid) oder Ag (Silber) enthält.
  • Das folienartige Klebemittel, das den Füllstoff enthält, wird verwendet, um sowohl die Verbindungsstärke zwischen dem Schaltungschip und dem Sensorchip als auch die Elastizität des Klebemittels, wenn der Sensor einer Hochtemperaturumgebung ausgesetzt wird, aufrechtzuerhalten.
  • Der an dem Schaltungschip mit dem folienartigen Klebemittel, das den Füllstoff enthält, befestigte Sensorchip weist jedoch nach einer von den Erfindern der vorliegenden Erfindung durchgeführten Studie die folgenden Probleme auf.
  • In dem folienartige Klebemittel, das einen großen Anteil, z.B. ungefähr 10 Gewichts-%, an Füllstoff enthält, treten durch Kohäsion in dem Füllstoff leicht Klumpen auf. Dies hat zur Folge, dass die Unterseite des Sensorchips dadurch, dass die Klumpen in dem Füllstoff gegen die Oberfläche des Schaltungschips gepresst werden, wenn der Sensorchip, um mit dem Schaltungschip verbunden zu werden, gegen den Schaltungschip gepresst wird, beschädigt wird. Die durch diesen Prozess hervorgerufene Beschädigung kann eine Leistungseinbuße und eine Fehlfunktion des Schaltungschips zur Folge haben.
  • Angesichts der oben beschriebenen Probleme ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Sensorvorrichtung mit einem Sensorchip, einem Schaltungschip und einem dazwischen angeordneten Klebemittel sowie ein Verfahren zur Herstellung der Sensorvorrichtung ohne Beschädigung des Schaltungschips bereitzustellen.
  • Um das oben genannte Ziel zu erreichen, weist die Sensorvorrichtung der vorliegenden Erfindung eine Struktur auf, in der der Sensorchip über einem Verbindungsabschnitt des Schaltungschips angeordnet (stacked) ist, wobei das dazwischen angeordnete Klebemittel 91 ± 3 Gewichtsprozent Polyimid, jedoch keinen Füllstoff enthält.
  • In dem folienartigen Klebemittel, das 91 ± 3 Gewichtsprozent (d.h. 88 Gewichtsprozent bis 94 Gewichtsprozent) Polyimid, jedoch keinen Füllstoff enthält, wird die Ent stehung von durch Kohäsion hervorgerufenen Füllstoffklumpen verhindert.
  • Daher kann der Sensorchip mit dem zwischenliegenden folienartigen Klebemittel auf dem Schaltungschip befestigt werden, ohne die Oberfläche oder die inneren Schaltkreise des Schaltungschips zu beschädigen, um so die Sensorvorrichtung herzustellen.
  • Als Folge davon kann gemäß der vorliegenden Erfindung die Sensorvorrichtung, die den Schaltungschip mit dem darauf angeordneten Sensorchip umfasst, hergestellt werden, ohne den Schaltungschip zu beschädigen.
  • Der Grund für den Dichtebereich von 91 ± 3 Gewichtsprozent des in dem folienartigen Klebemittel enthaltenen Polyimids basiert auf dem Ergebnis einer von den Erfindern der vorliegenden Erfindung durchgeführten Studie.
  • Wenn eine Menge an anderen Härtemitteln als Polyimid in dem folienartigen Klebemittel (z.B. Epoxid) nicht ausreichend ist, wird die Festigkeit des Klebemittels als Masse unzureichend. Wenn die Menge an Härtemittel zu groß ist, nimmt die Oberflächenhaftfestigkeit des Klebemittels trotz ausreichender Stärke als Masse ab.
  • Gemäß der Studie der Erfinder liegt der Gehalt an dem Härtemittel des folienartigen Klebemittels vorzugsweise in einem Bereich von 9 ± 3 Gewichtsprozent, um sowohl die Stärke als Masse als such die Oberflächenhaftfestigkeit aufrechtzuerhalten. Die Erfinder bestätigten experimentell, dass das Klebemittel eine ausreichende Haftfestigkeit liefert.
  • Daher enthält das folienartige Klebemittel 91 ± 3 Gewichtsprozent des Härtemittels, und somit liegt die Menge an Polyimid, dem Rest der Bestandteile, in dem Bereich von 91 ± 3 Gewichtsprozent.
  • Die Dicke des Klebemittels in dieser Erfindung beträgt vorzugsweise 50 μm oder weniger.
  • Die obigen und weitere Aufgaben, Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Erfindung sind aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung, die unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung gemacht wurde, deutlicher ersichtlich. In den Zeichnungen sind:
  • 1 eine Querschnittsansicht einer Sensorvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
  • 2 eine Kennlinie, die eine Beziehung zwischen einem Gehalt an einem Härtemittel in Gewichtsprozent und einer „Abziehfestigkeit" (einem Haftvermögen) eines folienartigen Klebemittels der Sensorvorrichtung der 1 darstellt.
  • Im Folgenden ist eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • Eine als Beschleunigungssensor S1 verwendete Sensorvorrichtung ist in 1 im Querschnitt gezeigt. Der Beschleunigungssensor S1 wird zum Beispiel für eine Kraftfahrzeug-Airbagvorrichtung verwendet.
  • Eine Keramikaufnahmeeinheit 1 wird als Basis des Beschleunigungssensors S1 sowie zur Befestigung des Sensors S1 an einer zur Messung geeigneten Stelle (z.B. an der Unterseite eines Fahrersitzes eines Fahrzeugs) verwendet. Der Beschleunigungssensor S1 umfasst einen Schaltungschip 3, der auf der Keramikaufnahmeeinheit 1 angeordnet ist. Ein flüssiges Klebemittel 2, das aus einem Silikonharz hergestellt ist, befindet sich zwischen der Keramikaufnahmeeinheit 1 und dem Schaltungschip 3.
  • Gemäß dieser Ausführungsform enthält das Klebemittel 2 Perlen bzw. Kügelchen 2a, die aus Harz oder dergleichen herstellt sind. Die Perlen 2a dienen dazu, die Dicke des Klebemittels 2 festzulegen, um die Lage der oberen Oberfläche des Schaltungschips 3 bezüglich der Keramikaufnahmeeinheit 1 einzustellen. Mit anderen Worten, die Perlen 2a wirken als „Abstandshalter".
  • Der Schaltungschip 3 ist aus MOS-Transistoren oder Bipolar-Transistoren hergestellt, die auf einem Siliziumsubstrat durch ein wohlbekanntes Halbleiterfertigungsverfahren ausgebildet sind. Der Schaltungschip 3 dient der Verarbeitung und Ausgabe von elektrischen Strömen.
  • Eine obere Oberfläche des Schaltungschips 3 weist einen Verbindungsabschnitt 3a auf, der als Fläche zum Halten eines Sensorchips 5 gedacht ist. Der Sensorchip 5 ist über dem Verbindungsabschnitt 3a angeordnet. Ein folienartiges Klebemittel 4 ist zwischen dem Verbindungsabschnitt 3a und dem Sensorchip 5 angeordnet. Das folienartige Klebemittel 4 ist aus Polyimid hergestellt und enthält keinen Füllstoff.
  • Das folienartige Klebemittel 4 weist eine Dicke in einem Bereich zwischen 10 μm und 50 μm auf, um eine ausreichende Elastizität aufrechtzuerhalten. In einer bevorzugten Ausführungsform weist das folienartige Klebemittel eine Dicke von ungefähr 20 μm auf.
  • Wenn die Dicke des Klebemittels 4 zu groß ist (z.B. 100 μm), wird es in einer Hochtemperaturumgebung weniger elastisch und leicht verformbar.
  • Daher kann ein während einer Kollision oder einem vergleichbaren Ereignis auf das Fahrzeug übertragener Aufprall von dem folienartigen Klebemittel 4 absorbiert werden, bevor er den Sensorchip 5 erreicht. Dies hat eine fehlerhafte Messung der Beschleunigung mit Hilfe des Beschleunigungssensors S1 zur Folge. Die obere Grenze der Dicke des folienartigen Klebemittels 4 ist aus diesem Grund auf 50 μm festgelegt. Die untere Grenze der Dicke ist auf der Grundlage einer erforderlichen Haftfestigkeit auf 10 μm festgelegt.
  • Das folienartige Klebemittel 4 in dieser Ausführungsform enthält 91 ± 3 Gewichtsprozent Polyimid und 9 ± 3 Gewichtsprozent eines härtenden Bestandteils (Härtemittel). In einer bevorzugten Ausführungsform enthält das Härtemittel ein Epoxid.
  • Der Sensorchip 5 wird als ein Element verwendet, das eine Beschleunigung erfasst. Der Sensorchip 5 weist zum Beispiel einen Balken mit einer Kammstruktur auf, der auf einem Siliziumsubstrat ausgebildet ist, eine wohlbekannte Anordnung, und der eine Änderung einer statischen Kapazität (ein elektrisches Signal) zwischen beweglichen und festen Elektroden erfasst, die proportional zu der ausgeübten Beschleunigung ist.
  • Bonddrähte 6, 7 verbinden elektrisch den Sensorchip 5 mit dem Schaltungschip 3 bzw. den Schaltungschip 3 mit der Keramikaufnahmeeinheit 1. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform können die Bonddrähte 6, 7 aus Gold, Aluminium oder einem anderen geeigneten Material gebildet sein.
  • Das elektrische Signal (eine Änderung der statischen Kapazität) von dem Sensorchip 5 wird über den Bonddraht 6 zu dem Schaltungschip 3 gesendet. Der Schaltungschip 3 wandelt das elektrische Signal durch eine C/V-Umwandlungsschaltung in ein Spannungssignal (Beschleunigungssignal) um. Anschließend gibt der Schaltungschip 3 das Signal über den Bonddraht 7 an eine (nicht gezeigte) Elektrode auf der Keramikaufnahmeeinheit 1 aus.
  • Diese Elektrode ist durch ein (nicht gezeigtes) Loch elektrisch mit einer Elektrode auf einer Rückseite der Keramikaufnahmeeinheit 1 verbunden. Die Keramikaufnahmeeinheit 1 kann zum Beispiel aus einer Aufnahmeeinheit gebildet sein, in der eine Mehrzahl keramischer Schichten übereinander gestapelt sind, die mittels zwischenliegender Leiter verbunden sind, um so eine Schaltung zu bilden.
  • Die Elektrode auf der Rückseite der Keramikaufnahmeeinheit 1 ist ferner mit einer (nicht gezeigten) externen Schaltung wie etwa einer ECU (electronic control unit) verbunden. Über diese Verbindung gibt der Beschleunigungssensor S1 das Beschleunigungssignal an die externe Schaltung aus.
  • In diesem Fall ist ein (nicht gezeigtes) Abdeckelement auf der oberen Oberfläche der Keramikaufnahmeeinheit 1 angeordnet, um den Sensorchip 5 darin dicht zu verschließen. Das Abdeckelement schützt den Sensorchip 5 vor Feuchtigkeit und mechanischen Belastungen.
  • Im Folgenden ist ein Herstellungsprozess des Beschleunigungssensors S1 beschrieben.
  • Die Keramikaufnahmeeinheit 1 mit dem darauf angeordneten Klebemittel 2 wird mit dem Schaltungschip 3 verbunden. Anschließend wird das Klebemittel 2 ausgehärtet. Das Klebemittel 2 wird derart zubereitet, dass es die Perlen 2a zum Ausgleich bzw. Ausrichten der Höhe des Schaltungschips 3 durch Bilden der ebenen Klebemittelschicht enthält.
  • Anschließend wird der Schaltungschip 3 mit dem Sensorchip 5 verbunden. Hierfür gibt es zwei Verfahren.
  • Gemäß einem Verfahren wird der Sensorchip 5 mit einer Vereinzelungs-Schneidemaschine von einem Wafer abgetrennt, nachdem das folienartige Klebemittel 4 auf der Rückseite des Wafers aufgebracht worden ist. Der abgetrennte Sensorchip 5 wird anschließend genommen und auf den Schaltungschip 3 montiert.
  • Gemäß dem zweiten Verfahren wird der Sensorchip 5 mit einer Vereinzelungs-Schneidemaschine von dem Wafer abgetrennt, um mit dem folienartigen Klebemittel 4, das in der Größe des Sensorchips 5 hergestellt wird, zusammengefügt zu werden. Der Sensorchip 5 und das folienartige Klebemittel 4 werden dann sorgfältig auf dem Schaltungschip 3 angeordnet.
  • Der Sensorchip 5 und der Schaltungschip 3 mit dem dazwischen angeordneten folienartigen Klebemittel 4 werden mittels einem der zwei Verfahren aneinander gefügt. Das folienartige Klebemittel 4 wird dann durch Erwärmen der Keramikaufnahmeeinheit 1 und des Schaltungschips 3 indirekt erwärmt.
  • Der Sensorchip 5 wird daher durch Aushärten des folienartigen Klebemittels 4 mit dem Verbindungsabschnitt 3a des Schaltungschips 3 verbunden bzw. auf diesem befes tigt, wobei der Sensorchip 5 gegen den Schaltungschip 3 gepresst wird.
  • In dieser Ausführungsform enthält das folienartige Klebemittel 4 keinen Füllstoff. Das heißt, er enthält nichts, das durch Kohäsion Klumpen bilden könnte. Daher verursacht das folienartige Klebemittel 4 keine Beschädigung der Oberfläche des Schaltungschips 3, wenn der Sensorchip 5 auf der Oberfläche des Schaltungschips 3 befestigt wird.
  • Die Herstellung des Beschleunigungssensors S1 wird dann durch Bonden der Bonddrähte 6, 7 abgeschlossen.
  • Der Beschleunigungssensor S1 gemäß dieser Ausführungsform wird durch Verbinden des Schaltungschips 3 mit dem Sensorchip 5 mit Hilfe eines folienartigen Klebemittels 4, das keinen Füllstoff enthält, hergestellt. Das folienartige Klebemittel 4 kann daher „klumpenfrei" hergestellt werden.
  • Daher kann der Sensorchip 5 mit dem Schaltungschip 3 verbunden werden, ohne den Schaltungschip 3 zu beschädigen, was ansonsten durch das folienartige Klebemittel 4 bewirkt werden würde.
  • Mit anderen Worten, es wird verhindert, dass der Schaltungschip 3 durch den Herstellungsprozess des Beschleunigungssensors 1 in dem Bereich, in dem der Sensorchip 5 angeordnet wird, beschädigt wird.
  • Der Grund zur Begrenzung des Gehalts an Polyimid in dem folienartigen Klebemittel 4 in dem Bereich von 91 ± 3 Gewichtsprozent in dieser Ausführungsform ist der folgende.
  • Das folienartige Klebemittel 4, das in dieser Ausführungsform verwendet wird, ist, wie es oben beschrieben ist, eine Mischung aus Polyimid als Hauptbestandteil und einem Härtemittel wie etwa Epoxid.
  • Die Erfinder untersuchten die Beziehung zwischen dem Gehalt an dem Härtemittel und der Haftfestigkeit des folienartigen Klebemittels 4. Das Epoxid wurde als das Härtemittel verwendet, und die Haftfestigkeit wurde als „Abziehfestigkeit" bzw. „Abschälkraft" gemessen, wobei mit „Abziehfestigkeit" die Festigkeit bezeichnet, die erforderlich ist, einer auf den Verbindungsabschnitt ausgeübten Abzieh- oder Abschälkraft standzuhalten.
  • Die Abziehfestigkeit wurde bei einer Temperatur von 240°C gemessen. Die Größe des Sensorchips 5, d.h. die Größe der Verbindungsfläche des folienartigen Klebemittels betrug 5 × 5 mm2. Die Ergebnisse sind in der Kennlinie der 2 gezeigt.
  • Die Kennlinie der 2 zeigt eine Beziehung zwischen dem Gehalt an dem Härtemittel (Gewichts-%) und der Abziehfestigkeit (kgf/mm) des Klebemittels.
  • Die Abziehfestigkeit des folienartigen Klebemittels 4 wird aufrecht erhalten, wenn der Gehalt an dem Härtemittel in dem Bereich von 9 ± 3 Gewichtsprozent, d.h. zwischen 6 Gewichtsprozent und 12 Gewichtsprozent, liegt. Mit anderen Worten, dieser Zustand des folienartigen Klebemittels 4 liefert eine ausreichende Haftfestigkeit.
  • Wenn der Gehalt an dem Härtemittel außerhalb des Bereichs von 9 ± 3 Gewichtsprozent liegt, sinkt die Abziehfestigkeit stark ab. Ein Gehalt an dem Härtemittel von weniger als der oben angegebene Bereich hat ein Versagen des Klebemittels zur Folge. Ein Gehalt an dem Härtemittel von mehr als dem oben genannten Bereich hat ein Oberflächenversagen des folienartigen Klebemittels 4 zur Folge.
  • Dies liegt daran, dass das folienartige Klebemittel 4 keine ausreichende Festigkeit als Masse besitzt, wenn der Gehalt an dem Härtemittel unterhalb des Bereichs von 9 ± 3 Gewichtsprozent liegt. Darüber hinaus liefert das folienartige Klebemittel 4 eine ausreichende Festigkeit als Masse, jedoch wird die Haftfestigkeit unzureichend, wenn das Härtemittel in einer höheren Konzentration als dem oben genannten Bereich enthalten ist.
  • Die Erfinder bestätigten experimentell, dass das folienartige Klebemittel 4 sowohl eine ausreichende Festigkeit als Masse als auch eine ausreichende Oberflächenhaftfestigkeit aufweist, wenn der Gehalt an dem Härtemittel in dem Bereich von 9 ± 3 Gewichtsprozent liegt. Als Folge davon kann das folienartige Klebemittel 4 eine ausreichende Haftfestigkeit liefern.
  • Auf der Grundlage der Experimente ist in dieser Ausführungsform der Gehalt an dem Härtemittel in dem folienartigen Klebemittel 4 auf den Bereich von 9 ± 3 Gewichtsprozent und der Gehalt an dem Polyimid ist auf den Bereich von 91 ± 3 Gewichtsprozent begrenzt.
  • Die Dicke des folienartigen Klebemittels 4 gemäß dieser Ausführungsform ist gleich groß wie oder kleiner als 50 μm, vorzugsweise 20 μm.
  • Das folienartige Klebemittel 4 dieser Dicke funktioniert ordnungsgemäß hinsichtlich der sicheren Übertragung des auf den Beschleunigungssensor S1 (d.h. der Keramikaufnahmeeinheit 1) ausgeübten Stoßes oder Schlages über den Schaltungschip 3 und das zwischenliegende folienartige Klebemittel 4 auf den Sensorchip 5.
  • Das folienartige Klebemittel 4 ist gemäß dieser Ausführungsform aus einem polyimidartigen Material hergestellt. Dies gewährleistet eine ausreichende Haftfestigkeit zwischen dem Sensorchip 5 und dem Schaltungschip 3.
  • Die Verwendung des folienartigen Klebemittels 4 statt eines flüssigen Klebemittels zum Befestigen des Sensorchips 5 auf dem Verbindungsabschnitt 3a des Schaltungschips 3 schützt den Schaltungschip 3 vor Kontamination durch „Ausbluten" von Inhaltsstoffen niedermolekularen Gewichts.
  • Kontamination des Schaltungschips 3 durch Ausbluten bedeutet insbesondere, dass sich das Bonden nicht problemlos ausführen lässt, da niedermolekulare Inhaltsstoffe in die Umgebung des Kontaktierungsabschnitts 3a gelangen.
  • Obwohl oben der Beschleunigungssensor S1 als ein Beispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben ist, ist es klar, dass die vorliegende Erfindung auch auf einen Winkelgeschwindigkeitssensor, einen Drucksensor, einen Temperatursensor oder einen Helligkeitssensor angewendet werden kann.
  • Das heißt, der in der Sensorvorrichtung der obigen Ausführungsform verwendete Sensorchip kann auch ein Winkelgeschwindigkeits-Erfassungselement, ein Druckerfassungselement, ein Temperaturerfassungselement oder ein Helligkeitserfassungselement sein.
  • Der Schaltungschip in der obigen Ausführungsform kann auch aus MOS-Transistoren, Bipolar-Transistoren, Speicherschaltkreisen oder einem anderen Schaltkreis gebildet sein.
  • Obwohl das folienartige Klebemittel 4 aus Polyimid hergestellt ist, kann das Material für das Klebemittel auch Epoxy-, Acryl- oder ein vergleichbares Material sein.
    •

Claims (15)

  1. Sensorvorrichtung (S1) mit: – einem Schaltungschip (3), der einen Verbindungsabschnitt (3a) aufweist; und – einem Sensorchip (5), der über dem Verbindungsabschnitt (3a) des Schaltungschips (3) angeordnet ist, wobei – der Schaltungschip (3) und der Sensorchip (5) durch ein folienartiges Klebemittel (4) miteinander verbunden sind, das 91 ± 3 Gewichtsprozent Polyimid, jedoch keinen Füllstoff enthält.
  2. Vorrichtung (S1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke des folienartigen Klebemittels (4) kleiner als oder gleich groß wie 50 μm ist.
  3. Vorrichtung (S1) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke des folienartigen Klebemittels (4) ungefähr 20 μm beträgt.
  4. Vorrichtung (S1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das folienartige Klebemittel (4) 9 ± 3 Gewichtsprozent eines Härtemittels enthält.
  5. Vorrichtung (S1) nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Härtemittel Epoxid enthält.
  6. Vorrichtung (S1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sie ferner eine Aufnahmeinheit (1) umfasst, die den Schaltungschip (3) und den Sensorchip (5) darauf trägt.
  7. Vorrichtung (S1) nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungschip (3) mittels einer Klebemittelschicht (2) an der Aufnahmeeinheit (1) befestigt ist.
  8. Vorrichtung (S1) nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Klebemittelschicht (2) Perlen (2a) enthält, die dazu dienen, den Schaltungschip (3) bezüglich der Aufnahmeeinheit (1) auszurichten.
  9. Verfahren zur Herstellung einer Sensorvorrichtung (S1), das die Schritte umfasst: – Anbringen einer ersten Seite eines folienartigen Klebemittels (4) an einen Sensorchip (5); – Befestigen des Sensorchips (5) an einen Schaltungschip (3), indem eine zweite Seite des folienartigen Klebemittels (4) auf den Schaltungschip (3) gepresst wird, wobei das folienartige Klebemittel (4) 91 ± 3 Gewichtsprozent Polyimid, jedoch keinen Füllstoff enthält.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke des folienartigen Klebemittels (4) kleiner als oder gleich groß wie 50 μm ist.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke des folienartigen Klebemittels (4) ungefähr 20 μm beträgt.
  12. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das folienartige Klebemittel (4) 9 ± 3 Gewichtsprozent eines Härtemittels enthält.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Härtemittel Epoxid enthält.
  14. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass es ferner den Schritt enthält, in dem der Schaltungschip (3) mittels einer Klebemittelschicht (2) an einer Aufnahmeeinheit (1) befestigt wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Klebemittelschicht (2) Perlen (2a) enthält, die dazu dienen, den Schaltungschip (3) bezüglich der Aufnahmeeinheit (1) auszurichten.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006017535B4 (de) 2005-04-27 2020-07-09 Fuji Electric Co., Ltd. Druckfühler

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7468556B2 (en) * 2006-06-19 2008-12-23 Lv Sensors, Inc. Packaging of hybrid integrated circuits
US8186221B2 (en) * 2009-03-24 2012-05-29 Freescale Semiconductor, Inc. Vertically integrated MEMS acceleration transducer
TWI407536B (zh) * 2010-12-10 2013-09-01 Univ Nat Cheng Kung 半導體元件之散熱座的製作方法
KR101321534B1 (ko) * 2011-09-30 2013-10-28 (주)마이크로인피니티 적층형 센서 패키지
US20170199217A1 (en) * 2016-01-13 2017-07-13 Seiko Epson Corporation Electronic device, method for manufacturing electronic device, and physical-quantity sensor
WO2020161937A1 (ja) * 2019-02-05 2020-08-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 センサ装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000007325A (ko) 1998-07-02 2000-02-07 윤종용 칩 온 칩 구조를 갖는 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP2000294894A (ja) 1998-12-21 2000-10-20 Seiko Epson Corp 回路基板およびその製造方法ならびに回路基板を用いた表示装置および電子機器
JP2001139895A (ja) * 1999-08-30 2001-05-22 Shin Etsu Chem Co Ltd フィルム状電子部品用接着剤及び電子部品
JP2002005961A (ja) 2000-06-22 2002-01-09 Seiko Epson Corp プローブカード
JP2002005951A (ja) * 2000-06-26 2002-01-09 Denso Corp 半導体力学量センサ及びその製造方法
KR20020065723A (ko) 2001-02-07 2002-08-14 (주)새한마이크로닉스 전자부품용 접착제 및 이를 이용한 접착테이프
US6986933B2 (en) * 2001-08-08 2006-01-17 Tomoegawa Paper Co., Ltd. Powdery single-layer film laminate and process for production the same
JP4213998B2 (ja) * 2002-05-30 2009-01-28 三井化学株式会社 接着剤樹脂組成物及びそれを用いたフィルム状接着剤
TW571409B (en) * 2002-12-03 2004-01-11 Advanced Semiconductor Eng Optical device and packaging method thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006017535B4 (de) 2005-04-27 2020-07-09 Fuji Electric Co., Ltd. Druckfühler

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US20050199988A1 (en) 2005-09-15
US7239022B2 (en) 2007-07-03

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