DE19600541C2

DE19600541C2 - Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung

Info

Publication number: DE19600541C2
Application number: DE19600541A
Authority: DE
Inventors: Toru Araki
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1995-01-30
Filing date: 1996-01-09
Publication date: 1998-07-30
Anticipated expiration: 2016-01-10
Also published as: DE19600541A1; US5606128A; JPH08201425A

Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiter-Beschleunigungser fassungsvorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.

Eine derartige Beschleunigungserfassungsvorrichtung ist aus der DE 41 27 979 A1 bekannt und ist beispielsweise an einem sich bewegenden Körper wie einem Kraftfahrzeug zur Erfassung einer auf diesen einwirkenden Beschleunigung befestigt.

Die US 53 43 731 offenbart einen Halbleiter-Beschleunigungs messer, der ein anormales Verhalten erfassen kann, indem die Spannung an einer Widerstandsmeßbrücke durch einen Komparator mit einer von einer Spannungsquelle erzeugten Referenzspan nung verglichen wird. Allerdings zeigt diese Druckschrift keine mechanische Ausbildung des Beschleunigungsmessers.

Aus der DE 41 27 979 A1 ist ein Beschleunigungsmesser mit einem Auslegeraufbau bekannt. Dabei ist eine Membran an einer Seite auf einem Sockel befestigt, der sich auf einem Substrat befindet. Die Membran, an deren anderer Seite ein Gewicht be festigt ist, weist einen weggeätzten Teil auf, an dem eine Meßwiderstandsbrücke angebracht ist.

Ein ähnlicher Beschleunigungsmesser ist aus der Veröffentli chung "Mitsubishi Denki Giho", Bd.68, Nr.3, S.78-81 vom 25. März 1994 bekannt.

Fig. 9 stellt eine derartige Halbleiter-Beschleunigungserfas sungsvorrichtung dar. Gemäß Fig. 9 ist bei der bekannten Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung ein Halblei terchip 1 an einem Fuß oder einer Befestigungsunterlage 5 als Ausleger an dessen Ende 1b befestigt. Auf diese Weise dient das andere Ende 1c des Halbleiterchips 1 als freies Ende oder Rand. Der Halbleiterchip 1 ist beispielsweise aus einem Halb leitermaterial wie Silizium hergestellt und ist flexibel. Außerdem ist der Halbleiterchip 1 durch den Fuß 5 an einem Sockel 6 befestigt, der an einem zu messenden Objekt (oder einem sich bewegenden Körper) derart zu befestigen ist, daß er zum Erfassen einer Beschleunigung des Objekts verwendet wird. Gemäß Fig. 9 besteht der Halbleiterchip 1 aus einem Ge wichtsabschnitt 2, der an dessen als freies Ende dienendem einen Ende 1c vorgesehen ist, einem dünnwandigen Abschnitt 3 und einem an dem dünnwandigen Abschnitt 3 vorgesehenen Deh nungs-Meßstreifen 4. Der Dehnungs-Meßstreifen 4 ist über eine Leitung 7 mit einer (nicht dargestellten) externen elektri schen Schaltung verbunden. In diesem Zusammenhang sei be merkt, daß der dünnwandige Abschnitt 3 durch Verringern der Dicke eines Teils des Halbleiterchips 1 wie in dieser Figur dargestellt ausgebildet ist, damit die Empfindlichkeit des Dehnungs-Meßstreifens 4 zum Erfassen einer an dem Halbleiter chip 1 auftretenden Dehnung bzw. Belastung verbessert wird.

Nachstehend wird die Arbeitsweise der bekannten Halbleiter- Beschleunigungserfassungsvorrichtung beschrieben. Wenn das Objekt einer Beschleunigung a unterworfen ist, wirkt die Be schleunigung a auch auf den Halbleiterchip 1 über den Sockel 6 und den Fuß 5. Falls m die Masse des Gewichtsabschnittes 2 bezeichnet, wird eine Kraft F = m a in dem Gewichtsabschnitt 2 erzeugt. Dieser Gewichtsabschnitt 2 ist auf eine solche Weise ausgebildet, daß er eine Einheit mit dem dünnwandigen Abschnitt 3 bildet und außerdem durch den dünnwandigen Ab schnitt 3 getragen wird. Auf diese Weise wird eine der Kraft F proportionale Dehnung in dem dünnwandigen Abschnitt 3 er zeugt. Der Widerstand des Dehnungs-Meßstreifens 4 verändert sich entsprechend dieser Dehnung. Deswegen wird die Beschleu nigung, der das Objekt unterworfen ist, durch Umwandeln der Veränderung des Widerstands des Dehnungs-Meßstreifens 4 in ein elektrisches Signal erfaßt.

Wie vorstehend beschrieben wird bei der bekannten Halbleiter- Beschleunigungserfassungsvorrichtung die Beschleunigung a, der das Objekt unterworfen ist, zu dem Halbleiterchip 1 über den Sockel 6 und den Fuß 5 übertragen. Deswegen ist die be kannte Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung mit den Problemen behaftet, daß in dem Fall, in dem die Verbin dung oder das Haften zwischen dem Sockel 6 und dem Fuß 5 oder zwischen dem Fuß 5 und dem Halbleiterchip 1 unvollständig ist, die Beschleunigung a nicht genau zu dem Halbleiterchip 1 übertragen werden kann und außerdem eine derartige fehler hafte Beschleunigung ohne Bemerken der Anormalität einer der artigen Beschleunigung gemessen werden kann, und daß in dem Fall, in dem der Fuß 5 vollständig von dem Sockel 6 oder dem Halbleiterchip 1 abgelöst bzw. abgesplittert ist, die Be schleunigung a überhaupt nicht erfaßt werden kann, obwohl das Objekt tatsächlich der Beschleunigung a unterworfen ist.

Daher hat diese herkömmliche Beschleunigungserfassungsvor richtung eine geringe Zuverlässigkeit.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, die aus der DE 41 27 979 A1 bekannte Beschleunigungserfassungsvorrichtung derart weiterzubilden, daß deren Zuverlässigkeit verbessert ist.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Beschleuni gungserfassungsvorrichtung nach Anspruch 1 gelöst.

Diese Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung kann unmittelbar erfassen, daß ein Verbindungs- oder Haftabschnitt zwischen einem Sockel und einem Fuß und bzw. oder zwischen dem Fuß und einem Halbleiterchip unterbrochen ist (nämlich, daß der Fuß von dem Sockel oder dem Halbleiterchip abgelöst ist), und außerdem ein System oder eine Bedienungsperson im voraus davon in Kenntnis setzen kann, daß die genaue Messung einer zu messenden Beschleunigung wegen des Auftritts eines derartigen Ablösens oder Abblätterns unmöglich wird.

In den Unteransprüchen 2 bis 10 sind vorteilhafte Ausgestal tungen der Erfindung gekennzeichnet.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispie len unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer Halbleiter-Be schleunigungserfassungsvorrichtung gemäß Ausführungsbeispiel 1 der Erfindung,

Fig. 2 einen teilweisen Längsschnitt, der den Aufbau der in Fig. 1 dargestellten Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvor richtung darstellt,

Fig. 3 ein Schaltbild, das den Aufbau einer Ersatzschaltung einer Ablöse-Erfassungseinrichtung der in Fig. 1 dargestell ten Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung dar stellt,

Fig. 4 ein Schaltbild, das den Aufbau einer Ersatzschaltung einer Ablöse-Erfassungseinrichtung gemäß einem anderen Aus führungsbeispiel der Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvor richtung der vorliegenden Erfindung, nämlich gemäß dem Aus führungsbeispiel 2 der vorliegenden Erfindung darstellt,

Fig. 5 ein Schaltbild, das den Aufbau einer Ersatzschaltung einer Ablöse-Erfassungsvorrichtung gemäß einem anderen Aus führungsbeispiel der Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvor richtung der vorliegenden Erfindung, nämlich gemäß dem vor liegenden Ausführungsbeispiel 3 der Erfindung darstellt,

Fig. 6 eine perspektivische Ansicht, die den Aufbau der Halb leiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung gemäß einem wei teren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, nämlich gemäß dem Ausführungsbeispiel 4 der vorliegenden Erfindung darstellt,

Fig. 7 eine perspektivische Ansicht, die den Aufbau der Halb leiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung gemäß einem wei teren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, nämlich gemäß dem Ausführungsbeispiel 5 der vorliegenden Erfindung darstellt,

Fig. 8 ein Schaltbild, das den Aufbau einer Ersatzschaltung einer Ablöse-Erfassungseinrichtung der in Fig. 7 dargestell ten Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung dar stellt, und

Fig. 9 einen Längsschnitt, der den Aufbau der intern bekann ten Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung dar stellt.

Nachstehend werden die bevorzugten Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezug auf die beigefügte Zeichnung näher be schrieben.

Ausführungsbeispiel 1

Fig. 1 veranschaulicht ein Ausführungsbeispiel der Erfindung. Gemäß dieser Figur ist in dem Fall gemäß diesem Ausführungs beispiel eine als Leiteinrichtung dienende Elektrode 10, an der ein Fuß 5 zum Tragen eines Halbleiterchips 1 als Ausleger fest befestigt ist, auf einem Sockel 6 vorgesehen, der ein an einem zu messenden Objekt zu befestigendes Substrat ist. Die Elektrode 10 ist aus einem Dickfilmleiter gebildet, der bei spielsweise aus AgPd oder AgPt oder dergleichen hergestellt ist. Der Fuß 5 ist durch einen aus Silizium oder dergleichen hergestellten Halbleiter gebildet und mechanisch und elek trisch mit der Elektrode 10 durch Bonden mit einem leitenden Haft- bzw. Klebemittel 9 wie in dieser Figur dargestellt ver bunden. Außerdem sind auf ähnliche Weise der Fuß 5 und der Halbleiterchip 1 mechanisch und elektrisch miteinander durch Bonden mit einem leitenden Haft- bzw. Klebemittel 8 verbun den. Übrigens stellen die leitenden Klebemittel 8 und 9 lei tende Verbindungseinrichtungen gemäß diesem Ausführungsbei spiel dar. Beispielsweise sind Epoxidharz-Klebemittel, zu de nen Silberstaub bzw. -puder gemischt wird, für die leitenden Klebemittel 8 und 9 geeignet. Jedoch sind die leitenden Kle bemittel 8 und 9 nicht auf die vorstehend erwähnten Epoxid harz-Klebemittel beschränkt. Jedes Material, das sowohl ver bindbar als auch leitend ist, kann als die leitenden Klebe mittel verwendet werden. Außerdem ist das Material des Fußes 5 nicht auf Halbleiter beschränkt. Der Fuß 5 kann beispiels weise nämlich aus einem Leiter wie einem Metall hergestellt sein. Wie vorstehend beschrieben werden die leitenden Klebe mittel 8 und 9 als die leitende Verbindungseinrichtung ver wendet. Auf diese Weise kann ein Herstellungsvorgang verein facht und der Fuß 5 an der Elektrode 10 so fest gebondet wer den, daß ein Ablösen oder ein Abblättern kaum auftritt, indem die leitenden Klebemittel 8 und 9 auf sowohl die oberen und unteren Oberflächen des Fußes 5 als auch die Oberfläche der Elektrode 10 zugeführt werden und danach die leitenden Klebe mittel 8 und 9 durch eine Wärmebehandlung ausgehärtet werden.

Außerdem sind gemäß Fig. 1 eine Leitung bzw. ein Draht 11, der mit einer Konstantstromquelle 18 (siehe Fig. 2) verbunden ist und zum Zuführen eines elektrischen Stroms von der Kon stantstromquelle 18 verwendet wird, und eine Leitung bzw. ein Draht 12 zum Verbinden des Halbleiterchips 1 mit einem Er dungsanschluß 21 (siehe Fig. 2) bei der Vorrichtung vorgese hen. Außerdem ist in dem Fall gemäß diesem Ausführungsbei spiel ein Signalverarbeitungsschaltungsabschnitt 60 zum Um wandeln einer Veränderung des Widerstands, die bei dem Deh nungs-Meßstreifen 4 auftritt, in ein elektrisches Signal bei einem Abschnitt 1a des seitlichen Fußteils des Halbleiter chips 1 vorgesehen. Die anderen Bestandteile gemäß diesem Ausführungsbeispiel sind ähnlich wie die entsprechenden Ele mente der bekannten Vorrichtung gemäß Fig. 9. Deswegen ent fällt nachstehend die Beschreibung derartiger Bestandteile. Übrigens ist der Halbleiterchip 1 gemäß diesem Ausführungs beispiel elektrisch und mechanisch mit dem Fuß 5 verbunden und bildet oder dient als ein flexibler Ausleger zum Tragen eines Gewichtsabschnitts 2. Außerdem dient der Dehnungs-Meß streifen 4 als Beschleunigungs-Erfassungseinrichtung zum Er fassen einer Beschleunigung, der das Objekt ausgesetzt ist, von einer Biegung des Gewichtsabschnitts 2, die entsprechend der Beschleunigung verursacht wird, der das Objekt ausgesetzt ist.

Fig. 2 zeigt einen Längsschnitt zum Darstellen des Aufbaus der Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung gemäß Fig. 1 in Einzelheiten. Gemäß Fig. 2 besteht der Halbleiter chip 1 aus einem p-Typ-Substrat 13, n⁻-Epitaxieschichten 14 und p-Typ-Isolationsschichten 20, von denen jede zwischen den n⁻-Epitaxieschichten 14 vorgesehen ist. Außerdem sind Oxid filme 15 zur Isolation auf dem Halbleiterchip 1 vorgesehen. Elektroden 16 und 19 sind jeweils auf den Oxidfilmen 15 vor gesehen. Die Elektrode 16 ist aus Aluminium hergestellt und an die Leitung 11 angeschlossen. Die Elektrode 19 ist eben falls aus Aluminium hergestellt und an die Leitung 12 ange schlossen. Außerdem ist die gesamte obere Oberfläche des Halbleiterchips 1, die die oberen Oberflächen der Oxidfilme 15 und die Elektroden 16 sowie 19 enthält, mit Glasschichten 17 zum Schützen dessen Oberfläche beschichtet, außer an deren Abschnitten, die mit den Leitungen 11 und 12 oder dergleichen zu verbinden sind. Außerdem ist wie vorstehend erwähnt die Konstantstromquelle 18 zum Erzeugen eines elektrischen Stroms daraus mit der Elektrode 16 verbunden. Die Elektrode 19 ist mit dem Erdungsanschluß 21 über die Leitung 12 verbunden. In diesem Fall bilden eine Stromversorgung 29, die Konstant stromquelle 18 und der Erdungsanschluß 21 eine Ablöseerfas sungs-Konstantstromquelleneinrichtung zum Leiten eines kon stanten elektrischen Stromes über die Elektrode 10 des Soc kels 6, des Fußes 5 und des Halbleiterchips 1.

Außerdem bezeichnen gemäß Fig. 2 Bezugszeichen R1, R2, R3 und R4 den Widerstand des leitenden Klebemittels 9, den des Fußes 5, den des leitenden Klebemittels 8 und den des Abschnitts, der aus dem p-Typ-Substrat 13 und der p-Typ-Isolationsschicht 20 besteht. Diese Bezugszeichen sind zur Vereinfachung der Beschreibung in den Figuren aufgeführt.

Nachstehend wird die Arbeitsweise gemäß diesem Ausführungs beispiel beschrieben. Übrigens ist die Arbeitsweise zum Er fassen einer Beschleunigung des Objekts durch Verwendung des Dehnungs-Meßstreifens 4 gemäß diesem Ausführungsbeispiel ähn lich zu der vorstehend beschriebenen Arbeitsweise der bekann ten Vorrichtung. Daher entfällt nachstehend die Beschreibung eines Erfassens einer Beschleunigung des Objekts gemäß diesem Ausführungsbeispiel. Deswegen wird nachstehend nur ein Ablö se-Erfassungsvorgang (nämlich ein Vorgang eines Erfassens, ob ein Ablösen oder Abblättern an dem Haftabschnitt zwischen dem Sockel 6 und dem Fuß 5 und an dem Haftabschnitt zwischen dem Fuß 5 und dem Halbleiterchip 1 auftritt oder nicht) beschrie ben. Zunächst fließt gemäß Fig. 2 ein elektrischer Strom I₀, der ein aus der Konstantstromquelle 18 ausgegebener konstan ter elektrischer Ablöse-Erfassungsstrom ist und zum Erfassen eines Ablösens oder Abblätterns verwendet wird, über die Elektrode 16 in die Leitung 11. Die Leitung 11 ist an die Elektrode 10 derart angeschlossen, daß der elektrische Strom I₀ dann in die Elektrode 10 fließt. Daraufhin fließt der Strom I₀ aus der Elektrode 10 über das leitende Klebemittel 9 zu dem Fuß 5. Außerdem fließt der Strom I₀ dann in das p-Typ- Substrat 13 über das leitende Klebemittel 8. Das p-Typ-Sub strat 13 ist an die Elektrode 19 über die p-Typ-Isolations schicht 20 angeschlossen. Auf diese Weise fließt der Strom I₀ dann in die Elektrode 19. Daraufhin fließt der Strom I₀ zu dem Erdungsanschluß 21 über die an die Elektrode 19 ange schlossene Leitung 12. Wie vorstehend beschrieben fließt der Strom I₀ über den Fuß 5, das p-Typ-Substrat 13 usw. zu dem Erdungsanschluß 21.

Jedoch wird in dem Fall, in dem sich der Fuß 5 von dem Sockel 6 ablöst, und/oder in dem Fall, in dem sich der Halbleiter chip 1 von dem Fuß 5 ablöst, der Pfad unterbrochen, über den der Strom I₀ fließt. Infolgedessen fließt der Strom I₀ nicht zu dem Erdungsanschluß 21. Auf diese Weise kann ein Auftritt eines Ablösens oder Abblätterns zwischen dem Fuß 5 und dem Sockel 6 und/oder zwischen dem Halbleiterchip 1 und dem Fuß 5 durch Erfassen leicht erfaßt werden, ob der Strom I₀ dazwi schen fließt oder nicht.

Fig. 3 veranschaulicht den praktischen Aufbau einer Ablöse- Erfassungseinrichtung zum Erfassen eines Abblätterns oder Ab lösens durch Erfassen, ob der Strom I₀ fließt oder nicht. Die Ablöse-Erfassungseinrichtung 50A besteht aus einem Verglei cher 26, der als Vergleichs-Beurteilungsabschnitt dient, und einer Bezugs- bzw. Referenz-Spannungsquelle 27, die einen Be zugs- bzw. Referenzspannungs-Generatorabschnitt zum Erzeugen einer Bezugs- bzw. Referenzspannung Vref darstellt. Außerdem ist die Ablöse-Erfassungseinrichtung 50A zusammen mit dem vorstehend erwähnten Signalverarbeitungsschaltungsabschnitt 60 in dem Abschnitt 1a des seitlichen Fußteils des Halblei terchips 1 angeordnet. Auf diese Weise ist in dem Fall gemäß diesem Ausführungsbeispiel die Kombination der Beschleuni gungs-Erfassungseinrichtung, die durch den Dehnungs-Meßstrei fen 4 gebildet ist, und der Ablöse-Erfassungseinrichtung durch einen einzelnen Halbleiterchip gebildet. Dadurch kann die Größe der Vorrichtung verringert werden. In dieser Figur bezeichnen Bezugszeichen 22, 23, 24 und 25 jeweils Wider stände, die dem leitenden Klebemittel 9 (dessen Widerstand R1 ist), dem Fuß 5 (dessen Widerstand R2 ist), dem leitenden Klebemittel 8 (dessen Widerstand R3 ist) und der Kombination des p-Typ-Substrats 13 und der p-Typ-Isolationsschicht 20 entsprechen (übrigens ist der Widerstand dieser Kombination R4). Außerdem werden eine Spannung I₀ (R1 + R2 + R3 + R4), die ein an den Widerständen 22 bis 25 erzeugter Spannungsab fall ist, wenn der Strom I₀ aus der Konstantstromquelle 18 über die Widerstände 22 bis 25 zugeführt wird, und die aus der Bezugsspannungsquelle 27 ausgegebene Bezugsspannung Vref in den Vergleicher 26 eingegeben. Dann stellt der Vergleicher 26 einen Vergleich dazwischen an und führt eine Beurteilung aus. Außerdem gibt der Vergleicher 26 ein Vergleichs-Beurtei lungssignal VCOM aus, das ein Ergebnis der Vergleichs-Beur teilung darstellt.

Die Widerstände R1, R2, R3 und R4 der Widerstände 22 bis 25 hängen von deren Materialien und Aufbau ab. Falls der Strom I₀ und die Bezugsspannung Vref auf eine solche Weise einge stellt werden, daß sie die folgende Ungleichung erfüllen:

I₀ (R1 + R2 + R3 + R4) < Vref (1),

weist das Ausgangssignal aus dem Vergleicher 26 einen niedri gen ("L"-) Pegel auf.

In diesem Zusammenhang sei bemerkt, daß, falls der Fuß 5 von dem Sockel 6 abgetrennt wird, R1 gegen ∞ (unendlich) geht. Daher erfüllen der Strom I₀ und die Bezugsspannung Vref die folgende Ungleichung:

I₀ (R1 + R2 + R3 + R4) < Vref (2).

Infolgedessen weist das aus dem Vergleicher 26 ausgegebene Vergleichs-Beurteilungssignal VCOM einen hohen ("H"-)Pegel auf.

Falls sich außerdem der Fuß 5 auf ähnliche Weise von dem Halbleiterchip 1 ablöst, geht R3 gegen ∞ (unendlich). Auf diese Weise weist in diesem Fall das aus dem Vergleicher 26 ausgegebene Vergleichs-Beurteilungssignal VCOM einen hohen Pegel auf.

In dem Fall gemäß diesem Ausführungsbeispiel wird, wenn das aus dem Vergleicher 26 ausgegebene Vergleichs-Beurteilungssi gnal VCOM einen hohen Pegel aufweist, der Verbindungs- oder Haftabschnitt zwischen dem Fuß 5 und dem Sockel 6 oder zwi schen dem Fuß 5 und dem Halbleiterchip 1 unterbrochen (der Fuß 5 löst sich nämlich von dem Sockel 6 oder dem Halbleiter chip 1 ab), und auf diese Weise fließt der Strom I₀ nicht da durch. Deswegen kann ein diese Vorrichtung verwendendes Sy stem oder eine Bedienungsperson ein Auftreten des Ablösens dazwischen leicht und unmittelbar durch Überprüfen des Pegels des aus dem Vergleicher 26 ausgegebenen Vergleichs-Beurtei lungssignals VCOM erfassen. Außerdem kann verhindert werden, daß eine fehlerhafte Beschleunigung des Objektes gemessen wird, ohne daß die Anormalität einer derartigen Beschleuni gung bemerkt wird.

Außerdem wird in dem Fall gemäß diesem Ausführungsbeispiel die Vergleichs-Beurteilung zwischen dem an den Widerständen 22 bis 25 erzeugten Spannungsabfall und der Bezugsspannung Vref unter Verwendung des Vergleichers 26 ausgeführt. Außer dem wird entsprechend einem Ergebnis der Vergleichs-Beurtei lung erfaßt, ob ein Ablösen oder Abblättern auftritt oder nicht. Dadurch kann ein Ablösen oder Abblättern genau erfaßt werden, obwohl die Widerstände auf eine solche Weise erzeugt werden, daß sie bei dem Herstellvorgang die Widerstände Rl bis R4 nicht mit einer hohen Genauigkeit aufweisen. Infolge dessen kann der Herstellvorgang vereinfacht werden. Außerdem kann die Vorrichtung mit geringen Kosten hergestellt werden.

Ausführungsbeispiel 2

Fig. 4 stellt den Aufbau eines anderen Beispiels für die Ab löse-Erfassungseinrichtung zum Erfassen eines Auftretens ei nes Ablösens durch Erfassen dar, ob der elektrische Strom I₀ fließt oder nicht, die bei der Halbleiter-Beschleunigungser fassungsvorrichtung mit dem in Fig. 1 und 2 dargestellten Aufbau vorgesehen ist. Gemäß Fig. 4 ist die Ablöse-Erfas sungseinrichtung 50B gemäß diesem Ausführungsbeispiel, näm lich gemäß Ausführungsbeispiel 2, mit einem Widerstand 28, dessen Widerstand R0 ist, anstelle der Konstantstromquelle 18 gemäß Fig. 3 versehen. Außerdem bezeichnet in Fig. 4 Bezugs zeichen 29 eine Spannungsversorgung, deren Versorgungsspan nung Vcc ist. Die verbleibenden Bestandteile gemäß diesem Ausführungsbeispiel sind ähnlich zu den entsprechenden Ele menten des Ausführungsbeispiels gemäß Fig. 3. In diesem Zu sammenhang sei bemerkt, daß der Widerstand R0 und die Bezugs spannung Vref auf eine solche Weise eingestellt werden, daß sie die folgende Ungleichung erfüllen:

In diesem Fall wird in dem Vergleicher 26 ein Bruchteil der Spannung der Versorgungsspannung Vcc der Spannungsversorgung 29, die durch Teilen der Spannung Vcc in zwei Bruchteile von Spannungen in einem Verhältnis des Widerstandes 28 zu dem Ge samtwiderstand der Widerstände 22 bis 25 erhalten wird, mit der Bezugsspannung Vref verglichen. Dann wird ein Vergleichs- Beurteilungssignal VCOM, das ein Ergebnis des Vergleichs (der Beurteilung) darstellt, aus dem Vergleicher 26 ausgegeben. Deswegen weist das aus dem Vergleicher 26 ausgegebene Ver gleichs-Beurteilungssignal VCOM normalerweise den niedrigen Pegel auf. Wenn sich der Fuß 5 jedoch von dem Sockel 6 ab löst, wird der Widerstand Rl des leitenden Klebemittels 9 un endlich. Falls die Ungleichung (3) abgeändert wird und R1 ge gen ∞ (unendlich) geht, wird daher die folgende Ungleichung erhalten.

Auf diese Weise weist das aus dem Vergleicher 26 ausgegebene Vergleichs-Beurteilungssignal VCOM den hohen Pegel auf. Außerdem wird, wenn sich der Fuß 5 von dem Halbleiterchip 1 ablöst, der Widerstand R3 des leitenden Klebemittels 8 unend lich. Auf diese Weise weist das aus dem Vergleicher 26 ausge gebene Vergleichs-Beurteilungssignal VCOM auf ähnliche Weise den hohen Pegel auf.

Wenn das aus dem Vergleicher 26 ausgegebene Vergleichs-Beur teilungssignal VCOM den hohen Pegel annimmt, ist wie vorste hend beschrieben gemäß diesem Ausführungsbeispiel 2 auf ähn liche Weise wie in dem Fall gemäß dem vorstehend beschriebe nen Ausführungsbeispiel 1 der Verbindungs- oder Haftabschnitt zwischen dem Fuß 5 und dem Sockel 6 und/oder zwischen dem Fuß 5 und dem Halbleiterchip 1 unterbrochen, der Fuß 5 löst sich nämlich von dem Sockel 6 oder dem Halbleiterchip 1 ab. Auf diese Weise kann ein die Vorrichtung verwendendes System oder eine Bedienungsperson ein Auftreten des Ablösens dazwischen leicht und unmittelbar durch Überprüfen des Pegels des aus dem Vergleicher 26 ausgegebenen Vergleichs-Beurteilungssi gnals VCOM erfassen. Außerdem kann verhindert werden, daß ei ne fehlerhafte Beschleunigung des Objekts gemessen wird, ohne daß die Anormalität einer derartigen Beschleunigung bemerkt wird.

Außerdem weist dieses Ausführungsbeispiel einen solchen Auf bau auf, durch den ein Ablösen oder ein Ablösen genau erfaßt werden kann, obwohl die Genauigkeit der Widerstände R0 bis R4 der Widerstände 22 bis 25 und 28 nicht so hoch ist. Infolge dessen kann der Herstellvorgang vereinfacht werden. Außerdem kann die Vorrichtung mit geringen Kosten hergestellt werden.

Ausführungsbeispiel 3

Fig. 5 stellt den Aufbau eines weiteren Beispiels für die Ab löse-Erfassungsvorrichtung zum Erfassen eines Auftritts eines Ablösens durch Erfassen dar, ob der elektrische Strom I₀ fließt oder nicht, die bei der Halbleiter-Beschleunigungser fassungsvorrichtung mit dem Aufbau gemäß Fig. 1 und 2 vorge sehen ist. Gemäß Fig. 5 ist die Ablöse-Erfassungseinrichtung 50C gemäß diesem Ausführungsbeispiel, nämlich gemäß Ausfüh rungsbeispiel 3, mit einem Paar pnp-Transistoren 30 und 31 versehen, die eine gemeinsame Basis und Emitter aufweisen und einen Stromspiegelschaltungs-Abschnitt bilden. Im einzelnen weisen die pnp-Transistoren 30 und 31 dieselbe Größe auf. Außerdem bezeichnet Bezugszeichen 32 einen Widerstand, der an den Kollektor des pnp-Transistors 30 angeschlossen ist und einen Widerstand R5 aufweist. Es ist jedoch nicht unbedingt erforderlich, daß der Widerstand 32 bei der Vorrichtung vor gesehen ist. Der Widerstand 32 kann sofern erforderlich vor gesehen sein. Außerdem bezeichnet Bezugszeichen 33 einen Wi derstand, der an den Kollektor des pnp-Transistors 31 ange schlossen ist und einen Widerstand R6 aufweist. Darüber hin aus ist gemäß diesem Ausführungsbeispiel ein npn-Transistor 34 vorgesehen, dessen Basis an einen Punkt zwischen dem Kol lektor des pnp-Transistors 31 und dem Widerstand 33 ange schlossen ist. Außerdem ist gemäß diesem Ausführungsbeispiel ein an den npn-Transistor 34 angeschlossener Lastwiderstand 35 vorgesehen.

V_BE30 sei die Basis-Emitter-Spannung des pnp-Transistors 30. Der Kollektorstrom Ic₁ des pnp-Transistors 30 ist dann durch die folgende Ungleichung (5) gegeben:

Außerdem ist der Kollektorstrom Ic₂ des pnp-Transistors 31 durch die folgende Ungleichung durch die Wirkung des aus dem Paar der pnp-Transistoren 30 und 31 bestehenden Stromspiegel schaltungs-Abschnitts gegeben:

Ic₂ = Ic₁ (6).

Auf diese Weise wird ein an dem Widerstand 33 erzeugter Span nungsabfall V_R33 durch Verwendung der Ungleichung (5) wie folgt erhalten:

Außerdem wird eine zum Einschalten des npn-Transistors 34 er forderliche Spannung V_BE(ON)₃₄ mit dem vorstehend erwähnten Spannungsabfall V_R33 verglichen, der an dem Widerstand 33 er zeugt wird. Falls die Spannung V_BE(ON)₃₄ auf eine solche Weise eingestellt wird, daß V_R33 ≧ V_BE(ON)₃₄ gilt, ist der npn-Transistor 34 normalerweise eingeschaltet. Außerdem nimmt das Potential an dem Kollektor des npn-Transistors 34 einen niedrigen ("L"-) Pegel an. Das Potential an dem Kollektor dieses Transistors 34 nimmt nämlich den niedrigen Pegel an, falls die folgende Ungleichung oder Bedingung zutrifft bzw. erfüllt ist:

Übrigens stellt in dem Fall gemäß diesem Ausführungsbeispiel das Ausgangssignal VCOM aus der Erfassungseinrichtung 50C den Pegel dieses Kollektorpotentials dar.

In diesem Zusammenhang sei bemerkt, daß, wenn sich der Fuß 5 von dem Sockel 6 ablöst, der Widerstand R1 des leitenden Kle bemittels 9 unendlich wird. Auf diese Weise wird die durch die Ungleichung (8) dargestellte Verbindung wie folgt verän dert:

Außerdem wird der npn-Transistor 34 ausgeschaltet. Auf diese Weise nimmt das Potential des Kollektors des Transistors 34 einen hohen ("H"-) Pegel an. Außerdem wird, wenn sich der Fuß 5 von dem Halbleiterchip 1 ablöst, der Widerstand R3 des lei tenden Klebemittels 8 ∞ (unendlich). Infolgedessen weist auf ähnliche Weise das aus dem Vergleicher 26 ausgegebene Ver gleichs-Beurteilungssignal VCOM den hohen Pegel auf. Auf diese Weise kann das Ablösen des Fußes 5 von dem Sockel 6 oder dem Halbleiterchip 1 leicht erfaßt werden.

Außerdem ist die Ablöse-Erfassungseinrichtung 50C wie vorste hend beschrieben durch Verwendung des Stromspiegelschaltungs- Abschnitts aufgebaut. Desweiteren wird der npn-Transistor 34 entsprechend dem Kollektorstrom des Stromspiegelschaltungs- Abschnitts ein- oder ausgeschaltet. Darüber hinaus kann ein Ausgangssignal aus der Ablöse-Erfassungseinrichtung 50C zum Darstellen des Pegels des Kollektorpotentials des npn-Transi stors 34 ausgelegt sein. Auf diese Weise weist dieses Ausfüh rungsbeispiel Vorteile dahingehend auf, daß der Aufbau der Schaltung vereinfacht werden und daß die Vorrichtung mit ge ringen Kosten leicht hergestellt werden kann.

Ausführungsbeispiel 4

Fig. 6 veranschaulicht ein anderes Ausführungsbeispiel, näm lich Ausführungsbeispiel 4 der vorliegenden Erfindung. In dem Fall dieses Ausführungsbeispiels ist der Fuß 5 an den Halb leiterchip 1 und an die Elektrode 10 durch Verwendung von Lot oder leitenden Hartlöt-Füllmaterialien 36 sowie 37 wie Gold silizium und Goldzinn anstelle der leitenden Klebemittel 8 und 9 gemäß den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispie len 1 bis 3 (siehe Fig. 1) gebondet bzw. geklebt. In diesem Fall ist es zum Verbessern der Lötbarkeit und der Hartlötfä higkeit der Vorrichtung erforderlich, (nicht dargestellte) metallische Dünnfilme auf der rückwärtigen Oberfläche des Halbleiterchips 1 und auf sowohl den oberen als auch den un teren Oberflächen des Fußes 5 durch Ausführen eines Bedamp fungsverfahrens oder eines Kathodenzerstäubungs- bzw. Sputterverfahrens auszubilden. Ein Beispiel dieses metalli schen Dünnfilms ist ein Dünnfilm, der aus drei Schichten be steht, die jeweils aus Ti, Ni und Au hergestellt sind. Dieser Dünnfilm ist auf eine solche Weise aufgebaut, daß dessen äußerste Schicht die aus Au hergestellte Schicht ist, die hinsichtlich Lötbarkeit und -fähigkeit hervorsticht.

Außerdem ist es nicht notwendigerweise erforderlich, daß der Fuß 5 aus Silizium hergestellt ist. Der Fuß 5 kann nämlich aus einem Metall wie Kupfer oder Eisen hergestellt sein. In einem derartigen Fall ist es nicht erforderlich, metallische Dünnfilme, die durch Ausführen des Bedampfungsverfahrens oder des Kathodenzerstäubungsverfahrens ausgebildet werden, auf beiden Oberflächen des Fußes 5 jeweils auszubilden bzw. anzu wenden. Auf diese Weise kann der Fuß 5 direkt daran gelötet oder hartgelötet werden. Dadurch kann der Herstellvorgang weiter vereinfacht werden.

In dem Fall gemäß diesem Ausführungsbeispiel weist das Lot oder die Hartlöt-Füllmaterialien 36 und 37 dieselben Funktio nen wie die leitenden Klebemittel 8 und 9 gemäß den Ausfüh rungsbeispielen 1 bis 3 auf. Auf diese Weise können gemäß diesem Ausführungsbeispiel 4 Wirkungen erhalten werden, die ähnlich zu denen der Ausführungsbeispiele 1 bis 3 sind. Außerdem werden in dem Fall gemäß diesem Ausführungsbeispiel 4 das Lot oder die Hartlöt-Füllmaterialien 36 sowie 37, die schnell ausgehärtet werden, zum Bonden des Fußes 5 an den Halbleiterchip 1 oder an die Elektrode 10 verwendet. Auf diese Weise kann die Vorrichtung leicht hergestellt werden. Außerdem kann eine zum Ausführen des Herstellvorgangs erfor derliche Zeit verkürzt werden.

Ausführungsbeispiel 5

Fig. 7 und 8 stellen ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dar. In dem Fall dieses Ausführungs beispiels weist die Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvor richtung grundsätzlich denselben Aufbau wie den gemäß dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 auf. Fig. 7 zeigt einen Längsschnitt durch die Vorrichtung in einer Richtung von 90° zu der Richtung, in der der in Fig. 2 dargestellte Längs schnitt genommen ist. Außerdem sind in dem Fall dieses Aus führungsbeispiels die Beschleunigungserfassungseinrichtung und die Ablöse-Erfassungseinrichtung als getrennte Körper durch zwei jeweils unterschiedliche Chips gebildet und daher voneinander getrennt.

Gemäß Fig. 7 weist die Halbleiter-Beschleunigungserfassungs vorrichtung in dem Fall gemäß diesem Ausführungsbeispiel ei nen aus Silizium hergestellten Halbleiterchip 38 und einen Chip 39 mit einem integrierten Schaltkreis (IC) auf, der ei nen Signalverarbeitungsschaltungs-Abschnitt zum Umwandeln ei ner Dehnung, die durch die Ablöse-Erfassungseinrichtung und den Dehnungs-Meßstreifen 4 erfaßt wird, in ein elektrisches Signal dient. Der Halbleiterchip 38 ist an den Fuß 5 mit dem leitenden Klebemittel 8 als Ausleger gebondet bzw. geklebt. Auf diese Weise ist das Gewicht (der Gewichtsabschnitt) 2 an dem freien Ende (siehe Fig. 1) des Halbleiterchips 38 ausge bildet. Außerdem ist der Dehnungs-Meßstreifen 4 (siehe Fig. 9) an dem dünnwandigen Abschnitt 3 (siehe Fig. 1) des Halb leiterchips 38 vorgesehen. Weiterhin ist die an den Fuß 5 ge bondete Elektrode 10 an den integrierten Schaltungs-Chip 39 mit einer Leitung bzw. einem Draht 45 verbunden. Darüber hin aus ist bei dem Halbleiterchip 38 eine n⁺-Diffusionsschicht 40b in einer n-Schicht 40a ausgebildet. Außerdem ist die n⁺- Diffusionsschicht 40b über eine Leitung bzw. einen Draht 46 wie einen Al-Draht (Aluminiumdraht) an die Spannungsversor gung 29 angeschlossen. Außerdem ist in Fig. 8 die n-Schicht 40a des Halbleiterschips 38 als Widerstand 41 dargestellt, dessen Widerstand R6 ist. Außerdem sind eine Konstantstrom quelle 43 der Einfluß-Ausführungsform, der Vergleicher 26 und die Bezugsspannungsquelle 27 zum Ausgeben einer Bezugsspan nung Vref in einem integrierten Schaltungs-Chip 39 vorgese hen. Hier bilden der Vergleicher 26 und die Bezugsspannungs quelle 27 eine Ablöse-Erfassungseinrichtung 50D in dem Fall gemäß diesem Ausführungsbeispiel.

Übrigens wird gemäß diesem Ausführungsbeispiel als das Ergeb nis des Bildens des Halbleiterchips 38 durch Verwendung der n-Schicht 40a, die Konstantstromquelle 43 der Einfluß-Ausfüh rungsform, in die ein elektrischer Strom I₀ fließt, anstelle der Konstantstromquelle 18 der Ausfluß-Ausführungsform gemäß Fig. 2 verwendet, aus der ein elektrischer Strom fließt. Al ternativ kann die Vorrichtung durch Verwendung der Konstant stromquelle 18 der Ausfluß-Ausführungsform ähnlich wie bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 in dem Fall aufgebaut sein, in dem der Halbleiterchip 38 durch Verwendung eines p-Typ-Substrats gebildet ist. Gemäß dieser Figur besteht gemäß diesem Ausführungsbeispiel 5 die Konstantstromquelleneinrich tung zum Erfassen eines Ablösens aus der Spannungsversorgung 29, der Konstantstromquelle 43 und dem Erdungsanschluß 21. Außerdem fließt wie in Fig. 7 dargestellt der Strom I₀ aus der n-Schicht 40a des Halbleiterchips 38 zu dem integrierten Schaltungs-Chip 39 über das leitende Klebemittel 8, den Fuß 5, das leitende Klebemittel 9, die Elektrode 10 und die Lei tung 45. Falls sich der Fuß 5 von dem Sockel 6 ablöst und bzw. oder der Halbleiterchip 38 sich von dem Fuß 5 ablöst, wird der Pfad unterbrochen, über den der Strom I₀ fließt. In folgedessen fließt der Strom I₀ nicht in den Erdungsanschluß 21. Auf diese Weise kann ein Auftreten des Ablösens zwischen dem Fuß 5 und dem Sockel 6 und bzw. oder zwischen dem Halb leiterchip 38 und dem Fuß 5 durch Erfassen erfaßt werden, ob der Strom I₀ dazwischen fließt oder nicht.

Wenn der Strom I₀ und die Bezugsspannung Vref vorab auf eine solche Weise eingestellt werden, daß sie die folgende Unglei chung erfüllen:

Vcc - I₀ × (R6 + R3 + R2 + R1) < Vref (10),

und der Spannungsabfall [Vcc - I₀ × (R6 + R3 + R2 + R1)], der an den Widerständen 22, 23, 24 und 41 auftritt, in dem Ver gleicher 26 mit der Bezugsspannung Vref verglichen wird, weist das aus dem Vergleicher 26 ausgegebene Vergleichs-Beur teilungssignal VCOM einen niedrigen ("L"-) Pegel auf.

Falls sich jedoch der Fuß 5 von dem Sockel 6 löst, wird der Widerstand R1 des leitenden Klebemittels 9 jedoch unendlich. Auf diese Weise erfüllen der Strom I₀ und die Bezugsspannung Vref die folgende Ungleichung:

Vcc - I₀ × (R6 + R3 + R2 + R1) < Vref (11).

Infolgedessen weist das aus dem Vergleicher 26 ausgegebene Vergleichs-Beurteilungssignal VCOM einen hohen ("H"-) Pegel auf. Falls sich der Fuß 5 von dem Halbleiterchip 1 auf ähnli che Weise ablöst, wird außerdem der Widerstand R3 des leiten den Klebemittels 8 unendlich. Auf diese Weise weist das Ver gleichs-Beurteilungssignal VCOM auf ähnliche Weise einen ho hen Pegel auf.

Wie vorstehend beschrieben wird gemäß diesem Ausführungsbei spiel, wenn das aus dem Vergleicher 26 ausgegebene Ver gleichs-Beurteilungssignal VCOM einen hohen Pegel annimmt, der Verbindungs- oder Haftabschnitt zwischen dem Fuß 5 und dem Sockel 6 und bzw. oder zwischen dem Fuß 5 und dem Halb leiterchip 38 unterbrochen (der Fuß 5 löst sich nämlich von dem Sockel 6 oder dem Halbleiterchip 38) auf ähnliche Weise wie in dem Fall gemäß dem vorstehend beschriebenen Ausfüh rungsbeispiel 1. Deswegen kann ein die Vorrichtung verwenden des System oder eine Bedienungsperson ein Auftreten des Ablö sens dazwischen leicht und unmittelbar durch Überprüfen des Pegels des aus dem Vergleicher 26 ausgegebenen Vergleichs-Be urteilungssignals VCOM erfassen. Außerdem kann verhindert werden, daß eine fehlerhafte Beschleunigung des Objekts ge messen wird, ohne die Anormalität einer derartigen Beschleu nigung zu bemerken.

Außerdem ist es im allgemeinen schwierig, die Vorrichtung auf eine solche Weise herzustellen, daß der dünnwandige Abschnitt 3 bei dem Halbleiterchip 38 mit einer hohen Genauigkeit aus gebildet ist. Infolgedessen kann der Halbleiterchip 38 mit der Beschleunigungserfassungseinrichtung, die aus dem Deh nungs-Meßstreifen 4 und dem dünnwandigen Abschnitt 3 besteht, mit einer schlechten Ausbeute verglichen mit dem integrierten Schaltungs-Chip 39 mit der Ablöse-Erfassungseinrichtung her gestellt werden. Daher sollten in dem Fall, in dem die Be schleunigungs-Erfassungseinrichtung und die Ablöse-Erfas sungseinrichtung durch einen einzelnen Chip gebildet sind, sowohl die Beschleunigungserfassungseinrichtung als auch die Ablöse-Erfassungseinrichtung beseitigt werden, falls die Be schleunigungserfassungseinrichtung von schlechter Qualität ist, selbst wenn die Ablöse-Erfassungseinrichtung den Stan dard bzw. die Norm erreicht. Im Gegensatz dazu sind gemäß diesem Ausführungsbeispiel der Halbleiterchip 38, in der die Beschleunigungserfassungseinrichtung vorgesehen ist, und der integrierte Schaltungs-Chip 39 mit der Ablöse-Erfassungsein richtung auf eine solche Weise ausgebildet, daß sie voneinan der getrennt sind. Daher werden der integrierte Schaltungs- Chip 39 und der Halbleiterchip 38 bei dem Herstellvorgang oder -verfahren einzeln bzw. getrennt hergestellt. Außerdem wird die Zuverlässigkeit des integrierten Schaltungs-Chips 39 einzeln von der des Halbleiterchips 38 getestet bzw. über prüft. Dann sollte nur die Kombination des integrierten Schaltungs-Chips 39 und des Halbleiterchips 38, die die Tests bestehen, bei der Vorrichtung verwendet werden. Infolgedessen kann die Notwendigkeit einer Beseitigung der Ablöse-Erfas sungseinrichtung, die den Test besteht, wegen der Beschleuni gungserfassungseinrichtung mit schlechter Zuverlässigkeit be seitigt werden. Dadurch kann die Menge der beseitigten Ablö se-Erfassungseinrichtungen verringert werden. Außerdem kann die Ausbeute der Vorrichtungen erhöht werden. Infolgedessen kann der Abfall von den Herstellungskosten beseitigt werden. Außerdem kann der Preis des Produkts deswegen gesenkt werden.

Übrigens wird gemäß jedem der vorstehend beschriebenen Aus führungsbeispiele 1 bis 5 die Beschleunigungserfassungsein richtung der Dehnungs-Erfassungs-Ausführungsform verwendet, bei der der den Ausleger bildende Halbleiterchip 1 auf dem Fuß 5 als Ausleger vorgesehen ist und außerdem der Dehnungs- Meßstreifen 4 verwendet wird. Die Beschleunigungserfassungs einrichtung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Eine Be schleunigungserfassungseinrichtung der Versatzerfassungs-Aus führungsform, bei der eine Beschleunigung entsprechend dem Versatz bzw. der Verschiebung des Auslegers anstelle dessen Verformung erfaßt wird, kann verwendet werden. Außerdem kann auch eine Beschleunigungserfassungseinrichtung der Ausfüh rungsform mit gespreizt befestigtem Ausleger verwendet wer den, bei dem der Ausleger auf eine gespreizte Weise angeord net ist.

Claims

1. Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung mit
einem Substrat (6) zur Befestigung an einem zu messenden Objekt, wobei das Substrat (6) eine darauf vorgesehene Leit einrichtung (10) aufweist,
einem mechanisch und elektrisch mit der Leiteinrichtung (10) verbundenen Fuß (5),
einem an dem Fuß (5) vorgesehenen Ausleger (1),
einem an dem Ausleger (1) vorgesehenen Gewicht (2) und
einer an dem Ausleger (1) vorgesehenen Beschleunigungs erfassungeinrichtung (4) zur Erfassung einer Beschleunigung, der das Objekt ausgesetzt ist, entsprechend einer Biegung des Gewichts (2), gekennzeichnet durch
eine Ablöseerfassungs-Konstantstromquelleneinrichtung (18, 21, 29; 29, 31, 43) zur Zufuhr eines elektrischen Ab löseerfassungs-Stroms über einen Pfad, der aus der Leitein richtung (10) des Substrats (6), dem Fuß (5) und dem Ausleger (1) besteht,
eine Ablöse-Erfassungseinrichtung (50A; 50B; 50C; 50D) zur Erfassung eines Ablösens, das an einem Verbindungsab schnitt zwischen dem Substrat (6) und dem Fuß (5) und/oder zwischen dem Fuß (5) und dem Ausleger (1) auftritt, durch Erfassung des über den Pfad zuzuführenden elektrischen Ab löse-Erfassungsstroms, und
eine leitende Verbindungseinrichtung (8, 9; 36, 37) zur Verbindung des Fußes (5) mit der Leiteinrichtung (10) des Substrats (6) und mit dem Ausleger (1)

2. Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung nach An spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die leitende Verbin dungseinrichtung ein leitendes Klebemittel (8, 9) aufweist.

3. Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung nach An spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die leitende Verbin dungseinrichtung ein Lot (8, 9) aufweist.

4. Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung nach An spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die leitende Verbin dungseinrichtung ein leitendes Hartlöt-Füllmaterial (8, 9) aufweist.

5. Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung nach An spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschleunigungs erfassungseinrichtung (4) und die Ablöse-Erfassungseinrich tung (50A; 50B; 50C; 50D) durch einen einzelnen Chip ausge bildet sind.

6. Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung nach An spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschleunigungs erfassungseinrichtung (4) und die Ablöse-Erfassungseinrich tung (50A; 50B; 50C; 50D) jeweils durch einzelne Chips ausge bildet sind.

7. Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung nach An spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ablöse-Erfassungs einrichtung (50A; 50B; 50C; 50D)
einen Bezugsspannungs-Generatorabschnitt (29) zur Aus gabe einer Bezugsspannung (Vref) und
einen Vergleichs-Beurteilungsabschnitt (26) zum Ver gleich zwischen dem von einem Wert des Pfadwiderstands ab hängigen Spannungspegel und dem Bezugsspannungspegel (Vref) aufweist, wenn der elektrische Ablöse-Erfassungsstrom durch die Ablöse-Konstantstromquelleneinrichtung (18, 21, 29; 21, 29, 43) zugeführt wird, und zur Ausgabe eines Vergleichsbeur teilungssignals (VCOM), das angibt, ob der elektrische Ab löse-Erfassungsstrom normal über den Pfad fließt oder nicht, entsprechend einem Vergleichsergebnis.

8. Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung nach An spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ablöse-Erfassungs einrichtung (50C)
einen Stromspiegelschaltungs-Abschnitt mit einem Paar pnp-Transistoren (30, 31), deren Kollektorströme Pegel auf weisen, die sich mit einem Wert des Pfadwiderstands verän dern, und
einen entsprechend den Pegeln der Kollektorströme des Stromspiegelschaltungs-Abschnitts gesteuerten npn-Transister (34) aufweist,
wobei ein Pegel eines Kollektorpotentials des npn-Tran sistors (34) als Ausgangssignal aus der Ablöse-Erfassungs einrichtung (50C) verwendet wird.

9. Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung nach An spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Fuß (5) aus einem Halbleiter besteht.

10. Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung nach An spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Fuß (5) aus einem Leiter besteht.