JP2001139895A - フィルム状電子部品用接着剤及び電子部品 - Google Patents
フィルム状電子部品用接着剤及び電子部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 (A)下記構造式(1)で示される繰り
返し単位からなり、重量平均分子量が5,000〜15
0,000であるポリイミド樹脂、(B)1分子中に2
個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂を含有し、
厚みが20〜150μmであるフィルム状電子部品用接
着剤。 【化1】 〔但し、Xは4価の芳香族基、Yはフェノール性ヒドロ
キシル基を有する芳香族ジアミン残基30〜99モル%
と、芳香族ジアミン残基70〜1モル%とからなる2価
の有機基、Zは下記式で示されるシロキサンジアミン残
基、m,nは、0.70≦m/(m+n)≦0.98、
0.02≦n/(m+n)≦0.30を満足する正数で
ある。〕 【効果】 本発明のフィルム状電子部品用接着剤は、電
子部品の組立工程の簡略化・時間短縮に貢献する。
返し単位からなり、重量平均分子量が5,000〜15
0,000であるポリイミド樹脂、(B)1分子中に2
個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂を含有し、
厚みが20〜150μmであるフィルム状電子部品用接
着剤。 【化1】 〔但し、Xは4価の芳香族基、Yはフェノール性ヒドロ
キシル基を有する芳香族ジアミン残基30〜99モル%
と、芳香族ジアミン残基70〜1モル%とからなる2価
の有機基、Zは下記式で示されるシロキサンジアミン残
基、m,nは、0.70≦m/(m+n)≦0.98、
0.02≦n/(m+n)≦0.30を満足する正数で
ある。〕 【効果】 本発明のフィルム状電子部品用接着剤は、電
子部品の組立工程の簡略化・時間短縮に貢献する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、取り扱いが簡潔で
あり、かつ低温・短時間の処理により優れた耐溶剤性・
接着性を発揮するフィルム状電子部品用接着剤、及びこ
れを用いた電子部品に関する。
あり、かつ低温・短時間の処理により優れた耐溶剤性・
接着性を発揮するフィルム状電子部品用接着剤、及びこ
れを用いた電子部品に関する。
【0002】
【従来の技術】ポリイミド樹脂は耐熱性・電気絶縁性に
優れており、電子部品用の接着剤として広く用いられて
いる。多くの場合は溶液の状態で用いられるが、ポリイ
ミド樹脂は高沸点の限られた溶剤にしか溶解しない。従
って一般にはポリイミドの前駆体であり、種々の溶剤に
溶解し得るポリアミック酸の溶液を被着体に塗布し、3
00℃以上で長時間加熱処理することにより、脱水・イ
ミド化する方法がとられる。しかしこの場合、加熱処理
の工程で被着体の熱劣化が起こるおそれがあり、また加
熱が不十分であると樹脂層中にポリアミック酸が残留
し、耐湿性・耐腐食性の低下を招くおそれがある。
優れており、電子部品用の接着剤として広く用いられて
いる。多くの場合は溶液の状態で用いられるが、ポリイ
ミド樹脂は高沸点の限られた溶剤にしか溶解しない。従
って一般にはポリイミドの前駆体であり、種々の溶剤に
溶解し得るポリアミック酸の溶液を被着体に塗布し、3
00℃以上で長時間加熱処理することにより、脱水・イ
ミド化する方法がとられる。しかしこの場合、加熱処理
の工程で被着体の熱劣化が起こるおそれがあり、また加
熱が不十分であると樹脂層中にポリアミック酸が残留
し、耐湿性・耐腐食性の低下を招くおそれがある。
【0003】これに対して、溶剤に可溶であるポリイミ
ドの溶液を被着体に塗布し、加熱・溶剤を除去すること
により、樹脂層を形成する方法が知られている。しかし
この場合、樹脂層の耐溶剤性の低下を招くおそれがあ
る。
ドの溶液を被着体に塗布し、加熱・溶剤を除去すること
により、樹脂層を形成する方法が知られている。しかし
この場合、樹脂層の耐溶剤性の低下を招くおそれがあ
る。
【0004】また、これらの方法は接着剤を溶液の状態
で用いているため、溶液の塗布・溶剤の除去と取り扱い
が煩雑であり、また溶剤の除去が十分でないと、特に半
導体デバイスのダイボンド材のように後工程で高温にさ
らされる場合には、溶剤が気化してボイドを生じ、これ
が剥離・クラックの原因になるおそれがある。
で用いているため、溶液の塗布・溶剤の除去と取り扱い
が煩雑であり、また溶剤の除去が十分でないと、特に半
導体デバイスのダイボンド材のように後工程で高温にさ
らされる場合には、溶剤が気化してボイドを生じ、これ
が剥離・クラックの原因になるおそれがある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題を解
決するべくなされたものであり、取り扱いが簡潔である
と共に、低温・短時間の処理により優れた耐溶剤性・接
着性を発揮するフィルム状電子部品用接着剤、及びこれ
を用いた電子部品を提供することを目的とする。
決するべくなされたものであり、取り扱いが簡潔である
と共に、低温・短時間の処理により優れた耐溶剤性・接
着性を発揮するフィルム状電子部品用接着剤、及びこれ
を用いた電子部品を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、(A)下記構造式(1)で示される繰り返し単位か
らなる特定の構造及び分子量のポリイミド樹脂と(B)
1分子中に2個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹
脂を必須成分とし、これら成分を溶剤に溶解した溶液よ
り溶剤を除去して、厚み20〜150μmのフィルム状
にすることにより、取り扱いが簡潔であり、また残存溶
剤によるボイドや剥離・クラックの発生等の問題を解決
し得、しかも、低温・短時間の処理により優れた耐溶剤
性・接着性を発揮する信頼性に優れた電子部品用接着剤
が得られることを知見した。またこの場合、特に上記エ
ポキシ樹脂として、低粘度のものを用いることにより、
接着時に低荷重でも良好な接着性を与え、このためチッ
プ等の被着体にダメージを与えるおそれが少ないことを
知見し、本発明をなすに至った。
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、(A)下記構造式(1)で示される繰り返し単位か
らなる特定の構造及び分子量のポリイミド樹脂と(B)
1分子中に2個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹
脂を必須成分とし、これら成分を溶剤に溶解した溶液よ
り溶剤を除去して、厚み20〜150μmのフィルム状
にすることにより、取り扱いが簡潔であり、また残存溶
剤によるボイドや剥離・クラックの発生等の問題を解決
し得、しかも、低温・短時間の処理により優れた耐溶剤
性・接着性を発揮する信頼性に優れた電子部品用接着剤
が得られることを知見した。またこの場合、特に上記エ
ポキシ樹脂として、低粘度のものを用いることにより、
接着時に低荷重でも良好な接着性を与え、このためチッ
プ等の被着体にダメージを与えるおそれが少ないことを
知見し、本発明をなすに至った。
【0007】即ち、本発明は、(A)下記構造式(1)
で示される繰り返し単位からなり、重量平均分子量が
5,000〜150,000であるポリイミド樹脂、
(B)1分子中に2個以上のグリシジル基を有するエポ
キシ樹脂を必須成分として含有し、かつ厚みが20〜1
50μmであるフィルム状電子部品用接着剤、及びこの
フィルム状電子部品用接着剤にて基板に接着された電子
部品を提供する。
で示される繰り返し単位からなり、重量平均分子量が
5,000〜150,000であるポリイミド樹脂、
(B)1分子中に2個以上のグリシジル基を有するエポ
キシ樹脂を必須成分として含有し、かつ厚みが20〜1
50μmであるフィルム状電子部品用接着剤、及びこの
フィルム状電子部品用接着剤にて基板に接着された電子
部品を提供する。
【化10】 〔但し、Xは、下記に示される4価の有機基の1種又は
2種以上、
2種以上、
【化11】 Yは、(Y1)下記式で示されるフェノール性ヒドロキ
シル基を有する芳香族ジアミン残基の1種又は2種以上
30〜99モル%と、
シル基を有する芳香族ジアミン残基の1種又は2種以上
30〜99モル%と、
【化12】 (Y2)下記式で示される芳香族ジアミン残基の1種又
は2種以上70〜1モル%とからなる2価の有機基、
は2種以上70〜1モル%とからなる2価の有機基、
【化13】 Zは、下記式で示されるシロキサンジアミン残基、
【化14】 (但し、R1は炭素数1〜10の非置換又は置換の一価
炭化水素基、aは1〜6の整数、bは1〜120の整数
である。) また、m,nは、0.70≦m/(m+n)≦0.9
8、かつ0.02≦n/(m+n)≦0.30を満足す
る正数である。〕
炭化水素基、aは1〜6の整数、bは1〜120の整数
である。) また、m,nは、0.70≦m/(m+n)≦0.9
8、かつ0.02≦n/(m+n)≦0.30を満足す
る正数である。〕
【0008】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明において用いられるポリイミド樹脂は、下記構造式
(1)で示される繰り返し単位からなり、これはフェノ
ール性ヒドロキシル基とジオルガノシロキサン骨格を有
する。このうちフェノール性ヒドロキシル基は硬化物の
架橋密度・耐溶剤性に、ジオルガノシロキサン骨格は硬
化物の低弾性化・接着性に貢献する。
発明において用いられるポリイミド樹脂は、下記構造式
(1)で示される繰り返し単位からなり、これはフェノ
ール性ヒドロキシル基とジオルガノシロキサン骨格を有
する。このうちフェノール性ヒドロキシル基は硬化物の
架橋密度・耐溶剤性に、ジオルガノシロキサン骨格は硬
化物の低弾性化・接着性に貢献する。
【化15】
【0009】構造式(1)のXは4価の有機基であり、
具体的には下記のものが挙げられる。
具体的には下記のものが挙げられる。
【化16】 このうち、2,2−ジフェニル−パーフルオロプロパン
残基又はジフェニルスルホン残基は溶剤に対する未硬化
物の溶解性、シロキサン含有基は被着体への接着性、ビ
フェニル残基は硬化物の硬度を向上させる点において好
ましい。
残基又はジフェニルスルホン残基は溶剤に対する未硬化
物の溶解性、シロキサン含有基は被着体への接着性、ビ
フェニル残基は硬化物の硬度を向上させる点において好
ましい。
【0010】構造式(1)のYは2価の有機基であり、
具体的には下記に示されるフェノール性ヒドロキシル基
を有する芳香族ジアミン残基(Y1)30〜99モル%
と、
具体的には下記に示されるフェノール性ヒドロキシル基
を有する芳香族ジアミン残基(Y1)30〜99モル%
と、
【化17】 下記に示される芳香族ジアミン残基(Y2)70〜1モ
ル%とからなる。
ル%とからなる。
【化18】
【0011】ここでフェノール性ヒドロキシル基を有す
る芳香族ジアミン残基(Y1)が30モル%未満である
と硬化物の架橋密度が低くなり、耐溶剤性が低下するお
それがある。なお、Y1+Y2=100モル%である。
る芳香族ジアミン残基(Y1)が30モル%未満である
と硬化物の架橋密度が低くなり、耐溶剤性が低下するお
それがある。なお、Y1+Y2=100モル%である。
【0012】構造式(1)のZはシロキサンジアミン残
基であり、具体的には下記のものが挙げられる。
基であり、具体的には下記のものが挙げられる。
【化19】 ここで、R1は、炭素数1〜10、好ましくは炭素数1
〜8の、非置換又は置換の1価の炭化水素基であり、具
体的にはメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプ
ロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブ
チル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シ
クロヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアルキル
基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基等
のアルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール
基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基
等、又はこれらの炭化水素基の一部又は全部をフッ素、
臭素、塩素等のハロゲン原子等で置換したハロゲン置換
一価炭化水素基等が挙げられ、特にメチル基が望まし
い。また、aは1〜6の整数であり、特に3であること
が望ましい。bは1〜120の整数であり、特に1〜8
0の整数であることが望ましい。ここで、bが120よ
り大きいと未硬化物中のポリイミド樹脂が溶剤に対して
十分に溶解しなくなるおそれがある。
〜8の、非置換又は置換の1価の炭化水素基であり、具
体的にはメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプ
ロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブ
チル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シ
クロヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアルキル
基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基等
のアルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール
基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基
等、又はこれらの炭化水素基の一部又は全部をフッ素、
臭素、塩素等のハロゲン原子等で置換したハロゲン置換
一価炭化水素基等が挙げられ、特にメチル基が望まし
い。また、aは1〜6の整数であり、特に3であること
が望ましい。bは1〜120の整数であり、特に1〜8
0の整数であることが望ましい。ここで、bが120よ
り大きいと未硬化物中のポリイミド樹脂が溶剤に対して
十分に溶解しなくなるおそれがある。
【0013】構造式(1)のmとnの関係は0.70≦
m/(m+n)≦0.98、かつ0.02≦n/(m+
n)≦0.30である。ここでn/(m+n)が0.0
2未満であると被着体への接着性や硬化物の低応力化に
支障をきたすおそれがあり、また0.30より大きいと
硬化物の機械強度に支障をきたすおそれがある。なお、
m+n=1である。
m/(m+n)≦0.98、かつ0.02≦n/(m+
n)≦0.30である。ここでn/(m+n)が0.0
2未満であると被着体への接着性や硬化物の低応力化に
支障をきたすおそれがあり、また0.30より大きいと
硬化物の機械強度に支障をきたすおそれがある。なお、
m+n=1である。
【0014】構造式(1)のポリイミド樹脂の重量平均
分子量は5,000〜150,000であり、特に2
0,000〜100,000であることが望ましい。こ
こで、重量平均分子量が5,000未満であると硬化物
の機械強度に支障をきたすおそれがある。また150,
000より大きいとポリイミド樹脂の末端官能基、即ち
アミノ基又は酸無水物が加水分解して生成するカルボキ
シル基の量が減り、エポキシ樹脂との架橋密度が下が
り、耐溶剤性が低下するおそれがある。
分子量は5,000〜150,000であり、特に2
0,000〜100,000であることが望ましい。こ
こで、重量平均分子量が5,000未満であると硬化物
の機械強度に支障をきたすおそれがある。また150,
000より大きいとポリイミド樹脂の末端官能基、即ち
アミノ基又は酸無水物が加水分解して生成するカルボキ
シル基の量が減り、エポキシ樹脂との架橋密度が下が
り、耐溶剤性が低下するおそれがある。
【0015】構造式(1)のポリイミド樹脂は従来公知
の方法により製造することができ、例えば以下のような
方法による。この場合、原料のテトラカルボン酸二無水
物としては下記のものが挙げられる。
の方法により製造することができ、例えば以下のような
方法による。この場合、原料のテトラカルボン酸二無水
物としては下記のものが挙げられる。
【化20】
【0016】原料のフェノール性ヒドロキシル基を有す
る芳香族ジアミンとしては下記のものが挙げられる。
る芳香族ジアミンとしては下記のものが挙げられる。
【化21】
【0017】原料の芳香族ジアミンとしては下記のもの
が挙げられる。
が挙げられる。
【化22】
【0018】原料のジアミノシロキサンとしては下記の
α,ω−ビス(γ−アミノプロピル)ジオルガノポリシ
ロキサンが挙げられる。
α,ω−ビス(γ−アミノプロピル)ジオルガノポリシ
ロキサンが挙げられる。
【化23】 (但し、R1は前記と同じ意味であり、bは1〜120
の整数である。)
の整数である。)
【0019】上記の原料をシクロヘキサノン等の溶剤中
に仕込み、20〜40℃程度で反応させ、ポリイミド樹
脂の前駆体であるポリアミック酸を合成する。ここでテ
トラカルボン酸二無水物成分に対するジアミン成分の割
合はポリイミド樹脂の分子量調整等の必要に応じて適宜
決められ、通常モル比で0.95乃至1.05であり、
特に0.98乃至1.02であることが望ましい。な
お、ポリイミド樹脂の分子量調整のために、無水フタル
酸、アニリン等の1官能の原料を添加してもよい。この
場合の添加量はポリイミド樹脂に対して2モル%以下で
あることが望ましい。得られたポリアミック酸溶液を8
0〜200℃、好ましくは140〜180℃に昇温し、
ポリアミック酸の酸アミド部分の脱水閉環反応を進行さ
せ、ポリイミド樹脂溶液を得る。また無水酢酸/ピリジ
ン混合溶液をポリアミック酸溶液に添加し、これを15
0℃程度に昇温し、イミド化を行う方法によっても得ら
れる。
に仕込み、20〜40℃程度で反応させ、ポリイミド樹
脂の前駆体であるポリアミック酸を合成する。ここでテ
トラカルボン酸二無水物成分に対するジアミン成分の割
合はポリイミド樹脂の分子量調整等の必要に応じて適宜
決められ、通常モル比で0.95乃至1.05であり、
特に0.98乃至1.02であることが望ましい。な
お、ポリイミド樹脂の分子量調整のために、無水フタル
酸、アニリン等の1官能の原料を添加してもよい。この
場合の添加量はポリイミド樹脂に対して2モル%以下で
あることが望ましい。得られたポリアミック酸溶液を8
0〜200℃、好ましくは140〜180℃に昇温し、
ポリアミック酸の酸アミド部分の脱水閉環反応を進行さ
せ、ポリイミド樹脂溶液を得る。また無水酢酸/ピリジ
ン混合溶液をポリアミック酸溶液に添加し、これを15
0℃程度に昇温し、イミド化を行う方法によっても得ら
れる。
【0020】本発明において用いられるエポキシ樹脂
は、その構造や分子量等が特に制限されるものではない
が、樹脂組成物がフィルムの状態で使用されること、
ポリイミド樹脂とエポキシ樹脂とで架橋構造が形成さ
れること、以上の2点を考慮する場合、エポキシ樹脂の
軟化点が低く、かつ1分子中に2個以上のグリシジル基
を有するもの、特に下記構造式(2)、(3)又は
(4)で示されるエポキシ樹脂の1種又は2種であるこ
とが望ましい。
は、その構造や分子量等が特に制限されるものではない
が、樹脂組成物がフィルムの状態で使用されること、
ポリイミド樹脂とエポキシ樹脂とで架橋構造が形成さ
れること、以上の2点を考慮する場合、エポキシ樹脂の
軟化点が低く、かつ1分子中に2個以上のグリシジル基
を有するもの、特に下記構造式(2)、(3)又は
(4)で示されるエポキシ樹脂の1種又は2種であるこ
とが望ましい。
【化24】
【化25】 (但し、Gは下記に示される基であり、
【化26】 Qは下記に示されるいずれかの基であり、
【化27】 nは0〜5の整数であり、好ましくは0〜2である。ま
た、R2は水素原子又は炭素数1〜5の一価炭化水素基
である。)
た、R2は水素原子又は炭素数1〜5の一価炭化水素基
である。)
【0021】ここで、R2の炭素数1〜5の一価炭化水
素基として具体的には、メチル基、エチル基、n−プロ
ピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル
基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基
等のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、
ブテニル基等のアルケニル基などが挙げられ、特にメチ
ル基、エチル基が好ましい。
素基として具体的には、メチル基、エチル基、n−プロ
ピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル
基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基
等のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、
ブテニル基等のアルケニル基などが挙げられ、特にメチ
ル基、エチル基が好ましい。
【0022】この場合、低温・短時間で、かつ低荷重で
の接着を可能にする点から、特に25℃における粘度が
20Pa・sec(パスカル・秒)以下、より好ましく
は10Pa・sec以下、特に5Pa・sec以下のエ
ポキシ樹脂が好ましく用いられ、これにより低荷重で接
着させても樹脂テープと被着体との濡れ性が良好に確保
され、接着性、その他信頼性を高めることができ、チッ
プ等の被着体を破壊するおそれがないものである。な
お、かかる25℃における粘度が5Pa・sec以下の
エポキシ樹脂としては、上記式(2)においてn=0〜
0.1(平均値)のもの、式(4)で示されるものなど
が用いられる。
の接着を可能にする点から、特に25℃における粘度が
20Pa・sec(パスカル・秒)以下、より好ましく
は10Pa・sec以下、特に5Pa・sec以下のエ
ポキシ樹脂が好ましく用いられ、これにより低荷重で接
着させても樹脂テープと被着体との濡れ性が良好に確保
され、接着性、その他信頼性を高めることができ、チッ
プ等の被着体を破壊するおそれがないものである。な
お、かかる25℃における粘度が5Pa・sec以下の
エポキシ樹脂としては、上記式(2)においてn=0〜
0.1(平均値)のもの、式(4)で示されるものなど
が用いられる。
【0023】エポキシ樹脂の配合量は、ポリイミド樹脂
100重量部に対して0.1重量部以上100重量部未
満(通常0.1〜95重量部)、好ましくは1〜50重
量部、より好ましくは5〜20重量部であることが望ま
しい。ここでエポキシ樹脂の配合量が少なすぎると、硬
化物の架橋密度が下がり、耐溶剤性が低下し、又は被着
面との十分な濡れ性が確保されず接着性が低下するおそ
れがある。また、多すぎる場合には耐熱不良のおそれが
ある。
100重量部に対して0.1重量部以上100重量部未
満(通常0.1〜95重量部)、好ましくは1〜50重
量部、より好ましくは5〜20重量部であることが望ま
しい。ここでエポキシ樹脂の配合量が少なすぎると、硬
化物の架橋密度が下がり、耐溶剤性が低下し、又は被着
面との十分な濡れ性が確保されず接着性が低下するおそ
れがある。また、多すぎる場合には耐熱不良のおそれが
ある。
【0024】本発明においては、その用途に応じて無機
充填剤を用いることができる。この無機充填剤の具体例
としては結晶シリカ、非結晶シリカ等の天然シリカ、合
成高純度シリカ、合成球状シリカ、タルク、マイカ、窒
化ケイ素、窒化ホウ素、アルミナ等、又は銀粉のような
導電性粒子等が挙げられ、これらの中から1種又は2種
以上を用いることができ、例えば半導体デバイスのダイ
ボンド材の場合は熱伝導性の高いアルミナ又は銀粉等を
用いることが好適である。無機充填剤の配合量について
は特に制限されず、用途に応じて選択されるが、組成物
全体に対して通常5〜80重量%程度である。
充填剤を用いることができる。この無機充填剤の具体例
としては結晶シリカ、非結晶シリカ等の天然シリカ、合
成高純度シリカ、合成球状シリカ、タルク、マイカ、窒
化ケイ素、窒化ホウ素、アルミナ等、又は銀粉のような
導電性粒子等が挙げられ、これらの中から1種又は2種
以上を用いることができ、例えば半導体デバイスのダイ
ボンド材の場合は熱伝導性の高いアルミナ又は銀粉等を
用いることが好適である。無機充填剤の配合量について
は特に制限されず、用途に応じて選択されるが、組成物
全体に対して通常5〜80重量%程度である。
【0025】無機充填剤の形状は特に制限されず、球
状、破砕状、無定形等用途に応じて選択される。また無
機充填剤の粒径はフィルムの厚みにより制限され、最大
粒径はフィルムの厚み未満であり、特に1/2未満であ
ることが望ましい。例えば厚みが50μmのフィルムで
ある場合、最大粒径は50μm未満、特に25μm未満
であることが望ましく、平均粒径は0.1〜20μm、
特に0.5〜10μmであることが望ましい。なお、こ
の平均粒径は、例えばレーザー光回折法等の分析手段を
使用した粒度分布計により、重量平均値(又はメジアン
径)等として求めることができる。
状、破砕状、無定形等用途に応じて選択される。また無
機充填剤の粒径はフィルムの厚みにより制限され、最大
粒径はフィルムの厚み未満であり、特に1/2未満であ
ることが望ましい。例えば厚みが50μmのフィルムで
ある場合、最大粒径は50μm未満、特に25μm未満
であることが望ましく、平均粒径は0.1〜20μm、
特に0.5〜10μmであることが望ましい。なお、こ
の平均粒径は、例えばレーザー光回折法等の分析手段を
使用した粒度分布計により、重量平均値(又はメジアン
径)等として求めることができる。
【0026】本発明においてはポリイミド樹脂とエポキ
シ樹脂の硬化促進剤としてイミダゾール誘導体を用いる
ことができる。このイミダゾール誘導体の具体例として
は2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、
2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイ
ミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、
2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミ
ダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチル
イミダゾール等が挙げられ、これらの中から1種又は2
種以上を用いることができる。
シ樹脂の硬化促進剤としてイミダゾール誘導体を用いる
ことができる。このイミダゾール誘導体の具体例として
は2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、
2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイ
ミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、
2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミ
ダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチル
イミダゾール等が挙げられ、これらの中から1種又は2
種以上を用いることができる。
【0027】このイミダゾール誘導体の配合量は、ポリ
イミド樹脂100重量部に対して0.05〜5重量部で
あることが望ましく、より好ましくは0.1〜5重量部
であることが望ましい。ここでイミダゾール誘導体の配
合量が0.05重量部未満であると低温における硬化性
が不十分になるおそれがある。また5重量部より多いと
保存性・硬化物の耐熱性に支障をきたすおそれがある。
イミド樹脂100重量部に対して0.05〜5重量部で
あることが望ましく、より好ましくは0.1〜5重量部
であることが望ましい。ここでイミダゾール誘導体の配
合量が0.05重量部未満であると低温における硬化性
が不十分になるおそれがある。また5重量部より多いと
保存性・硬化物の耐熱性に支障をきたすおそれがある。
【0028】本発明において用いられるポリイミド樹脂
は既述のように溶剤中で合成され、またフィルムの製造
工程においても溶液の状態で基材上に塗布し、溶剤を除
去する等の手法をとるため、該樹脂組成物と相溶性に優
れる溶剤の使用が望まれる。この溶剤の具体例としては
テトラヒドロフラン、アニソール、ジグライム、トリグ
ライム等のエーテル類、シクロヘキサノン、2−ブタノ
ン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、2
−ヘプタノン、2−オクタノン、アセトフェノン等のケ
トン類、酢酸ブチル、安息香酸メチル、γ−ブチロラク
トン、2−ヒドロキシプロパン酸メチル等のエステル
類、ブチルセロソルブアセテート、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート等のセロソルブ類、
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセ
トアミド、N−メチル−2−ピロリドン等のアミド類、
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類等が挙げら
れ、特にシクロヘキサノン、メチルエチルケトン、γ−
ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、N−メチル−2−ピロリドンが望まし
い。これらの中から1種又は2種以上を用いることがで
きる。なお溶液の状態での溶剤の含有量は、固形分の濃
度が1〜40重量%となる範囲で調整されることが望ま
しい。
は既述のように溶剤中で合成され、またフィルムの製造
工程においても溶液の状態で基材上に塗布し、溶剤を除
去する等の手法をとるため、該樹脂組成物と相溶性に優
れる溶剤の使用が望まれる。この溶剤の具体例としては
テトラヒドロフラン、アニソール、ジグライム、トリグ
ライム等のエーテル類、シクロヘキサノン、2−ブタノ
ン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、2
−ヘプタノン、2−オクタノン、アセトフェノン等のケ
トン類、酢酸ブチル、安息香酸メチル、γ−ブチロラク
トン、2−ヒドロキシプロパン酸メチル等のエステル
類、ブチルセロソルブアセテート、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート等のセロソルブ類、
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセ
トアミド、N−メチル−2−ピロリドン等のアミド類、
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類等が挙げら
れ、特にシクロヘキサノン、メチルエチルケトン、γ−
ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、N−メチル−2−ピロリドンが望まし
い。これらの中から1種又は2種以上を用いることがで
きる。なお溶液の状態での溶剤の含有量は、固形分の濃
度が1〜40重量%となる範囲で調整されることが望ま
しい。
【0029】本発明の電子部品用接着剤は、20〜15
0μmの厚みのフィルム状に加工して用いられる。フィ
ルム状に加工する方法は特に限定されるものではない
が、既述の方法により得られた樹脂組成物の溶液をコー
ター等を用いて適当な基材上、例えば離型性に優れるシ
リコーン樹脂、テフロン樹脂等のフィルム、又はこれら
を塗布して離型処理を施したPETフィルム等に塗布
し、熱風ヒーター、赤外線ヒーター等を用いて所定の温
度・時間で加熱して溶剤を除去し、更に用途に応じて板
状に切断する、又はテープ状に切断して巻き取る等の方
法により得られる。ここで必要に応じて基材を除去して
もよい。溶剤を除去する際に加熱が十分でないとフィル
ム中に溶剤が残存し、ボイドが生じ、これが剥離・クラ
ックの原因になる等のおそれがある。逆に加熱が過度で
あるとポリイミド樹脂とエポキシ樹脂の反応が進行して
しまい、フィルムの柔軟性又は接着性に支障をきたし、
また、加熱が急激、即ち一気に溶剤の沸点以上に加熱す
ると、フィルム中やフィルムの表面にボイドが残存した
り、フィルムの厚みが不均一になる等の問題が発生する
おそれがある。具体的には、溶剤の沸点未満の温度より
段階的に昇温させ、除去することが望ましい。
0μmの厚みのフィルム状に加工して用いられる。フィ
ルム状に加工する方法は特に限定されるものではない
が、既述の方法により得られた樹脂組成物の溶液をコー
ター等を用いて適当な基材上、例えば離型性に優れるシ
リコーン樹脂、テフロン樹脂等のフィルム、又はこれら
を塗布して離型処理を施したPETフィルム等に塗布
し、熱風ヒーター、赤外線ヒーター等を用いて所定の温
度・時間で加熱して溶剤を除去し、更に用途に応じて板
状に切断する、又はテープ状に切断して巻き取る等の方
法により得られる。ここで必要に応じて基材を除去して
もよい。溶剤を除去する際に加熱が十分でないとフィル
ム中に溶剤が残存し、ボイドが生じ、これが剥離・クラ
ックの原因になる等のおそれがある。逆に加熱が過度で
あるとポリイミド樹脂とエポキシ樹脂の反応が進行して
しまい、フィルムの柔軟性又は接着性に支障をきたし、
また、加熱が急激、即ち一気に溶剤の沸点以上に加熱す
ると、フィルム中やフィルムの表面にボイドが残存した
り、フィルムの厚みが不均一になる等の問題が発生する
おそれがある。具体的には、溶剤の沸点未満の温度より
段階的に昇温させ、除去することが望ましい。
【0030】本発明の熱硬化性樹脂組成物のフィルム状
電子部品用接着剤は電子部品用途に用いられ、特に半導
体デバイスのダイボンド材のように耐熱性・接着性が要
求される用途においてその性能を発揮する。接着方法は
特に制限されるものではないが、150〜250℃、
0.01〜10kgf/cm2、0.5〜20秒程度の
条件で熱圧着することにより広範な被着体、例えばアル
ミニウム、ニッケル、金、銀、白金、鉄、銅、亜鉛、パ
ラジウム、錫等の金属やこれらの合金や酸化物、ケイ素
とこれの酸化物、窒化ケイ素、エポキシ樹脂、フェノー
ル樹脂、ポリイミド樹脂とこれらの組成物等に対して良
好な接着性を発揮する。なお、上述した25℃の粘度が
20Pa・sec以下の低粘度のエポキシ樹脂、とりわ
け25℃における粘度が5Pa・sec以下のエポキシ
樹脂を用いた場合、0.01〜1kgf/cm2程度の
低荷重での圧着でも良好な接着を与える。より具体的な
接着方法として、被着体の間に接着剤フィルムを挟んで
熱圧着する、又は一方の被着体に接着剤フィルムを仮圧
着し、続いてもう一方の被着体を載せて全体を本圧着す
る等の方法がとられる。ここで後者の2段階で接着する
方法においては、仮圧着は比較的低温で、本圧着は高温
で行うことが望ましい。これにより接着剤フィルムは仮
圧着では被着体になじむ程度に接着し、本圧着では強固
な接着が生成され、またポリイミド樹脂とエポキシ樹脂
が反応して架橋構造が形成され、耐熱性・耐溶剤性に優
れる接着剤層が得られる。
電子部品用接着剤は電子部品用途に用いられ、特に半導
体デバイスのダイボンド材のように耐熱性・接着性が要
求される用途においてその性能を発揮する。接着方法は
特に制限されるものではないが、150〜250℃、
0.01〜10kgf/cm2、0.5〜20秒程度の
条件で熱圧着することにより広範な被着体、例えばアル
ミニウム、ニッケル、金、銀、白金、鉄、銅、亜鉛、パ
ラジウム、錫等の金属やこれらの合金や酸化物、ケイ素
とこれの酸化物、窒化ケイ素、エポキシ樹脂、フェノー
ル樹脂、ポリイミド樹脂とこれらの組成物等に対して良
好な接着性を発揮する。なお、上述した25℃の粘度が
20Pa・sec以下の低粘度のエポキシ樹脂、とりわ
け25℃における粘度が5Pa・sec以下のエポキシ
樹脂を用いた場合、0.01〜1kgf/cm2程度の
低荷重での圧着でも良好な接着を与える。より具体的な
接着方法として、被着体の間に接着剤フィルムを挟んで
熱圧着する、又は一方の被着体に接着剤フィルムを仮圧
着し、続いてもう一方の被着体を載せて全体を本圧着す
る等の方法がとられる。ここで後者の2段階で接着する
方法においては、仮圧着は比較的低温で、本圧着は高温
で行うことが望ましい。これにより接着剤フィルムは仮
圧着では被着体になじむ程度に接着し、本圧着では強固
な接着が生成され、またポリイミド樹脂とエポキシ樹脂
が反応して架橋構造が形成され、耐熱性・耐溶剤性に優
れる接着剤層が得られる。
【0031】
【発明の効果】本発明のフィルム状電子部品用接着剤
は、電子部品の組立工程の簡略化・時間短縮に貢献する
ものであり、このフィルム状電子部品用接着剤を用いる
ことにより、簡潔な処方によって信頼性に優れる電子部
品が得られる。
は、電子部品の組立工程の簡略化・時間短縮に貢献する
ものであり、このフィルム状電子部品用接着剤を用いる
ことにより、簡潔な処方によって信頼性に優れる電子部
品が得られる。
【0032】
【実施例】以下、合成例及び実施例、比較例を挙げて本
発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制
限されるものではない。
発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制
限されるものではない。
【0033】ポリイミド樹脂の合成方法 〔合成例1〕撹拌機、温度計、及び窒素置換装置を備え
たフラスコ内に、3,3’,4,4’−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン酸二無水物35.8g(0.1モ
ル)、及びシクロヘキサノン400gを仕込んだ。次い
でジアミノシロキサン〔構造式(4)bの平均値9〕1
6.8g(0.02モル)、4,4’−(3,3’−ジ
ヒドロキシ)ジアミノビフェニル10.99g(0.0
5モル)、及び2,2−ビス[4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニル]プロパン12.3g(0.03モル)
をシクロヘキサノン100gに溶解した溶液を、反応系
の温度が50℃を超えないように調整しながら上記フラ
スコ内に滴下した。滴下終了後、更に室温で10時間撹
拌した。次に該フラスコに水分受容器付きの還流冷却器
を取り付けた後、キシレン30gを加え、150℃に昇
温させてその温度を6時間保持したところ、黄褐色の溶
液が得られた。こうして得られた溶液を室温(25℃)
まで冷却した後、メタノール中に投じて再沈殿させた。
得られた沈降物を乾燥したところ、下記式を繰り返し単
位とするポリイミド樹脂を得た。
たフラスコ内に、3,3’,4,4’−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン酸二無水物35.8g(0.1モ
ル)、及びシクロヘキサノン400gを仕込んだ。次い
でジアミノシロキサン〔構造式(4)bの平均値9〕1
6.8g(0.02モル)、4,4’−(3,3’−ジ
ヒドロキシ)ジアミノビフェニル10.99g(0.0
5モル)、及び2,2−ビス[4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニル]プロパン12.3g(0.03モル)
をシクロヘキサノン100gに溶解した溶液を、反応系
の温度が50℃を超えないように調整しながら上記フラ
スコ内に滴下した。滴下終了後、更に室温で10時間撹
拌した。次に該フラスコに水分受容器付きの還流冷却器
を取り付けた後、キシレン30gを加え、150℃に昇
温させてその温度を6時間保持したところ、黄褐色の溶
液が得られた。こうして得られた溶液を室温(25℃)
まで冷却した後、メタノール中に投じて再沈殿させた。
得られた沈降物を乾燥したところ、下記式を繰り返し単
位とするポリイミド樹脂を得た。
【化28】 〔但し、
【化29】
【化30】 =50/30(モル比)〕
【0034】再沈殿された樹脂の赤外線吸収スペクトル
を測定したところ、未反応のポリアミック酸に由来する
吸収は現れず、1780cm-1、及び1720cm-1に
イミド基に由来する吸収が現れた。テトラヒドロフラン
を溶剤としてゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)を
測定したところ、重量平均分子量(ポリスチレン換算)
は35,000であった。このポリイミド樹脂をポリイ
ミド樹脂Aとした。
を測定したところ、未反応のポリアミック酸に由来する
吸収は現れず、1780cm-1、及び1720cm-1に
イミド基に由来する吸収が現れた。テトラヒドロフラン
を溶剤としてゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)を
測定したところ、重量平均分子量(ポリスチレン換算)
は35,000であった。このポリイミド樹脂をポリイ
ミド樹脂Aとした。
【0035】〔合成例2〕撹拌機、温度計、及び窒素置
換装置を備えたフラスコ内に、3,3’,4,4’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物20.5g(0.0
7モル)、1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンジア
ンヒドリド12.8g(0.03モル)、及びシクロヘ
キサノン300gを仕込んだ。次いでジアミノシロキサ
ン〔構造式(4)bの平均値9〕16.8g(0.02
モル)、4,4’−(3,3’−ジヒドロキシ)ジアミ
ノビフェニル10.99g(0.05モル)、及び2,
2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]パ
ーフルオロプロパン12.3g(0.03モル)をシク
ロヘキサノン100gに溶解した溶液を、反応系の温度
が50℃を超えないように調整しながら上記フラスコ内
に滴下した。これ以降の操作は全て合成例1と同様に行
い、下記式を繰り返し単位とするポリイミド樹脂を得
た。
換装置を備えたフラスコ内に、3,3’,4,4’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物20.5g(0.0
7モル)、1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンジア
ンヒドリド12.8g(0.03モル)、及びシクロヘ
キサノン300gを仕込んだ。次いでジアミノシロキサ
ン〔構造式(4)bの平均値9〕16.8g(0.02
モル)、4,4’−(3,3’−ジヒドロキシ)ジアミ
ノビフェニル10.99g(0.05モル)、及び2,
2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]パ
ーフルオロプロパン12.3g(0.03モル)をシク
ロヘキサノン100gに溶解した溶液を、反応系の温度
が50℃を超えないように調整しながら上記フラスコ内
に滴下した。これ以降の操作は全て合成例1と同様に行
い、下記式を繰り返し単位とするポリイミド樹脂を得
た。
【化31】 〔但し、
【化32】 =70/30(モル比)
【化33】 =50/30(モル比)〕 得られた樹脂の重量平均分子量を合成例1と同様の条件
で測定したところ60,000であった。このポリイミ
ド樹脂をポリイミド樹脂Bとした。
で測定したところ60,000であった。このポリイミ
ド樹脂をポリイミド樹脂Bとした。
【0036】〔合成例3〕撹拌機、温度計、及び窒素置
換装置を備えたフラスコ内に、2,2−ビス(3,4−
ジカルボキシフェニル)パーフルオロプロパンジアンヒ
ドリド44.4g(0.1モル)、及びシクロヘキサノ
ン300gを仕込んだ。次いでジアミノシロキサン〔構
造式(4)bの平均値19〕33.2g(0.02モ
ル)、4,4’−(3,3’−ジヒドロキシ)ジアミノ
ビフェニル10.99g(0.05モル)、及び1,4
−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン8.78g
(0.03モル)をシクロヘキサノン100gに溶解し
た溶液を、反応系の温度が50℃を超えないように調整
しながら上記フラスコ内に滴下した。これ以降の操作は
全て合成例1と同様に行い、下記式を繰り返し単位とす
るポリイミド樹脂を得た。
換装置を備えたフラスコ内に、2,2−ビス(3,4−
ジカルボキシフェニル)パーフルオロプロパンジアンヒ
ドリド44.4g(0.1モル)、及びシクロヘキサノ
ン300gを仕込んだ。次いでジアミノシロキサン〔構
造式(4)bの平均値19〕33.2g(0.02モ
ル)、4,4’−(3,3’−ジヒドロキシ)ジアミノ
ビフェニル10.99g(0.05モル)、及び1,4
−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン8.78g
(0.03モル)をシクロヘキサノン100gに溶解し
た溶液を、反応系の温度が50℃を超えないように調整
しながら上記フラスコ内に滴下した。これ以降の操作は
全て合成例1と同様に行い、下記式を繰り返し単位とす
るポリイミド樹脂を得た。
【化34】 〔但し、
【化35】
【化36】 =50/30(モル比)〕 得られた樹脂の重量平均分子量を合成例1と同様の条件
で測定したところ125,000であった。このポリイ
ミド樹脂をポリイミド樹脂Cとした。
で測定したところ125,000であった。このポリイ
ミド樹脂をポリイミド樹脂Cとした。
【0037】〔合成例4〕撹拌機、温度計、及び窒素置
換装置を備えたフラスコ内に、3,3’,4,4’−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物35.8g
(0.1モル)、及びシクロヘキサノン400gを仕込
んだ。次いで4,4’−(3,3’−ジヒドロキシ)ジ
アミノビフェニル10.9g(0.05モル)、及び
2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル]プロパン20.5g(0.05モル)をシクロヘキ
サノン100gに溶解した溶液を、反応系の温度が50
℃を超えないように調整しながら上記フラスコ内に滴下
した。これ以降の操作は全て合成例1と同様に行い、下
記式を繰り返し単位とするポリイミド樹脂を得た。
換装置を備えたフラスコ内に、3,3’,4,4’−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物35.8g
(0.1モル)、及びシクロヘキサノン400gを仕込
んだ。次いで4,4’−(3,3’−ジヒドロキシ)ジ
アミノビフェニル10.9g(0.05モル)、及び
2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル]プロパン20.5g(0.05モル)をシクロヘキ
サノン100gに溶解した溶液を、反応系の温度が50
℃を超えないように調整しながら上記フラスコ内に滴下
した。これ以降の操作は全て合成例1と同様に行い、下
記式を繰り返し単位とするポリイミド樹脂を得た。
【化37】 〔但し、
【化38】
【化39】 =50/50(モル比)〕 得られた樹脂の重量平均分子量を合成例1と同様の条件
で測定したところ30,000であった。このポリイミ
ド樹脂をポリイミド樹脂Dとした。
で測定したところ30,000であった。このポリイミ
ド樹脂をポリイミド樹脂Dとした。
【0038】〔合成例5〕撹拌機、温度計、及び窒素置
換装置を備えたフラスコ内に、3,3’,4,4’−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物35.8g
(0.1モル)、及びシクロヘキサノン400gを仕込
んだ。次いでジアミノシロキサン〔構造式(4)bの平
均値9〕16.8g(0.02モル)、及び2,2−ビ
ス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン
32.8g(0.08モル)をシクロヘキサノン100
gに溶解した溶液を、反応系の温度が50℃を超えない
ように調整しながら上記フラスコ内に滴下した。これ以
降の操作は全て合成例1と同様に行い、下記式を繰り返
し単位とするポリイミド樹脂を得た。
換装置を備えたフラスコ内に、3,3’,4,4’−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物35.8g
(0.1モル)、及びシクロヘキサノン400gを仕込
んだ。次いでジアミノシロキサン〔構造式(4)bの平
均値9〕16.8g(0.02モル)、及び2,2−ビ
ス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン
32.8g(0.08モル)をシクロヘキサノン100
gに溶解した溶液を、反応系の温度が50℃を超えない
ように調整しながら上記フラスコ内に滴下した。これ以
降の操作は全て合成例1と同様に行い、下記式を繰り返
し単位とするポリイミド樹脂を得た。
【化40】 〔但し、
【化41】
【化42】 〕 得られた樹脂の重量平均分子量を合成例1と同様の条件
で測定したところ24,000であった。このポリイミ
ド樹脂をポリイミド樹脂Eとした。
で測定したところ24,000であった。このポリイミ
ド樹脂をポリイミド樹脂Eとした。
【0039】〔実施例1〜3、比較例1〜3〕熱硬化性樹脂組成物の調製方法 ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂(A又はB)、無機充填
剤(粒径1〜10μm、フレーク状の銀粉)、イミダゾ
ール誘導体(2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチ
ルイミダゾール 2PHZ)、溶剤(メチルエチルケト
ン)を表1に示すように配合して熱硬化性樹脂組成物を
得た。なお、表中の配合比を示す数字は重量部を表す。
剤(粒径1〜10μm、フレーク状の銀粉)、イミダゾ
ール誘導体(2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチ
ルイミダゾール 2PHZ)、溶剤(メチルエチルケト
ン)を表1に示すように配合して熱硬化性樹脂組成物を
得た。なお、表中の配合比を示す数字は重量部を表す。
【0040】
【化43】
【0041】
【化44】
【0042】フィルム状接着剤の製造方法 離型用シリコーンで表面処理したPETフィルムに上記
の熱硬化性樹脂組成物を塗布し、50℃、30分→80
℃、30分の条件で乾燥して溶剤を除去して厚さ50μ
mのフィルムとする。
の熱硬化性樹脂組成物を塗布し、50℃、30分→80
℃、30分の条件で乾燥して溶剤を除去して厚さ50μ
mのフィルムとする。
【0043】これらのフィルム状接着剤について以下の
(a)〜(c)の諸試験を行った。結果を表1に示す。 (a)接着性 フィルム状接着剤を銅フレーム、42アロイフレーム、
Siウエハーにのせ、150℃、1kgf/cm2、1
秒→240℃、100gf/cm2,10秒の条件で圧
着し、121℃/100%/2atmRH雰囲気中に2
4時間放置する。これについて碁盤目剥離テスト(JI
S K 5400)を行い、剥離した分画数/総分画数
を測定した。 (b)吸湿後の耐半田クラック性 図1の半導体装置を121℃/100%/2atmRH
雰囲気中に24時間放置する。これを240℃の半田浴
に10秒間浸漬し、クラック発生装置数/総装置数を測
定する。 (c)吸湿後の剥離 図1の半導体装置をメチルエチルケトン中に5分間浸漬
し、外観上溶解した装置数/総装置数を測定する。
(a)〜(c)の諸試験を行った。結果を表1に示す。 (a)接着性 フィルム状接着剤を銅フレーム、42アロイフレーム、
Siウエハーにのせ、150℃、1kgf/cm2、1
秒→240℃、100gf/cm2,10秒の条件で圧
着し、121℃/100%/2atmRH雰囲気中に2
4時間放置する。これについて碁盤目剥離テスト(JI
S K 5400)を行い、剥離した分画数/総分画数
を測定した。 (b)吸湿後の耐半田クラック性 図1の半導体装置を121℃/100%/2atmRH
雰囲気中に24時間放置する。これを240℃の半田浴
に10秒間浸漬し、クラック発生装置数/総装置数を測
定する。 (c)吸湿後の剥離 図1の半導体装置をメチルエチルケトン中に5分間浸漬
し、外観上溶解した装置数/総装置数を測定する。
【0044】なお、図1の半導体装置の構成は以下の通
りである。リードフレーム1上にフィルム状接着剤2
(10mm×10mm×50μm)をのせ、150℃、
1kgf/cm2、1秒の条件で仮圧着する。これにS
iチップ3(10mm×10mm×0.3mm)をの
せ、240℃、100gf/cm2、10秒の条件で圧
着することにより、半導体装置を作成した。
りである。リードフレーム1上にフィルム状接着剤2
(10mm×10mm×50μm)をのせ、150℃、
1kgf/cm2、1秒の条件で仮圧着する。これにS
iチップ3(10mm×10mm×0.3mm)をの
せ、240℃、100gf/cm2、10秒の条件で圧
着することにより、半導体装置を作成した。
【0045】
【表1】
【0046】〔実施例4〜6、比較例4〜6〕熱硬化性樹脂組成物の調製方法 ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂(C,D又はE)、無機
充填剤(粒径1〜10μm、フレーク状の銀粉)、イミ
ダゾール誘導体(2−フェニル−4,5−ジヒドロキシ
メチルイミダゾール 2PHZ)、溶剤(メチルエチル
ケトン)を表2に示すように配合して熱硬化性樹脂組成
物を得た。なお、表中の配合比を示す数字は重量部を表
す。
充填剤(粒径1〜10μm、フレーク状の銀粉)、イミ
ダゾール誘導体(2−フェニル−4,5−ジヒドロキシ
メチルイミダゾール 2PHZ)、溶剤(メチルエチル
ケトン)を表2に示すように配合して熱硬化性樹脂組成
物を得た。なお、表中の配合比を示す数字は重量部を表
す。
【0047】
【化45】
【0048】
【化46】
【0049】フィルム状接着剤の製造方法 離型用シリコーンで表面処理したPETフィルムに上記
の熱硬化性樹脂組成物を塗布し、50℃、30分→80
℃、30分の条件で乾燥して溶剤を除去して厚さ50μ
mのフィルムとする。
の熱硬化性樹脂組成物を塗布し、50℃、30分→80
℃、30分の条件で乾燥して溶剤を除去して厚さ50μ
mのフィルムとする。
【0050】これらのフィルム状接着剤について以下の
(a)〜(c)の諸試験を行った。結果を表2に示す。 (a)接着性 フィルム状接着剤を銅フレーム、42アロイフレーム、
Siウエハーにのせ、150℃、0.1kgf/c
m2、1秒→240℃、10gf/cm2,10秒の条件
で圧着し、121℃/100%/2atmRH雰囲気中
に24時間放置する。これについて碁盤目剥離テスト
(JIS K 5400)を行い、剥離した分画数/総
分画数を測定した。 (b)吸湿後の耐半田クラック性 図1の半導体装置を121℃/100%/2atmRH
雰囲気中に24時間放置する。これを240℃の半田浴
に10秒間浸漬し、クラック発生装置数/総装置数を測
定する。 (c)吸湿後の剥離 図1の半導体装置をメチルエチルケトン中に5分間浸漬
し、外観上溶解した装置数/総装置数を測定する。
(a)〜(c)の諸試験を行った。結果を表2に示す。 (a)接着性 フィルム状接着剤を銅フレーム、42アロイフレーム、
Siウエハーにのせ、150℃、0.1kgf/c
m2、1秒→240℃、10gf/cm2,10秒の条件
で圧着し、121℃/100%/2atmRH雰囲気中
に24時間放置する。これについて碁盤目剥離テスト
(JIS K 5400)を行い、剥離した分画数/総
分画数を測定した。 (b)吸湿後の耐半田クラック性 図1の半導体装置を121℃/100%/2atmRH
雰囲気中に24時間放置する。これを240℃の半田浴
に10秒間浸漬し、クラック発生装置数/総装置数を測
定する。 (c)吸湿後の剥離 図1の半導体装置をメチルエチルケトン中に5分間浸漬
し、外観上溶解した装置数/総装置数を測定する。
【0051】この場合、図1の半導体装置は、リードフ
レーム1上にフィルム状接着剤2(10mm×10mm
×50μm)をのせ、150℃、0.1kgf/c
m2、1秒の条件で仮圧着する。これにSiチップ3
(10mm×10mm×0.3mm)をのせ、240
℃、10gf/cm2、10秒の条件で圧着することに
より、半導体装置を作成した。
レーム1上にフィルム状接着剤2(10mm×10mm
×50μm)をのせ、150℃、0.1kgf/c
m2、1秒の条件で仮圧着する。これにSiチップ3
(10mm×10mm×0.3mm)をのせ、240
℃、10gf/cm2、10秒の条件で圧着することに
より、半導体装置を作成した。
【0052】
【表2】
【図1】実施例のフィルム状接着剤の接着性を調べるた
めに用いた半導体装置の概略図である。
めに用いた半導体装置の概略図である。
【符号の説明】 1 リードフレーム(銅又は42アロイ) 2 フィルム状接着剤 3 ICチップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 英人 群馬県碓氷郡松井田町大字人見1番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 市六 信広 群馬県碓氷郡松井田町大字人見1番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 塩原 利夫 群馬県碓氷郡松井田町大字人見1番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 Fターム(参考) 4J004 AA11 AB01 AB05 BA02 EA06 FA05 4J040 EC062 EC162 EC172 EH031 EK111 GA05 GA08 GA29 HA066 HA136 HA216 HA296 HA306 HA326 HC22 JA03 JB02 KA08 KA16 LA07 MA02 MA10 MA15 MB04 NA19 PA30 PA33 5F047 AA11 BA21 BA34 BA35 BA39 BA51 BB03
Claims (6)
- 【請求項1】 (A)下記構造式(1)で示される繰り
返し単位からなり、重量平均分子量が5,000〜15
0,000であるポリイミド樹脂、(B)1分子中に2
個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂を必須成分
として含有し、かつ厚みが20〜150μmであるフィ
ルム状電子部品用接着剤。 【化1】 〔但し、Xは、下記に示される4価の有機基の1種又は
2種以上、 【化2】 Yは、(Y1)下記式で示されるフェノール性ヒドロキ
シル基を有する芳香族ジアミン残基の1種又は2種以上
30〜99モル%と、 【化3】 (Y2)下記式で示される芳香族ジアミン残基の1種又
は2種以上70〜1モル%とからなる2価の有機基、 【化4】 Zは、下記式で示されるシロキサンジアミン残基、 【化5】 (但し、R1は炭素数1〜10の非置換又は置換の一価
炭化水素基、aは1〜6の整数、bは1〜120の整数
である。) また、m,nは、0.70≦m/(m+n)≦0.9
8、かつ0.02≦n/(m+n)≦0.30を満足す
る正数である。〕 - 【請求項2】 (B)成分が下記構造式(2)、(3)
又は(4)で示されるエポキシ樹脂の1種又は2種以上
である請求項1記載のフィルム状電子部品用接着剤。 【化6】 【化7】 (但し、Gは下記に示される基であり、 【化8】 Qは下記に示されるいずれかの基であり、 【化9】 nは0〜5の整数である。また、R2は水素原子又は炭
素数1〜5の一価炭化水素基である。) - 【請求項3】 (B)成分のエポキシ樹脂が、25℃に
おける粘度が5Pa・sec以下のものである請求項1
又は2記載のフィルム状電子部品用接着剤。 - 【請求項4】 (C)成分として無機充填材を含有する
請求項1乃至3のいずれか1項記載のフィルム状電子部
品用接着剤。 - 【請求項5】 (D)成分としてイミダゾール誘導体を
含有する請求項1乃至4のいずれか1項記載のフィルム
状電子部品用接着剤。 - 【請求項6】 請求項1乃至5のいずれか1項に記載さ
れたフィルム状電子部品用接着剤により基板に接着され
た電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000069573A JP2001139895A (ja) | 1999-08-30 | 2000-03-14 | フィルム状電子部品用接着剤及び電子部品 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24307399 | 1999-08-30 | ||
JP11-243073 | 1999-08-30 | ||
JP2000069573A JP2001139895A (ja) | 1999-08-30 | 2000-03-14 | フィルム状電子部品用接着剤及び電子部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001139895A true JP2001139895A (ja) | 2001-05-22 |
Family
ID=26536081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000069573A Pending JP2001139895A (ja) | 1999-08-30 | 2000-03-14 | フィルム状電子部品用接着剤及び電子部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001139895A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005292114A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-10-20 | Denso Corp | センサ装置 |
JP2014040536A (ja) * | 2012-08-23 | 2014-03-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性樹脂組成物及び導電性接着剤 |
-
2000
- 2000-03-14 JP JP2000069573A patent/JP2001139895A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005292114A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-10-20 | Denso Corp | センサ装置 |
JP2014040536A (ja) * | 2012-08-23 | 2014-03-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性樹脂組成物及び導電性接着剤 |
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