JP2001139895A - フィルム状電子部品用接着剤及び電子部品 - Google Patents
フィルム状電子部品用接着剤及び電子部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 （Ａ）下記構造式（１）で示される繰り
返し単位からなり、重量平均分子量が５，０００〜１５
０，０００であるポリイミド樹脂、（Ｂ）１分子中に２
個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂を含有し、
厚みが２０〜１５０μｍであるフィルム状電子部品用接
着剤。 【化１】 〔但し、Ｘは４価の芳香族基、Ｙはフェノール性ヒドロ
キシル基を有する芳香族ジアミン残基３０〜９９モル％
と、芳香族ジアミン残基７０〜１モル％とからなる２価
の有機基、Ｚは下記式で示されるシロキサンジアミン残
基、ｍ，ｎは、０．７０≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．９８、
０．０２≦ｎ／（ｍ＋ｎ）≦０．３０を満足する正数で
ある。〕 【効果】 本発明のフィルム状電子部品用接着剤は、電
子部品の組立工程の簡略化・時間短縮に貢献する。
返し単位からなり、重量平均分子量が５，０００〜１５
０，０００であるポリイミド樹脂、（Ｂ）１分子中に２
個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂を含有し、
厚みが２０〜１５０μｍであるフィルム状電子部品用接
着剤。 【化１】 〔但し、Ｘは４価の芳香族基、Ｙはフェノール性ヒドロ
キシル基を有する芳香族ジアミン残基３０〜９９モル％
と、芳香族ジアミン残基７０〜１モル％とからなる２価
の有機基、Ｚは下記式で示されるシロキサンジアミン残
基、ｍ，ｎは、０．７０≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．９８、
０．０２≦ｎ／（ｍ＋ｎ）≦０．３０を満足する正数で
ある。〕 【効果】 本発明のフィルム状電子部品用接着剤は、電
子部品の組立工程の簡略化・時間短縮に貢献する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、取り扱いが簡潔で
あり、かつ低温・短時間の処理により優れた耐溶剤性・
接着性を発揮するフィルム状電子部品用接着剤、及びこ
れを用いた電子部品に関する。
あり、かつ低温・短時間の処理により優れた耐溶剤性・
接着性を発揮するフィルム状電子部品用接着剤、及びこ
れを用いた電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミド樹脂は耐熱性・電気絶縁性に
優れており、電子部品用の接着剤として広く用いられて
いる。多くの場合は溶液の状態で用いられるが、ポリイ
ミド樹脂は高沸点の限られた溶剤にしか溶解しない。従
って一般にはポリイミドの前駆体であり、種々の溶剤に
溶解し得るポリアミック酸の溶液を被着体に塗布し、３
００℃以上で長時間加熱処理することにより、脱水・イ
ミド化する方法がとられる。しかしこの場合、加熱処理
の工程で被着体の熱劣化が起こるおそれがあり、また加
熱が不十分であると樹脂層中にポリアミック酸が残留
し、耐湿性・耐腐食性の低下を招くおそれがある。
優れており、電子部品用の接着剤として広く用いられて
いる。多くの場合は溶液の状態で用いられるが、ポリイ
ミド樹脂は高沸点の限られた溶剤にしか溶解しない。従
って一般にはポリイミドの前駆体であり、種々の溶剤に
溶解し得るポリアミック酸の溶液を被着体に塗布し、３
００℃以上で長時間加熱処理することにより、脱水・イ
ミド化する方法がとられる。しかしこの場合、加熱処理
の工程で被着体の熱劣化が起こるおそれがあり、また加
熱が不十分であると樹脂層中にポリアミック酸が残留
し、耐湿性・耐腐食性の低下を招くおそれがある。
【０００３】これに対して、溶剤に可溶であるポリイミ
ドの溶液を被着体に塗布し、加熱・溶剤を除去すること
により、樹脂層を形成する方法が知られている。しかし
この場合、樹脂層の耐溶剤性の低下を招くおそれがあ
る。
ドの溶液を被着体に塗布し、加熱・溶剤を除去すること
により、樹脂層を形成する方法が知られている。しかし
この場合、樹脂層の耐溶剤性の低下を招くおそれがあ
る。
【０００４】また、これらの方法は接着剤を溶液の状態
で用いているため、溶液の塗布・溶剤の除去と取り扱い
が煩雑であり、また溶剤の除去が十分でないと、特に半
導体デバイスのダイボンド材のように後工程で高温にさ
らされる場合には、溶剤が気化してボイドを生じ、これ
が剥離・クラックの原因になるおそれがある。
で用いているため、溶液の塗布・溶剤の除去と取り扱い
が煩雑であり、また溶剤の除去が十分でないと、特に半
導体デバイスのダイボンド材のように後工程で高温にさ
らされる場合には、溶剤が気化してボイドを生じ、これ
が剥離・クラックの原因になるおそれがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題を解
決するべくなされたものであり、取り扱いが簡潔である
と共に、低温・短時間の処理により優れた耐溶剤性・接
着性を発揮するフィルム状電子部品用接着剤、及びこれ
を用いた電子部品を提供することを目的とする。
決するべくなされたものであり、取り扱いが簡潔である
と共に、低温・短時間の処理により優れた耐溶剤性・接
着性を発揮するフィルム状電子部品用接着剤、及びこれ
を用いた電子部品を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、（Ａ）下記構造式（１）で示される繰り返し単位か
らなる特定の構造及び分子量のポリイミド樹脂と（Ｂ）
１分子中に２個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹
脂を必須成分とし、これら成分を溶剤に溶解した溶液よ
り溶剤を除去して、厚み２０〜１５０μｍのフィルム状
にすることにより、取り扱いが簡潔であり、また残存溶
剤によるボイドや剥離・クラックの発生等の問題を解決
し得、しかも、低温・短時間の処理により優れた耐溶剤
性・接着性を発揮する信頼性に優れた電子部品用接着剤
が得られることを知見した。またこの場合、特に上記エ
ポキシ樹脂として、低粘度のものを用いることにより、
接着時に低荷重でも良好な接着性を与え、このためチッ
プ等の被着体にダメージを与えるおそれが少ないことを
知見し、本発明をなすに至った。
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、（Ａ）下記構造式（１）で示される繰り返し単位か
らなる特定の構造及び分子量のポリイミド樹脂と（Ｂ）
１分子中に２個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹
脂を必須成分とし、これら成分を溶剤に溶解した溶液よ
り溶剤を除去して、厚み２０〜１５０μｍのフィルム状
にすることにより、取り扱いが簡潔であり、また残存溶
剤によるボイドや剥離・クラックの発生等の問題を解決
し得、しかも、低温・短時間の処理により優れた耐溶剤
性・接着性を発揮する信頼性に優れた電子部品用接着剤
が得られることを知見した。またこの場合、特に上記エ
ポキシ樹脂として、低粘度のものを用いることにより、
接着時に低荷重でも良好な接着性を与え、このためチッ
プ等の被着体にダメージを与えるおそれが少ないことを
知見し、本発明をなすに至った。
【０００７】即ち、本発明は、（Ａ）下記構造式（１）
で示される繰り返し単位からなり、重量平均分子量が
５，０００〜１５０，０００であるポリイミド樹脂、
（Ｂ）１分子中に２個以上のグリシジル基を有するエポ
キシ樹脂を必須成分として含有し、かつ厚みが２０〜１
５０μｍであるフィルム状電子部品用接着剤、及びこの
フィルム状電子部品用接着剤にて基板に接着された電子
部品を提供する。
で示される繰り返し単位からなり、重量平均分子量が
５，０００〜１５０，０００であるポリイミド樹脂、
（Ｂ）１分子中に２個以上のグリシジル基を有するエポ
キシ樹脂を必須成分として含有し、かつ厚みが２０〜１
５０μｍであるフィルム状電子部品用接着剤、及びこの
フィルム状電子部品用接着剤にて基板に接着された電子
部品を提供する。
【化１０】 〔但し、Ｘは、下記に示される４価の有機基の１種又は
２種以上、
２種以上、
【化１１】 Ｙは、（Ｙ1）下記式で示されるフェノール性ヒドロキ
シル基を有する芳香族ジアミン残基の１種又は２種以上
３０〜９９モル％と、
シル基を有する芳香族ジアミン残基の１種又は２種以上
３０〜９９モル％と、
【化１２】 （Ｙ2）下記式で示される芳香族ジアミン残基の１種又
は２種以上７０〜１モル％とからなる２価の有機基、
は２種以上７０〜１モル％とからなる２価の有機基、
【化１３】 Ｚは、下記式で示されるシロキサンジアミン残基、
【化１４】 （但し、Ｒ1は炭素数１〜１０の非置換又は置換の一価
炭化水素基、ａは１〜６の整数、ｂは１〜１２０の整数
である。） また、ｍ，ｎは、０．７０≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．９
８、かつ０．０２≦ｎ／（ｍ＋ｎ）≦０．３０を満足す
る正数である。〕
炭化水素基、ａは１〜６の整数、ｂは１〜１２０の整数
である。） また、ｍ，ｎは、０．７０≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．９
８、かつ０．０２≦ｎ／（ｍ＋ｎ）≦０．３０を満足す
る正数である。〕
【０００８】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明において用いられるポリイミド樹脂は、下記構造式
（１）で示される繰り返し単位からなり、これはフェノ
ール性ヒドロキシル基とジオルガノシロキサン骨格を有
する。このうちフェノール性ヒドロキシル基は硬化物の
架橋密度・耐溶剤性に、ジオルガノシロキサン骨格は硬
化物の低弾性化・接着性に貢献する。
発明において用いられるポリイミド樹脂は、下記構造式
（１）で示される繰り返し単位からなり、これはフェノ
ール性ヒドロキシル基とジオルガノシロキサン骨格を有
する。このうちフェノール性ヒドロキシル基は硬化物の
架橋密度・耐溶剤性に、ジオルガノシロキサン骨格は硬
化物の低弾性化・接着性に貢献する。
【化１５】
【０００９】構造式（１）のＸは４価の有機基であり、
具体的には下記のものが挙げられる。
具体的には下記のものが挙げられる。
【化１６】 このうち、２，２−ジフェニル−パーフルオロプロパン
残基又はジフェニルスルホン残基は溶剤に対する未硬化
物の溶解性、シロキサン含有基は被着体への接着性、ビ
フェニル残基は硬化物の硬度を向上させる点において好
ましい。
残基又はジフェニルスルホン残基は溶剤に対する未硬化
物の溶解性、シロキサン含有基は被着体への接着性、ビ
フェニル残基は硬化物の硬度を向上させる点において好
ましい。
【００１０】構造式（１）のＹは２価の有機基であり、
具体的には下記に示されるフェノール性ヒドロキシル基
を有する芳香族ジアミン残基（Ｙ1）３０〜９９モル％
と、
具体的には下記に示されるフェノール性ヒドロキシル基
を有する芳香族ジアミン残基（Ｙ1）３０〜９９モル％
と、
【化１７】 下記に示される芳香族ジアミン残基（Ｙ2）７０〜１モ
ル％とからなる。
ル％とからなる。
【化１８】
【００１１】ここでフェノール性ヒドロキシル基を有す
る芳香族ジアミン残基（Ｙ1）が３０モル％未満である
と硬化物の架橋密度が低くなり、耐溶剤性が低下するお
それがある。なお、Ｙ1＋Ｙ2＝１００モル％である。
る芳香族ジアミン残基（Ｙ1）が３０モル％未満である
と硬化物の架橋密度が低くなり、耐溶剤性が低下するお
それがある。なお、Ｙ1＋Ｙ2＝１００モル％である。
【００１２】構造式（１）のＺはシロキサンジアミン残
基であり、具体的には下記のものが挙げられる。
基であり、具体的には下記のものが挙げられる。
【化１９】 ここで、Ｒ1は、炭素数１〜１０、好ましくは炭素数１
〜８の、非置換又は置換の１価の炭化水素基であり、具
体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シ
クロヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアルキル
基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基等
のアルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール
基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基
等、又はこれらの炭化水素基の一部又は全部をフッ素、
臭素、塩素等のハロゲン原子等で置換したハロゲン置換
一価炭化水素基等が挙げられ、特にメチル基が望まし
い。また、ａは１〜６の整数であり、特に３であること
が望ましい。ｂは１〜１２０の整数であり、特に１〜８
０の整数であることが望ましい。ここで、ｂが１２０よ
り大きいと未硬化物中のポリイミド樹脂が溶剤に対して
十分に溶解しなくなるおそれがある。
〜８の、非置換又は置換の１価の炭化水素基であり、具
体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シ
クロヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアルキル
基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基等
のアルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール
基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基
等、又はこれらの炭化水素基の一部又は全部をフッ素、
臭素、塩素等のハロゲン原子等で置換したハロゲン置換
一価炭化水素基等が挙げられ、特にメチル基が望まし
い。また、ａは１〜６の整数であり、特に３であること
が望ましい。ｂは１〜１２０の整数であり、特に１〜８
０の整数であることが望ましい。ここで、ｂが１２０よ
り大きいと未硬化物中のポリイミド樹脂が溶剤に対して
十分に溶解しなくなるおそれがある。
【００１３】構造式（１）のｍとｎの関係は０．７０≦
ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．９８、かつ０．０２≦ｎ／（ｍ＋
ｎ）≦０．３０である。ここでｎ／（ｍ＋ｎ）が０．０
２未満であると被着体への接着性や硬化物の低応力化に
支障をきたすおそれがあり、また０．３０より大きいと
硬化物の機械強度に支障をきたすおそれがある。なお、
ｍ＋ｎ＝１である。
ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．９８、かつ０．０２≦ｎ／（ｍ＋
ｎ）≦０．３０である。ここでｎ／（ｍ＋ｎ）が０．０
２未満であると被着体への接着性や硬化物の低応力化に
支障をきたすおそれがあり、また０．３０より大きいと
硬化物の機械強度に支障をきたすおそれがある。なお、
ｍ＋ｎ＝１である。
【００１４】構造式（１）のポリイミド樹脂の重量平均
分子量は５，０００〜１５０，０００であり、特に２
０，０００〜１００，０００であることが望ましい。こ
こで、重量平均分子量が５，０００未満であると硬化物
の機械強度に支障をきたすおそれがある。また１５０，
０００より大きいとポリイミド樹脂の末端官能基、即ち
アミノ基又は酸無水物が加水分解して生成するカルボキ
シル基の量が減り、エポキシ樹脂との架橋密度が下が
り、耐溶剤性が低下するおそれがある。
分子量は５，０００〜１５０，０００であり、特に２
０，０００〜１００，０００であることが望ましい。こ
こで、重量平均分子量が５，０００未満であると硬化物
の機械強度に支障をきたすおそれがある。また１５０，
０００より大きいとポリイミド樹脂の末端官能基、即ち
アミノ基又は酸無水物が加水分解して生成するカルボキ
シル基の量が減り、エポキシ樹脂との架橋密度が下が
り、耐溶剤性が低下するおそれがある。
【００１５】構造式（１）のポリイミド樹脂は従来公知
の方法により製造することができ、例えば以下のような
方法による。この場合、原料のテトラカルボン酸二無水
物としては下記のものが挙げられる。
の方法により製造することができ、例えば以下のような
方法による。この場合、原料のテトラカルボン酸二無水
物としては下記のものが挙げられる。
【化２０】
【００１６】原料のフェノール性ヒドロキシル基を有す
る芳香族ジアミンとしては下記のものが挙げられる。
る芳香族ジアミンとしては下記のものが挙げられる。
【化２１】
【００１７】原料の芳香族ジアミンとしては下記のもの
が挙げられる。
が挙げられる。
【化２２】
【００１８】原料のジアミノシロキサンとしては下記の
α，ω−ビス（γ−アミノプロピル）ジオルガノポリシ
ロキサンが挙げられる。
α，ω−ビス（γ−アミノプロピル）ジオルガノポリシ
ロキサンが挙げられる。
【化２３】 （但し、Ｒ1は前記と同じ意味であり、ｂは１〜１２０
の整数である。）
の整数である。）
【００１９】上記の原料をシクロヘキサノン等の溶剤中
に仕込み、２０〜４０℃程度で反応させ、ポリイミド樹
脂の前駆体であるポリアミック酸を合成する。ここでテ
トラカルボン酸二無水物成分に対するジアミン成分の割
合はポリイミド樹脂の分子量調整等の必要に応じて適宜
決められ、通常モル比で０．９５乃至１．０５であり、
特に０．９８乃至１．０２であることが望ましい。な
お、ポリイミド樹脂の分子量調整のために、無水フタル
酸、アニリン等の１官能の原料を添加してもよい。この
場合の添加量はポリイミド樹脂に対して２モル％以下で
あることが望ましい。得られたポリアミック酸溶液を８
０〜２００℃、好ましくは１４０〜１８０℃に昇温し、
ポリアミック酸の酸アミド部分の脱水閉環反応を進行さ
せ、ポリイミド樹脂溶液を得る。また無水酢酸／ピリジ
ン混合溶液をポリアミック酸溶液に添加し、これを１５
０℃程度に昇温し、イミド化を行う方法によっても得ら
れる。
に仕込み、２０〜４０℃程度で反応させ、ポリイミド樹
脂の前駆体であるポリアミック酸を合成する。ここでテ
トラカルボン酸二無水物成分に対するジアミン成分の割
合はポリイミド樹脂の分子量調整等の必要に応じて適宜
決められ、通常モル比で０．９５乃至１．０５であり、
特に０．９８乃至１．０２であることが望ましい。な
お、ポリイミド樹脂の分子量調整のために、無水フタル
酸、アニリン等の１官能の原料を添加してもよい。この
場合の添加量はポリイミド樹脂に対して２モル％以下で
あることが望ましい。得られたポリアミック酸溶液を８
０〜２００℃、好ましくは１４０〜１８０℃に昇温し、
ポリアミック酸の酸アミド部分の脱水閉環反応を進行さ
せ、ポリイミド樹脂溶液を得る。また無水酢酸／ピリジ
ン混合溶液をポリアミック酸溶液に添加し、これを１５
０℃程度に昇温し、イミド化を行う方法によっても得ら
れる。
【００２０】本発明において用いられるエポキシ樹脂
は、その構造や分子量等が特に制限されるものではない
が、樹脂組成物がフィルムの状態で使用されること、
ポリイミド樹脂とエポキシ樹脂とで架橋構造が形成さ
れること、以上の２点を考慮する場合、エポキシ樹脂の
軟化点が低く、かつ１分子中に２個以上のグリシジル基
を有するもの、特に下記構造式（２）、（３）又は
（４）で示されるエポキシ樹脂の１種又は２種であるこ
とが望ましい。
は、その構造や分子量等が特に制限されるものではない
が、樹脂組成物がフィルムの状態で使用されること、
ポリイミド樹脂とエポキシ樹脂とで架橋構造が形成さ
れること、以上の２点を考慮する場合、エポキシ樹脂の
軟化点が低く、かつ１分子中に２個以上のグリシジル基
を有するもの、特に下記構造式（２）、（３）又は
（４）で示されるエポキシ樹脂の１種又は２種であるこ
とが望ましい。
【化２４】
【化２５】 （但し、Ｇは下記に示される基であり、
【化２６】 Ｑは下記に示されるいずれかの基であり、
【化２７】 ｎは０〜５の整数であり、好ましくは０〜２である。ま
た、Ｒ2は水素原子又は炭素数１〜５の一価炭化水素基
である。）
た、Ｒ2は水素原子又は炭素数１〜５の一価炭化水素基
である。）
【００２１】ここで、Ｒ2の炭素数１〜５の一価炭化水
素基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基
等のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、
ブテニル基等のアルケニル基などが挙げられ、特にメチ
ル基、エチル基が好ましい。
素基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基
等のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、
ブテニル基等のアルケニル基などが挙げられ、特にメチ
ル基、エチル基が好ましい。
【００２２】この場合、低温・短時間で、かつ低荷重で
の接着を可能にする点から、特に２５℃における粘度が
２０Ｐａ・ｓｅｃ（パスカル・秒）以下、より好ましく
は１０Ｐａ・ｓｅｃ以下、特に５Ｐａ・ｓｅｃ以下のエ
ポキシ樹脂が好ましく用いられ、これにより低荷重で接
着させても樹脂テープと被着体との濡れ性が良好に確保
され、接着性、その他信頼性を高めることができ、チッ
プ等の被着体を破壊するおそれがないものである。な
お、かかる２５℃における粘度が５Ｐａ・ｓｅｃ以下の
エポキシ樹脂としては、上記式（２）においてｎ＝０〜
０．１（平均値）のもの、式（４）で示されるものなど
が用いられる。
の接着を可能にする点から、特に２５℃における粘度が
２０Ｐａ・ｓｅｃ（パスカル・秒）以下、より好ましく
は１０Ｐａ・ｓｅｃ以下、特に５Ｐａ・ｓｅｃ以下のエ
ポキシ樹脂が好ましく用いられ、これにより低荷重で接
着させても樹脂テープと被着体との濡れ性が良好に確保
され、接着性、その他信頼性を高めることができ、チッ
プ等の被着体を破壊するおそれがないものである。な
お、かかる２５℃における粘度が５Ｐａ・ｓｅｃ以下の
エポキシ樹脂としては、上記式（２）においてｎ＝０〜
０．１（平均値）のもの、式（４）で示されるものなど
が用いられる。
【００２３】エポキシ樹脂の配合量は、ポリイミド樹脂
１００重量部に対して０．１重量部以上１００重量部未
満（通常０．１〜９５重量部）、好ましくは１〜５０重
量部、より好ましくは５〜２０重量部であることが望ま
しい。ここでエポキシ樹脂の配合量が少なすぎると、硬
化物の架橋密度が下がり、耐溶剤性が低下し、又は被着
面との十分な濡れ性が確保されず接着性が低下するおそ
れがある。また、多すぎる場合には耐熱不良のおそれが
ある。
１００重量部に対して０．１重量部以上１００重量部未
満（通常０．１〜９５重量部）、好ましくは１〜５０重
量部、より好ましくは５〜２０重量部であることが望ま
しい。ここでエポキシ樹脂の配合量が少なすぎると、硬
化物の架橋密度が下がり、耐溶剤性が低下し、又は被着
面との十分な濡れ性が確保されず接着性が低下するおそ
れがある。また、多すぎる場合には耐熱不良のおそれが
ある。
【００２４】本発明においては、その用途に応じて無機
充填剤を用いることができる。この無機充填剤の具体例
としては結晶シリカ、非結晶シリカ等の天然シリカ、合
成高純度シリカ、合成球状シリカ、タルク、マイカ、窒
化ケイ素、窒化ホウ素、アルミナ等、又は銀粉のような
導電性粒子等が挙げられ、これらの中から１種又は２種
以上を用いることができ、例えば半導体デバイスのダイ
ボンド材の場合は熱伝導性の高いアルミナ又は銀粉等を
用いることが好適である。無機充填剤の配合量について
は特に制限されず、用途に応じて選択されるが、組成物
全体に対して通常５〜８０重量％程度である。
充填剤を用いることができる。この無機充填剤の具体例
としては結晶シリカ、非結晶シリカ等の天然シリカ、合
成高純度シリカ、合成球状シリカ、タルク、マイカ、窒
化ケイ素、窒化ホウ素、アルミナ等、又は銀粉のような
導電性粒子等が挙げられ、これらの中から１種又は２種
以上を用いることができ、例えば半導体デバイスのダイ
ボンド材の場合は熱伝導性の高いアルミナ又は銀粉等を
用いることが好適である。無機充填剤の配合量について
は特に制限されず、用途に応じて選択されるが、組成物
全体に対して通常５〜８０重量％程度である。
【００２５】無機充填剤の形状は特に制限されず、球
状、破砕状、無定形等用途に応じて選択される。また無
機充填剤の粒径はフィルムの厚みにより制限され、最大
粒径はフィルムの厚み未満であり、特に１／２未満であ
ることが望ましい。例えば厚みが５０μｍのフィルムで
ある場合、最大粒径は５０μｍ未満、特に２５μｍ未満
であることが望ましく、平均粒径は０．１〜２０μｍ、
特に０．５〜１０μｍであることが望ましい。なお、こ
の平均粒径は、例えばレーザー光回折法等の分析手段を
使用した粒度分布計により、重量平均値（又はメジアン
径）等として求めることができる。
状、破砕状、無定形等用途に応じて選択される。また無
機充填剤の粒径はフィルムの厚みにより制限され、最大
粒径はフィルムの厚み未満であり、特に１／２未満であ
ることが望ましい。例えば厚みが５０μｍのフィルムで
ある場合、最大粒径は５０μｍ未満、特に２５μｍ未満
であることが望ましく、平均粒径は０．１〜２０μｍ、
特に０．５〜１０μｍであることが望ましい。なお、こ
の平均粒径は、例えばレーザー光回折法等の分析手段を
使用した粒度分布計により、重量平均値（又はメジアン
径）等として求めることができる。
【００２６】本発明においてはポリイミド樹脂とエポキ
シ樹脂の硬化促進剤としてイミダゾール誘導体を用いる
ことができる。このイミダゾール誘導体の具体例として
は２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、
２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイ
ミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、
２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミ
ダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチル
イミダゾール等が挙げられ、これらの中から１種又は２
種以上を用いることができる。
シ樹脂の硬化促進剤としてイミダゾール誘導体を用いる
ことができる。このイミダゾール誘導体の具体例として
は２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、
２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイ
ミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、
２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミ
ダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチル
イミダゾール等が挙げられ、これらの中から１種又は２
種以上を用いることができる。
【００２７】このイミダゾール誘導体の配合量は、ポリ
イミド樹脂１００重量部に対して０．０５〜５重量部で
あることが望ましく、より好ましくは０．１〜５重量部
であることが望ましい。ここでイミダゾール誘導体の配
合量が０．０５重量部未満であると低温における硬化性
が不十分になるおそれがある。また５重量部より多いと
保存性・硬化物の耐熱性に支障をきたすおそれがある。
イミド樹脂１００重量部に対して０．０５〜５重量部で
あることが望ましく、より好ましくは０．１〜５重量部
であることが望ましい。ここでイミダゾール誘導体の配
合量が０．０５重量部未満であると低温における硬化性
が不十分になるおそれがある。また５重量部より多いと
保存性・硬化物の耐熱性に支障をきたすおそれがある。
【００２８】本発明において用いられるポリイミド樹脂
は既述のように溶剤中で合成され、またフィルムの製造
工程においても溶液の状態で基材上に塗布し、溶剤を除
去する等の手法をとるため、該樹脂組成物と相溶性に優
れる溶剤の使用が望まれる。この溶剤の具体例としては
テトラヒドロフラン、アニソール、ジグライム、トリグ
ライム等のエーテル類、シクロヘキサノン、２−ブタノ
ン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、２
−ヘプタノン、２−オクタノン、アセトフェノン等のケ
トン類、酢酸ブチル、安息香酸メチル、γ−ブチロラク
トン、２−ヒドロキシプロパン酸メチル等のエステル
類、ブチルセロソルブアセテート、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート等のセロソルブ類、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド類、
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類等が挙げら
れ、特にシクロヘキサノン、メチルエチルケトン、γ−
ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが望まし
い。これらの中から１種又は２種以上を用いることがで
きる。なお溶液の状態での溶剤の含有量は、固形分の濃
度が１〜４０重量％となる範囲で調整されることが望ま
しい。
は既述のように溶剤中で合成され、またフィルムの製造
工程においても溶液の状態で基材上に塗布し、溶剤を除
去する等の手法をとるため、該樹脂組成物と相溶性に優
れる溶剤の使用が望まれる。この溶剤の具体例としては
テトラヒドロフラン、アニソール、ジグライム、トリグ
ライム等のエーテル類、シクロヘキサノン、２−ブタノ
ン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、２
−ヘプタノン、２−オクタノン、アセトフェノン等のケ
トン類、酢酸ブチル、安息香酸メチル、γ−ブチロラク
トン、２−ヒドロキシプロパン酸メチル等のエステル
類、ブチルセロソルブアセテート、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート等のセロソルブ類、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド類、
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類等が挙げら
れ、特にシクロヘキサノン、メチルエチルケトン、γ−
ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが望まし
い。これらの中から１種又は２種以上を用いることがで
きる。なお溶液の状態での溶剤の含有量は、固形分の濃
度が１〜４０重量％となる範囲で調整されることが望ま
しい。
【００２９】本発明の電子部品用接着剤は、２０〜１５
０μｍの厚みのフィルム状に加工して用いられる。フィ
ルム状に加工する方法は特に限定されるものではない
が、既述の方法により得られた樹脂組成物の溶液をコー
ター等を用いて適当な基材上、例えば離型性に優れるシ
リコーン樹脂、テフロン樹脂等のフィルム、又はこれら
を塗布して離型処理を施したＰＥＴフィルム等に塗布
し、熱風ヒーター、赤外線ヒーター等を用いて所定の温
度・時間で加熱して溶剤を除去し、更に用途に応じて板
状に切断する、又はテープ状に切断して巻き取る等の方
法により得られる。ここで必要に応じて基材を除去して
もよい。溶剤を除去する際に加熱が十分でないとフィル
ム中に溶剤が残存し、ボイドが生じ、これが剥離・クラ
ックの原因になる等のおそれがある。逆に加熱が過度で
あるとポリイミド樹脂とエポキシ樹脂の反応が進行して
しまい、フィルムの柔軟性又は接着性に支障をきたし、
また、加熱が急激、即ち一気に溶剤の沸点以上に加熱す
ると、フィルム中やフィルムの表面にボイドが残存した
り、フィルムの厚みが不均一になる等の問題が発生する
おそれがある。具体的には、溶剤の沸点未満の温度より
段階的に昇温させ、除去することが望ましい。
０μｍの厚みのフィルム状に加工して用いられる。フィ
ルム状に加工する方法は特に限定されるものではない
が、既述の方法により得られた樹脂組成物の溶液をコー
ター等を用いて適当な基材上、例えば離型性に優れるシ
リコーン樹脂、テフロン樹脂等のフィルム、又はこれら
を塗布して離型処理を施したＰＥＴフィルム等に塗布
し、熱風ヒーター、赤外線ヒーター等を用いて所定の温
度・時間で加熱して溶剤を除去し、更に用途に応じて板
状に切断する、又はテープ状に切断して巻き取る等の方
法により得られる。ここで必要に応じて基材を除去して
もよい。溶剤を除去する際に加熱が十分でないとフィル
ム中に溶剤が残存し、ボイドが生じ、これが剥離・クラ
ックの原因になる等のおそれがある。逆に加熱が過度で
あるとポリイミド樹脂とエポキシ樹脂の反応が進行して
しまい、フィルムの柔軟性又は接着性に支障をきたし、
また、加熱が急激、即ち一気に溶剤の沸点以上に加熱す
ると、フィルム中やフィルムの表面にボイドが残存した
り、フィルムの厚みが不均一になる等の問題が発生する
おそれがある。具体的には、溶剤の沸点未満の温度より
段階的に昇温させ、除去することが望ましい。
【００３０】本発明の熱硬化性樹脂組成物のフィルム状
電子部品用接着剤は電子部品用途に用いられ、特に半導
体デバイスのダイボンド材のように耐熱性・接着性が要
求される用途においてその性能を発揮する。接着方法は
特に制限されるものではないが、１５０〜２５０℃、
０．０１〜１０ｋｇｆ／ｃｍ2、０．５〜２０秒程度の
条件で熱圧着することにより広範な被着体、例えばアル
ミニウム、ニッケル、金、銀、白金、鉄、銅、亜鉛、パ
ラジウム、錫等の金属やこれらの合金や酸化物、ケイ素
とこれの酸化物、窒化ケイ素、エポキシ樹脂、フェノー
ル樹脂、ポリイミド樹脂とこれらの組成物等に対して良
好な接着性を発揮する。なお、上述した２５℃の粘度が
２０Ｐａ・ｓｅｃ以下の低粘度のエポキシ樹脂、とりわ
け２５℃における粘度が５Ｐａ・ｓｅｃ以下のエポキシ
樹脂を用いた場合、０．０１〜１ｋｇｆ／ｃｍ2程度の
低荷重での圧着でも良好な接着を与える。より具体的な
接着方法として、被着体の間に接着剤フィルムを挟んで
熱圧着する、又は一方の被着体に接着剤フィルムを仮圧
着し、続いてもう一方の被着体を載せて全体を本圧着す
る等の方法がとられる。ここで後者の２段階で接着する
方法においては、仮圧着は比較的低温で、本圧着は高温
で行うことが望ましい。これにより接着剤フィルムは仮
圧着では被着体になじむ程度に接着し、本圧着では強固
な接着が生成され、またポリイミド樹脂とエポキシ樹脂
が反応して架橋構造が形成され、耐熱性・耐溶剤性に優
れる接着剤層が得られる。
電子部品用接着剤は電子部品用途に用いられ、特に半導
体デバイスのダイボンド材のように耐熱性・接着性が要
求される用途においてその性能を発揮する。接着方法は
特に制限されるものではないが、１５０〜２５０℃、
０．０１〜１０ｋｇｆ／ｃｍ2、０．５〜２０秒程度の
条件で熱圧着することにより広範な被着体、例えばアル
ミニウム、ニッケル、金、銀、白金、鉄、銅、亜鉛、パ
ラジウム、錫等の金属やこれらの合金や酸化物、ケイ素
とこれの酸化物、窒化ケイ素、エポキシ樹脂、フェノー
ル樹脂、ポリイミド樹脂とこれらの組成物等に対して良
好な接着性を発揮する。なお、上述した２５℃の粘度が
２０Ｐａ・ｓｅｃ以下の低粘度のエポキシ樹脂、とりわ
け２５℃における粘度が５Ｐａ・ｓｅｃ以下のエポキシ
樹脂を用いた場合、０．０１〜１ｋｇｆ／ｃｍ2程度の
低荷重での圧着でも良好な接着を与える。より具体的な
接着方法として、被着体の間に接着剤フィルムを挟んで
熱圧着する、又は一方の被着体に接着剤フィルムを仮圧
着し、続いてもう一方の被着体を載せて全体を本圧着す
る等の方法がとられる。ここで後者の２段階で接着する
方法においては、仮圧着は比較的低温で、本圧着は高温
で行うことが望ましい。これにより接着剤フィルムは仮
圧着では被着体になじむ程度に接着し、本圧着では強固
な接着が生成され、またポリイミド樹脂とエポキシ樹脂
が反応して架橋構造が形成され、耐熱性・耐溶剤性に優
れる接着剤層が得られる。
【００３１】
【発明の効果】本発明のフィルム状電子部品用接着剤
は、電子部品の組立工程の簡略化・時間短縮に貢献する
ものであり、このフィルム状電子部品用接着剤を用いる
ことにより、簡潔な処方によって信頼性に優れる電子部
品が得られる。
は、電子部品の組立工程の簡略化・時間短縮に貢献する
ものであり、このフィルム状電子部品用接着剤を用いる
ことにより、簡潔な処方によって信頼性に優れる電子部
品が得られる。
【００３２】
【実施例】以下、合成例及び実施例、比較例を挙げて本
発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制
限されるものではない。
発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制
限されるものではない。
【００３３】ポリイミド樹脂の合成方法 〔合成例１〕撹拌機、温度計、及び窒素置換装置を備え
たフラスコ内に、３，３’，４，４’−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン酸二無水物３５．８ｇ（０．１モ
ル）、及びシクロヘキサノン４００ｇを仕込んだ。次い
でジアミノシロキサン〔構造式（４）ｂの平均値９〕１
６．８ｇ（０．０２モル）、４，４’−（３，３’−ジ
ヒドロキシ）ジアミノビフェニル１０．９９ｇ（０．０
５モル）、及び２，２−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］プロパン１２．３ｇ（０．０３モル）
をシクロヘキサノン１００ｇに溶解した溶液を、反応系
の温度が５０℃を超えないように調整しながら上記フラ
スコ内に滴下した。滴下終了後、更に室温で１０時間撹
拌した。次に該フラスコに水分受容器付きの還流冷却器
を取り付けた後、キシレン３０ｇを加え、１５０℃に昇
温させてその温度を６時間保持したところ、黄褐色の溶
液が得られた。こうして得られた溶液を室温（２５℃）
まで冷却した後、メタノール中に投じて再沈殿させた。
得られた沈降物を乾燥したところ、下記式を繰り返し単
位とするポリイミド樹脂を得た。
たフラスコ内に、３，３’，４，４’−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン酸二無水物３５．８ｇ（０．１モ
ル）、及びシクロヘキサノン４００ｇを仕込んだ。次い
でジアミノシロキサン〔構造式（４）ｂの平均値９〕１
６．８ｇ（０．０２モル）、４，４’−（３，３’−ジ
ヒドロキシ）ジアミノビフェニル１０．９９ｇ（０．０
５モル）、及び２，２−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］プロパン１２．３ｇ（０．０３モル）
をシクロヘキサノン１００ｇに溶解した溶液を、反応系
の温度が５０℃を超えないように調整しながら上記フラ
スコ内に滴下した。滴下終了後、更に室温で１０時間撹
拌した。次に該フラスコに水分受容器付きの還流冷却器
を取り付けた後、キシレン３０ｇを加え、１５０℃に昇
温させてその温度を６時間保持したところ、黄褐色の溶
液が得られた。こうして得られた溶液を室温（２５℃）
まで冷却した後、メタノール中に投じて再沈殿させた。
得られた沈降物を乾燥したところ、下記式を繰り返し単
位とするポリイミド樹脂を得た。
【化２８】 〔但し、
【化２９】
【化３０】 ＝５０／３０（モル比）〕
【００３４】再沈殿された樹脂の赤外線吸収スペクトル
を測定したところ、未反応のポリアミック酸に由来する
吸収は現れず、１７８０ｃｍ-1、及び１７２０ｃｍ-1に
イミド基に由来する吸収が現れた。テトラヒドロフラン
を溶剤としてゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）を
測定したところ、重量平均分子量（ポリスチレン換算）
は３５，０００であった。このポリイミド樹脂をポリイ
ミド樹脂Ａとした。
を測定したところ、未反応のポリアミック酸に由来する
吸収は現れず、１７８０ｃｍ-1、及び１７２０ｃｍ-1に
イミド基に由来する吸収が現れた。テトラヒドロフラン
を溶剤としてゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）を
測定したところ、重量平均分子量（ポリスチレン換算）
は３５，０００であった。このポリイミド樹脂をポリイ
ミド樹脂Ａとした。
【００３５】〔合成例２〕撹拌機、温度計、及び窒素置
換装置を備えたフラスコ内に、３，３’，４，４’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物２０．５ｇ（０．０
７モル）、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンジア
ンヒドリド１２．８ｇ（０．０３モル）、及びシクロヘ
キサノン３００ｇを仕込んだ。次いでジアミノシロキサ
ン〔構造式（４）ｂの平均値９〕１６．８ｇ（０．０２
モル）、４，４’−（３，３’−ジヒドロキシ）ジアミ
ノビフェニル１０．９９ｇ（０．０５モル）、及び２，
２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］パ
ーフルオロプロパン１２．３ｇ（０．０３モル）をシク
ロヘキサノン１００ｇに溶解した溶液を、反応系の温度
が５０℃を超えないように調整しながら上記フラスコ内
に滴下した。これ以降の操作は全て合成例１と同様に行
い、下記式を繰り返し単位とするポリイミド樹脂を得
た。
換装置を備えたフラスコ内に、３，３’，４，４’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物２０．５ｇ（０．０
７モル）、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンジア
ンヒドリド１２．８ｇ（０．０３モル）、及びシクロヘ
キサノン３００ｇを仕込んだ。次いでジアミノシロキサ
ン〔構造式（４）ｂの平均値９〕１６．８ｇ（０．０２
モル）、４，４’−（３，３’−ジヒドロキシ）ジアミ
ノビフェニル１０．９９ｇ（０．０５モル）、及び２，
２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］パ
ーフルオロプロパン１２．３ｇ（０．０３モル）をシク
ロヘキサノン１００ｇに溶解した溶液を、反応系の温度
が５０℃を超えないように調整しながら上記フラスコ内
に滴下した。これ以降の操作は全て合成例１と同様に行
い、下記式を繰り返し単位とするポリイミド樹脂を得
た。
【化３１】 〔但し、
【化３２】 ＝７０／３０（モル比）
【化３３】 ＝５０／３０（モル比）〕 得られた樹脂の重量平均分子量を合成例１と同様の条件
で測定したところ６０，０００であった。このポリイミ
ド樹脂をポリイミド樹脂Ｂとした。
で測定したところ６０，０００であった。このポリイミ
ド樹脂をポリイミド樹脂Ｂとした。
【００３６】〔合成例３〕撹拌機、温度計、及び窒素置
換装置を備えたフラスコ内に、２，２−ビス（３，４−
ジカルボキシフェニル）パーフルオロプロパンジアンヒ
ドリド４４．４ｇ（０．１モル）、及びシクロヘキサノ
ン３００ｇを仕込んだ。次いでジアミノシロキサン〔構
造式（４）ｂの平均値１９〕３３．２ｇ（０．０２モ
ル）、４，４’−（３，３’−ジヒドロキシ）ジアミノ
ビフェニル１０．９９ｇ（０．０５モル）、及び１，４
−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン８．７８ｇ
（０．０３モル）をシクロヘキサノン１００ｇに溶解し
た溶液を、反応系の温度が５０℃を超えないように調整
しながら上記フラスコ内に滴下した。これ以降の操作は
全て合成例１と同様に行い、下記式を繰り返し単位とす
るポリイミド樹脂を得た。
換装置を備えたフラスコ内に、２，２−ビス（３，４−
ジカルボキシフェニル）パーフルオロプロパンジアンヒ
ドリド４４．４ｇ（０．１モル）、及びシクロヘキサノ
ン３００ｇを仕込んだ。次いでジアミノシロキサン〔構
造式（４）ｂの平均値１９〕３３．２ｇ（０．０２モ
ル）、４，４’−（３，３’−ジヒドロキシ）ジアミノ
ビフェニル１０．９９ｇ（０．０５モル）、及び１，４
−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン８．７８ｇ
（０．０３モル）をシクロヘキサノン１００ｇに溶解し
た溶液を、反応系の温度が５０℃を超えないように調整
しながら上記フラスコ内に滴下した。これ以降の操作は
全て合成例１と同様に行い、下記式を繰り返し単位とす
るポリイミド樹脂を得た。
【化３４】 〔但し、
【化３５】
【化３６】 ＝５０／３０（モル比）〕 得られた樹脂の重量平均分子量を合成例１と同様の条件
で測定したところ１２５，０００であった。このポリイ
ミド樹脂をポリイミド樹脂Ｃとした。
で測定したところ１２５，０００であった。このポリイ
ミド樹脂をポリイミド樹脂Ｃとした。
【００３７】〔合成例４〕撹拌機、温度計、及び窒素置
換装置を備えたフラスコ内に、３，３’，４，４’−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８ｇ
（０．１モル）、及びシクロヘキサノン４００ｇを仕込
んだ。次いで４，４’−（３，３’−ジヒドロキシ）ジ
アミノビフェニル１０．９ｇ（０．０５モル）、及び
２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン２０．５ｇ（０．０５モル）をシクロヘキ
サノン１００ｇに溶解した溶液を、反応系の温度が５０
℃を超えないように調整しながら上記フラスコ内に滴下
した。これ以降の操作は全て合成例１と同様に行い、下
記式を繰り返し単位とするポリイミド樹脂を得た。
換装置を備えたフラスコ内に、３，３’，４，４’−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８ｇ
（０．１モル）、及びシクロヘキサノン４００ｇを仕込
んだ。次いで４，４’−（３，３’−ジヒドロキシ）ジ
アミノビフェニル１０．９ｇ（０．０５モル）、及び
２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン２０．５ｇ（０．０５モル）をシクロヘキ
サノン１００ｇに溶解した溶液を、反応系の温度が５０
℃を超えないように調整しながら上記フラスコ内に滴下
した。これ以降の操作は全て合成例１と同様に行い、下
記式を繰り返し単位とするポリイミド樹脂を得た。
【化３７】 〔但し、
【化３８】
【化３９】 ＝５０／５０（モル比）〕 得られた樹脂の重量平均分子量を合成例１と同様の条件
で測定したところ３０，０００であった。このポリイミ
ド樹脂をポリイミド樹脂Ｄとした。
で測定したところ３０，０００であった。このポリイミ
ド樹脂をポリイミド樹脂Ｄとした。
【００３８】〔合成例５〕撹拌機、温度計、及び窒素置
換装置を備えたフラスコ内に、３，３’，４，４’−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８ｇ
（０．１モル）、及びシクロヘキサノン４００ｇを仕込
んだ。次いでジアミノシロキサン〔構造式（４）ｂの平
均値９〕１６．８ｇ（０．０２モル）、及び２，２−ビ
ス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
３２．８ｇ（０．０８モル）をシクロヘキサノン１００
ｇに溶解した溶液を、反応系の温度が５０℃を超えない
ように調整しながら上記フラスコ内に滴下した。これ以
降の操作は全て合成例１と同様に行い、下記式を繰り返
し単位とするポリイミド樹脂を得た。
換装置を備えたフラスコ内に、３，３’，４，４’−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８ｇ
（０．１モル）、及びシクロヘキサノン４００ｇを仕込
んだ。次いでジアミノシロキサン〔構造式（４）ｂの平
均値９〕１６．８ｇ（０．０２モル）、及び２，２−ビ
ス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
３２．８ｇ（０．０８モル）をシクロヘキサノン１００
ｇに溶解した溶液を、反応系の温度が５０℃を超えない
ように調整しながら上記フラスコ内に滴下した。これ以
降の操作は全て合成例１と同様に行い、下記式を繰り返
し単位とするポリイミド樹脂を得た。
【化４０】 〔但し、
【化４１】
【化４２】 〕 得られた樹脂の重量平均分子量を合成例１と同様の条件
で測定したところ２４，０００であった。このポリイミ
ド樹脂をポリイミド樹脂Ｅとした。
で測定したところ２４，０００であった。このポリイミ
ド樹脂をポリイミド樹脂Ｅとした。
【００３９】〔実施例１〜３、比較例１〜３〕熱硬化性樹脂組成物の調製方法 ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂（Ａ又はＢ）、無機充填
剤（粒径１〜１０μｍ、フレーク状の銀粉）、イミダゾ
ール誘導体（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチ
ルイミダゾール ２ＰＨＺ）、溶剤（メチルエチルケト
ン）を表１に示すように配合して熱硬化性樹脂組成物を
得た。なお、表中の配合比を示す数字は重量部を表す。
剤（粒径１〜１０μｍ、フレーク状の銀粉）、イミダゾ
ール誘導体（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチ
ルイミダゾール ２ＰＨＺ）、溶剤（メチルエチルケト
ン）を表１に示すように配合して熱硬化性樹脂組成物を
得た。なお、表中の配合比を示す数字は重量部を表す。
【００４０】
【化４３】
【００４１】
【化４４】
【００４２】フィルム状接着剤の製造方法 離型用シリコーンで表面処理したＰＥＴフィルムに上記
の熱硬化性樹脂組成物を塗布し、５０℃、３０分→８０
℃、３０分の条件で乾燥して溶剤を除去して厚さ５０μ
ｍのフィルムとする。
の熱硬化性樹脂組成物を塗布し、５０℃、３０分→８０
℃、３０分の条件で乾燥して溶剤を除去して厚さ５０μ
ｍのフィルムとする。
【００４３】これらのフィルム状接着剤について以下の
（ａ）〜（ｃ）の諸試験を行った。結果を表１に示す。 （ａ）接着性 フィルム状接着剤を銅フレーム、４２アロイフレーム、
Ｓｉウエハーにのせ、１５０℃、１ｋｇｆ／ｃｍ2、１
秒→２４０℃、１００ｇｆ／ｃｍ2，１０秒の条件で圧
着し、１２１℃／１００％／２ａｔｍＲＨ雰囲気中に２
４時間放置する。これについて碁盤目剥離テスト（ＪＩ
Ｓ Ｋ ５４００）を行い、剥離した分画数／総分画数
を測定した。 （ｂ）吸湿後の耐半田クラック性 図１の半導体装置を１２１℃／１００％／２ａｔｍＲＨ
雰囲気中に２４時間放置する。これを２４０℃の半田浴
に１０秒間浸漬し、クラック発生装置数／総装置数を測
定する。 （ｃ）吸湿後の剥離 図１の半導体装置をメチルエチルケトン中に５分間浸漬
し、外観上溶解した装置数／総装置数を測定する。
（ａ）〜（ｃ）の諸試験を行った。結果を表１に示す。 （ａ）接着性 フィルム状接着剤を銅フレーム、４２アロイフレーム、
Ｓｉウエハーにのせ、１５０℃、１ｋｇｆ／ｃｍ2、１
秒→２４０℃、１００ｇｆ／ｃｍ2，１０秒の条件で圧
着し、１２１℃／１００％／２ａｔｍＲＨ雰囲気中に２
４時間放置する。これについて碁盤目剥離テスト（ＪＩ
Ｓ Ｋ ５４００）を行い、剥離した分画数／総分画数
を測定した。 （ｂ）吸湿後の耐半田クラック性 図１の半導体装置を１２１℃／１００％／２ａｔｍＲＨ
雰囲気中に２４時間放置する。これを２４０℃の半田浴
に１０秒間浸漬し、クラック発生装置数／総装置数を測
定する。 （ｃ）吸湿後の剥離 図１の半導体装置をメチルエチルケトン中に５分間浸漬
し、外観上溶解した装置数／総装置数を測定する。
【００４４】なお、図１の半導体装置の構成は以下の通
りである。リードフレーム１上にフィルム状接着剤２
（１０ｍｍ×１０ｍｍ×５０μｍ）をのせ、１５０℃、
１ｋｇｆ／ｃｍ2、１秒の条件で仮圧着する。これにＳ
ｉチップ３（１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．３ｍｍ）をの
せ、２４０℃、１００ｇｆ／ｃｍ2、１０秒の条件で圧
着することにより、半導体装置を作成した。
りである。リードフレーム１上にフィルム状接着剤２
（１０ｍｍ×１０ｍｍ×５０μｍ）をのせ、１５０℃、
１ｋｇｆ／ｃｍ2、１秒の条件で仮圧着する。これにＳ
ｉチップ３（１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．３ｍｍ）をの
せ、２４０℃、１００ｇｆ／ｃｍ2、１０秒の条件で圧
着することにより、半導体装置を作成した。
【００４５】
【表１】
【００４６】〔実施例４〜６、比較例４〜６〕熱硬化性樹脂組成物の調製方法 ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂（Ｃ，Ｄ又はＥ）、無機
充填剤（粒径１〜１０μｍ、フレーク状の銀粉）、イミ
ダゾール誘導体（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシ
メチルイミダゾール ２ＰＨＺ）、溶剤（メチルエチル
ケトン）を表２に示すように配合して熱硬化性樹脂組成
物を得た。なお、表中の配合比を示す数字は重量部を表
す。
充填剤（粒径１〜１０μｍ、フレーク状の銀粉）、イミ
ダゾール誘導体（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシ
メチルイミダゾール ２ＰＨＺ）、溶剤（メチルエチル
ケトン）を表２に示すように配合して熱硬化性樹脂組成
物を得た。なお、表中の配合比を示す数字は重量部を表
す。
【００４７】
【化４５】
【００４８】
【化４６】
【００４９】フィルム状接着剤の製造方法 離型用シリコーンで表面処理したＰＥＴフィルムに上記
の熱硬化性樹脂組成物を塗布し、５０℃、３０分→８０
℃、３０分の条件で乾燥して溶剤を除去して厚さ５０μ
ｍのフィルムとする。
の熱硬化性樹脂組成物を塗布し、５０℃、３０分→８０
℃、３０分の条件で乾燥して溶剤を除去して厚さ５０μ
ｍのフィルムとする。
【００５０】これらのフィルム状接着剤について以下の
（ａ）〜（ｃ）の諸試験を行った。結果を表２に示す。 （ａ）接着性 フィルム状接着剤を銅フレーム、４２アロイフレーム、
Ｓｉウエハーにのせ、１５０℃、０．１ｋｇｆ／ｃ
ｍ2、１秒→２４０℃、１０ｇｆ／ｃｍ2，１０秒の条件
で圧着し、１２１℃／１００％／２ａｔｍＲＨ雰囲気中
に２４時間放置する。これについて碁盤目剥離テスト
（ＪＩＳ Ｋ ５４００）を行い、剥離した分画数／総
分画数を測定した。 （ｂ）吸湿後の耐半田クラック性 図１の半導体装置を１２１℃／１００％／２ａｔｍＲＨ
雰囲気中に２４時間放置する。これを２４０℃の半田浴
に１０秒間浸漬し、クラック発生装置数／総装置数を測
定する。 （ｃ）吸湿後の剥離 図１の半導体装置をメチルエチルケトン中に５分間浸漬
し、外観上溶解した装置数／総装置数を測定する。
（ａ）〜（ｃ）の諸試験を行った。結果を表２に示す。 （ａ）接着性 フィルム状接着剤を銅フレーム、４２アロイフレーム、
Ｓｉウエハーにのせ、１５０℃、０．１ｋｇｆ／ｃ
ｍ2、１秒→２４０℃、１０ｇｆ／ｃｍ2，１０秒の条件
で圧着し、１２１℃／１００％／２ａｔｍＲＨ雰囲気中
に２４時間放置する。これについて碁盤目剥離テスト
（ＪＩＳ Ｋ ５４００）を行い、剥離した分画数／総
分画数を測定した。 （ｂ）吸湿後の耐半田クラック性 図１の半導体装置を１２１℃／１００％／２ａｔｍＲＨ
雰囲気中に２４時間放置する。これを２４０℃の半田浴
に１０秒間浸漬し、クラック発生装置数／総装置数を測
定する。 （ｃ）吸湿後の剥離 図１の半導体装置をメチルエチルケトン中に５分間浸漬
し、外観上溶解した装置数／総装置数を測定する。
【００５１】この場合、図１の半導体装置は、リードフ
レーム１上にフィルム状接着剤２（１０ｍｍ×１０ｍｍ
×５０μｍ）をのせ、１５０℃、０．１ｋｇｆ／ｃ
ｍ2、１秒の条件で仮圧着する。これにＳｉチップ３
（１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．３ｍｍ）をのせ、２４０
℃、１０ｇｆ／ｃｍ2、１０秒の条件で圧着することに
より、半導体装置を作成した。
レーム１上にフィルム状接着剤２（１０ｍｍ×１０ｍｍ
×５０μｍ）をのせ、１５０℃、０．１ｋｇｆ／ｃ
ｍ2、１秒の条件で仮圧着する。これにＳｉチップ３
（１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．３ｍｍ）をのせ、２４０
℃、１０ｇｆ／ｃｍ2、１０秒の条件で圧着することに
より、半導体装置を作成した。
【００５２】
【表２】
【図１】実施例のフィルム状接着剤の接着性を調べるた
めに用いた半導体装置の概略図である。
めに用いた半導体装置の概略図である。
【符号の説明】 １ リードフレーム（銅又は４２アロイ） ２ フィルム状接着剤 ３ ＩＣチップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 英人 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 市六 信広 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 塩原 利夫 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 Ｆターム(参考） 4J004 AA11 AB01 AB05 BA02 EA06 FA05 4J040 EC062 EC162 EC172 EH031 EK111 GA05 GA08 GA29 HA066 HA136 HA216 HA296 HA306 HA326 HC22 JA03 JB02 KA08 KA16 LA07 MA02 MA10 MA15 MB04 NA19 PA30 PA33 5F047 AA11 BA21 BA34 BA35 BA39 BA51 BB03
Claims (6)
- 【請求項１】 （Ａ）下記構造式（１）で示される繰り
返し単位からなり、重量平均分子量が５，０００〜１５
０，０００であるポリイミド樹脂、（Ｂ）１分子中に２
個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂を必須成分
として含有し、かつ厚みが２０〜１５０μｍであるフィ
ルム状電子部品用接着剤。 【化１】 〔但し、Ｘは、下記に示される４価の有機基の１種又は
２種以上、 【化２】 Ｙは、（Ｙ1）下記式で示されるフェノール性ヒドロキ
シル基を有する芳香族ジアミン残基の１種又は２種以上
３０〜９９モル％と、 【化３】 （Ｙ2）下記式で示される芳香族ジアミン残基の１種又
は２種以上７０〜１モル％とからなる２価の有機基、 【化４】 Ｚは、下記式で示されるシロキサンジアミン残基、 【化５】 （但し、Ｒ1は炭素数１〜１０の非置換又は置換の一価
炭化水素基、ａは１〜６の整数、ｂは１〜１２０の整数
である。） また、ｍ，ｎは、０．７０≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．９
８、かつ０．０２≦ｎ／（ｍ＋ｎ）≦０．３０を満足す
る正数である。〕 - 【請求項２】 （Ｂ）成分が下記構造式（２）、（３）
又は（４）で示されるエポキシ樹脂の１種又は２種以上
である請求項１記載のフィルム状電子部品用接着剤。 【化６】 【化７】 （但し、Ｇは下記に示される基であり、 【化８】 Ｑは下記に示されるいずれかの基であり、 【化９】 ｎは０〜５の整数である。また、Ｒ2は水素原子又は炭
素数１〜５の一価炭化水素基である。） - 【請求項３】 （Ｂ）成分のエポキシ樹脂が、２５℃に
おける粘度が５Ｐａ・ｓｅｃ以下のものである請求項１
又は２記載のフィルム状電子部品用接着剤。 - 【請求項４】 （Ｃ）成分として無機充填材を含有する
請求項１乃至３のいずれか１項記載のフィルム状電子部
品用接着剤。 - 【請求項５】 （Ｄ）成分としてイミダゾール誘導体を
含有する請求項１乃至４のいずれか１項記載のフィルム
状電子部品用接着剤。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載さ
れたフィルム状電子部品用接着剤により基板に接着され
た電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000069573A JP2001139895A (ja) | 1999-08-30 | 2000-03-14 | フィルム状電子部品用接着剤及び電子部品 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24307399 | 1999-08-30 | ||
| JP11-243073 | 1999-08-30 | ||
| JP2000069573A JP2001139895A (ja) | 1999-08-30 | 2000-03-14 | フィルム状電子部品用接着剤及び電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001139895A true JP2001139895A (ja) | 2001-05-22 |
Family
ID=26536081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000069573A Pending JP2001139895A (ja) | 1999-08-30 | 2000-03-14 | フィルム状電子部品用接着剤及び電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001139895A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005292114A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-10-20 | Denso Corp | センサ装置 |
| JP2014040536A (ja) * | 2012-08-23 | 2014-03-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性樹脂組成物及び導電性接着剤 |
-
2000
- 2000-03-14 JP JP2000069573A patent/JP2001139895A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005292114A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-10-20 | Denso Corp | センサ装置 |
| JP2014040536A (ja) * | 2012-08-23 | 2014-03-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性樹脂組成物及び導電性接着剤 |
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