DE19722272A1 - Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma - Google Patents
Vorrichtung zur Erzeugung von PlasmaInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Erzeu
gung von Plasma in einer Vakuumkammer mit Hilfe
von elektromagnetischen Wechselfeldern, wobei ein
stabförmiger Leiter innerhalb eines Rohres aus
isolierendem Werkstoff durch die Vakuumkammer ge
führt ist und der Innendurchmesser des Isolierroh
res größer als der Durchmesser des Leiters ist,
wobei das Isolierrohr an den beiden Enden in Wän
den der Vakuumkammer gehalten und gegenüber den
Wänden an seiner Außenfläche abgedichtet ist und
der Leiter an beiden Enden jeweils an eine erste
Quelle zur Erzeugung der elektromagnetischen Wech
selfelder angeschlossen ist.
Eine bekannte Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
(DE 195 03 205) ermöglicht es, in einem begrenzten
Betriebsbereich (Prozeßbereich, Gasdruck, Mikro
wellenleistung) Plasmen für Oberflächenbehandlun
gen und Beschichtungstechnik zu erzeugen. Die be
kannte Vorrichtung besteht im wesentlichen aus ei
nem in einer Vakuumprozeßkammer installierten zy
lindrischen Glasrohr und einem darin befindlichen
metallisch leitenden Rohr, wobei im Innenraum des
Glasrohrs Atmosphärendruck herrscht. Mikrowellen
leistung wird beidseitig durch zwei Einspeisungen
und zwei metallische Koaxialleitungen, bestehend
aus Innenleiter und Außenleiter, durch die Wände
der Vakuumprozeßkammer eingeleitet. Der fehlende
Außenleiter der Koaxialleitung innerhalb der Vaku
umprozeßkammer wird durch eine Plasmaentladung er
setzt, die bei hinreichenden Zündbedingungen
(Gasdruck) durch die Mikrowellenleistung gezündet
und aufrechterhalten wird, wobei die Mikrowellen
leistung aus den beiden metallischen Koaxiallei
tungen und durch das Glasrohr in die Vakuumprozeß
kammer austreten kann. Das Plasma umschließt das
zylinderförmige Glasrohr von außen und bildet zu
sammen mit dem Innenleiter eine Koaxialleitung mit
sehr hohem Dämpfungsbelag. Bei feststehender,
beidseitig eingespeister Mikrowellenleistung kann
der Gasdruck der Vakuumprozeßkammer so eingestellt
werden, daß das Plasma augenscheinlich gleichmäßig
entlang der Vorrichtung dort brennt, wo innerhalb
der Vakuumprozeßkammer der Außenleiter der Koa
xialleitung fehlt.
Wenn der Gasdruck in der Vakuumprozeßkammer bei
voreingestellter Mikrowellenleistung erhöht wird,
geht jedoch erfahrungsgemäß die Gleichmäßigkeit
des Plasmas entlang der Vorrichtung verloren. Das
Plasma in etwa halber Distanz zwischen Einspei
sungspunkten der Vorrichtung wird optisch schwä
cher und kann ab einem gewissen Druck gänzlich er
löschen. Die Plasmalinie "reißt auf" und die bei
den entstehenden Teilplasmen ziehen sich bei wei
terer Druckerhöhung in Richtung der Einspeisungen
zurück. Insbesondere bei langen Vorrichtungen
(z. B. ab 1 m) führt dieser Effekt zu ungleichmä
ßigen Plasmen und daraus resultierenden ungleich
mäßigen Vakuumprozessen. Die Teilplasmen zeigen
hohe Leuchtkraft an den Einspeisungsenden in der
Nähe der Wände und werden zur Mitte hin schwächer.
Die Beobachtung ist auf ein intrinsisches Verhal
ten von Koaxialleitungen zurückzuführen, wobei es
offensichtlich keine Rolle spielt, ob der Außen
leiter aus Metall oder elektrisch leitfähigem
Plasma besteht.
Es ist bekannt, daß die Dämpfung αc von transver
salen elektromagnetischen Wellen pro Längeneinheit
der Koaxialleitung durch die elektrische Leitfä
higkeit von Innen- und Außenleiter begrenzt wird
und wie folgt beschrieben werden kann:
Mit den Parametern
a und b werden Außendurchmesser vom Innenleiter und Innendurchmesser vom Außenleiter einer Koaxialleitung bezeichnet,
δs ist die Eindringtiefe (Skin Effekt) der Mikrowellen in die leitfähigen Oberflä chen,
λ0 ist die Freiraumwellenlänge der verwen deten Mikrowellen und
εR die relative Dielektrizitätskonstante des Dielektrikums der Koaxialleitung (= 1 für Luft).
a und b werden Außendurchmesser vom Innenleiter und Innendurchmesser vom Außenleiter einer Koaxialleitung bezeichnet,
δs ist die Eindringtiefe (Skin Effekt) der Mikrowellen in die leitfähigen Oberflä chen,
λ0 ist die Freiraumwellenlänge der verwen deten Mikrowellen und
εR die relative Dielektrizitätskonstante des Dielektrikums der Koaxialleitung (= 1 für Luft).
Wie der Formel zu entnehmen ist, hängt die Dämp
fung der Mikrowellen in keiner Weise von der Posi
tion entlang der Koaxialleitung ab. Da die dielek
trische Füllung der Koaxialleitung aus Luft be
steht und εR über die Länge der Vorrichtung kon
stant ist, hängt die Höhe der Dämpfung nur von der
Eindringtiefe der Mikrowellen in die leitenden
Oberflächen ab. Bei konstanter Dämpfung pro Län
geneinheit heißt das, daß die netto an das Plasma
pro Längeneinheit abgegebene Mikrowellenleistung
entlang der Vorrichtung zur Mitte hin absinkt. Da
der Außenleiter aus Plasma besteht, kann diese
Leitfähigkeit nicht exakt bestimmt werden. Sicher
lich hängt sie von der Plasmadichte ab und diese
wiederum ist in bestimmten Grenzen eine Funktion
der Mikrowellenleistungsdichte im Entladungsge
biet. Sie ist vermutlich einige Größenordnungen
höher als bei metallischen Oberflächen (∼ 50 µm)
und nicht konstant über die Länge der Vorrichtung.
Weiterhin hat sich gezeigt, daß die bekannte Vor
richtung kaum in der Lage ist, eine Plasmaentla
dung bei niedrigeren Drücken als 8×10-2 mbar auf
rechtzuerhalten. Zur Erhöhung der Flexibilität der
Vorrichtung wäre es wünschenswert, Betriebsbedin
gungen für eine Plasmaentladung ohne Magnetfeldun
terstützung auch bei niedrigeren Drücken zu ge
währleisten.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu
grunde, die Nachteile der bekannten Vorrichtung zu
verbessern.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst,
daß stabförmige Leiter jeweils im Bereich beider
Wanddurchführungen in Richtung auf seine mittlere
Partie zu von einem Rohrstück aus elektrisch lei
tendem Werkstoff beabstandet umschlossen ist, wo
bei die beiden Rohrstücke konzentrisch zum Iso
lierrohr angeordnet und jeweils an eine zweite
Quelle zur Erzeugung eines elektromagnetischen
Wechselfeldes angeschlossen sind.
In einer bevorzugten Ausführungsform ist der
stabförmige Leiter von einem Rohr aus elektrisch
leitendem Werkstoff beabstandet umschlossen, wobei
beide Enden des Rohres jeweils an eine zweite
Quelle zur Erzeugung eines elektromagnetischen
Wechselfeldes angeschlossen sind, und wobei die
mittlere Partie des Rohres mit einer Ausnehmung,
beispielsweise einem länglichen, rhombusförmigen
Längsschlitz, versehen ist.
Weitere Ausführungsmöglichkeiten, Einzelheiten und
Merkmale sind in den Patentansprüchen näher be
schrieben und gekennzeichnet.
Die Erfindung läßt die verschiedensten Ausfüh
rungsmöglichkeiten zu; zwei davon sind in den an
hängenden Zeichnungen rein schematisch näher dar
gestellt, und zwar zeigen:
Fig. 1 eine Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
im Längsschnitt und jeweils mit Rohrstüc
ken im Bereich der beiden Enden eines
stabförmigen Leiters,
Fig. 2 eine alternative Ausführungsform mit ei
nem den stabförmigen Leiter in seiner ge
samten Länge umschließenden Rohr, wobei
das Rohr über einen wesentlichen Teil
seiner Länge mit einer längsschlitzförmi
gen Ausnehmung versehen ist,
Fig. 3 das Rohr gemäß Fig. 2,
Fig. 4, 5 den stabförmigen Leiter in zwei Ausfüh
rungsformen und jeweils im Querschnitt
dargestellt und
Fig. 6, 7 diagrammartige Darstellungen der Feld
stärke des elektromagnetischen Feldes für
die in den Fig. 1 und 2 gezeigten Vor
richtungen.
Die Vorrichtung gemäß Fig. 1 besteht im wesentli
chen aus dem durch die Wandteile 6, 7 der Vakuum
kammer 3 hindurchgeführten Isolierrohr 5 (einem
Glasrohr) mit dem zu diesem koaxial angeordneten
stabförmigen Leiter 4, den jeweils an beiden Enden
des Leiters 4 angeordneten ersten Quellen 8, 9, den
beiden den Leiter 4 umschließenden und sich eben
falls in Leiter-Längsrichtung erstreckenden metal
lenen Rohrstücken 12, 13, den jeweils mit den Rohr
stücken 12, 13 verbundenen zweiten Quellen 14, 15
und den beiden Metallmanschetten 16, 17, die die
Bildung von Plasma im Bereich der Wanddurchführun
gen 10, 11 verhindern.
Die Ausführungsform gemäß Fig. 2 unterscheidet
sich von der zuvor beschriebenen dadurch, daß der
stabförmige Leiter 4 von einem einzigen Rohr 20
aus elektrisch leitendem Werkstoff beabstandet um
schlossen ist, wobei beide Enden des Rohres 20 je
weils an eine zweite Quelle 14 bzw. 15 angeschlos
sen sind und die mittlere Partie des Rohres 20 mit
einer längsschlitzförmigen Ausnehmung 21 versehen
ist.
Die Vorrichtung nach Fig. 1 ist mit insgesamt vier
koaxialen Mikrowelleneinspeisungen ausgestattet.
Zusätzliche, metallisch leitende Rohre 12 und 13
ergeben zusammen mit dem Innenleiter 4 und den Au
ßenleitern 16, 17 insgesamt vier koaxiale, konzen
trische Mikrowelleneinspeisungen, nämlich 16,12 im
Bereich von A, 12,4 im Bereich von B, 13,4 im Be
reich von C und 17,13 im Bereich von D. Anstatt
vier konzentrischer, koaxialer Mikrowelleneinspei
sungen können für längere Plasmaquellen und/oder
bei höheren Gasdrücken in der Vakuumprozeßkammer
auch sechs, acht oder mehr (je nach technischer
Machbarkeit) Mikrowelleneinspeisungen installiert
werden, wobei die Abstände (z. B. A-B oder B-C)
untereinander variiert werden können, so daß eine
gleichmäßige Plasmaverteilung erreicht wird. Für
je zwei konzentrische Koaxialleitungen werden aber
nur drei metallisch leitende Rohre gebraucht. Der
Außenleiter einer inneren Koaxialleitung ist
gleichzeitig der Innenleiter einer äußeren, die
innere Koaxialleitung umschließende Koaxiallei
tung.
Bei der Vorrichtung nach Fig. 1 sind die Übergänge
von der metallischen Koaxialleitung zur "Plasma
leitung" abrupt, d. h. die Stirnflächenebenen der
metallischen Außenleiter (z. B. 16) stehen senk
recht zur Mittelachse. Um der starken Dämpfung
(entspricht Leistungsabgabe an das Plasma) der
Mikrowellenleistung an den Einspeisungspunkten
entgegenzuwirken, kann der Außenleiter 20 (Fig. 2)
so modifiziert werden, daß er stetig zunehmend
aufgetrennt wird, wie in den Bereichen E-F und G-H
angedeutet. Die metallische Koaxialleitung wird
zur Mitte zunehmend durch eine Plasmaleitung er
setzt. Dies hat den Nachteil, daß das Plasma nicht
radialsymmetrisch um das Glasrohr 5 brennt, was
aber für die meisten Applikationen ohne Bedeutung
ist. Der Übergang von einem metallischen Außenlei
ter zu einem Plasmaleiter kann auch anderer Ge
stalt sein, z. B. durch koaxiale Schlitze mit zu
nehmender Breite. Wesentlich ist nur, daß der
Übergang nicht abrupt, sondern stetig zunehmend
gestaltet ist, und daß keine Wellenreflektionen
auftreten.
Zur Verbesserung der Plasmazündbedingungen bei ho
hen und auch niedrigen Gasdrücken im Entladungsvo
lumen ist es vorteilhaft, die Feldstärke des elek
trischen Anteils des elektromagnetischen Wechsel
feldes bei vorgegebener Mikrowellenleistung zu er
höhen. Dies ist auch der Vorteil von Plasmaquellen
mit resonanten Strukturen (Resonatoren) gegenüber
Wanderfeldstrukturen. Die bekannte Vorrichtung (DE 195 03 205)
ist eine Wanderfeldstruktur und wird
mit rein transversal elektromagnetischen (TEM)
Wellen betrieben. Trotzdem kann auch in diesem
Fall eine Feldverstärkung erreicht werden, indem
der Querschnitt des metallischen Innenleiters 4
von der zylindrischen Form (Fig. 4) zu einer kan
tigen Form (Fig. 5) geändert wird. Die strenge Ra
dialsymmetrie des elektrischen Anteils des elek
tromagnetischen Wechselfeldes im Falle des zylin
drischen Innenleiters wird gebrochen und es findet
eine Konzentration der elektrischen Feldlinien
(mit gestrichelten Pfeilen in den Fig. 4 und 5 an
gedeutet) auf die Kanten statt.
Die Ausführungsform gemäß Fig. 1 bewirkt eine
gleichmäßigere Verteilung der Feldstärke des elek
trischen Anteils des elektromagnetischen Wechsel
feldes der Mikrowellen über die gesamte Länge der
Vorrichtung, wie in Fig. 6 angedeutet ist. Bei nur
zwei Einspeisungspunkten A, D ergibt sich eine Ver
teilung gemäß der Kurve L, bei vier Einspeisungs
punkten ist eine Verteilung gemäß Kurve M zu er
warten. Die abgebildeten Kurven stehen in keinem
absoluten Zusammenhang, lediglich die Verläufe
sind relevant. Darüber hinaus bietet die Verbesse
rung die Möglichkeit, die Mikrowellenleistung von
einer größeren Anzahl als zwei Mikrowellengenera
toren in eine einzige Vorrichtung einzuspeisen.
Dies ist beispielsweise sehr wichtig für plasma
chemische Prozesse, die bei Prozeßdrucken von
50 mbar und höher (z. B. Diamantabscheidung) ab
laufen.
Die Ausführungsform gemäß Fig. 2 bewirkt ebenfalls
eine gleichmäßigere Verteilung der Feldstärke des
elektrischen Anteils des elektromagnetischen Wech
selfeldes der Mikrowellen über die gesamte Länge
der Vorrichtung, wie in Fig. 7 angedeutet ist. Bei
dem stetig zunehmenden Übergang von einer metalli
schen Koaxialleitung in eine Plasmaleitung zwi
schen den Punkten E-F und G-H ergibt sich eine
Verteilung gemäß Kurve O. Kurve O stellt bereits
nahezu die anzustrebende Idealverteilung für li
neare Plasmaquellen dar. Diese Verbesserung arbei
tet aber wie die ursprüngliche Vorrichtung mit nur
zwei Einspeisungspunkten.
Sollen hohe Leistungsdichten an Mikrowellen ent
lang der Vorrichtung herrschen, so sind die Merk
male der Ausführungsformen nach den Fig. 1 und 2
zu kombinieren. Bei entsprechenden Abmessungen der
Vorrichtung können auf diese Weise absolut homoge
ne Plasmadichten über längere Strecken (z. B. 3 m)
erreicht werden.
Die in Fig. 3 angedeutete Ausbildung des Rohres 20
mit der länglichen, rhombusförmigen Ausnehmung 21
bewirkt eine Erhöhung des elektrischen Anteils des
elektromagnetischen Wechselfeldes in der Nähe der
Kanten (verglichen mit einem zylindrischen, metal
lischen Innenleiter bei unveränderter Mikrowellen
leistung) und damit eine Verbesserung der Plasma
zünd- und Brennbedingungen bei niedrigem und auch
hohem Gasdruck in der Entladungszone.
3
Vakuumkammer
4
stabförmiger Leiter
5
Isolierrohr
6
Vakuumkammerwand
7
Vakuumkammerwand
8
erste Quelle
9
erste Quelle
10
Wanddurchführung
11
Wanddurchführung
12
Rohrstück
13
Rohrstück
14
zweite Quelle
15
zweite Quelle
16
Rohrstück, Metallmanschette
17
Rohrstück, Metallmanschette
18
keilförmiger Ausnehmungsabschnitt
19
keilförmiger Ausnehmungsabschnitt
20
Rohr
21
Ausnehmung
Claims (2)
1. Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma in einer
Vakuumkammer (3) mit Hilfe von elektromagne
tischen Wechselfeldern, wobei ein stabförmi
ger Leiter (4) innerhalb eines Rohres (5) aus
isolierendem Werkstoff durch die Vakuumkammer
(3) geführt ist und der Innendurchmesser des
Isolierrohres (5) größer als der Durchmesser
des Leiters (4) ist, wobei das Isolierrohr
(5) an beiden Enden in Wänden (6, 7) der Vaku
umkammer (3) gehalten und gegenüber den Wän
den (6, 7) an seiner Außenfläche abgedichtet
ist und der Leiter (4) an beiden Enden je
weils an einer erste Quelle (8 bzw. 9) zur
Erzeugung der elektromagnetischen Wechselfel
der angeschlossen ist, dadurch gekennzeich
net, daß der stabförmige Leiter (4) jeweils
im Bereich beider Wanddurchführungen (10, 11)
in Richtung auf seine mittlere Partie (k) zu
ein Stück weit von einem Rohrstück (12, 13)
aus elektrisch leitendem Werkstoff beabstan
det umschlossen ist, wobei die beiden Rohr
stücke (12, 13) konzentrisch zum Isolierrohr
(5) angeordnet und jeweils die kreisringzy
linderförmigen, vom Isolierrohr (5) und dem
jeweiligen Rohrstück (12, 13) gebildeten Zwi
schenräume an eine zweite Quelle (14 bzw. 15)
zur Erzeugung eines elektromagnetischen Wech
selfeldes angeschlossen sind.
2. Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma in einer
Vakuumkammer (3) mit Hilfe von elektromagne
tischen Wechselfeldern, wobei ein stabförmi
ger Leiter (4) innerhalb eines Rohres (5) aus
isolierendem Werkstoff durch die Vakuumkammer
(3) geführt ist und der Innendurchmesser des
Isolierrohres (5) größer als der Durchmesser
des Leiters (4) ist, wobei das Isolierrohr
(5) an beiden Enden in Wänden (6, 7) der Vaku
umkammer (3) gehalten und gegenüber den Wän
den (6, 7) an seiner Außenfläche abgedichtet
ist und der Leiter (4) an beiden Enden je
weils an einer erste Quelle (8 bzw. 9) zur
Erzeugung der elektromagnetischen Wechselfel
der angeschlossen ist, dadurch gekennzeich
net, daß der stabförmige Leiter (4) von einem
Rohr (20) aus elektrisch leitendem Werkstoff
beabstandet umschlossen ist und beide Enden
des Rohrs (20) jeweils an eine zweite Quelle
(14 bzw. 15) zur Erzeugung eines elektroma
gnetischen Wechselfeldes angeschlossen sind,
wobei die mittlere Partie des Rohres (20) mit
einer Ausnehmung (21), beispielsweise einem
länglichen, rhombusförmigen Längsschlitz,
versehen ist.
Priority Applications (7)
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DE19722272A DE19722272A1 (de) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
US09/230,567 US6194835B1 (en) | 1997-05-28 | 1998-05-25 | Device for producing plasma |
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DE59810077T Expired - Lifetime DE59810077D1 (de) | 1997-05-28 | 1998-05-25 | Vorrichtung zur erzeugung von plasma |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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EP (1) | EP0916153B1 (de) |
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