DE19715455C2 - Schaltungsanordnung für differentiellen Treiber - Google Patents
Schaltungsanordnung für differentiellen TreiberInfo
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 9
- HCUOEKSZWPGJIM-YBRHCDHNSA-N (e,2e)-2-hydroxyimino-6-methoxy-4-methyl-5-nitrohex-3-enamide Chemical compound COCC([N+]([O-])=O)\C(C)=C\C(=N/O)\C(N)=O HCUOEKSZWPGJIM-YBRHCDHNSA-N 0.000 claims description 8
- 101001109689 Homo sapiens Nuclear receptor subfamily 4 group A member 3 Proteins 0.000 claims description 8
- 101000598778 Homo sapiens Protein OSCP1 Proteins 0.000 claims description 8
- 101001067395 Mus musculus Phospholipid scramblase 1 Proteins 0.000 claims description 8
- 102100022673 Nuclear receptor subfamily 4 group A member 3 Human genes 0.000 claims description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 4
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 4
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 claims description 4
- 102100029469 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Human genes 0.000 claims description 3
- 101710097421 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Proteins 0.000 claims description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 230000001934 delay Effects 0.000 claims description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 2
- WURBVZBTWMNKQT-UHFFFAOYSA-N 1-(4-chlorophenoxy)-3,3-dimethyl-1-(1,2,4-triazol-1-yl)butan-2-one Chemical compound C1=NC=NN1C(C(=O)C(C)(C)C)OC1=CC=C(Cl)C=C1 WURBVZBTWMNKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 241000549556 Nanos Species 0.000 claims 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims 1
- 230000004044 response Effects 0.000 claims 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L25/00—Baseband systems
- H04L25/02—Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
- H04L25/0264—Arrangements for coupling to transmission lines
- H04L25/0272—Arrangements for coupling to multiple lines, e.g. for differential transmission
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/38—Information transfer, e.g. on bus
- G06F13/40—Bus structure
- G06F13/4063—Device-to-bus coupling
- G06F13/4068—Electrical coupling
- G06F13/4072—Drivers or receivers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0214—Particular design considerations for integrated circuits for internal polarisation, e.g. I2L
- H01L27/0218—Particular design considerations for integrated circuits for internal polarisation, e.g. I2L of field effect structures
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
- H03K19/0185—Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
- H03K19/018585—Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only programmable
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L25/00—Baseband systems
- H04L25/02—Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
- H04L25/0264—Arrangements for coupling to transmission lines
- H04L25/028—Arrangements specific to the transmitter end
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L25/00—Baseband systems
- H04L25/02—Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
- H04L25/0264—Arrangements for coupling to transmission lines
- H04L25/0292—Arrangements specific to the receiver end
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
- G05F3/242—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
- G05F3/247—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a voltage or current as a predetermined function of the supply voltage
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
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Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung für einen differentiellen bidirektionalen Full
Speed/Low Speed-Treiber für einen PC-Bus gemäß der Universal Serial Bus Specification
Revision 1.0, January 19, 1996 (USB-Standard), der in CMOS-Technologie herstellbar ist.
Differentielle Treiber zur Umwandlung relativ schwacher Eingangssignale in identische,
verstärkte Signale zum Treiben von Übertragungsleitungen mit größeren Widerständen oder
auch Kapazitäten sind bekannt. Sie werden als einfache, negiert angesteuerte Gegentakt
treiber, z. B. mit Flankensteuerung oder Flankenregelung implementiert. Ein solcher
differentieller Treiber ist z. B. in dem USP 5,381,112 beschrieben. Er entspricht jedoch nicht
den Forderungen des USB-Standards. Der Standard enthält u. a. eine Reihe von Forderungen,
die es schwierig machen, die Schaltung ökonomisch günstig herszustellen. Hierzu zählen für
den Low Speed-Teil des Treibers die Flankenanstiegszeit von 75 bis 300 ns bei 50 bis 350 pF
kapazitiver Last, die Anpassung (Matching) der Flankenanstiegszeit steigende Flanke/fallende
Flanke 80-120%, der Crossover Point (Schnittpunkt steigende Flanke DP/fallende Flanke
DM, bzw. fallende Flanke DP/steigende Flanke DM) 1,3 bis 2,0 V. Durch die
vorgeschriebene unsymmetrische Außenbeschaltung (Pullup-Widerstand von 1,5 kΩ an DM)
werden die Flanke, die Anpassung und der Crossover Point stark beeinflußt. Die Flanken von
DM und DP sollen aber weitestgehend symmetrisch sein. Hieraus erwachsen die besonderen
Anforderungen an die Schaltung und eine diese realisierende Technologie. Nicht ganz so hart
sind die Standard-Forderungen an den Full Speed-Teil. Die Flankenanstiegszeit liegt hier im
Bereich 4 ns bis 20 ns bei 50 pF kapazitiver Last. Die Anpassung der Flankenanstiegszeit
steigende Flanke/fallende Flanke beträgt 90 bis 110%. Der Crossover Point liegt ebenfalls bei
1,3 bis 2,0 V.
Nachteilig bei den konventionellen Lösungen ist die relativ hohe Prozeßabhängigkeit der
Funktionsparameter bei Anwendung vergleichsweise aufwendiger Technologien. Aus
Rationalisierungsgründen erwachsen gegenüber den bekannten Lösungen ökonomisch weiter
führende Anforderungen an Schaltungsanordnungen, insbesondere auch hinsichtlich der Er
höhung des Integrationsgrades, der universelleren Einsetzbarkeit und des Leistungs
verbrauchs. So ist es z. B. vorteilhaft, einen Bus-Treiber für die Betriebsspannung VDD = 5 V
zu haben.
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Schaltungsanordnung für einen differentiellen Treiber an
zugeben, welcher den Forderungen des 'Universal Serial Bus Specification' (USB-Standard)
entspricht, die sich kostengünstig auf die Herstellungskosten des Treibers auswirkt, eine
verringerte Abhängigkeit seiner Eigenschaften vom Herstellungsprozeß beinhaltet sowie ei
nen geringen Leistungsverbrauch aufweist und für 5 V Betriebsspannung ausgelegt ist.
Diese Aufgabe wird gelöst durch die im kennzeichnenden Teil der unabhängigen
Patentansprüche angegebenen Merkmale.
Vorteilhafte Weiterbildungen sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Der wesentliche Lösungsweg besteht zusammenfassend darin, daß eine aus den
Teilschaltungseinheiten Spannungsversorgung (Voltage Regulator), Bandgap-Schaltung,
Bias-Zelle, Hochgeschwindigkeits-Treiber (Full Speed-driver), Niedergeschwindigkeitstreiber
(Low Speed driver), einfacher Emfänger (Single Ended Receiver), differentiellem Emfänger
(Differential Receiver) und Logik-Schaltung bestehende Gesamtschaltungsanordnung, bei der
einzelne an sich bekannte Teilschaltungseinheiten mit neuartigen Teilschaltungen so kombi
niert sind, daß diese in CMOS-NWELL-Technologie monolithisch integriert ausführbar ist,
die gerade so viel regelt, daß die Forderungen erfüllt werden können, andererseits so schnell
in Gang kommt, daß die Außenbeschaltung nicht den dominierenden Einfluß bekommt und
bei der durch eine etwas unterschiedliche Flankenregelung der beiden Treiber für (DM) und
(DP) (verschiedene Anlaufgeschwindigkeiten), die den Einfluß der unsymmetrischen
Außenbeschaltung ausgleicht, angegeben wird.
Die Erfindung bringt den Vorteil mit sich, daß durch die Möglichkeit der Integration der
genannten Teilschaltungseinheiten (Erhöhung des Integrationsgrades) passend für eine relativ
einfache und langzeiterprobte Technologie, die Kosten für die Herstellung eines solchen
Treibers sinken und die Zuverlässigkeit steigt.
Es zeigt:
Fig. 1 ein Blockschaltbild der Gesamtschaltungsanordnung hinsichtlich der Beschaltung des
nicht in Teilschaltungseinheiten aufgegliederten eigentlichen Treibers;
Fig. 2 die Schaltung der in bekannter Weise aufgebauten Teilschaltungseinheit Voltage
Regulator;
Fig. 3 die dem Gesamtziel angepaßte Schaltung der Teilschaltungseinheit Bias-Zelle;
Fig. 4 das Blockschaltbild des in an sich bekannte Teilschaltungseinheiten aufgegliederten
USB-Treibers;
Fig. 5 die an sich bekannte Schaltung der Teilschaltungseinheit Single Ended Receiver des
Treibers;
Fig. 6 die an sich bekannte Schaltung der Teilschaltungseinheit Differential Receiver des
Treibers;
Fig. 7 die Schaltung der Teilschaltungseinheit Transmitter USBTXP (Full Speed-,
ungeregelter Low Speed-Transmitter) des Transmitters, welche neue Elemente der
Verschaltung aufweist;
Fig. 8 die Schaltung der Teilschaltungseinheit Transmitter USBTXM (Full Speed-, geregelter
Low Speed-Transmitter) des Transmitters, welche neue Elemente der Verschaltung aufweist;
Fig. 9 die Außenbeschaltungen am Bus für Full Speed- und Low Speed-Transmitter des
Treibers und
Fig. 10 das Blockschaltbild Treiber ohne Voltage Regulator;
Fig. 11 die Übersicht Treiber ohne Bandgap-Schaltung und
Fig. 12 die Schaltung der Bias-Zelle ohne Bandgapunterstützung.
Das in Fig. 1 enthaltene Blockschaltbild zeigt die peripheren Teile der Gesamtschaltungs
anordnung. Die Bandgap-Schaltung arbeitet nach dem bekannten Prinzip der Erzeugung einer
temperatur- und betriebsspannungsunabhängigen Bandgapspannung (gemäß Tietze/Schenk
Halbleiterschaltungstechnik, Springer Verlag 1991). Diese Spannung ist mit (VBGP) bezeich
net. Mit dieser erzeugt der Voltage Regulator aus 5 V Betriebsspannung (VDD) die geregelte
Betriebsspannung (VDD3) von 3,3 V. Damit wird es möglich, den Treiber für den 3,3 V PC-
BUS mit 5 V Betriebsspannung zu betreiben. Die Bandgap-Schaltung stellt für die Bias-Zelle
ferner eine Eingangsspannung (VBGVTN) bereit, die sich aus der stabilen Spannung (VBGP)
und einer Schwellspannung (VTN) eines n-Kanaltransistors zusammensetzt, mit welcher ein
von der Betriebsspannung und von den Transistorparametern unabhängiger Strom erzeugt
wird, der im eigentlichen Treiber benutzt wird, um die Verzögerungszeit des Low Speed-
Transmitters festzulegen und um die Parameter des differentiellen Empfängers stabil zu
halten.
Die Signale (VPIN) und (VMIN) enthalten die Informationen für den PC-Bus, wobei (DP)
logisch (VPIN) und (DM) logisch (VMIN) folgt. Normalerweise sind (DP) und (DM) negiert
zueinander. Es gibt eine Betriebsart (SE0-Mode), während der sowohl (DP) als auch (DM)
gleich 0 sind.
(TXENN) bezeichnet das negierte Transmit-Enable Signal, d. h. bei (TXENN) = 0 sind die
Treiber aktiv, bei (TXENN) = 1 sind beide Treibertransistoren geschlossen unabhängig von
den Signalen (TX) und (SE0). (RXDEN) bezeichnet das Receive Enable-Signal, d. h. bei
(RXDEN) = 1 ist der Differential Receiver aktiv, wenn (DP) größer (DM) ist, wird (RDX) = 1
und wenn (DP) kleiner (DM) ist, wird (RDX) = 0. Ist (RXDEN) = 0, dann ist (RDX) = 0
unabhängig von (DP) und (DM).
Im (SUSPEND)-Mode (SUSPEND) = 1 arbeiten nur noch der Voltage Regulator mit Bandgap
und die Single ended Receiver des Treibers. Da im (SUSPEND)-Mode auch (TXENN) = 1 und
(RXDEN) = 0 geschaltet sind, wird an dc-Strom gespart. Es fließt außer Reststrom kein DC-
Strom im Treiber.
Die Teilschaltung in Fig. 2 ist zwischen zwei Schutzschaltkreisen positioniert. Die
Widerstände (R1) und (R2) bilden einen Spannungsteiler, die Transistoren T1 bis T5 eine
Differenzstufe. Mit Hilfe dieser beiden Schaltungsgruppen wird aus der stabilen Bandgap
spannung (VBGP) die Regelspannung für das Gate des p-Kanal-Quertransistors (T6)
gewonnen, der die 3.3 V Betriebsspannung (VDD3) zur Verfügung stellt.
Gemäß der Schaltung in Fig. 3 arbeitet die Bias-Zelle mit der Eingangsspannung (VBGVTN),
die sich aus der stabilen Bandgapspannung (VBGP) plus einer Schwellspannung (VTN) eines
n-Kanal-Transistors zusammensetzt. Da die Schwellspannung (VTN) über dem Transistor
(T7) wieder abfällt, liegt über dem Widerstand (R3) die stabile Bandgapspannung (VBGP) an,
womit der Strom durch (R3) sich nach dem Ohmschen Gesetz aus I = U(VBGP)/R3 ergibt und
damit nicht mehr von Transistorparametern abhängt.
Das Blockschaltbild des differentiellen Treibers in Fig. 4 setzt sich aus folgenden
Teilschaltungen zusammen:
Logikgatter als Inverter mit Nands und Nors (jede andere Logikkombination ist denkbar, je nach zu erzielender Funktion); zwei mit einem Signal (SPEED/SPEEDN) umschaltbare Transmitter (USBTXP) und (USBTXM), die gemeinsam den differentiellen Ausgangstreiber an den Pins (DP) (Data plus) und (DM) (Data minus) bilden; zwei über jeweils aus einem Widerstand und zwei Dioden gebildete ESD-Schutzschaltungen an die Pins (DP) und (DM) angeschlossene Single Ended Receiver (USBRXS), (wobei die Schutzbeschaltung auch auf andere Art ausgeführt sein kann); einen über eine ESD-Schutzbeschaltung angeschlossenen Differential Receiver (USBRXD).
Logikgatter als Inverter mit Nands und Nors (jede andere Logikkombination ist denkbar, je nach zu erzielender Funktion); zwei mit einem Signal (SPEED/SPEEDN) umschaltbare Transmitter (USBTXP) und (USBTXM), die gemeinsam den differentiellen Ausgangstreiber an den Pins (DP) (Data plus) und (DM) (Data minus) bilden; zwei über jeweils aus einem Widerstand und zwei Dioden gebildete ESD-Schutzschaltungen an die Pins (DP) und (DM) angeschlossene Single Ended Receiver (USBRXS), (wobei die Schutzbeschaltung auch auf andere Art ausgeführt sein kann); einen über eine ESD-Schutzbeschaltung angeschlossenen Differential Receiver (USBRXD).
Die Teilschaltung des Single Ended Reveivers in Fig. 5 baut sich aus einem Schmitt-Trigger,
gebildet aus den Transistoren (T11) bis (T16), mit einem nachfolgenden Inverter, gebildet aus
den Transistoren (T17) und (T18) und einer zweifachen Nand-Schaltung, gebildet aus den
Transistoren (T19) bis (T22), auf. Der Schmitt-Trigger ist auf die in der USB-Norm
festgelegten Schwellen für Low von 0,8 V und High von 2,0 V dimensioniert. (RXS) ist das
Signal für Single Ended Receiver mit CMOS-Pegel. Die Nand-Schaltung kann mit dem
Eingang (P1) und dem Ausgang (P0) an die Nandtree-Test-Kette innerhalb einer komplexen
Schaltung angeschlossen werden und erleichtert die Testbarkeit, sie ist aber für die Funktion
des USB-Treibers nicht notwendig und kann auch weggelassen werden.
Das in Fig. 6 dargestellte Teilschaltbild Differential Receiver ist ein Komparator, bestehend
aus einem Differenzverstärker, gebildet aus den Transistoren (T23) bis (T27), aus einer nach
folgenden Verstärkerstufe, gebildet aus den Transistoren (T28) bis (T31) und einem Inverter,
gebildet aus den Transistoren (T32) und (T33). Die beiden Verstärkerstufen werden mit einem
über Bandgap und Biaszelle (siehe Fig. 1, Fig. 3) erzeugten Konstantstrom mittels der aus den
Transistoren (T27) und (T28) gebildeten Stromspiegels gespeist. Die Transistoren (T30) und
(T31) stellen sicher, daß im Fall (RXDEN) = 0 der Ausgang (RXD) auf 0 liegt und außer den
Restströmen kein DC-Strom fließt.
Der USB-Treiber kann im Low-Speed-Teil in zwei verschiedenen Varianten ausgeführt
werden, als ungeregelter und als geregelter Low Speed-Treiber. In den Fig. 7 und 8 sind diese
beiden Varianten schaltungstechnisch ausgeführt. Die Teilschaltungseinheiten (USBTXP) und
(USBTXM) gemäß Figur beinhalten den Ausgangstreiber für die Pins (DP) und (DM), der
über die Siggnale (TXEN)/(TXENN) zu aktivieren bzw. in den Tristate-Zustand zu versetzen
ist. Über die Signale (SPEED)/(SPEEDN) kann die Geschwindigkeit des Treibers von Low
Speed auf Full Speed umgeschaltet werden. Der Tristate-Zustand ist gekennzeichnet durch
(TXEN) = 0, (TXENN = 1). Unabhängig vom Signal (SPEED) sind die Transistoren (T59) bis
(T62) dann geschlossen. Bei (TXEN) = 1, (TXENN) = 0 ist Treiben möglich (Enable-Zustand).
In Fig. 7 wie auch in Fig. 8 besteht der eigentliche Treiber aus den Transistoren (T59) bis
T(62), wobei nur im Full Speed-Fall: (SPEED) = 1 alle Transistoren zum Treiben des Busses
genutzt werden und dann den geforderten Ausgangswiderstand garantieren.
In der Schaltung gemäß Fig. 7 erfolgt die logische Funktionswahl (Enable)/(Tristate) bzw.
(Full Speed)/(Low Speed) über die Gatter (NAND1), (NAND2), (NOR1), (NOR2) und die
nachgeschalteten Inverter (IV1) bis (IV4). Je nach gewünschter Funktion bzw. vorher
erfolgter Ansteuerung (siehe Fig. 4) ist eine andere Auswahl von Logikgattern möglich. Die
unterschiedliche Gate-Ansteuerung der Transistoren (T61) und (T62) für (High Speed)/(Low
Speed) wird durch die Analogschalter (T38)/(T39), (T57)/(T58), (T51)/(T52) und (T45)/(T46)
ermöglicht. Bei (SPEED) = 0: (Low Speed) sind die Tansistoren (T59) und (T60) geschlossen
sowie die Analogschalter (T57)/(T58) und (T51)/T(52) geöffnet. Nach (IV1) und (IV4) liegt
das logische Eingangssignal (TXIN) mit jeweils gleichen Verzögerungszeiten an. (T36) und
(T40) sind Konstantstromquellen (über Bandgap und Biaszelle), deren Ströme so abgestimmt
sind, daß ihr Zusammenspiel mit den jeweils angesteuerten Ausgangstransistoren gleiche
Flankenanstiegszeiten für die Low-High- und die High-Low-Flanke zustande kommen, was
nach USB-Standard gefordert ist und für Crossover Point nach der Norm unbedingte Voraus
setzung ist.
Der Low-High-Übergang am Ausgang (TX) wird ausgelöst, wenn (TXIN) von Low nach
High wechselt, dann wird Transistor (T41) geschlossen, Transistor (T42) geöffnet und so die
Konstantstromquelle (T40) außer Kraft gesetzt. Durch (T42) wird (T62) sehr schnell
geschlossen. Die Geschwindigkeit der Flanke wird hauptsächlich durch die Ansteuerung des
Transistors (T61) bestimmt, ihre Zeitkonstante ist durch die jetzt über den Transistor (T35)
freigegebene Stromquelle (T36) und die zu entladende Gatekapazität (T61) bestimmt. Wegen
der Außenbeschaltung des Busses gemäß Fig. 9 und der Zeitverhältnisse am Bus ist entgegen
den bisher bekannten Flankenansteuerungen von Treibern über durch Stromquellen und
Kapazitäten eingestellte Zeitflanken außerdem noch notwendig, daß die Flanke sofort und
nicht erst nach einer "gewissen" Anlaufzeit startet. Das wird durch den "Bypass"-Transistor
(T37) erreicht, der die Anlaufzeit bis zum Öffnen des Transistors (T61) überbrückt.
Beim Wechsel von (TXIN) von High nach Low wird Transistor (T35) geschlossen, Transistor
(T34) geöffnet und damit die Konstantstromquelle (T36) außer Kraft gesetzt und der
Transistor (T61) durch (T34) sehr schnell geschlossen. Die Geschwindigkeit der High-Low-
Flanke am Ausgang von (TX) wird hauptsächlich durch die Ansteuerung des Transistors
(T62) bestimmt, deren Zeitkonstante durch die jetzt über Transistor (T41) freigegebene
Stromquelle (T40) und die aufzuladende Gatekapazität von (T62) bestimmt ist. Als "Bypass"
zur Verkürzung der Anlaufzeit des Transistors (T62) wirken die Transistoren (T43) und
(T44).
Anstelle der Anlauftransistoren (T37), (T43) und (T44) ist jede andere Art hochohmiger
Widerstand/Transistor/Transistorkombination oder das Anlegen einer Referenzspannung
möglich.
Im Full Speed-Zustand: (SPEED) = 1 sind die Analogschalter (T38)/(T39) und (T45)/(T46)
geöffnet. Nach den Invertern (IV2) und (IV3) liegt das Eingangssignal (TXIN) nach gleicher
Verzögerungszeit an. Die Ansteuerung des Full Speed-Treibers erfolgt nach dem "Slew rate"-
Prinzip: Die Hälfte des Ausgangstreibers (Transistor (T59) oder Transistor (T60), je nachdem,
wie (TXIN) logisch belegt ist), wird über die Vortreiber (T53)/(T54) bzw. (T47)/(T48)
angesteuert, die andere Hälfte der Ausgangstreibertransistoren wird verzögert über die schwä
cheren Vortreiber (T55)/(T56) bzw. (T49)/(T50) angesteuert. Durch die Kapazitäten (C1) bis
(C4) können zusätzlich gezielte Verzögerungen eingebaut werden (C = 0 . . . x pF), um die
geforderten Zeiten zu erreichen.
Der Treiber (USBTX) nach Fig. 7 ist identisch mit dem Treiber (USBTXP) gemäß Fig. 4.
Wegen der unterschiedlichen Außenbeschaltung von (DP) und (DM) (Fig. 9) unterscheidet
sich (USBTXM) von (USBTXP) im Low-Speed-Teil dadurch, daß der "Bypass"-Transistor
(T37) nicht mehr benötigt wird, da der schnelle Anlauf durch den 1.5 kOhm-Lastwiderstand
an (DM) in Richtung "High" erfolgt, wobei auch denkbar ist, daß der Lastausgleich durch
Reduzierung einer andersartigen Anlaufbeschleunigung erfolgt.
In der Schaltung gemäß Fig. 8 erfolgt die logische Funktionswahl (Enable)/(Tristate) bzw.
(Full Speed)/(Low Speed) über die Gatter (NOR1), (OR1), (AND1), (NAND1) und die
nachgeschalteten Inverter (IV1) bis (IV4). Je nach gewünschter Funktion bzw. vorher
erfolgter Ansteuerung (siehe Fig. 4) ist eine andere Auswahl von Logikgattern möglich. Die
unterschiedliche Gate-Ansteuerung der Transistoren (T61) und (T62) für (Full Speed)/(Low
Speed) wird durch die Analogschalter (T38)/(T39), (T57)/(T58), (T51)/(T52) und (T45)/(T46)
ermöglicht. Bei (SPEED) = 0: (Low Speed) sind die Transistoren (T59) und (T60) geschlossen
sowie die Analogschalter (T57)/(T58) und (T51)/T(52) geöffnet. Nach (NOR1)(IV1) und
(NAND1)(IV4) liegt das logische Eingangssignal (TXIN) mit jeweils gleichen
Verzögerungszeiten an. (T63) und (T69) sind Konstantstromquellen (über Bandgap und Bi
aszelle), deren Ströme so abgestimmt sind, daß im Zusammenspiel mit dem jeweils aktiven
Operationsverstärker und dem "Rückkoppelverschiebestrom" durch (C5) die Zeitkonstante für
den Anstieg/Abfall der Gatespannung der Treibertransistoren dadurch definiert ist, daß in
den Punkten (KP1) bzw. (KP2) ein Regelmechanismus nach dem Kirchhoffschen Kno
tenpunktsatz wirkt.
Der High-Low-Übergang am Ausgang (TX) wird ausgelöst, wenn (TXIN) von Low nach
High wechselt, dann werden die Analogschalter (T76)/(T77) und (T67)/(T68) geöffnet, der
Operationsverstärker (OPV1) wird in (Standby) geschaltet (kein DC-Verbrauch, Ausgang
gesperrt), (T64) lädt sehr schnell das Gate von (T61) auf. Die Zeitkonstante für die High-
Low-Flanke wird durch die Ansteuerung des Gates von Transistor (T62) bestimmt. Der
Operationsverstärker (OPV2) wird in Betrieb genommen, die Analogschalter (T72/(T75) und
(T74)/(T73) werden geschlossen und Transistor (T78) wird geschlossen. Damit ist der Regel
kreis für die Gatespannung von (T62), bestehend aus (C5), (T69) und (OPV2) mit (R5)
aktiviert. Durch die Rückkopplung mit Hilfe des Verschiebungsstromes über (C5) wird die
Lastabhängigkeit der Verzögerungszeit stark gemindert. Auch wird im Gegensatz zu bisher
bekannten Regelprinzipien für Ausgangstreiber folgendes Beschleunigungsprinzip zum
schnellen Anlaufen der Regelung angewendet:
Die Analogschalter (T72)/(T75) und (T73)/(T74) sind vor Beginn der High-Low-Flanke von (TX) geöffnet. Daher liegt am Pluseingang von (OPV2) VDD = 3,3 V an, was den (OPV2) im Zusammenhang mit der Spannung von U(REFN) = 0,4 V (z. B. Erzeugung mit Spannungsteiler aus (VDD3)) dazu bringt, sofort nach Schließen des Analogschalters (T72)/(T75) mit einer ausreichenden Gatespannung für den Transistor (T62) zu starten, was verhindert, daß die Flanke an (TX) von der Außenbeschaltung gemäß Fig. 9 maßgeblich bestimmt wird. Die Operationsverstärker (OPV1) und (OPV2) sind zweistufige Operationsverstärker, die intern frequenzgangkompensiert sind. Beide Stufen der Operationsverstärker werden durch Konstantstromquellen gespeist, die die Eigenschaften der Verstärker über Temperatur- und Betriebsspannungsschwankungen weitgehend stabil halten. (OPV1) hat eine n-Kanal- u. (OPV2) eine p-Kanal-Eingangsstufe.
Die Analogschalter (T72)/(T75) und (T73)/(T74) sind vor Beginn der High-Low-Flanke von (TX) geöffnet. Daher liegt am Pluseingang von (OPV2) VDD = 3,3 V an, was den (OPV2) im Zusammenhang mit der Spannung von U(REFN) = 0,4 V (z. B. Erzeugung mit Spannungsteiler aus (VDD3)) dazu bringt, sofort nach Schließen des Analogschalters (T72)/(T75) mit einer ausreichenden Gatespannung für den Transistor (T62) zu starten, was verhindert, daß die Flanke an (TX) von der Außenbeschaltung gemäß Fig. 9 maßgeblich bestimmt wird. Die Operationsverstärker (OPV1) und (OPV2) sind zweistufige Operationsverstärker, die intern frequenzgangkompensiert sind. Beide Stufen der Operationsverstärker werden durch Konstantstromquellen gespeist, die die Eigenschaften der Verstärker über Temperatur- und Betriebsspannungsschwankungen weitgehend stabil halten. (OPV1) hat eine n-Kanal- u. (OPV2) eine p-Kanal-Eingangsstufe.
Wechselt (TXIN) von High nach Low werden die Analogschalter (T72)/(T75) und
(T73)/(T74) geöffnet, der (OPV2) wird in (Standby) geschaltet (kein DC-Stromverbrauch,
Ausgang gesperrt). Der Transistor (T78) entlädt sehr schnell das Gate von (T62). Die
Zeitkonstante für die Low-High-Flanke wird durch die Ansteuerung des Gates (T61) be
stimmt. Der (OPV1) wird in Betrieb genommen, die Analogschalter (T76)/(T77) und
(T67)/(T68) werden geschlossen und der Transistor (T64) wird geschlossen.
Damit ist der Regelkreis für die Gatespannung von Transistor (T61), bestehend aus (C5),
(T63) und (OPV1) mit (R4) aktiviert. Durch die Rückkopplung mit Hilfe des
Verschiebungsstromes über (C5) wird die Lastabhängigkeit der Verzögerungszeit stark gemindert.
Im Gegensatz zu bisher bekannten Regelprinzipien für Ausgangstreiber wurde
wegen der Zeitverhältnisse am Bus und der unsymmetrischen Außenbeschaltung (Fig. 9) eine
Beschleunigungstechnik angewandt, um die Schaltung sofort zum Anlaufen zu bringen:
Die Analogschalter (T76)/(T77) und (T67)/(T68) sind vor Beginn der Low-High-Flanke von (TX) geöffnet. Daher liegen am Pluseingang von (OPV1) 0 V an, was den (OPV1) im Zusammenhang mit der Spannung von U(REFP) = VDD3-0,4 V (z. B. Erzeugung durch Spannungsteiler aus (VDD3)) dazu bringt, sofort nach Schließen des Analogschalters (T76)/ (T77) mit einer ausreichenden Gatespannung für den Transistor (T61) zu starten, was verhindert, daß die Flanke an (TX) von der Außenbeschaltung gemäß Fig. 9 maßgeblich bestimmt wird, was der Fall wäre, wenn man auf das normalerweise etwas verzögerte Einsetzen der Flankenregelung (Verschiebestrom durch (C5 durch äußere Einflüsse bestimmt) warten würde.
Die Analogschalter (T76)/(T77) und (T67)/(T68) sind vor Beginn der Low-High-Flanke von (TX) geöffnet. Daher liegen am Pluseingang von (OPV1) 0 V an, was den (OPV1) im Zusammenhang mit der Spannung von U(REFP) = VDD3-0,4 V (z. B. Erzeugung durch Spannungsteiler aus (VDD3)) dazu bringt, sofort nach Schließen des Analogschalters (T76)/ (T77) mit einer ausreichenden Gatespannung für den Transistor (T61) zu starten, was verhindert, daß die Flanke an (TX) von der Außenbeschaltung gemäß Fig. 9 maßgeblich bestimmt wird, was der Fall wäre, wenn man auf das normalerweise etwas verzögerte Einsetzen der Flankenregelung (Verschiebestrom durch (C5 durch äußere Einflüsse bestimmt) warten würde.
DP Bus Pad positiv
DM Bus Pad negativ
VBGP Bandgapspannung
VBGVTN Bandgapspannung + VTN
VTN Schwellspannung N-MOS-Transistor
VPIN Eingangssignal für DP (Bus Pad positiv)
VMIN Eingangssignal für DM (Bus Pad negativ)
SPEED Umschaltsignal Full Speed/Low Speed
SUSPEND Einschaltsignal Suspend Mode
VBN Biasspannung für N-MOS-Transistor
TXENN Eingangssignal für die Schaltung des Transmit Enable-Zustands
RXDEN Eingangssignal für die Schaltung des Receive Enable-Zustands
DM Bus Pad negativ
VBGP Bandgapspannung
VBGVTN Bandgapspannung + VTN
VTN Schwellspannung N-MOS-Transistor
VPIN Eingangssignal für DP (Bus Pad positiv)
VMIN Eingangssignal für DM (Bus Pad negativ)
SPEED Umschaltsignal Full Speed/Low Speed
SUSPEND Einschaltsignal Suspend Mode
VBN Biasspannung für N-MOS-Transistor
TXENN Eingangssignal für die Schaltung des Transmit Enable-Zustands
RXDEN Eingangssignal für die Schaltung des Receive Enable-Zustands
T1, T2, T6 P-MOS-Transistoren
T3, T4, T5 N-MOS-Transistoren
R1, R2 integrierte Widerstände
VBN Biasspannung für N-MOS-Transistor
VBGP Bandgapspannung
T3, T4, T5 N-MOS-Transistoren
R1, R2 integrierte Widerstände
VBN Biasspannung für N-MOS-Transistor
VBGP Bandgapspannung
T7, T10 N-MOS-Transistoren
T8, T9 P-MOS-Transistoren
R3 integrierter Widerstand
VTN Schwellspannung N-MOS-Transistor
VBGP Bandgapspannung
VBGVTN Bandgapspannung + VTN
VBP Bias-Spannung P-MOS-Transistor
VBN Bias-Spannung N-MOS-Transistor
T8, T9 P-MOS-Transistoren
R3 integrierter Widerstand
VTN Schwellspannung N-MOS-Transistor
VBGP Bandgapspannung
VBGVTN Bandgapspannung + VTN
VBP Bias-Spannung P-MOS-Transistor
VBN Bias-Spannung N-MOS-Transistor
DP Bus Pad positiv
DM Bus Pad negativ
PIP Eingang Nand-Tree Test Single Ended Receiver (positiver Zweig)
PIM Eingang Nand-Tree Test Single Ended Receiver (negativer Zweig)
POP Ausgang Nand-Tree Test Single Ended Receiver (positiver Zweig)
POM Ausgang der Nand-Schaltungsteils des Single Ended Receivers (negativer Zweig)
RXD Ausgang des differentiellen Receivers
RXP Eingang des differentiellen Receivers (positiver Zweig)
RXM Eingang des differentiellen Receivers (negativer Zweig)
RX Eingang des Single Ended Receivers
RXSP Ausgang des Single Ended Receivers (positiver Zweig)
RXSM Ausgang des Single Ended Receivers (negativer Zweig)
TX Ausgang des Full Speed/Full Low Speed-Transmitters
TXC Eingang des Full Speed/Low Speed-Transmitters (Rückkopplung des Ausgangs TX)
TXINN logisches Eingangssignal des Full Speed/Low Speed- Transmitters
TXINC logisches Ausgangssignal des Logikbausteins für den Full Speed/Low Speed-Transmitter
TXINNC logisches Ausgangssignal des Logikbausteins für den Full Speed/Low Speed-Transmitter
RXDENC logisches Ausgangssignal des Logikbausteins für den Receive- Enable-Zustand des differentiellen Receivers
TXENN Eingangssignal für die Schaltung des Transmit-Enable-Zustands
TXENC logisches Ausgangssignal des Logigbausteins für die Schaltung des Transmit-Enable-Zustands
TXENNC logisches Ausgangssignal des Logigbausteins für die Schaltung des Transmit-Enable-Zustands (TXENC negiert)
VPIN Eingangssignal für DM (Bus Pad positiv)
VMIN Eingangssignal für DP (Bus Pad negativ)
SPEED Umschaltsignal Full Speed/Low Speed
SPEEDN Umschaltsignal Low Speed/Full Speed (SPEED negiert)
SUSPEND Einschaltsignal Suspend Mode
VBGVTN Bandgapspannung + VTN
VTN Schwellspannung N-MOS-Transistor
VBP Bias-Spannung P-MOS-Transistor
VBN Bias-Spannung N-MOS-Transistor
VREFP Referenzspannung (positiver Zweig)
VREFN Referenzspannung (negativer Zweig)
VREFN Referenzspannung (negativer Zweig)
DM Bus Pad negativ
PIP Eingang Nand-Tree Test Single Ended Receiver (positiver Zweig)
PIM Eingang Nand-Tree Test Single Ended Receiver (negativer Zweig)
POP Ausgang Nand-Tree Test Single Ended Receiver (positiver Zweig)
POM Ausgang der Nand-Schaltungsteils des Single Ended Receivers (negativer Zweig)
RXD Ausgang des differentiellen Receivers
RXP Eingang des differentiellen Receivers (positiver Zweig)
RXM Eingang des differentiellen Receivers (negativer Zweig)
RX Eingang des Single Ended Receivers
RXSP Ausgang des Single Ended Receivers (positiver Zweig)
RXSM Ausgang des Single Ended Receivers (negativer Zweig)
TX Ausgang des Full Speed/Full Low Speed-Transmitters
TXC Eingang des Full Speed/Low Speed-Transmitters (Rückkopplung des Ausgangs TX)
TXINN logisches Eingangssignal des Full Speed/Low Speed- Transmitters
TXINC logisches Ausgangssignal des Logikbausteins für den Full Speed/Low Speed-Transmitter
TXINNC logisches Ausgangssignal des Logikbausteins für den Full Speed/Low Speed-Transmitter
RXDENC logisches Ausgangssignal des Logikbausteins für den Receive- Enable-Zustand des differentiellen Receivers
TXENN Eingangssignal für die Schaltung des Transmit-Enable-Zustands
TXENC logisches Ausgangssignal des Logigbausteins für die Schaltung des Transmit-Enable-Zustands
TXENNC logisches Ausgangssignal des Logigbausteins für die Schaltung des Transmit-Enable-Zustands (TXENC negiert)
VPIN Eingangssignal für DM (Bus Pad positiv)
VMIN Eingangssignal für DP (Bus Pad negativ)
SPEED Umschaltsignal Full Speed/Low Speed
SPEEDN Umschaltsignal Low Speed/Full Speed (SPEED negiert)
SUSPEND Einschaltsignal Suspend Mode
VBGVTN Bandgapspannung + VTN
VTN Schwellspannung N-MOS-Transistor
VBP Bias-Spannung P-MOS-Transistor
VBN Bias-Spannung N-MOS-Transistor
VREFP Referenzspannung (positiver Zweig)
VREFN Referenzspannung (negativer Zweig)
VREFN Referenzspannung (negativer Zweig)
T11, T12, T15 P-MOS-Transistoren
T13, T14, T16 N-MOS-Transistoren
T17, T19, T20 P-MOS-Transistoren
T18, T21, T22 N-MOS-Transistoren
RX Eingang des Single Ended Receivers
RXS Ausgang des Single Ended Receivers
PI Eingang für den möglichen Anschluß einer Nandtree-Test-Kette
P0 Ausgang für den möglichen Anschluß einer Nandtree-Test-Kette
T13, T14, T16 N-MOS-Transistoren
T17, T19, T20 P-MOS-Transistoren
T18, T21, T22 N-MOS-Transistoren
RX Eingang des Single Ended Receivers
RXS Ausgang des Single Ended Receivers
PI Eingang für den möglichen Anschluß einer Nandtree-Test-Kette
P0 Ausgang für den möglichen Anschluß einer Nandtree-Test-Kette
T23, T24 P-MOS-Transistoren
T25, T26, T27 N-MOS-Transistoren
T29, T31, T32 P-MOS-Transistoren
T28, T30, T33 N-MOS-Transistoren
DP Bus Pad positiv
DM Bus Pad negativ
VBN Biasspannung für N-MOS-Transistoren
RXDEN Eingangssignal für den Receive Enable-Zustand des differentiellen Receivers
RXD Ausgang des differentiellen Receivers
T25, T26, T27 N-MOS-Transistoren
T29, T31, T32 P-MOS-Transistoren
T28, T30, T33 N-MOS-Transistoren
DP Bus Pad positiv
DM Bus Pad negativ
VBN Biasspannung für N-MOS-Transistoren
RXDEN Eingangssignal für den Receive Enable-Zustand des differentiellen Receivers
RXD Ausgang des differentiellen Receivers
T34, T39 P-MOS-Transistoren
T35, T36, T37, T38 N-MOS-Transistoren
IV1, IV2 CMOS-Inverter
IV3, IV4 CMOS-Inverter
NAND1, NAND2 CMOS-NAND-Gatter
NOR1, NOR2 CMOS-NOR-Gatter
T42, T46 N-MOS-Transistoren
T40, T41 P-MOS-Transistoren
T43, T44, T45 P-MOS-Transistoren
C1, C2, C3, C4 MOS-Kondensatoren
T53, T55, T57 P-MOS-Transistoren
T54, T56, T58 N-MOS-Transistoren
T47, T49, T51 P-MOS-Transistoren
T48, T50, T52 N-MOS-Transistoren
T59, T61 P-MOS-Transistoren
T60, T62 N-MOS-Transistoren
SPEED Umschaltsignal Full Speed/Low Speed
SPEEDN Umschaltsignal Low Speed/Full Speed
TXEN Signal für die Schaltung des Transit Enable-Zustands
TXENN Signal für die Schaltung des Transit Enable-Zustands
TXIN logisches Eingangssignal des Full Speed/Low Speed- Transmitters
VBP Bias-Spannung P-MOS-Transistor
VBN Bias-Spannung N-MOS-Transistor
T35, T36, T37, T38 N-MOS-Transistoren
IV1, IV2 CMOS-Inverter
IV3, IV4 CMOS-Inverter
NAND1, NAND2 CMOS-NAND-Gatter
NOR1, NOR2 CMOS-NOR-Gatter
T42, T46 N-MOS-Transistoren
T40, T41 P-MOS-Transistoren
T43, T44, T45 P-MOS-Transistoren
C1, C2, C3, C4 MOS-Kondensatoren
T53, T55, T57 P-MOS-Transistoren
T54, T56, T58 N-MOS-Transistoren
T47, T49, T51 P-MOS-Transistoren
T48, T50, T52 N-MOS-Transistoren
T59, T61 P-MOS-Transistoren
T60, T62 N-MOS-Transistoren
SPEED Umschaltsignal Full Speed/Low Speed
SPEEDN Umschaltsignal Low Speed/Full Speed
TXEN Signal für die Schaltung des Transit Enable-Zustands
TXENN Signal für die Schaltung des Transit Enable-Zustands
TXIN logisches Eingangssignal des Full Speed/Low Speed- Transmitters
VBP Bias-Spannung P-MOS-Transistor
VBN Bias-Spannung N-MOS-Transistor
T63, T65, T66 N-MOS-Transistoren
T64 P-MOS-Transistor
T39, T68, T77 P-MOS-Transistoren
T38, T67, T76 N-MOS-Transistoren
T69, T70, T71 P-MOS-Transistoren
T78 N-MOS-Transistor
T45, T73, T75 P-MOS-Transistoren
T46, T72, T74 N-MOS-Transistoren
IV1, IV2 CMOS-Inverter
IV3, IV4 CMOS-Inverter
AND1 CMOS-AND-Gatter
NAND1 CMOS-NAND-Gatter
OR1 CMOS-OR-Gatter
NOR1 CMOS-NOR-Gatter
C1, C2, C3, C4 MOS-Kondensatoren
T53, T55, T57 P-MOS-Transistoren
T54, T56, T58 N-MOS-Transistoren
T47, T49, T51 P-MOS-Transistoren
T48, T50, T52 N-MOS-Transistoren
T59, T61 P-MOS-Transistoren
T60, T62 N-MOS-Transistoren
C5 integrierte Kapazität
SPEED Umschaltsignal Full Speed/Low Speed
SPEEDN Umschaltsignal Low Speed/Full Speed
TXEN Signal für die Schaltung des Transit Enable-Zustands
TXENN Signal für die Schaltung des Transit Enable-Zustands
TXIN logisches Eingangssignal des Full Speed/Low Speed-Transmitters
VBP Bias-Spannung P-MOS-Transistor
VBN Bias-Spannung N-MOS-Transistor
KP1 Knotenpunkt 1
KP2 Knotenpunkt 2
T64 P-MOS-Transistor
T39, T68, T77 P-MOS-Transistoren
T38, T67, T76 N-MOS-Transistoren
T69, T70, T71 P-MOS-Transistoren
T78 N-MOS-Transistor
T45, T73, T75 P-MOS-Transistoren
T46, T72, T74 N-MOS-Transistoren
IV1, IV2 CMOS-Inverter
IV3, IV4 CMOS-Inverter
AND1 CMOS-AND-Gatter
NAND1 CMOS-NAND-Gatter
OR1 CMOS-OR-Gatter
NOR1 CMOS-NOR-Gatter
C1, C2, C3, C4 MOS-Kondensatoren
T53, T55, T57 P-MOS-Transistoren
T54, T56, T58 N-MOS-Transistoren
T47, T49, T51 P-MOS-Transistoren
T48, T50, T52 N-MOS-Transistoren
T59, T61 P-MOS-Transistoren
T60, T62 N-MOS-Transistoren
C5 integrierte Kapazität
SPEED Umschaltsignal Full Speed/Low Speed
SPEEDN Umschaltsignal Low Speed/Full Speed
TXEN Signal für die Schaltung des Transit Enable-Zustands
TXENN Signal für die Schaltung des Transit Enable-Zustands
TXIN logisches Eingangssignal des Full Speed/Low Speed-Transmitters
VBP Bias-Spannung P-MOS-Transistor
VBN Bias-Spannung N-MOS-Transistor
KP1 Knotenpunkt 1
KP2 Knotenpunkt 2
R6, R7, R8 externe Widerstände
C8, C9 externe Kapazitäten
C8, C9 externe Kapazitäten
R6, R7, R8 externe Widerstände
C8, C9 externe Kapazitäten
DP Bus Pad positiv
DM Bus Pad negativ
C8, C9 externe Kapazitäten
DP Bus Pad positiv
DM Bus Pad negativ
VBGVTN Bandgapspannung + VTN
VTN Schwellspannung N-MOS-Transistor
VMIN Eingangssignal für DM (Bus Pad negativ)
VPIN Eingangssignal für DP (Bus Pad positiv)
SPEED Umschaltsignal Full Speed/Low Speed
SUSPEND Einschaltsignal Suspend Mode
VTN Schwellspannung N-MOS-Transistor
VMIN Eingangssignal für DM (Bus Pad negativ)
VPIN Eingangssignal für DP (Bus Pad positiv)
SPEED Umschaltsignal Full Speed/Low Speed
SUSPEND Einschaltsignal Suspend Mode
VMIN Eingangssignal für DM (Bus Pad negativ)
VPIN Eingangssignal für DP (Bus Pad positiv)
SPEED Umschaltsignal Full Speed/Low Speed
SUSPEND Einschaltsignal Suspend Mode
VPIN Eingangssignal für DP (Bus Pad positiv)
SPEED Umschaltsignal Full Speed/Low Speed
SUSPEND Einschaltsignal Suspend Mode
T79, T81 N-MOS-Transistoren
T80 P-MOS-Transistoren
R9 integrierter Widerstand
VBP Bias-Spannung P-MOS-Transistor
VBN Bias-Spannung N-MOS-Transistor
T80 P-MOS-Transistoren
R9 integrierter Widerstand
VBP Bias-Spannung P-MOS-Transistor
VBN Bias-Spannung N-MOS-Transistor
Claims (7)
1. Schaltungsanordnung für einen bidirektionalen Full Speed/Low Speed-Treiber für einen PC-
BUS, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungsanordnung bestehend aus den
Teilschaltungseinheiten Voltage Regulator, Bandgap-Schaltung, Bias-Zelle und dem eigent
lichen Treiber, bestehend aus den Schaltungseinheiten Single Ended Receiver, Differential
Receiver, Full Speed/Low Speed-Transmitter und Logik-Schaltung, mit den gegenseitigen
Verschaltungen dieser Teilschaltungseinheiten in CMOS-NWELL-Technologie monolithisch
integriert ausgeführt ist, wobei eine temperatur- und betriebsspannungsunabhängige
Spannung (VBGP) mittels einer an sich bekannten Bandgap-Schaltung erzeugt wird, aus der
der Voltage Regulator, der zwischen zwei Schutzschaltkreisen positioniert ist und bei dem die
Widerstände (R1) und (R2) einen Spannungsteiler und die Transistoren (T1) bis (T5) eine
Differenzstufe bilden, die Regelspannung für das Gate des p-Kanal-Quertransistors (T6)
liefert, der die 3,3 V Betriebsspannung (VDD3) zur Verfügung stellt, wodurch möglich wird,
den Treiber für den 3,3 V PC-BUS mit 5 V Betriebsspannung zu betreiben und die Bandgap-
Schaltung für die Bias-Zelle eine Eingangsspannung (VBGVTN) bereitstellt, die sich aus der
stabilen Spannung (VBGP) und einer Schwellspannung (VTN) eines n-Kanaltransistors
zusammensetzt, mit welcher ein von der Betriebsspannung und von den Transistorparametern
unabhängiger Strom erzeugt wird, der im eigentlichen Treiber benutzt wird, um die
Verzögerungszeit des Low Speed-Transmitters festzulegen und die Parameter des differen
tiellen Empfängers stabil zu halten, wobei die Schwellspannung (VTN) über dem Transistor
(T7) wieder abfällt und so über dem Widerstand (R3) die stabile Bandgapspannung (VBGP)
anliegt, womit der Strom durch (R3) sich nach dem Ohmschen Gesetz aus I = U(VBGP)/R3 er
gibt und damit nicht mehr von Transistorparametern abhängt und sich der differentielle
Treiber aus den Teilschaltungen Logikgatter als Inverter mit Nands und Nors (jede andere Lo
gikkombination ist denkbar, je nach zu erzielender Funktion); zwei mit einem Signal
(SPEED/SPEEDN) umschaltbare Transmitter (USBTXP) und (USBTXM), die gemeinsam
den differentiellen Ausgangstreiber an den Pins (DP) (Data plus) und (DM) (Data minus)
bilden; zwei über jeweils aus einem Widerstand und zwei Dioden gebildete ESD-
Schutzschaltungen an die Pins (DP) und (DM) angeschlossene Single Ended Receiver
(USBRXS), (wobei die Schutzbeschaltung auch auf andere Art ausgeführt sein kann) und
einen über eine ESD-Schutzbeschaltung angeschlossenen Differential Receiver (USBRXD)
zusammensetzt, wobei die Teilschaltung des Single Ended Reveivers sich aus einem Schmitt-
Trigger, gebildet aus den Transistoren (T11) bis (T16), mit einem nachfolgenden Inverter,
gebildet aus den Transistoren (T17) und (T18) und einer zweifachen Nand-Schaltung, ge
bildet aus den Transistoren (T19) bis (T22) aufbaut und auf die in der USB-Norm festgelegten
Schwellen für Low von 0,8 V und High von 2,0 V dimensioniert ist und (RXS) das Signal für
Single Ended Receiver mit CMOS-Pegel ist und das Teilschaltbild Differential Receiver ein
Komparator, bestehend aus einem Differenzverstärker, gebildet aus den Transistoren (T23)
bis (T27), aus einer nachfolgenden Verstärkerstufe, gebildet aus den Transistoren (T28 bis
(T31) und einem Inverter, gebildet aus den Transistoren (T32) und (T33) ist, wobei die beiden
Verstärkerstufen mit einem über Bandgap und Biaszelle erzeugten Konstantstrom mittels der
aus den Transistoren (T27) und (T28) gebildeten Stromspiegel gespeist werden und die
Transistoren (T30) und (T31) sicher stellen, daß im Fall (RXDEN) = 0 der Ausgang (RXD) auf
0 liegt und außer den Restströmen kein DC-Strom fließt und der USB-Treiber im Low-Speed-
Teil in zwei verschiedenen Varianten ausgeführt werden kann, d. h. als ungeregelter und als
geregelter Low Speed-Treiber, wobei die Teilschaltungseinheiten (IJSBTXP) und (USBTXM)
den Ausgangstreiber für die Pins (DP) und (DM) beinhalten, der über die Signale (TXEN)/
TXENN) zu aktivieren bzw. in den Tristate-Zustand zu versetzen ist und seine
Geschwindigkeit von Low Speed auf Full Speed durch die Signale (SPEED)/(SPEEDN)
umgeschaltet werden kann, wobei der Tristate-Zustand durch (TXEN) = 0, (TXENN = 1)
gekennzeichnet ist und die Transistoren (T59) bis (T62) dann unabhängig vom Signal
(SPEED) geschlossen sind, während bei (TXEN) = 1, (TXENN) = 0 Treiben möglich ist
(Enable-Zustand) und der eigentliche Treiber aus den Transistoren (T59) bis (T62) besteht,
wobei nur im Full Speed-Fall: (SPEED) = 1 alle Transistoren zum Treiben des Busses genutzt
werden und dann den geforderten Ausgangswiderstand garantieren.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der USB-Treiber im
Low-Speed-Teil als ungeregelter Treiber ausgeführt ist, wobei in dieser Schaltung die
logische Funktionswahl (Enable)/(Tristate) bzw. (Full Speed)/(Low Speed) über die Gatter
(NAND1), (NAND2), (NOR1), (NOR2) und die nachgeschalteten Inverter (IV1) bis (IV4)
erfolgt und je nach gewünschter Funktion bzw. vorher erfolgter Ansteuerung eine andere Aus
wahl von Logikgattern möglich ist und die unterschiedliche Gate-Ansteuerung der
Transistoren (T61) und (T62) für (High Speed)/(Low Speed) durch die Analogschalter
(T38)/(T39), (T57)/(T58), (T51)/(T52) und (T45)/(T46) ermöglicht wird, . . . bei (SPEED) = 0:
(Low Speed) die Tansistoren (T59) und (T60) geschlossen sowie die Analogschalter
(T57)/(T58) und (T51)/(T52) geöffnet sind und nach (IV1) und (IV4) das logische Eingangs
signal (TXIN) mit jeweils gleichen Verzögerungszeiten anliegt, (T36) und (T40) Konstant
stromquellen sind (über Bandgap und Biaszelle), deren Ströme so abgestimmt sind, daß durch
das Zusammenspiel mit den jeweils angesteuerten Ausgangstransistoren gleiche
Flankenanstiegszeiten für die Low-High- und die High-Low-Flanke zustande kommen und
der Low-High-Übergang am Ausgang (TX) ausgelöst wird, wenn (TXIN) von Low nach High
wechselt, wodurch dann Transistor (T41) geschlossen, Transistor (T42) geöffnet und so die
Konstantstromquelle (T40) außer Kraft gesetzt und durch (T42) (T62) sehr schnell
geschlossen wird und die Geschwindigkeit der Flanke hauptsächlich durch die Ansteuerung
des Transistors (T61) bestimmt wird, deren Zeitkonstante durch die jetzt über den Transistor
(T35) freigegebene Stromquelle (T36) und die zu entladende Gatekapazität (T61) bestimmt ist
und durch den "Bypass"-Transistor (T37), der die Anlaufzeit bis zum Öffnen des Transistors
(T61) überbrückt, erreicht wird, sodaß die Flanke sofort und nicht erst nach einer "gewissen"
Anlaufzeit startet, beim Wechsel von (TXIN) von High nach Low der Transistor (T35) ge
schlossen, Transistor (T34) geöffnet und damit die Konstantstromquelle (T36) außer Kraft
gesetzt und der Transistor (T61) durch (T34) sehr schnell geschlossen wird., ferner die
Geschwindigkeit der High-Low-Flanke am Ausgang von (TX) hauptsächlich durch die
Ansteuerung des Transistors (T62) bestimmt wird, deren Zeitkonstante durch die jetzt über
Transistor (T41) freigegebene Stromquelle (T40) und die aufzuladende Gatekapazität von
(T62) bestimmt ist und die Transistoren (T43) und (T44) als "Bypass" zur Verkürzung der
Anlaufzeit des Transistors (T62) wirken und im Full Speed-Zustand: (SPEED) = 1 die
Analogschalter (T38)/(T39) und (T45)/(T46) göffnet sind und nach den Invertern (IV2) und
(IV3) das Eingangssignal (TXIN) nach gleicher Verzögerungszeit anliegt und die
Ansteuerung des Full Speed-Treibers nach dem "Slew rate"-Prinzip erfolgt: Die Hälfte des
Ausgangstreibers (Transistor (T59) oder Transistor (T60), je nachdem, wie (TXIN) logisch
belegt ist), wird über die Vortreiber (T53)/(T54) bzw. (T47)/(T48) angesteuert, die andere
Hälfte der Ausgangstreibertransistoren wird verzögert über die schwächeren Vortreiber
(T55)/(T56) bzw. (T49)/(T50) angesteuert, wobei durch die Kapazitäten (C1) bis (C4) zusätz
lich gezielte Verzögerungen eingebaut werden können (C = 0 . . . x pF), um die geforderten Zei
ten zu erreichen.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der USB-Treiber im
Low-Speed-Teil als geregelter Treiber ausgeführt ist, wobei in der Schaltung die logische
Funktionswahl (Enable)/(Tristate) bzw. (Full Speed)/(Low Speed) über die Gatter (NOR1),
(OR1), (AND1), (NAND1) und die nachgeschalteten Inverter (IV1) bis (IV4) erfolgt, die
unterschiedliche Gate-Ansteuerung der Transistoren (T61) und (T62) für (Full Speed)/(Low
Speed) durch die Analogschalter (T38)/(T39), (T57)/(T58), (T51)/(T52) und (T45)/(T46)
ermöglicht wird, bei (SPEED) = 0: (Low Speed) die Tansistoren (T59) und (T60) geschlossen
sowie die Analogschalter (T57)/(T58) und (T51)/(T52) geöffnet sind, nach (NOR1)(IV1) und
(NAND1)(IV4) das logische Eingangssignal (TXIN) mit jeweils gleichen Verzögerungszeiten
anliegt, (T63) und (T69) Konstantstromquellen sind (über Bandgap und Biaszelle), deren
Ströme so abgestimmt sind, daß im Zusammenspiel mit dem jeweils aktiven
Operationsverstärker und dem "Rückkoppelverschiebestrom" durch (C5) die Zeitkonstante für
den Anstieg/Abfall der Gatespannung der Treibertransistoren dadurch definiert ist, daß in den
Punkten (KP1) bzw. (KP2) ein Regelmechanismus nach dem Kirchhoffschen Kno
tenpunktsatz wirkt,
der High-Low-Übergang am Ausgang (TX) ausgelöst wird, wenn (TXIN) von Low nach High
wechselt, dann die Analogschalter (T76)/(T77) und (T67)/(T68) geöffnet werden, der
Operationsverstärker (OPV1) in (Standby) geschaltet wird (kein DC-Verbrauch, Ausgang
gesperrt), (T64) sehr schnell das Gate von (T61) aufläd, die Zeitkonstante für die High-Low-
Flanke durch die Ansteuerung des Gates von Transistor (T62) bestimmt wird, der Opera
tionsverstärker (OPV2) in Betrieb genommen wird und die Analogschalter (T72/(T75) und
(T73)/(T74) geschlossen werden und Transistor (T78) geschlossen wird, wodurch der Regel
kreis für die Gatespannung von (T62), bestehend aus (C5), (T69) und (OPV2) mit (R5)
aktiviert ist, durch die Rückkopplung mit Hilfe des Verschiebungsstromes über (C5) die
Lastabhängigkeit der Verzögerungszeit stark gemindert und folgendes Beschleunigungs
prinzip zum schnellen Anlaufen der Regelung angewendet wird: Die Analogschalter
(T72)/(T75) und (T73)/(T74) sind vor Beginn der High-Low-Flanke von (TX) geöffnet,
wodurch am Pluseingang von (OPV2) VDD = 3,3 V anliegt, was den (OPV2) im Zusammen
hang mit der Spannung von U(REFN) = 0,4 V (z. B. Erzeugung mit Spannungsteiler aus
(VDD3)) dazu bringt, sofort nach Schließen des Analogschalters (T72)/(T75) mit einer
ausreichenden Gatespannung für den Transistor (T62) zu starten, was verhindert, daß die
Flanke an (TX) von der Außenbeschaltung maßgeblich bestimmt wird und die
Operationsverstärker (OPV1) und (OPV2) zweistufige, intern frequenzgangkompensierte
durch Konstantstromquellen gespeiste Operationsverstärker sind, die die Eigenschaften der
Verstärker über Temperatur- und Betriebsspannungsschwankungen weitgehend stabil halten,
wobei (OPV1) eine n-Kanal- u. (OPV2) eine p-Kanal-Eingangsstufe hat und beim Wechsel
(TXIN) von High nach Low die Analogschalter (T72)/(T75) und (T73)/(T74) göffnet werden,
der (OPV2) in (Standby) geschaltet wird (kein DC-Stromverbrauch, Ausgang gesperrt), der
Transistor (T78) sehr schnell das Gate von (T62) entlädt, die Zeitkonstante für die Low-High-
Flanke durch die Ansteuerung des Gates (T61) bestimmt wird, der (OPV1) in Betrieb
genommen wird und die Analogschalter (T76)/(T77) und (T67)/(T68) geschlossen werden und
der Transistor (T64) geschlossen wird, womit der Regelkreis für die Gatespannung von
Transistor (T61), bestehend aus (C5), (T63) und (OPV1) mit (R4) aktiviert ist und durch die
Rückkopplung mit Hilfe des Verschiebungsstromes über (C5) die Lastabhängigkeit der
Verzögerungszeit stark gemindert wird, die Analogschalter (T76)/(T77) und (T67)/(T68) vor
Beginn der Low-High-Flanke von (TX) göffnet sind, wodurch am Pluseingang von (OPV1)
0 V anliegen, was den (OPV1) im Zusammenhang mit der Spannung von U(REFP) = VDD3-
0,4 V (z. B. Erzeugung durch Spannungsteiler aus (VDD3)) dazu bringt, sofort nach Schließen
der Analogschalter (T76)/(T77) mit einer ausreichenden Gatespannung für den Transistor
(T61) zu starten, was verhindert, daß die Flanke an (TX) von der Außenbeschaltung maß
geblich bestimmt wird, was dann der Fall wäre, wenn man auf das normalerweise etwas
verzögerte Einsetzen der Flankenregelung (Verschiebestrom durch (C5) durch äußere
Einflüsse bestimmt) warten würde.
4. Schaltungsanordnung für einen bidirektionalen Full Speed/Low Speed-Treiber für einen PC-
BUS, der sich aus den Teilschaltungseinheiten Voltage Regulator, Bandgap-Schaltung, Bias-
Zelle und dem eigentlichen Treiber, bestehend aus den Schaltungseinheiten Single Ended
Receiver, Differential Receiver, Full Speed/Low Speed-Transmitter und Logik-Schaltung,
zusammensetzt, dadurch gekennzeichnet, daß die Bandgap-Schaltung und der eigentliche
Treiber mit den gegenseitigen Verschaltungen dieser Teilschaltungseinheiten, ausgelegt für
eine Betriebsspannung von 3,3 V in CMOS-NWELL-Technologie monolithisch integriert
ausgeführt sind, wobei ein externer Voltage Regulator die 3,3 V Betriebsspannung (VDD3)
zur Verfügung stellt, wodurch möglich wird, den Treiber für den 3,3 V PC-BUS mit 5 V
Betriebsspannung zu betreiben und die Bandgap-Schaltung für die Bias-Zelle eine
Eingangsspannung (VBGVTN) bereitstellt, die sich aus der stabilen Spannung (VBGP) und
einer Schwellspannung (VTN) eines n-Kanaltransistors zusammensetzt, mit welcher ein von
der Betriebsspannung und von den Transistorparametern unabhängiger Strom erzeugt wird,
der im eigentlichen Treiber benutzt wird, um die Verzögerungszeit des Low Speed-Transmitters
festzulegen und die Parameter des differentiellen Empfängers stabil zu halten, wobei die
Schwellspannung (VTN) über dem Transistor (T7) wieder abfällt und so über dem Wider
stand (R3) die stabile Bandgapspannung (VBGP) anliegt, womit der Strom durch (R3) sich
nach dem Ohmschen Gesetz aus I = U(VBGP)/R3 ergibt und damit nicht mehr von Tran
sistorparametern abhängt und sich der differentielle Treiber aus den Teilschaltungen
Logikgatter als Inverter mit Nands und Nors (jede andere Logikkombination ist denkbar, je
nach zu erzielender Funktion); zwei mit einem Signal (SPEED/SPEEDN) umschaltbare
Transmitter (USBTXP)und (USBTXM), die gemeinsam den differentiellen Ausgangstreiber
an den Pins (DP) (Data plus) und (DM) (Data minus) bilden; zwei über jeweils aus einem
Widerstand und zwei Dioden gebildete ESD-Schutzschaltungen an die Pins (DP) und (DM)
angeschlossene Single Ended Receiver (USBRXS), (wobei die Schutzbeschaltung auch auf
andere Art ausgeführt sein kann) und einen über eine ESD-Schutzbeschaltung ange
schlossenen Differential Receiver (USBRXD) zusammensetzt, wobei die Teilschaltung des
Single Ended Reveivers sich aus einem Schmitt-Trigger, gebildet aus den Transistoren (T11)
bis (T16), mit einem nachfolgenden Inverter, gebildet aus den Transistoren (T17) und (T18)
und einer zweifachen Nand-Schaltung, gebildet aus den Transistoren (T19) bis (T22) aufbaut
und auf die in der USB-Norm festgelegten Schwellen für Low von 0,8 V und High von 2,0 V
dimensioniert ist und (RXS) das Signal für Single Ended Receiver mit CMOS-Pegel ist und
das Teilschaltbild Differential Receiver ein Komparator, bestehend aus einem
Differenzverstärker, gebildet aus den Transistoren (T23) bis (T27), aus einer nachfolgenden
Verstärkerstufe, gebildet aus den Transistoren (T28 bis (T31) und einem Inverter, gebildet aus
den Transistoren (T32) und (T33) ist, wobei die beiden Verstärkerstufen mit einem über
Bandgap und Biaszelle erzeugten Konstantstrom mittels der aus den Transistoren (T27) und
(T28) gebildeten Stromspiegel gespeist werden und die Transistoren (T30) und (T31) sicher
stellen, daß im Fall (RXDEN) = 0 der Ausgang (RXD) auf 0 liegt und außer den Restströmen
kein DC-Strom fließt und der USB-Treiber im Low-Speed-Teil in zwei verschiedenen Varian
ten ausgeführt werden kann, d. h. als ungeregelter und als geregelter Low Speed-Treiber,
wobei die Teilschaltungseinheiten (USBTXP) und (USBTXM) den Ausgangstreiber für die
Pins (DP) und (DM) beinhalten, der über die Signale (TXEN)/TXENN) zu aktivieren bzw. in
den Tristate-Zustand zu versetzen ist und seine Geschwindigkeit von Low Speed auf Full
Speed durch die Signale (SPEED)/(SPEEDN) umgeschaltet werden kann, wobei der Tristate-
Zustand durch (TXEN) = 0, (TXENN = 1) gekennzeichnet ist und die Transistoren (T59) bis
(T62) dann unabhängig vom Signal (SPEED) geschlossen sind, während bei (TXEN) = 1,
(TXENN) = 0 Treiben möglich ist (Enable-Zustand) und der eigentliche Treiber aus den
Transistoren (T59) bis (T62) besteht, wobei nur im Full Speed-Fall: (SPEED) = 1 alle
Transistoren zum Treiben des Busses genutzt werden und dann den geforderten
Ausgangswiderstand garantieren.
5. Schaltungsanordnung für einen bidirektionalen Full Speed/Low Speed-Treiber für einen PC-
BUS, der sich aus den Teilschaltungseinheiten, Power Supply, Bias-Zelle und dem eigentli
chen Treiber, bestehend aus den Schaltungseinheiten Single Ended Receiver, Differential
Receiver, Full Speed/Low Speed-Transmitter und Logik-Schaltung, zusammensetzt, dadurch
gekennzeichnet, daß diese Teilschaltungseinheiten mit den gegenseitigen Verschaltungen in
CMOS-NWELL-Technologie monolithisch integriert ausgeführt sind, wobei eine externe
temperatur- und betriebsspannungsunabhängige Spannung (VBGP) mittels einer an sich
bekannten Bandgap-Schaltung erzeugt wird, ein externer Voltage Regulator, die 3,3 V
Betriebsspannung (VDD3) zur Verfügung stellt, wodurch möglich wird, den Treiber für den
3,3 V PC-BUS mit 5 V Betriebsspannung zu betreiben und die externe Bandgap-Schaltung für
die Bias-Zelle eine Eingangsspannung bereitstellt, mit welcher ein von der Betriebsspannung
und von den Transistorparametern unabhängiger Strom erzeugt wird, der im eigentlichen
Treiber benutzt wird, um die Verzögerungszeit des Low Speed-Transmitters festzulegen und
die Parameter des differentiellen Empfängers stabil zu halten, wobei die Schwellspannung
(VTN) über dem Transistor (T7) wieder abfällt und so über dem Widerstand (R3) die stabile
Bandgapspannung (VBGP) anliegt, womit der Strom durch (R3) sich nach dem Ohmschen
Gesetz aus I = U(VBGP)/R3 ergibt und damit nicht mehr von Transistorparametern abhängt
und sich der differentielle Treiber aus den Teilschaltungen Logikgatter als Inverter mit Nands
und Nors (jede andere Logikkombination ist denkbar, je nach zu erzielender Funktion); zwei
mit einem Signal (SPEED/SPEEDN) umschaltbare Transmitter (USBTXP)und (USBTXM),
die gemeinsam den differentiellen Ausgangstreiber an den Pins (DP) (Data plus) und (DM)
(Data minus) bilden; zwei über jeweils aus einem Widerstand und zwei Dioden gebildete
ESD-Schutzschaltungen an die Pins (DP) und (DM) angeschlossene Single Ended Receiver
(USBRXS), (wobei die Schutzbeschaltung auch auf andere Art ausgeführt sein kann) und
einen über eine ESD-Schutzbeschaltung angeschlossenen Differential Receiver (USBRXD)
zusammensetzt, wobei die Teilschaltung des Single Ended Reveivers sich aus einem Schmitt-
Trigger, gebildet aus den Transistoren (T11) bis (T16), mit einem nachfolgenden Inverter,
gebildet aus den Transistoren (T17) und (T18) und einer zweifachen Nand-Schaltung, ge
bildet aus den Transistoren (T19) bis (T22) aufbaut und auf die in der USB-Norm festgelegten
Schwellen für Low von 0,8 V und High von 2,0 V dimensioniert ist und (RXS) das Signal für
Single Ended Receiver mit CMOS-Pegel ist und das Teilschaltbild Differential Receiver ein
Komparator, bestehend aus einem Differenzverstärker, gebildet aus den Transistoren (T23)
bis (T27), aus einer nachfolgenden Verstärkerstufe, gebildet aus den Transistoren (T28) bis
(T31) und einem Inverter, gebildet aus den Transistoren (T32) und (T33) ist, wobei die beiden
Verstärkerstufen mit einem über Bandgap und Biaszelle erzeugten Konstantstrom mittels der
aus den Transistoren (T27) und (T28) gebildeten Stromspiegel gespeist werden und die
Transistoren (T30) und (T31) sicherstellen, daß im Fall (RXDEN) = 0 der Ausgang (RXD) auf
0 liegt und außer den Restströmen kein DC-Strom fließt und der USB-Treiber im Low-Speed-
Teil in zwei verschiedenen Varianten ausgeführt werden kann, d. h. als ungeregelter und als
geregelter Low Speed-Treiber, wobei die Teilschaltungseinheiten (USBTXP) und (USBTXM)
den Ausgangstreiber für die Pins (DP) und (DM) beinhalten, der über die Signale (TXEN)/
TXENN) zu aktivieren bzw. in den Tristate-Zustand zu versetzen ist und seine
Geschwindigkeit von Low Speed auf Full Speed durch die Signale (SPEED)/(SPEEDN)
umgeschaltet werden kann, wobei der Tristate-Zustand durch (TXEN) = 0, (TXENN = 1)
gekennzeichnet ist und die Transistoren (T59) bis (T62) dann unabhängig vom Signal
(SPEED) geschlossen sind, während bei (TXEN) = 1, (TXENN) = 0 Treiben möglich ist
(Enable-Zustand) und der eigentliche Treiber aus den Transistoren (T59) bis (T62) besteht,
wobei nur im Full Speed-Fall: (SPEED) = 1 alle Transistoren zum Treiben des Busses genutzt
werden und dann den geforderten Ausgangswiderstand garantieren.
6. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1, 4 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß
diese nur als Full Speed-Treiber arbeitet.
7. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 2, 3, 4 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß
diese nur als Low Speed-Treiber arbeitet.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19715455A DE19715455C2 (de) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | Schaltungsanordnung für differentiellen Treiber |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19715455A DE19715455C2 (de) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | Schaltungsanordnung für differentiellen Treiber |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19715455A1 DE19715455A1 (de) | 1998-10-15 |
DE19715455C2 true DE19715455C2 (de) | 2002-11-14 |
Family
ID=7826417
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19715455A Expired - Fee Related DE19715455C2 (de) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | Schaltungsanordnung für differentiellen Treiber |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19715455C2 (de) |
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8122 | Nonbinding interest in granting licences declared | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
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|
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