DE19705728C2 - Schottky-Diode und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
Schottky-Diode und Verfahren zu deren HerstellungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Schottky-Diode der im Oberbegriff
des Patentanspruchs 1 angegebenen Art. Außerdem betrifft die
Erfindung ein zugehöriges Verfahren der im Oberbegriff des Patentanspruchs
6 angegebenen Art.
Eine derartige Diode ist beispielsweise aus dem Buch "Signalverarbeitende Dioden", G. Kessel, J.
Hammerschmitt, E. Lange, Springer Verlag, 1982, S. 179 ff. bekannt. Sie wird auch
Schottky-Hybrid-Diode genannt. Sie unterscheidet sich von einer gewöhnlichen
Schottky-Diode dadurch, daß der ringförmige Halbleiterbereich des zweiten
Dotierungstyps, auch Guard-Ring genannt, vorgesehen ist. Dieser Guard-Ring
bewirkt, daß die Sperrspannung, die bei einer normalen Schottky-Diode niedrig ist,
gegenüber dieser wesentlich erhöht wird. Das Spannungsdurchbruchverhalten wird
somit gegenüber der gewöhnlichen Schottky-Diode wesentlich verbessert. Dieser
Effekt kommt dadurch zustande, daß das Randfeld der Metallelektrode, d. h. der
Schottky-Metallschicht dadurch reduziert wird, daß es zumindest teilweise in dem
ringförmigen Halbleiterbereich des zweiten Dotierungstyps mit der dritten
Dotierungskonzentration endet.
Aufgrund des Übergangs zwischen der Epitaxieschicht vom ersten Dotierungstyp und
dem Guard-Ring vom zweiten Dotierungstyp entsteht eine pn-Diode. Die
Abbruchspannung bei einer solchen herkömmlichen pn-Diode ist niedriger als die Abbruchspannung der aufgrund
des Metall-Halbleiterübergangs gebildeten Schottky-Diode, so daß die
Abbruchspannung der Schottky-Hybrid-Diode durch die Abbruchspannung der pn-
Diode bestimmt wird. Die Abbruchspannung der pn-Diode wird durch die Dotierung
und durch die Dicke der Epitaxieschicht festgelegt, da dadurch die Ausbreitung der
Raumladungszone bis zum Substrat beeinflußt wird. Eine höhere Abbruchspannung
wird durch eine geringere Dotierung und durch eine dickere Epitaxieschicht erreicht.
Nachteilig an einer solchen Schottky-Hybrid-Diode ist, daß die Abbruchspannung der
durch den Übergang zwischen der Schottky-Metallschicht und der Epitaxieschicht
gebildeten Schottky-Diode größer ist als die Abbruchspannung der pn-Diode, wodurch
eine hohe Flußspannung entsteht, so daß ein im Vergleich zu der
Abbruchspannung schlechtes Flußverhalten der Schottky-Diode in Kauf genommen
werden muß.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Schottky-Diode
der eingangs genannten Art derart zu verbessern, daß ein bes
seres Flußverhalten der Schottky-Diode erzielt wird, und
ein zugehöriges Verfahren zur Herstellung einer sol
chen verbesserten Schottky-Diode anzugeben.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß durch eine Schottky-Diode gemäß dem Anspruch 1 und
durch ein zugehöriges Verfahren mit den in Anspruch 6 angegebe
nen Merkmalen bzw. Schritten gelöst.
Aufgrund des erfindungsgemäß in die Epitaxieschicht eingebrach
ten Dotierungsbereiches wird die Abbruchspannung der aus dem
Übergang zwischen der Schottky-Metallschicht und der Epitaxie
schicht gebildeten Schottky-Diode erniedrigt, ohne daß die Ab
bruchspannung der Schottky-Hybrid-Diode insgesamt erniedrigt
wird. Gleichzeitig wird die Flußspannung herabgesetzt, so daß
die Schottky-Hybrid-Diode insgesamt ein deutlich besseres
Flußverhalten aufweist.
Es ist zwar an sich bekannt (JP 07 26 37 16 A - in: Patent Ab
stracts of Japan 1995), ein besseres Flußverhalten bei einer
Schottky-Diode dadurch zu erzielen, daß angrenzend an die
Schottky-Metallschicht ein Dotierungsbereich vom gleichen Do
tierungstyp wie das Substrat vorgesehen ist, jedoch nicht im
Zusammenhang mit einer Schottky-Hybrid-Diode der hier in Rede
stehenden Art.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Unteransprüchen
offenbart.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird die vierte
Dotierungsdichte n4 kleiner als die erste Dotierungsdichte n1 gewählt. Dadurch wird
der Bahnwiderstand durch das Substrat verkleinert.
Günstigerweise wird die vierte Dotierungsdichte n4 so gewählt, daß die
Abbruchspannung des Metallhalbleiterübergangs der Abbruchspannung der
aufgrund des ringförmigen Halbleiterbereichs und der Epitaxieschicht gebildeten pn-
Diode entspricht. Hierdurch entsteht die bei dieser Methode beste zu erzielende
Flußspannung, ohne daß die Abbruchspannung erniedrigt wird.
Der Dotierungsbereich kann sich zweckmässigerweise zwischen dem den ringförmigen Halbleiterbereich
umgebenden Raumladungszonengebiet, d. h. innerhalb des den ringförmigen Halbleiterbereich umgebenden Raumladungszonengebietes, erstrecken. Das Raumladungszonengebiet ist
das Gebiet, in dem sich die Raumladungszone der pn-Diode, d. h. von dem
ringförmigen Halbleiterbereich in der Epitaxieschicht bis zu dem Substrat, ausbreitet.
Somit ist das Raumladungszonengebiet wiederum ringförmig. Eine hohe Wirkung
wird erzielt, wenn der Dotierungsbereich das Raumladungszonengebiet nicht
schneidet aber die gesamte Fläche im Inneren des ringförmigen
Raumladungszonengebietes ausfüllt. Günstigerweise erstreckt sich der
Dotierungsbereich über der gesamten Tiefe der Epitaxieschicht, wodurch die
Flußspannung weiter reduziert wird.
Im folgenden wird die Erfindung anhand der Figur näher erläutert.
Die Figur zeigt einen Querschnitt durch eine erfindungsgemäße Schottky-Diode.
Auf einem Halbleitersubstrat 1 eines ersten Dotierungstyps mit einer ersten
Dotierungsdichte n1 ist eine Epitaxieschicht 2 vom gleichen Dotierungstyp mit einer
zweiten, kleineren Dotierungsdichte n2 aufgebracht. Auf der Epitaxieschicht 2 ist eine
Isolatorschicht 3 mit einer Öffnung 4 vorgesehen. Eine Schottky-Metallschicht 5
bedeckt einen Teil der Isolatorschicht und die unter der Öffnung 4 liegende
Epitaxieschicht 2. Ein ringförmiger Halbleiterbereich 6, ein Guard-Ring, eines zweiten
Dotierungstyps mit einer dritten Dotierungsdichte n3, die höher als die zweite
Dotierungsdichte n2 ist, ist in der Epitaxieschicht 2 derart vorgesehen, daß er an die
Isolatorschicht 3 und die Schottky-Metallschicht 5 in einem den
Metallisolatorübergang umgebenden Bereich angrenzt. In der Epitaxieschicht 2 ist ein
Dotierungsbereich 7 vom ersten Dotierungstyp mit einer vierten Dotierungsdichte n4
eingebracht, der an die Schottky-Metallschicht 5 angrenzt. Die vierte Dotierungsdichte
n4 ist größer als die zweite Dotierungsdichte n2 der Epitaxieschicht 2 gewählt. In der
vorgegebenen Anordnung können beispielsweise das Halbleitersubstrat 1, die
Epitaxieschicht 2 und der Dotierungsbereich 7 aus n-leitendem Silizium und der
ringförmige Halbleiterbereich 6 aus p-leitendem Silizium gebildet sein.
Die erfindungsgemäße Schottky-Diode ist eine Schottky-Hybrid-Diode, da sie einen
Guard-Ring, den ringförmigen Halbleiterbereich 6, aufweist. Die elektrischen
Anschlüsse werden an der Schottky-Metallschicht 5 und an der Rückseite des
Halbleitersubstrats 1 angebracht. Die erfindungsgemäße Schottky-Hybrid-Diode
umfaßt eine Schottky-Diode, die durch die Schottky-Metallschicht 5 und die
Epitaxieschicht 2 bzw. den Dotierungsbereich 7 gebildet wird und eine pn-Diode, die
durch den ringförmigen Halbleiterbereich 6 und die Epitaxieschicht 2 gebildet wird.
Der Guard-Ring bewirkt, daß die Schottky-Diode eine hohe Sperrspannung aufweist.
Das Flußverhalten der Schottky-Diode wird durch ihre Abbruchspannung begrenzt.
Die Abbruchspannung wird durch die Ausbreitung der Raumladungszone aufgrund
einer angelegten Spannung bestimmt, da die Raumladungszone sich innerhalb der
Epitaxieschicht 2 nur so lange ausbreiten kann, bis sie auf die durch das
Halbleitersubstrat 1 gebildete Grenzschicht trifft. Die Abbruchspannung kann durch
eine geringere Dotierung und durch eine größere Dicke der Epitaxieschicht 2 erhöht
werden. In einem ersten Bereich 8 kommt eine erste Abbruchspannung zustande, die
durch den Übergang zwischen der durch die Schottky-Metallschicht 5 und die
Epitaxieschicht 2 gebildete Schottky-Diode zustande kommt. In einem zweiten Bereich
9 entsteht eine zweite Abbruchspannung, die aufgrund der durch den ringförmigen
Halbleiterbereich 6 und die Epitaxieschicht 2 gebildeten pn-Diode zustandekommt.
Die Abbruchspannung der Gesamtdiode wird durch die niedrigere der beiden
Abbruchspannungen festgelegt. Es ist eine Raumladungszone 10 eingezeichnet, die
sich ausgehend von der pn-Diode aufgrund des ringförmigen Halbleiterbereichs 6
ausbreitet, bis sie an die durch das Halbleitersubstrat 1 mit der Epitaxieschicht 2
gebildete Grenzschicht anstößt. Die Größe des Dotierungsbereiches 7 ist so gewählt,
daß er die Ausbreitung der Raumladungszone 10 nicht behindert. Da die vierte
Dotierungsdichte n4 des Dotierungsbereichs größer ist als die zweite Dotierungsdichte
n2 der Epitaxieschicht 2 wird der Unterschied von der ersten Abbruchspannung in
dem ersten Bereich 8 und der zweiten Abbruchspannung im zweiten Bereich 9
verringert. Die vierte Dotierungsdichte n4 kann so hoch gewählt werden, daß die erste
Abbruchspannung gleich der zweiten Abbruchspannung ist. Dadurch wird der
Bahnwiderstand in der Epitaxieschicht 2, d. h. in dem Dotierungsbereich 7 erniedrigt,
so daß die Flußspannung wesentlich herabgesetzt und damit ein deutlich besseres
Flußverhalten der Gesamtdiode bei einer durch die pn-Diode vorgegebenen zweiten
Abbruchspannung erzielt wird.
Die Dimensionierung der Schottky-Hybrid-Diode gemäß der Erfindung ist so gewählt,
daß die Breite des mittels der Schottky-Metallschicht 5 gebildeten Metall-
Halbleiterübergangs größer ist als der Durchmesser der Raumladungszone 10, wobei
dieser durch die Dicke der Epitaxieschicht bestimmt wird.
Im folgenden wird ein zur Diode zugehöriges Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen
Verfahrens zum Herstellen einer Schottky-Diode anhand der Figur beschrieben. Auf
einem Halbleitersubstrat 1 wird eine Epitaxieschicht 2 erzeugt. Mittels dem Fachmann
bekannter Techniken zur Maskierung, Ionenimplantation und Temperaturbehandlung
werden der ringförmige Halbleiterbereich 6 mit der dritten Dotierungsdichte n3 und
der Dotierungsbereich 7 mit der vierten Dotierungsdichte n4 erzeugt. Dann wird
ebenfalls mit bekannten Maskierungstechniken die Isolatorschicht 3 mit der Öffnung 4
auf die Epitaxieschicht 2 aufgebracht, wodurch der Dotierungsbereich 7 und ein Teil
des Querschnitts des ringförmigen Halbleiterbereichs 6 freigelegt werden. Dann wird
die Schottky-Metallschicht 5 so aufgebracht, daß ein Teil der Isolatorschicht 3 und die
aufgrund der Öffnung 4 freigelegte Oberfläche der Epitaxieschicht 2 bedeckt wird. Die
Schottky-Metallschicht 5 und die Rückseite des Halbleitersubstrats 1 werden zum
Anlegen einer elektrischen Spannung kontaktiert. In dem bevorzugten
Ausführungsbeispiel sind das Halbleitersubstrat 1, die Epitaxieschicht 2 und der
Dotierungsbereich 7 n-dotiert und der ringförmige Halbleiterbereich 6 p-dotiert. Dabei
ist die vierte Dotierungsdichte n4 höher als die zweite Dotierungsdichte n2, die dritte
Dotierungsdichte n3 höher als die vierte Dotierungsdichte n4 und die erste
Dotierungsdichte n1 höher als die dritte Dotierungsdichte n3.
Claims (10)
1. Schottky-Diode mit einem Halbleitersubstrat (1) eines ersten Dotierungstyps mit
einer ersten Dotierungsdichte n1, auf dem eine Epitaxieschicht (2) vom gleichen
Dotierungstyp mit einer zweiten, kleineren Dotierungsdichte n2 aufgebracht ist,
auf welcher eine Isolatorschicht (3) mit einer Öffnung (4) vorgesehen ist, und mit
einer wenigstens einen Teil der Isolatorschicht (3) und die unter der Öffnung (4)
liegende Epitaxieschicht (2) bedeckenden Schottky-Metallschicht (5), wobei in der
Epitaxieschicht (2) ein ringförmiger Halbleiterbereich (6) eines zweiten
Dotierungstyps mit einer dritten Dotierungskonzentration n3, die höher als die
zweite Dotierungskonzentration n2 ist, vorgesehen ist, welcher an die
Isolatorschicht (3) und die Schottky-Metallschicht (5) in einem den Metall-
Isolatorübergang umgebenden Bereich angrenzt, dadurch gekennzeichnet, daß
ein Dotierungsbereich (7) vom ersten Dotierungstyp mit einer vierten
Dotierungsdichte n4 in der Epitaxieschicht (2) vorgesehen ist, der an die Schottky-
Metallschicht (5) angrenzt, wobei die zweite Dotierungsdichte n2 kleiner als die
vierte Dotierungsdichte n4 ist.
2. Schottky-Diode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die vierte
Dotierungsdichte n4 kleiner als die erste Dotierungsdichte n1 ist.
3. Schottky-Diode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die vierte
Dotierungsdichte n4 so gewählt ist, daß die Abbruchspannung des Metall-
Halbleiterübergangs der Abbruchspannung der aufgrund des ringförmigen
Halbleiterbereichs (6) und der Epitaxieschicht (2) gebildeten pn-Diode entspricht.
4. Schottky-Diode nach einem der vorangehenden Patentansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß sich der Dotierungsbereich (7) innerhalb des den
ringförmigen Halbleiterbereich (6) umgebenden Raumladungszonengebietes (10)
erstreckt.
5. Schottky-Diode nach einem der vorangehenden Patentansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß sich der Dotierungsbereich (7) über die gesamte Tiefe der
Epitaxieschicht (2) erstreckt.
6. Verfahren zum Herstellen einer Schottky-Diode gemäß Anspruch 1, bei dem
- 1. in einem Schritt a) auf einem Halbleitersubstrat (1) eines ersten Dotierungstyps mit einer ersten Dotie rungsdichte n1 eine Epitaxieschicht (2) vom gleichen Dotierungstyp mit einer zweiten, kleineren Dotie rungsdichte n2 aufgebracht wird,
- 2. in einem Schritt b) in die Epitaxieschicht (2) ein ringförmiger Halbleiterbereich (6) eines zweiten Do tierungstyps mit einer dritten Dotierungskonzentra tion n3, die höher als die zweite Dotierungskonzen tration n2 ist, eingebracht wird,
- 3. in einem Schritt c) eine Isolatorschicht (3) mit ei ner Öffnung (4) auf der Epitaxieschicht (2) ausgebil det wird, und
- 4. in einem Schritt d) eine Schottky-Metallschicht (5) auf wenigstens einen Teil der Isolatorschicht (3) und auf das unter der Öffnung (4) liegende Halbleitersub strat (1) aufgebracht wird, so daß der Halbleiterbe reich (6) an die Isolatorschicht (3) und die Schottky-Metallschicht (5) in einem den Metall-Isola tor-Übergang umgebenden Bereich angrenzt,
- 5. dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Schritten b) und c) ein Dotierungsbereich (7) vom ersten Dotle rungstyp mit einer vierten Dotierungsdichte n4 in die Epitaxieschicht (2) so eingebracht wird, daß er an die Schottky-Metallschicht (5) angrenzt, wobei die vierte Dotierungsdichte n4 größer als die zweite Do tierungsdichte n2 gewählt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die vierte
Dotierungsdichte n4 kleiner als die erste Dotierungsdichte n1 gewählt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die vierte
Dotierungsdichte n4 so gewählt wird, daß die Abbruchspannung des Metall-
Halbleiterübergangs der Abbruchspannung der aufgrund des ringförmigen
Halbleiterbereichs (6) und der Epitaxieschicht (2) gebildeten pn-Diode entspricht.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der
Dotierungsbereich (7) so ausgebildet wird, daß er sich innerhalb des
den ringförmigen Halbleiterbereich (6) umgebenden Raumladungszonengebietes (10)
erstreckt.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der
Dotierungsbereich (7) so ausgebildet wird, daß er sich über die gesamte Tiefe der
Epitaxieschicht (2) erstreckt.
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Cited By (3)
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DE19930781A1 (de) * | 1999-07-03 | 2001-01-11 | Bosch Gmbh Robert | Diode mit Metall-Halbleiterkontakt und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE19930781B4 (de) * | 1999-07-03 | 2006-10-12 | Robert Bosch Gmbh | Diode mit Metall-Halbleiterkontakt und Verfahren zu ihrer Herstellung |
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