DE1966685A1 - Abbildungsverfahren - Google Patents

Description

DIPL.-ING. A. GFiL)NECKER sooo München 22

DR.-ING. H. KINKELDEY ' MaximilianstraßeΊ3

Telnfor, 22 28

DR.-ING. W. STOCKMAIR. Ae. Em^ .ns, o.rcc™, Tnba^e^nopa. MDnehon

PATENTANWÄLTE -Qfl 1 Γ. Telex 05-29580

eingegangen

10. Aug. 1973

PH 5992 I-JO/Fr
Div.)

Xerox Corporation Xerox Square Rochester, InLY. 14644-U.S.A.

AbMldunpsv erfahren

Die Erfindung bezieht sich auf ein Abbildungsverfahren, bei dem ein Aufzeichnungsmaterial, das ein strahlungsabsorbierendes teilchenförmiges Material auf stabiler Unterlage enthält, blitzartig in bildmäßiger Verteilung bestrahlt wird.

Es sind bereits viele Verfahren zur Erzeugung eines sichtbaren Bildes mit einem Licht-Schatten-Muster bekannt. Am geläufigsten ist das chemische Verfahren, bei dem die Farbe eines lichtempfindlichen Stoffes durch Einwirkung von Licht geändert wird. Die normale Fotografie und das Lichtpausen sind Beispiele eines derartigen Verfahrens. Bei anderen bekannten chemischen Verfahren dient das Licht zur Änderung der Härte, Klebrigkeit, Lösungsfähigkeit oder Farbstoffaufnahraofähigkeit eines jeweils dazu geeigneten Stoffes. Diese Verfahren werden in der grafischen"Technik und elektronischen Industrie weitläufig angewendet. In den letzten Jahren wurden auch andere "Verfahren entwickelt, die nicht die chemischen,

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sondern die elektrischen Eigenschaften insbesondere fotoleitfähigor Stoffe ausnutzen. Eine Schicht eines derartigen Stoffes wird mit einem Licht-Schatten-Muster bestrahlt, und das daraus erzeugte elektrische Muster dient zur Steuerung der selektiven Anzeihung oder Abstoßung eines Zeichenstoffes durch die fotoleitfähige Schicht. Es sind ferner Verfahren bekannt, bed denen das Leitfähigkeitsfe muster zur Steuerung elektrochemischer Reaktionen oder zur Erzeugung geometrischer Änderungen an einer Grenzfläche ausgenutzt wird. Andere Verfahren wurden entwickelt, bei denen eine Halbleiterschicht mit aktivierender Strah- - lung bestrahlt und in ihr ein latentes Bild erzeugt wird.

Diese bekannten Verfahren erfordern zusätzliche Schritte zur Entwicklung eines sichtbaren Bildes vor der Beendigung des Belichtungsschrittes. Der Entwicklungsschritt kann nach elektrischem, chemischen oder anderweitigem Prinzip durchgeführt werden.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Abbildunga- w verfahren der eingangs erläutertei Art zu schaffen, bei dem ein sichtbares Bild nach der Belichtung rasch und einfach und ohne besonderen Entwicklungsscliritt erzeugbar ist.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß eine Schicht aus einem strahlungsabsorbierenden, bei Strahlungseinwirkung schmelzbaren oder verdampfbaren Materil verwendet wird.

Die Schicht kann aus fest gepackten Teilchen gebildet sein. Nach Einwirkung eines Strahlungsimpulses hoher Intensität und kurzer Dauer erscheint unmittelbar ein sichtbares Bild

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auf der Schicht, wozu keine Entwicklung erforderlich ist. Airwondungßiälle dar Bilderzeugung auf Pi Inen mit Blitzbelichtung sind die Fachbildungen von Jlikrofilen, Mikrofiches, Schirrübildorn und Eolc-gramiaen«.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Patentansprüchen angegeben.

Ausführungobeispiele der ErfincHrfig, werden im folgenden in Verbindung id it der Zeichnung beschrieben«. Es zeigen

Fig. 1 den Querschnitt einer beim erfindungsgeruäßen Verfahren verwendbaren Bildplatte,

Fig. 2 eine schemata, sehe Darstellung dor Bestrahlung Bur erfindungsgOÄiiaßen Erzeugung eines sichtbaren Bildes.

In Fig. 1 ist eine Ausführungsform einer Bildplatte dargestellt, die für das erfindungsgeiaäJjs Verfahren geeignet ist. Die Platte 20 besteht aus einer £ ei Ich en. schicht 24, die auf einer geeigneten Unterlage, beispielsweise auf . Mylar, aufgebracht ist«. Die Teilchen 25 sollen einen niedrigen Schmelzpunkt und einen hohen Absorptionskoeffixienten für sichtbares und infrarotes Licht haben, wie dies beispielsweise für Selen der Fall ist, urn ein sichtbares Bild chireh einen Fusionr.prozeß zu erzeugen. Andernfalls sollen die Teilchen 2'i- einen hohen Dampfdruck, einen Schmelzpunkt von 100°C oder mehr und einen hohen Abc-orptionskoeffizienten im sichtbaren oder infraroten Bereich haben, um ein sichtbares Bild durch einen Verdampfungsprozeß zu erzeugen. Beispiele hierzu geeigneter Stoffe sind Arsen, Selen, Cadmium, Zink \mö Tellur.

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Die EmpfiucTlichkGit der Tel.lchcn für Strahlung ΐaim ausgedehnt worden, indem die Bildplatte beispielsweise durch Vor erhitzen bus. eine bestimmte Temperatur in einen besonderen AUiSgr-rgy&uütand gebracht wird« Per Durchmesser der Teilchen soll geringer als 0,5 Mikron. CgIh₅ um beste Abbi 1 du ng 3 e r· g e b ni s s e au e r κ i e 1 e η.

Wj rd der in Fig. 1 gezeigte Selen-Hylarfil-n mit aktivierender Strahlung bestrahlt, so können die Solenteilehen zusoiimensoteelr on oder vercrJipoVn, wag von der Energie der einfallenden Strahlung aMuini't, es ist jedoch keine Teilchenwanderung zu beobachten, was auf die hohe Viskosität des Films, zurückzuführen ist.

Es sei bemerkt, daß Bilder auch mit einer Vielzahl metallischer und nicht metallischer Bildplatten erzeugt werden können, die anders als in Fig. 1 dargestellt- ausgebildet sind und beispielsweise aus Tellur, Kupfer, ArECn₅ Silber, strahlungsabaorbierenden Pigment- u.nd Farbstoffen bestehen, wenn das in Fig. 2 dargestellte Blitzverfahren angewendet wird.

Bei der in Fig. 2 gezeigten Anordnung befindet sich die Bildplatte 10 unter einer Maske 40. Die Maske besteht im dargestellten Fall aus einer Hikrofilwkarte mit dem Bild 42. Eine Strahlungsquelle 50 hoher Insensität und kurzer Strahlungndruer, beispielsweise ein« Xononblitzlairrpe oder ein Laser, strahlt das Bild 42 des Bildträgers 40 auf die Oberfläche der Schicht 14 und. erzeugt dort ein entwickeltes Bild 52 innerhalb einer sehr kurzen Zeit.

Die beim ei'findungoß·':säßen Verfahren verwendete Xenonlampe entspricht den bekannt cn Stroboskoplp/ippen oi'U.-r elektronischen Blitzlampen, bei denen die Strahlung

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mit eiue.r Blitzröhre erzeugt wird. Diese elektronischen Vorrichtungen neben eine Strohlungs-iuovgie Db, die aus UäriiiO und Licht besteht, und -M-;&v für eine D ^u-.,ν in Bereich von 10 MrLkιόüekxmdo' oder vjeniger bis 10 000 I"ü.iV.rOEt.:kur»dcn oder i.iuhr. Die au*.; Värwe und Licht be- £.i:ehonde Strahlimg:.'?i;Grgio .kaim, follr. eiuninfolit, durch Wellenlänge.-η auo£οdrückt uerden, ur-d eine Prüfan^ des ololrtror-ii-irnGtiachon Spektrums ?e.i^t, d'iß die ifD'jr^ebene Energie in eiru-.is !.'rillcnlan^eiibriOich von ca,'2 000 bis ca. 26 000 Angfjtröui einheit on liegt. Der elektrische Energiew/rbrauch beträgt dabei bir, zu 10 000 Joule»

Die folgenden Beispiele dieren der weiteren Ei-llaiterung üei- erfiridaripsseinalien Verfahr en π bezüglich bectinunter Stoffe und Verfahreußpararaeter, sie σο 11 en öLic Erfindung jedoch in keiner Weise einschränken.

Beispj el JI

Eine Bildplatte 20 der in l^!>ig. 2 gezeigten Art vrird herge stellt, indem eine Selenschicht von ca.. 0,2 Mikron Stärke auf eine Unterlage 22 aus Pol;>iithylenterephthalat aufgebracht wird» Dies kann durch Aufstreichen, Aufwalzen, nach dem Verfahren der deutschen Pa ton ta nine Idling P 1'i 97 219.1, durch Vakuum an £ dämpfung einer 0,2 Mikron starken Schicht aniox-phen Selorxs auf die MyIarunterläge oflfji· nach jedem anderen bekannten Verfahren erfolgen. 3)ie B:i Idplatbe 20 vdi'd darm lait einem optischen Bild bei einer Energie in den belichteten jflächonteilen von 0,3

Joule/cm" belichtet, woku als Lichtquelle eine Xonon-

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blitzlampe nit einer Strahlung von ca. 2 000 bis cn. 20 000 An;;;; πι rom einheit en vorvicpdet wcrderi kann, lh¹, ergibt sich eine gute llachbiloorr; des Ori^.inalbild;¹-,?.«.

Bei ml el II

Beispiel! wird wiederholt mit öor.i Unterschied,, daß die Bildplatte 20 axt einem optischen Bild bei eim-x· i^uoriu e in den belichteten I'laehence.i.lerj von O₅? Jcrale/cM" bauchtet wird.

In den B-eispielen I und II kair:; das Bild durch. Aui'-sprühon eines Kunststoff üb iü-sut,.·:.: fixiert ve:eden_s \.'O>:ra beiüpielsv-'eiae Krylon (ein farbloser Kunststoff; v^Tahrscheinlich ein Acrylb.srs, erhältlich von Krylon, Inc..) verwendet worden kam.

Die Erfindung wurde vorstehend au Hand vorzugsweise!· Auöführunftoforinen beBch:cieben_s de>a Fachiaann cind jedoch zahlreiche Änderungen und äquivalente .Ausfühnrr.gsforinen , ohne vom Grundgedanken der Erfindung ab7.uv.^Teichen.

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Claims (1)

1. Po, t ent an p/orttehe

   Abbild längsverfahren, "bei den ein Auffceielimmg Katari al, das eia Btrahlungsabsorbierendes teilchenförmigen Material auf stabiler Unterlage? enthält, blitzartig in bilömäßiger Verteilung bestrahlt v/iräs. dadurch frekeiin.~ seiciinc-t, daß eine Schicht aus einem strahlungsabsortier end en $ bei Strahlungseinv.'irkung schmelzbar on oder cfM-eri Material verwendet wird·

   2* Abbildunssverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als strahlungsabsorblerendes Material bis zu 0,5 Mikron dicke Teilchen aus Arsen₈ Selen» Cadmium, Zink oder Tellur verwendet werden»

   3· Abbildimgßverfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als strahlungsabsortierendes Material eine Selenschicht von 0,2 Mikron Stärke verwendet wird_P die auf einer Unterlage aus Polyäthylenterephthalat angeordnet ist·

   4. Abbild UJcgs ν erfahr en nach Anspruch" 3_? dadurch gekennzeichnet,-daß die Selenmischt mit einer Energie von bis su 0,3 Joule/cß2 bestrahlt wird_o

   5· Abbildungsverfahren nach Anspruch 4, dadurch gel:onnseichnot, daß Strahlung nilt einer Wellenlänge von ca* 2000 bis ca« 20000 Angströiaeinheiten verwendet vd.rd₀

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   BAO OfilGtNAL

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