DE19639635C1 - CMOS-Bus-Treiberschaltung - Google Patents
CMOS-Bus-TreiberschaltungInfo
- Publication number
- DE19639635C1 DE19639635C1 DE19639635A DE19639635A DE19639635C1 DE 19639635 C1 DE19639635 C1 DE 19639635C1 DE 19639635 A DE19639635 A DE 19639635A DE 19639635 A DE19639635 A DE 19639635A DE 19639635 C1 DE19639635 C1 DE 19639635C1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- driver circuit
- bus driver
- channel mos
- effect transistor
- mos field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/003—Modifications for increasing the reliability for protection
- H03K19/00315—Modifications for increasing the reliability for protection in field-effect transistor circuits
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/38—Information transfer, e.g. on bus
- G06F13/40—Bus structure
- G06F13/4063—Device-to-bus coupling
- G06F13/4068—Electrical coupling
- G06F13/4072—Drivers or receivers
- G06F13/4077—Precharging or discharging
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L25/00—Baseband systems
- H04L25/02—Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
- H04L25/026—Arrangements for coupling transmitters, receivers or transceivers to transmission lines; Line drivers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine CMOS-Bus-Treiberschal
tung, wie sie im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 definiert
ist. (WO 92/17830 A1).
CMOS-Bus-Treiberschaltungen werden dazu verwendet, an einen
Datenübertragungsbus Datensignale von Datensendern anzu
legen, die über den Bus zu Datenempfängern übertragen werden
sollen. In der Regel sind dabei an einem Übertragungsbus
mehrere Treiberschaltungen angeschlossen.
Die CMOS-Bus-Treiberschaltungen empfangen auf der Eingangs
seite von den Datensendern üblicherweise binäre Datensignale
und geben auf der Ausgangsseite bestimmte Spannungswerte ab,
die die binären Datensignale repräsentieren.
Bei älteren Bus-Systemen liegt der Spannungswert zur Reprä
sentation eines binären Datensignals mit dem Signalwert 1
bei +5 V. Ältere Bus-Treiberschaltungen, die von einer Span
nung von ca. 5 V versorgt wurden, müssen daher einen an
ihrem Eingang auftretenden binären Signalwert 1 in ein Span
nungssignal von +5 V umwandeln und diese Spannung zur Über
tragung des Signals an den Bus anlegen.
Die Versorgungsspannung neuerer CMOS-Bus-Treiberschaltungen,
z. B. der LVC 161284 von Texas Instruments, liegt bei 3,3
Volt. Diese Schaltungen, die an ihrem Ausgang einen
CMOS-Inverter aufweisen, legen also bei Vorliegen eines binären
Signals mit dem Wert 1 am Eingang eine Spannung von ca. 3,3
Volt an den Datenbus.
Häufig tritt der Fall auf, daß die neuen CMOS-Bus-Treiber
schaltungen vom 3,3 Volt-Typ bei einem alten Bus-System ein
gesetzt werden, an das ebenfalls noch Bus-Treiber vom
5 Volt-Typ angeschlossen sind. Da die Ausgänge sämtlicher
Bus-Treiber über den Bus miteinander in Verbindung stehen,
kann es dann vorkommen, daß an dem Ausgang einer neuen
CMOS-Bus-Treiberschaltung mit 3,3 Volt Versorgungsspannung
eine Spannung auftritt, deren Wert diese Versorgungsspannung
überschreitet. Dadurch werden die Spannungsverhältnisse zwi
schen Versorgungsspannungseingang des Treibers und Treiber
ausgang umgekehrt, was Fehler im System verursachen kann.
Ferner kann dadurch der PMOS-Ausgangstransistor (meist ein
Transistor vom Anreicherungstyp) des CMOS-Inverters dieser
Schaltung beschädigt werden.
In der WO 92/17830 A1 ist eine Interfaceschaltung beschrie
ben, in der der Ausgang der Schaltung von einer Leitung, mit
der der Ausgang verbunden ist, mittels schaltbarer Tran
sistoren (MOSFET) entkoppelt werden kann, wenn an der Lei
tung Überspannungen auftreten. Das Steuersignal wird von
einer Überwachungsschaltung geliefert, welche die Ausgangs
spannung mit einer Referenzspannung vergleicht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine
CMOS-Bus-Treiberschaltung der eingangs angegebenen Art so auszu
gestalten, daß sie mit hoher Betriebssicherheit an einem Bus
eingesetzt werden kann, an dem Spannungen auftreten können,
die die Versorgungsspannung der CMOS-Bus-Treiberschaltung
überschreiten, und die CMOS-Bus-Treiberschaltung vor diesen
Spannungen zu schützen. Ferner soll durch die Erfindung
die vom Komparator zur Überwachung der am Treiberschaltungs
ausgang liegenden Spannung aufgewendete Energie minimiert
werden.
Diese Aufgabe wird durch eine erfindungsgemäße
CMOS-Bus-Treiberschaltung gelöst, die neben einer CMOS-Bus-Treiber
einheit einen Komparator aufweist, an dessen Referenzeingang
die Versorgungsspannung der CMOS-Bus-Treiberschaltung und an
dessen Signaleingang eine am Treiberschaltungsausgang lie
gende Spannung liegt und der dann, wenn die am Treiber
schaltungsausgang liegende Spannung die Versorgungsspannung
der CMOS-Bus-Treiberschaltung überschreitet, an seinem Aus
gang ein Steuersignal abgibt, durch das die CMOS-Bus-Trei
bereinheit vom Bus entkoppelt wird, wobei die erfindungs
gemäße CMOS-Bus-Treiberschaltung dadurch gekennzeichnet ist,
daß der Komparator umfaßt:
einen ersten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor, an des sen Gate-Anschluß die Versorgungsspannung der CMOS-Bus-Treiberschaltung liegt,
einen ersten P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor, an dessen Source-Anschluß die am Treiberschaltungsausgang liegende Spannung liegt und dessen Drain-Anschluß mit dem Drain-An schluß des ersten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors verbun den ist und an dessen Gate-Anschluß eine Referenzspannung liegt,
einen zweiten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor, an des sen Drain-Anschluß die Versorgungsspannung der CMOS-Bus-Treiberschaltung liegt, dessen Source-Anschluß mit dem Source-Anschluß des ersten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors und dessen Gate-Anschluß mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Drain-Anschluß des ersten P-Kanal-MOS-Feldeffekttran sistors und dem Drain-Anschluß des ersten N-Kanal-MOS-Feld effekttransistors verbunden ist,
einen ersten Widerstand, der zwischen den Verbindungs punkt zwischen dem Source-Anschluß des ersten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors und dem Source-Anschluß des zweiten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors und Masse geschaltet ist und einen CMOS-Inverter, dessen Eingang mit dem Verbin dungspunkt zwischen dem Source-Anschluß des zweiten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors und dem ersten Widerstand verbun den ist und an dessen Ausgang das Steuersignal zur Entkop pelung der CMOS-Bus-Treibereinheit vom Bus abgegeben wird.
einen ersten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor, an des sen Gate-Anschluß die Versorgungsspannung der CMOS-Bus-Treiberschaltung liegt,
einen ersten P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor, an dessen Source-Anschluß die am Treiberschaltungsausgang liegende Spannung liegt und dessen Drain-Anschluß mit dem Drain-An schluß des ersten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors verbun den ist und an dessen Gate-Anschluß eine Referenzspannung liegt,
einen zweiten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor, an des sen Drain-Anschluß die Versorgungsspannung der CMOS-Bus-Treiberschaltung liegt, dessen Source-Anschluß mit dem Source-Anschluß des ersten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors und dessen Gate-Anschluß mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Drain-Anschluß des ersten P-Kanal-MOS-Feldeffekttran sistors und dem Drain-Anschluß des ersten N-Kanal-MOS-Feld effekttransistors verbunden ist,
einen ersten Widerstand, der zwischen den Verbindungs punkt zwischen dem Source-Anschluß des ersten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors und dem Source-Anschluß des zweiten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors und Masse geschaltet ist und einen CMOS-Inverter, dessen Eingang mit dem Verbin dungspunkt zwischen dem Source-Anschluß des zweiten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors und dem ersten Widerstand verbun den ist und an dessen Ausgang das Steuersignal zur Entkop pelung der CMOS-Bus-Treibereinheit vom Bus abgegeben wird.
Durch die Erfindung wird erreicht, daß
die vom Komparator zur Überwachung der am Treiberschaltungs
ausgang liegenden Spannung aufgewendete Energie minimiert
wird, da nur dann ein Strom durch den Komparator fließt,
wenn die am Treiberschaltungsausgang liegende Spannung ober
halb der Versorgungsspannung der CMOS-Bus-Treiberschaltung
liegt. Zudem wird das am Bus auftretende Ausgangssignal
nicht beeinflußt, da nahezu kein Strom vom Ausgangssignal in
den Komparator fließt.
Im folgenden wird die Erfindung anhand bevorzugter Ausfüh
rungsformen, welche in der beigefügten Zeichnung dargestellt
sind, im einzelnen beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schaltbild einer Ausführungsform der erfin
dungsgemäßen CMOS-Bus-Treiberschaltung;
Fig. 2 ein detailliertes Schaltbild der in Fig. 1 darge
stellten Ausführungsform der erfindungsgemäßen
CMOS-Bus-Treiberschaltung;
Fig. 3 ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform der
erfindungsgemäßen CMOS-Bus-Treiberschaltung, die eine Wei
terbildung der in Fig. 2 dargestellten Ausführungsform dar
stellt.
Die in der Fig. 1 dargestellte Ausführungsform der erfin
dungsgemäßen CMOS-Bus-Treiberschaltung umfaßt eine
CMOS-Bus-Treibereinheit 16 (z. B. die LVC 161284 von Texas Instru
ments), einen Komparator 20 und einen steuerbaren Schalter
15.
Die CMOS-Bus-Treibereinheit 16 besitzt einen Eingang 12, der
dem Eingang der CMOS-Bus-Treiberschaltung entspricht, und
einen Ausgang 17, der mit einem Anschluß des steuerbaren
Schalters 15 verbunden ist. Am Ausgang der herkömmlichen
CMOS-Bus-Treibereinheit 16 befindet sich ein (nicht darge
stellter) CMOS-Inverter mit zwei Enhancement-Transistoren
unterschiedlichen Leitungstyps.
Die CMOS-Bus-Treiberschaltung wird von einer Spannungsquelle
mit einer Versorgungsspannung Vcc von 3,3 Volt gespeist. Die
am Treiberschaltungsausgang 14 anliegende Spannung ist mit
Vout bezeichnet.
Am Bus 10 sollen weitere (nicht dargestellte) Bus-Treiber
schaltungen angeschlossen sein, von denen zeitweise
Spannungen Vout an den Bus 10 angelegt werden, die über der
Versorgungsspannung Vcc der CMOS-Bus-Treiberschaltung lie
gen.
Der steuerbare Schalter 15 liegt zwischen dem Ausgang 17 der
CMOS-Bus-Treibereinheit 16 und dem Ausgang 14 der
CMOS-Bus-Treiberschaltung. Wenn der Schalter 15 geschlossen ist, ist
der Ausgang 17 (und damit der CMOS-Inverter) der
CMOS-Bus-Treibereinheit 16 mit dem Ausgang 14 der CMOS-Bus-Treiber
schaltung und über diesen auch mit dem Bus 10 verbunden. In
diesem Fall wird eine am Bus 10 auftretende (und von anderen
Bus-Treibern stammende) Spannung Vout, die unter Umständen
die Versorgungsspannung Vcc übersteigen kann, auch an den
Ausgang 17 der CMOS-Bus-Treibereinheit 16 angelegt. Ist der
Schalter 15 geöffnet, so ist die CMOS-Bus-Treibereinheit 16
vom Bus 10 entkoppelt. Das in der Fig. 1 dargestellte Schal
terelement 15 soll nur als ein Beispiel dafür dienen, wie
die Entkoppelung der CMOS-Bus-Treibereinheit 16 vom Bus 10
stattfinden kann. Natürlich sind auch andere Lösungen denk
bar, um den Ausgang des CMOS-Inverters der CMOS-Bus-Trei
bereinheit 16 hochohmig zu machen, z. B. kann der Schalter 15
auch in der CMOS-Bus-Treibereinheit 16 integriert werden.
Der Komparator 20 besitzt einen Referenzeingang 22, an dem
die Versorgungsspannung Vcc der CMOS-Bus-Treiberschaltung
liegt, einen Signaleingang 24, an dem die am Treiberschal
tungsausgang 14 anliegende Spannung Vout liegt und einen
Ausgang 26, der über eine Steuerleitung mit dem steuerbaren
Schalter 15 in Verbindung steht.
Das vom Komparator 20 abgegebene Steuersignal CNTRL soll
dazu dienen, die CMOS-Bus-Treibereinheit 16 vom Bus 10 zu
entkoppeln. Das Steuersignal CNTRL kann dazu den steuerbaren
Schalter 15 öffnen, wodurch die Verbindung zwischen dem Aus
gang 17 der CMOS-Bus-Treibereinheit 16 und dem Bus 10 ge
trennt wird.
Im folgenden wird die Arbeitsweise der erfindungsgemäßen
CMOS-Bus-Treiberschaltung beschrieben:
Die Einheit 16 arbeitet wie eine herkömmliche CMOS-Bus-Treibereinheit. Sie empfängt am Eingang 12 Datensignale und gibt am Ausgang 17 den Datensignalen entsprechende Span nungswerte ab, die über den Ausgang 14 der CMOS-Bus-Trei berschaltung an den Bus 10 angelegt werden und die die Ver sorgungsspannung Vcc der CMOS-Bus-Treiberschaltung in Höhe von 3,3 V nicht übersteigen.
Die Einheit 16 arbeitet wie eine herkömmliche CMOS-Bus-Treibereinheit. Sie empfängt am Eingang 12 Datensignale und gibt am Ausgang 17 den Datensignalen entsprechende Span nungswerte ab, die über den Ausgang 14 der CMOS-Bus-Trei berschaltung an den Bus 10 angelegt werden und die die Ver sorgungsspannung Vcc der CMOS-Bus-Treiberschaltung in Höhe von 3,3 V nicht übersteigen.
Der Komparator 20 vergleicht fortdauernd die am Treiber
schaltungsausgang 14 liegende Spannung Vout mit der Versor
gungsspannung Vcc der CMOS-Bus-Treiberschaltung.
Wenn nun an den Bus 10 von anderen Bus-Treiberschaltungen
Spannungswerte angelegt werden, die die Versorgungsspannung
Vcc der CMOS-Bus-Treiberschaltung übersteigen, also z. B. 5 V
betragen, so treten diese Spannungen Vout auch am Treiber
schaltungsausgang 14 der CMOS-Bus-Treiberschaltung sowie am
Signaleingang 24 des Komparators 20 auf. Der Komparator 20
gibt dann, da die an seinem Signaleingang auftretende Span
nung Vout die Versorgungsspannung Vcc der CMOS-Bus-Treiber
schaltung überschreitet, das Steuersignal CNTRL ab, durch
das die Bus-Treibereinheit 16 vom Bus 10 entkoppelt wird,
indem der steuerbaren Schalter 15 geöffnet wird, so daß die
Verbindung zwischen der CMOS-Bus-Treibereinheit 16 und dem
Bus 10 unterbrochen wird.
Durch das Entkoppeln der CMOS-Bus-Treibereinheit 16 vom Bus
10 wird der am Ausgang der CMOS-Bus-Treibereinheit 16 lie
gende (nicht dargestellte) CMOS-Inverter nicht mit der über
der Versorgungsspannung Vcc liegenden Spannung in Berührung
gebracht, so daß die Transistoren des CMOS-Inverters vor
Schaden bewahrt werden. Zudem werden Systemfehler vermieden,
die dadurch auftreten können, daß die Spannungsverhältnisse
zwischen dem Versorgungsspannungseingang der CMOS-Bus-Trei
bereinheit 16 und dem Ausgang 17 der CMOS-Bus-Treibereinheit
umgekehrt werden.
In der Fig. 2 ist die in Fig. 1 gezeigte Ausführungsform der
erfindungsgemäßen CMOS-Bus-Treiberschaltung detailliert dar
gestellt. Der Aufbau der in Fig. 2 dargestellten
CMOS-Bus-Treiberschaltung wird im folgenden beschrieben.
Der bei der in Fig. 2 beschriebenen Schaltung verwendete
Komparator 20 (gestricheltes Rechteck) enthält einen ersten
N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor N1, an dessen Gate-Anschluß
32 die Versorgungsspannung Vcc der CMOS-Bus-Treiberschaltung
liegt und der den Referenzeingang des Komparators 20 dar
stellt, sowie einen zweiten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor
N2, dessen Gate-Anschluß 52 über die Source-Drain-Strecke
44, 46 eines ersten P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors P1
mit der am Treiberschaltungsausgang 14 anliegenden Spannung
Vout in Verbindung steht und der den Signaleingang des Kom
parators 20 bildet. Der Drain-Anschluß 36 des ersten
N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors N1 ist mit dem Drain-An
schluß 46 des P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors P1 verbun
den. Am Drain-Anschluß 56 des zweiten N-Kanal-MOS-Feld
effekttransistors N2 liegt die Versorgungsspannung Vcc der
CMOS-Bus-Treiberschaltung. Die Source-Anschlüsse 34, 54 der
beiden N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistoren N1 und N2 sind am
Schaltungspunkt S4 miteinander verbunden. Die beiden
N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistoren N1 und N2 bilden ein Dif
ferenzpaar. Wenn N1 durchgeschaltet ist, ist N2 gesperrt und
umgekehrt.
Der Verbindungspunkt S4 ist über einen hochohmigen Wider
stand R1, dessen Widerstandswert im Vergleich zu den Wider
standswerten der Source-Drain-Strecken der MOS-Feldeffekt
transistoren P1 und N1 im leitenden Zustand sehr groß ist,
an Masse 60 angeschlossen. Die am Verbindungspunkt S4 auf
tretende Spannung wird zum Eingang 62 eines CMOS-Inverters
I1 geliefert, der an seinem Ausgang 64 das Steuersignal
CNTRL zur Steuerung des Schalters 15 abgeben kann. Wenn das
Signal CNTRL im L-Zustand ist, wird die CMOS-Bus-Treiber
einheit 16 wie oben beschrieben vom Bus 10 entkoppelt, wäh
rend dann, wenn das Signal CNTRL im H-Zustand (Vcc) ist, der
Ausgang 17 der CMOS-Bus-Treibereinheit 16 mit dem Bus 10
verbunden ist.
Der Gate-Anschluß 42 des ersten P-Kanal-MOS-Feldeffekt
transistors P1 ist mit einer Referenzspannung Vref verbun
den, die so eingestellt ist, daß der Transistor P1 nur dann
Strom führt, wenn die an seinem Source-Anschluß 44 liegende
Spannung Vout die Versorgungsspannung Vcc der
CMOS-Bus-Treiberschaltung übersteigt. Vorzugsweise wird die Referenz
spannung Vref durch eine Schaltung erzeugt, die aus einem
zweiten P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor P2 und einem zwei
ten Widerstand R2 besteht. Dabei liegt am Source-Anschluß
104 des zweiten P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors P2 die
Versorgungsspannung Vcc der CMOS-Bus-Treiberschaltung, und
der zweite Widerstand R2 ist zwischen den Drain-Anschluß 106
des zweiten P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors P2 und den
Masse-Anschluß 60 geschaltet. Die Referenzspannung Vref wird
am Verbindungspunkt S5 zwischen dem zweiten
P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor P2 und dem zweiten Widerstand R2 abge
griffen, wobei dieser Verbindungspunkt mit den Gate-An
schlüssen der beiden P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistoren P1
und P2 in Verbindung steht.
Im folgenden wird nun die Arbeitsweise der in Fig. 2 darge
stellten CMOS-Bus-Treiberschaltung beschrieben. Dabei werde
zunächst angenommen, daß die am Treiberschaltungsausgang 14
liegende Spannung Vout unterhalb der Versorgungsspannung Vcc
der CMOS-Bus-Treiberschaltung liegt. Dann befindet sich der
erste P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor P1 im gesperrten Zu
stand und der erste N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor N1 im
leitenden Zustand. Da dann kein Strom zum Masse-Anschluß 60
fließt, bleibt der Schaltungspunkt S4 auf Massepotential.
Das Ausgangssignal CNTRL des Inverters I1 befindet sich dann
im H-Zustand (Vcc). Der Ausgang 17 der CMOS-Bus-Treiberein
heit 16 ist dann mit dem Bus 10 verbunden.
Erreicht nun die Spannung Vout am Treiberschaltungsausgang
14 einen Wert, der über dem der Versorgungsspannung Vcc der
CMOS-Bus-Treiberschaltung liegt, dann wird der erste
P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor P1 leitend, so daß ein Strom
durch den Widerstand R1 zum Masse-Anschluß 60 fließt. Da
durch wird die am Schaltungspunkt S4 auftretende Spannung
erhöht. Der erste N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor N1 wird
nichtleitend, da seine Gate-Source-Spannung so weit abfällt,
daß sie den für den leitenden Zustand erforderlichen Span
nungswert unterschreitet. Die Spannung am Gate-Anschluß 52
des zweiten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors N2 übersteigt
dann die Versorgungsspannung Vcc, wodurch der Transistor N2
leitend wird und ein Strom zum Masse-Anschluß 60 fließt,
welcher durch den Widerstand R1 begrenzt wird. Am Eingang 62
des Inverters I1 tritt nun eine hohe Eingangsspannung auf,
wodurch das Ausgangssignal CNTRL des Inverters I1 auf den
L-Zustand umgeschaltet wird. Durch das Ausgangssignal CNTRL
wird, wie oben in Verbindung mit Fig. 1 beschrieben, die
CMOS-Bus-Treibereinheit 16 vom Bus 10 entkoppelt, so daß der
Ausgangstransistor der CMOS-Bus-Treibereinheit 16 vor Span
nungen Vout geschützt wird, die die Versorgungsspannung Vcc
überschreiten, und Systemfehler vermieden werden. Die
CMOS-Bus-Treibereinheit 16 bleibt solange im entkoppelten Zu
stand, bis die am Treiberschaltungsausgang 14 liegende Span
nung Vout wieder die Versorgungsspannung Vcc der
CMOS-Bus-Treiberschaltung unterschreitet.
Die oben beschriebene Schaltung der Fig. 2 erlaubt so eine
Überwachung der am Treiberschaltungsausgang 14 liegenden
Spannung bei äußert geringem Energieeinsatz, da lediglich
dann, wenn die am Treiberschaltungsausgang 14 liegende Span
nung Vout die Spannung der Spannungsquelle Vcc überschrei
tet, kurzzeitig ein Strom zum Masse-Anschluß 60 fließt. Da
zudem, wie bereits oben erwähnt, der Widerstand R1 im Ver
gleich zu den Widerständen der Source-Drain-Strecken 44, 46
und 34, 36 der Transistoren P1 bzw. N1 sehr groß gewählt
ist, fließt nur ein Strom geringer Stärke zur Masse. Außer
dem stört die Schaltung nicht das am Bus auftretende Aus
gangssignal (Vout), da praktisch kein Strom vom Ausgangs
signal in den Komparator fließt.
In der Fig. 3 ist eine weitere Ausführungsform der erfin
dungsgemäßen CMOS-Bus-Treiberschaltung dargestellt, die auf
der in Fig. 2 dargestellten Ausführungsform basiert und zu
sätzlich einen dritten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor N3
sowie zwei Schottky-Dioden D1 und D2 enthält. Die Arbeits
weise der in Fig. 3 dargestellten Schaltung entspricht im
wesentlichen der oben in Verbindung mit Fig. 2 beschriebenen
Schaltung, so daß im folgenden nur die Funktion der zusätz
lich eingefügten Elemente (N3, D1 u. D2) erklärt wird.
Die Source-Drain-Strecke 74, 76 des dritten
N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors N3 ist zwischen die
Source-Drain-Strecke 54, 56 des zweiten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor
N2 und die die Versorgungsspannung Vcc liefernde Spannungs
quelle geschaltet. Der Gate-Anschluß 72 des dritten
N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors N3 ist mit der am Treiberschal
tungsausgang 14 liegenden Spannung Vout verbunden. Der drit
te N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor N3 dient dazu, sicherzu
stellen, daß der Strompfad (54, 56) durch den zweiten
N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor N2 geöffnet wird, wenn das
Ausgangssignal Vout unter die Spannung der Spannungsquelle
Vcc absinkt. Der Strompfad (54, 56) durch den zweiten
N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor N2 wird nämlich nun auch dann
geöffnet, wenn die Spannung am Gate-Anschluß 52 des zweiten
N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors oberhalb oder nahe dem
Spannungswert Vcc bleibt. Es kann der Fall eintreten, daß
die Spannung am Gate-Anschluß 52 des zweiten
N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors N2 durch den ersten P-Kanal-MOS-Feld
effekttransistor P1 vor dem Zurückkehren in den ausgeschal
teten Zustand nicht auf oder unter den Spannungswert Vcc
gebracht wird. In diesem Falle geriete der Gate-Anschluß 52
des zweiten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors N2 in den
Floating-Zustand, d. h. die Spannung am Gate-Anschluß 52
bliebe oberhalb von Vcc und N2 bliebe im leitenden Zustand.
Dadurch bliebe die CMOS-Bus-Treibereinheit 16 selbst dann
vom Bus 10 entkoppelt, wenn die am Treiberschaltungsausgang
14 liegende Spannung Vout wieder unter Vcc absinkt. Um die
sen Fall auszuschließen, wurde der dritte N-Kanal-MOS-Feld
effekttransistor N3 wie oben beschrieben eingefügt.
Die Anode 82 der ersten zusätzlich eingefügten Schottky-Diode
D1 ist mit der Spannungsquelle Vcc verbunden und die
Anode 92 der zweiten zusätzlich eingefügten Schottky-Diode
D2 ist mit der am Treiberschaltungsausgang 14 liegenden
Spannung Vout verbunden. Die Katoden (84, 94) der beiden
Schottky-Dioden D1 und D2 sind jeweils mit dem Substrat des
ersten P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors P1 verbunden. Da
durch wird sichergestellt, daß das Substrat des ersten
P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors P1 immer auf dem höchsten
jeweils auftretenden Potential (Vcc oder Vout) liegt, und
die Substratdiode immer in Sperrichtung vorgespannt bleibt.
Die oben beschriebenen Ausführungsformen der erfindungs
gemäßen CMOS-Bus-Treiberschaltung werden bevorzugterweise in
Form einer integrierten Schaltung hergestellt.
Claims (6)
1. CMOS-Bus-Treiberschaltung, die von einer Spannung (Vcc)
versorgt wird und eine CMOS-Bus-Treibereinheit (16) enthält,
welche an einem Eingang (12) der CMOS-Bus-Treiberschaltung
Datensignale empfängt und an einem mit einem Bus (10) ver
bundenen Ausgang (14) der CMOS-Bus-Treiberschaltung den
Datensignalen entsprechende Spannungswerte abgibt, und da
rüber hinaus einen Komparator (20) enthält, an dessen Re
ferenzeingang (22) die Versorgungsspannung (Vcc) der
CMOS-Bus-Treiberschaltung und an dessen Signaleingang (24) eine
am Treiberschaltungsausgang (14) liegende Spannung (Vout)
liegt und der dann, wenn die am Treiberschaltungsausgang
(14) liegende Spannung (Vout) die Versorgungsspannung (Vcc)
der CMOS-Bus-Treiberschaltung überschreitet, an seinem Aus
gang (26) ein Steuersignal (CNTRL) abgibt, durch das die
CMOS-Bus-Treibereinheit (16) vom Bus (10) entkoppelt wird
dadurch gekennzeichnet, daß der Komparator (20)
- a) einen ersten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor (N1), an dessen Gate-Anschluß (32) die Versorgungsspannung (Vcc) der CMOS-Bus-Treiberschaltung liegt,
- b) einen ersten P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor (P1), an dessen Source-Anschluß (44) die am Treiberschaltungsausgang (14) liegende Spannung (Vout) liegt, dessen Drain-Anschluß (46) mit dem Drain-Anschluß (36) des ersten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (N1) verbunden ist und an dessen Gate-Anschluß (42) eine Referenzspannung (Vref) liegt,
- c) einen zweiten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor (N2), an dessen Drain-Anschluß (56) die Versorgungsspannung (Vcc) der CMOS-Bus-Treiberschaltung liegt, dessen Source-Anschluß (54) mit dem Source-Anschluß (34) des ersten N-Kanal-MOS-Feld effekttransistors (N2) und dessen Gate-Anschluß (52) mit dem Verbindungspunkt (S1) zwischen dem Drain-Anschluß (46) des ersten P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (P1) und dem Drain-Anschluß (36) des ersten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (N1) verbunden ist,
- d) einen ersten Widerstand (R1), der zwischen den Verbin dungspunkt (S4) zwischen dem Source-Anschluß (34) des ersten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (N1) und dem Source-An schluß (54) des zweiten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (N2) und Masse (60) geschaltet ist
- e) und einen CMOS-Inverter (I1) umfaßt, dessen Eingang (62) mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Source-Anschluß (54) des zweiten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (N2) und dem ersten Widerstand (R1) verbunden ist und an dessen Ausgang (64) das Steuersignal (CNTRL) zur Entkoppelung der CMOS-Bus-Treibereinheit (16) vom Bus abgegeben wird.
2. CMOS-Bus-Treiberschaltung nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß sie darüber hinaus eine Schaltung zur Er
zeugung der Referenzspannung (Vref) umfaßt, die aus einem
zweiten P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor (P2), an dessen
Source-Anschluß (104) die Versorgungsspannung (Vcc) der
CMOS-Bus-Treiberschaltung liegt, und einem zweiten Wider
stand (R2) besteht, der zwischen den Drain-Anschluß (106)
des zweiten P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (P2) und Masse
(60) geschaltet ist, wobei die Referenzspannung am Verbin
dungspunkt (55) zwischen dem zweiten P-Kanal-MOS-Feld
effekttransistor (P2) und dem zweiten Widerstand (R2) abge
griffen wird und der Gate-Anschluß (102) des zweiten
P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (P2) mit diesem Verbindungs
punkt (55) verbunden ist.
3. CMOS-Bus-Treiberschaltung nach Anspruch 1 oder Anspruch
2, dadurch gekennzeichnet, daß der Komparator (20) darüber
hinaus einen dritten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor (N3)
umfaßt, dessen Source-Drain-Strecke (74, 76) zwischen die
die Versorgungsspannung (Vcc) der CMOS-Bus-Treiberschaltung
lieferende Spannungsquelle und die Source-Drain-Strecke (54,
56) des zweiten N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (N2) ge
schaltet ist und an dessen Gate-Anschluß (72) die am Trei
berschaltungsausgang (14) anliegende Spannung (Vout) liegt.
4. CMOS-Bus-Treiberschaltung nach einem der Ansprüche 2 bis
3, dadurch gekennzeichnet, daß der Komparator (20) eine
erste Schottky-Diode (D1), an dessen Anode (82) die Versor
gungsspannung (Vcc) der CMOS-Bus-Treiberschaltung liegt und
deren Katode (84) mit dem Substrat des ersten
P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (P1) verbunden ist, und eine zweite
Schottky-Diode (D2) umfaßt, deren Anode (92) mit der am
Treiberschaltungsausgang (14) liegenden Spannung (Vout) und
deren Katode (94) mit dem Substrat des ersten
P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (P1) verbunden ist.
5. CMOS-Bus-Treiberschaltung nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sie eigen durch das
Steuersignal (CNTRL) des Komparators (20) gesteuerten Schal
ter (15) umfaßt, durch den die CMOS-Bus-Treibereinheit (16)
vom Bus (10) abgetrennt wird, wenn das Steuersignal (CNTRL)
zur Entkopplung der CMOS-Bus-Treibereinheit (16) vom Bus
(10) gesendet wird.
6. CMOS-Bus-Treiberschaltung nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sie als integrierte
Schaltung ausgebildet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19639635A DE19639635C1 (de) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | CMOS-Bus-Treiberschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19639635A DE19639635C1 (de) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | CMOS-Bus-Treiberschaltung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19639635C1 true DE19639635C1 (de) | 1998-07-09 |
Family
ID=7807007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19639635A Expired - Fee Related DE19639635C1 (de) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | CMOS-Bus-Treiberschaltung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19639635C1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000075794A1 (de) * | 1999-06-08 | 2000-12-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Interface zum ankoppeln eines busteilnehmers an die busleitung eines bussystems |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1992017830A1 (en) * | 1991-04-02 | 1992-10-15 | Asea Brown Boveri Ab | Analog interface unit |
-
1996
- 1996-09-26 DE DE19639635A patent/DE19639635C1/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1992017830A1 (en) * | 1991-04-02 | 1992-10-15 | Asea Brown Boveri Ab | Analog interface unit |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000075794A1 (de) * | 1999-06-08 | 2000-12-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Interface zum ankoppeln eines busteilnehmers an die busleitung eines bussystems |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3342336C2 (de) | Schnittstellenschaltung | |
DE102014118167B4 (de) | Analogschalter und Verfahren zum Steuern von Analogschaltern | |
DE69839067T2 (de) | Regelwandlerschaltung und integrierte Halbleiterschaltung, in der diese verwendet wird | |
DE3817116A1 (de) | Ttl-kompatible ausgangs-pufferschaltung | |
DE2534181A1 (de) | Schaltungsanordnung zur anpassung von spannungspegeln | |
DE3817158A1 (de) | Integrierte, in zusammengesetzter halbleiter-technologie ausgefuehrte schaltung | |
DE4107870C2 (de) | ||
DE19813707C2 (de) | Spannungspegelumformschaltung | |
DE3630679C2 (de) | ||
DE4221283C2 (de) | CMOS-Ausgangstreiber mit schwimmender Wanne | |
DE69738366T2 (de) | Pull-Up-Schaltung und damit ausgerüstete Halbleitervorrichtung | |
DE2925331C2 (de) | Integrierte Schaltung mit mehrfach benutzbaren Anschlüssen | |
DE112019003896B4 (de) | LDO-Spannungsreglerschaltung mit zwei Eingängen, Schaltungsanordnung und Verfahren mit einer derartigen LDO-Spannungsreglerschaltung | |
DE3817115A1 (de) | Kondensatorgekoppelte gegentakt-logikschaltung | |
EP0735493B1 (de) | Bus-Treiberschaltung | |
DE102004055452B4 (de) | Ausgangsschaltung | |
DE19639635C1 (de) | CMOS-Bus-Treiberschaltung | |
DE3817134A1 (de) | Feldeffekt-transistor-logikschaltung | |
DE69630018T2 (de) | Logische schaltung für niedrige spannungen | |
DE4107332A1 (de) | Integrierte bustreiberschaltung | |
DE2000666A1 (de) | Taktgenerator | |
DE4020187A1 (de) | Ansteuerschaltung fuer eine transistorvorrichtung | |
DE19713832C1 (de) | Eingangsverstärker für Eingangssignale mit steilen Flanken | |
DE3634070C2 (de) | ||
DE3330559A1 (de) | Ausgangsschaltung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8100 | Publication of the examined application without publication of unexamined application | ||
D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20130403 |