DE19639431C2 - Verfahren zur Herstellung von integrierten Schaltungen mit Standardzellen, bei dem die Kanallänge von Transistoren nachträglich festgelegt wird - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von integrierten Schaltungen mit Standardzellen, bei dem die Kanallänge von Transistoren nachträglich festgelegt wirdInfo
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
Description
Beim Standardzellenentwurf wird üblicherweise mittels einer
Zellbibliothek eine endliche Anzahl von Zellen mit festen
Transistordimensionierungen für die Synthese bzw. für das De
sign zur Verfügung gestellt. Diese diskreten Transistordimen
sionierungen ermöglichen normalerweise nicht, daß die Schalt
geschwindigkeit der entworfenen Schaltung genau der durch das
System geforderten Schaltgeschwindigkeit entspricht. Falls
die Gatter in einem kritischen Pfad, die geforderte Schaltge
schwindigkeit nicht erreichen, müssen diese Gatter durch Gat
ter mit einer größeren Treiberstärke ersetzt werden. Durch
die wenigen diskreten Transistorabstufungen, die in einer üb
lichen Standardzellenbibliothek für einen Gattertyp zur Ver
fügung gestellt werden, wird in den meisten Fällen die Ge
schwindigkeitsanforderung des Systems übererfüllt und somit
ist die Verlustleistungsaufnahme der Schaltung größer als
notwendig.
Aus der JP 6-140505 (A) ist ein Verfahren zum Herstellen ei
ner integrierten Schaltung bekannt, bei dem entsprechend ei
nes Logikplans für die integrierte Schaltung Standardzellen
aus einer Zellbibliothek entnommen werden und in entsprechen
de Anordnungen von Layout-Bereichen umgesetzt werden und bei
dem nachträglich nach einer Plazierung und Verdrahtung der
Standardzellen eine Anpassung der Höhe der Standardzellen
derart vorgenommen wird, dass die integrierte Schaltung be
stimmte geforderte Eigenschaften erhält.
Aus der JP 799 293 A (entsprechend US 5 796 129 A) ist ein
gattungsgemäßes Verfahren bekannt, bei welchem nachträglich nach
einer Plazierung und Verdrahtung der Standardzellen noch
freie im wesentlichen kontinuierlich veränderbare geometrische
Parameter wie die Kanalbreite von MOS-Transistoren oder
die Zellenhöhe so festgelegt werden, dass die integrierte
Schaltung die geforderten Eigenschaften erhält.
Ein weiteres Verfahren ist schließlich aus der JP 5-55381 (A)
bekannt, bei welchem jedoch die nachträgliche Anpassung der
art vorgenommen wird, dass die Breite einer Leistungsversor
gungsleitung und einer Masseleitung angepasst werden.
Bei diesen im Stand der Technik bekannten Verfahren zeigt
sich jedoch bisweilen, dass die nachträgliche Anpassung zu
keinem befriedigenden Ergebnis führt. Dies kann darin begrün
det sein, dass die Möglichkeiten bzw. die Freiheitsgrade der
Anpassung nicht ausreichend sind. Oftmals können nicht genü
gend Parameter für eine nachträgliche Anpassung bereitge
stellt werden.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht nun darin,
bei einem gattungsgemäßen Verfahren zum Herstellen einer in
tegrierten Schaltung die Möglichkeiten bzw. Freiheitsgrade
einer nachträglichen Anpassung zu verbessern. Insbesondere
besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, einen
weiteren Parameter für eine nachträgliche Veränderung oder
Anpassung bereitstellen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des Pa
tentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen des Ver
fahrens ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen näher erläutert.
Dabei zeigt
Fig. 1 ein nicht erfindungsgemäßes Beispiel einer hinsicht
lich der Transistorweiten parametrisierbaren Stan
dardzelle im Vergleich zu einer üblichen Standardzel
le mit festen Transistorweiten,
Fig. 2 eine hinsichtlich der Kanallänge parametrisierbare
Standardzelle im Vergleich zu einer üblichen Stan
dardzelle mit fester Kanallänge,
Fig. 3 eine Standardzelle mit hinsichtlich der Breite und
Lage der Versorgungsspannungsbahnen parametrisierba
ren Standardzelle im Vergleich zu einer Standardzelle
mit festen Leiterbahnbreiten der Versorgungsspannung,
Fig. 4 zwei Standardzellen mit hinsichtlich ihrer gegensei
tigen Lage parametrisierbarer Standardzellen,
Fig. 5 zwei Standardzellen mit parametrisierbarer Zellen
breite zur Erzeugung zusätzlicher Überverdrahtungs
bahnen (feedthrough),
Fig. 6 zwei Standardzellen mit hinsichtlich der Länge para
metrisierbaren Polysiliziumbereichen zur Herstellung
einer interne Verbindung von Bereichen zweier Stan
dardzellen mit Hilfe von Polysiliziumbereichen,
Fig. 7 zwei Standardzellen mit hinsichtlich der Länge para
metrisierbarer Polysiliziumbereichen zur Herstellung
einer internen Verbindung zwischen den Standardzellen
mit zusätzlichem Ausgangsviahole für den Zwischenkno
ten und
Fig. 8 zwei Standardzellen mit hinsichtlich der Länge para
metrisierbarer Aluminiumbereichen zur internen Ver
bindung der zwei Standardzellen.
In Fig. 1 sind zwei Standardzellen Z und Z' in Form von In
verterschaltungen dargestellt, wobei die linke Standardzelle
Z einen p-Kanal-MOS-Transistor T10 und einen n-Kanal-
Transistor T2 mit jeweils von einem Gate G überdeckten Kanal
bereich einer Weite W10 aufweist. Ein Invertereingang E ist
dabei mit dem Gate G kontaktiert und jeweils ein Anschluß der
Transistoren T10 und T2 ist über eine Aluminiumbahn mit einem
Ausgang A verbunden. Ein weiterer Anschluß des Transistors
T10 ist mit einer Aluminiumleiterbahn für die Versorgungs
spannung VSUP1 und ein weiterer Anschluß des Transistors T2
ist mit einer Aluminiumleiterbahn für die Versorgungsspannung
VSUP2 verbunden. Die rechte Standardzelle Z' von Fig. 1 un
terscheidet sich von der linken Standardzelle in Fig. 2
durch die unterschiedlich weit ausgebildeten Transistoren
T1', T2', wobei das verbreiterte Kanalgebiet des Transistors
T1' eine Weite W1' und das verbreiterte Kanalgebiet des Tran
sistors T2' eine Weite W2' aufweist, die größer sind als die
Weite W10. In Fig. 1 wird also nachträglich die Weite des
vom Gate überdeckten Kanalbereiches von der Weite W10 auf die
im allgemeinen unterschiedlichen Weiten W1' und W2' vergrö
ßert. Die Weite des Transistors T2 könnte ebenfalls gegenüber
der Weite W10 des Transistors T10 vergrößert/verkleinert wer
den.
Durch das erfindungsgemäße Entwurfsverfahren wird das erzeug
te Layout, also die Anordnung der einzelnen Bereiche für Ver
bindungsbahnen, Kontaktierungen, Oxidschichten und Dotie
rungsbereiche, nach dem Plazieren und Verdrahten der Stan
dardzellen noch nachträglich hinsichtlich der elektrischen
Eigenschaften der integrierten Schaltung wie zum Beispiel
Verarbeitungsgeschwindigkeit, Stromergiebigkeit oder ähnli
chem angepaßt, bevor eine Übertragung auf ein entsprechendes
Halbleitermaterial, mit beispielsweise einem photolithogra
phischen Verfahren, erfolgt. Das Wort "nachträglich" ist in
den weiteren Ausführungen entsprechend zu verstehen.
In Fig. 1 ist ferner angedeutet, daß trotz einer Parametri
sierung von bestimmten Layout-Bereichen auch Bereiche, hier
die Versorgungsspannungsleitungen VSUP1 und VSUP2 nicht ent
sprechend mit angepaßt werden, sondern ihre ursprüngliche La
ge und/oder Größe beibehalten, wenn beispielsweise die Zel
lenhöhe H der Zelle Z auf die Zellenhöhe H' der Zelle Z'
nachträglich vergrößert wird. Dies bedeutet, daß sowohl die
Möglichkeit besteht, daß durch eine Parametrisierung einzel
ner Layout-Bereiche die anderen Layout-Bereiche einer Stan
dardzelle mit angepaßt werden oder aber wie ursprünglich vor
gegeben bestehenbleiben.
In Fig. 2 sind zwei Standardzellen in Form von Inverter
schaltungen dargestellt, wobei die linke Standardzelle einen
p-Kanal-MOS-Transistor T10 und einen n-Kanal-Transistor T2
mit jeweils von einem Gate G überdeckten Kanalbereich einer
Länge L aufweist. Ein Invertereingang E ist dabei mit dem Ga
te G kontaktiert und jeweils ein Anschluß der Transistoren
T10 und T2 ist über eine Aluminiumbahn mit einem Ausgang A
verbunden. Ein weiterer Anschluß des Transistors T10 ist mit
einer Aluminiumleiterbahn für die Versorgungsspannung VSUP1
und ein weiterer Anschluß des Transistors T2 ist mit einer
Aluminiumleiterbahn für die Versorgungsspannung VSUP2 verbun
den. Die rechte Standardzelle von Fig. 2 unterscheidet sich
von der linken Standardzelle in Fig. 2 durch die unter
schiedlich ausgebildeten Transistoren T1', T2' die ein Gate
G' mit verbreiterten Teilbereichen über den Kanalgebieten
aufweist, wobei das verbreiterte Kanalgebiet eine Länge L'
aufweist, die größer ist als die Länge L. In Fig. 1 wird al
so nachträglich die Länge des vom Gate überdeckten Kanalbe
reiches bei beiden Transistoren von der Länge L auf die Länge
L' vergrößert.
In Fig. 3 ist dargestellt, daß die Leiterbahnen für die
VSUP1 und VSUP2 für die Versorgungsspannungen nachträglich zu
Leitungen VSUP1' und VSUP2' für Versorgungsspannungen ver
breitert werden, falls der Leitungswiderstand zu groß ist
oder höhere Ströme erforderlich sind. Bei sogenannten Double-
Row-Standardzellen können dabei, wie in Fig. 4 angedeutet,
Leiterbahnen VSUP2 und VSUP2" nachträglich zu einer gemein
samen Leiterbahn verbunden werden. Desweiteren kann die Lage
der Versorgungsbahnen nachträglich verschoben werden.
Darüber hinaus können die Zellenbreiten der Standardzellen
parametrisiert werden, wodurch die internen Bereiche der
Standardzellen so weit auseinander rücken können, daß ein so
genannter Feedthrough zwischen benachbarten Gattern gebildet
werden kann. Die Fig. 5 weist dabei eine linke Zelle mit ei
ner Breite B + B1 eine Inverterstruktur mit einem Eingang E1
und einem Ausgang A1 und eine rechte Standardzelle mit einer
Breite B + B2 eine Inverterstruktur mit einem Eingang E2 und
einem Ausgang A2 auf, wobei die linke Zelle der Fig. 5 auf
der linken Seite eine nachträgliche Verbreiterung um B1 und
die rechte Zelle auf der rechten Seite um B2 erfährt. In die
sem Verbreiterungsbereich können sogenannte zusätzliche Über
verdrahtungen (feed through) realisiert werden
In Fig. 6 sind zur Erläuterung des erfindungsgemäßen Verfah
rens zwei unmittelbar nebeneinander liegende unterschiedliche
Standardzellen für Inverterschaltungen dargestellt, wobei am
Ausgang der ersten Inverterschaltung ein Polysiliziumbereich
LOCCON1' und am Eingang der zweiten Standardzelle ein Polysi
liziumbereich LOCCON2' vorgesehen ist und beide Polysilizium
bereiche in ihrer Länge variabel sind, wodurch bei Bedarf
nachträglich eine lokale Verbindung zwischen der ersten und
zweiten Standardzelle und damit eine Reihenschaltung zweier
Inverter herstellbar ist. Darüber hinaus ist in Fig. 2 ange
deutet, daß innerhalb einer jeweiligen Standardzelle die Ka
nalweite W1 beim Transistor T1 und die Weite W2 beim Transi
stor T2 bzw. die Weite W1' beim Transistor T1" und die Weite
W2' beim Transistor T2 nachträglich unterschiedlich groß ge
wählt werden können. Das heißt, die Transistorweiten inner
halb einer Standardzelle und bei unterschiedlichen Standard
zellen können zueinander unterschiedlich gewählt werden.
In Fig. 7 ist, nicht wie bei Fig. 6 nur eine Polysilizium
verbindung, sondern zusätzlich noch eine direkte Kontaktie
rung des Zwischenknotens realisiert. Die nachträglich in ih
rer Länge parametrisierbaren Polysiliziumgebiete sind in diesem
Fall mit LOCCON1 und LOCCON2 und das zusätzliche Viahole
des Zwischenknotens mit AZ bezeichnet.
In Fig. 8 ist in einer linken Standardzelle, die unmittelbar
an eine rechte Standardzelle angrenzt am Ausgang des Inver
ters der ersten Standardzelle ein Aluminiumverbindungsgebiet
LOCCON1" und am Eingang des Inverters der linken Standard
zelle ist ein Aluminiumbereich LOCCON2" vorgesehen, die bei
de in ihrer Länge so parametrisiert werden können, daß auf
diese Weise nachträglich lokal eine Verbindung zwischen dem
Ausgang des ersten Inverters und dem Eingang des zweiten In
verters, also eine Reihenschaltung von Invertern im nachhin
ein entsteht. Wie in Fig. 8 beispielhaft gezeigt, kann dabei
auf eine Ausgangskontaktierung verzichtet werden und eine
Aluminiumleiterbahn zwischen den Transistoren T1 und T2 di
rekt an das Verbindungsgebiet LOCCON1" angrenzen und in der
zweiten Standardzelle beispielsweise das Aluminiumgebiet
LOCCON2" mit der Eingangskontaktierung des Inverters der
rechten Standardzelle kontaktiert sein. Die lokalen Verbin
dungselemente können also beispielsweise nach einer Plazie
rung und Verdrahtung auf lokaler Ebene zum Beispiel eine Rei
henschaltung von Gattern bewirken.
Claims (5)
1. Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung mit
Standardzellen, bei dem
entsprechend eines Logikplans für die integrierte Schaltung Standardzellen (Z, Z') aus einer Zellenbibliothek entnommen werden, und
in entsprechende Anordnungen von Layout-Bereichen (E, A, G, VSUP1, VSUP2, T10, T2 . . .) umgesetzt werden, und
bei dem nachträglich nach einer Plazierung und Verdrahtung der Standardzellen noch freie geometrische Parameter (L, L', LOCCON1, LOCCON2, B1, B2, . . .) der Standardzellen so festgelegt werden, daß die integrierte Schaltung genau die geforderten Eigenschaften erhält,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Kanallänge (L, L') von Transistoren (T1, T1', T2, T2') als noch freier geometrischer Parameter nachträglich fest gelegt wird.
entsprechend eines Logikplans für die integrierte Schaltung Standardzellen (Z, Z') aus einer Zellenbibliothek entnommen werden, und
in entsprechende Anordnungen von Layout-Bereichen (E, A, G, VSUP1, VSUP2, T10, T2 . . .) umgesetzt werden, und
bei dem nachträglich nach einer Plazierung und Verdrahtung der Standardzellen noch freie geometrische Parameter (L, L', LOCCON1, LOCCON2, B1, B2, . . .) der Standardzellen so festgelegt werden, daß die integrierte Schaltung genau die geforderten Eigenschaften erhält,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Kanallänge (L, L') von Transistoren (T1, T1', T2, T2') als noch freier geometrischer Parameter nachträglich fest gelegt wird.
2. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass
Längen von Layout-Bereichen (LOCCON1, . . ., LOCCON2") nach
träglich so festgelegt werden, daß lokale Verbindungen zwi
schen Standardzellen entstehen.
3. Verfahren nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, dass
die nachträglich in ihrer Länge festgelegten Layout-
Bereiche (LOCCON1, . ., LOCCON2') aus Polysilizium bestehen.
4. Verfahren nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, dass
die nachträglich in ihrer Länge festgelegten Layout-
Bereiche (LOCCON1", LOCCON2") aus Aluminium bestehen.
5. Verfahren nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, dass
lokale Verbindungen nachträglich zusätzlich noch eine Kon
taktierung (AZ) erhalten.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996139431 DE19639431C2 (de) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | Verfahren zur Herstellung von integrierten Schaltungen mit Standardzellen, bei dem die Kanallänge von Transistoren nachträglich festgelegt wird |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996139431 DE19639431C2 (de) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | Verfahren zur Herstellung von integrierten Schaltungen mit Standardzellen, bei dem die Kanallänge von Transistoren nachträglich festgelegt wird |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19639431A1 DE19639431A1 (de) | 1998-04-02 |
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ID=7806880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE1996139431 Expired - Fee Related DE19639431C2 (de) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | Verfahren zur Herstellung von integrierten Schaltungen mit Standardzellen, bei dem die Kanallänge von Transistoren nachträglich festgelegt wird |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19639431C2 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10025583A1 (de) | 2000-05-24 | 2001-12-06 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Optimierung integrierter Schaltungen, Vorrichtung zum Entwurf von Halbleitern und Programmobjekt zum Entwerfen integrierter Schaltungen |
DE10326716A1 (de) * | 2003-06-06 | 2005-01-05 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum automatischen Entwurf einer modifizierten Standardzelle für ein Halbleiterbauelement |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0555381A (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-05 | Kawasaki Steel Corp | 半導体集積回路設計方法および装置 |
JPH06140505A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH0799293A (ja) * | 1993-08-03 | 1995-04-11 | Seiko Epson Corp | マスタースライス方式集積回路装置及びその製造方法 |
US5796129A (en) * | 1993-08-03 | 1998-08-18 | Seiko Epson Corp. | Master slice type integrated circuit system having block areas optimized based on function |
-
1996
- 1996-09-25 DE DE1996139431 patent/DE19639431C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
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Publication number | Publication date |
---|---|
DE19639431A1 (de) | 1998-04-02 |
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