-
Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Überprüfung von
Defekten in Photomasken, die zum Beispiel bei verschiedenen Arten von
Strukturbildungstechniken usw. bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen
verwendet werden.
-
Eine
Photomaske, die beim Strukturübertragungsverfahren,
d.h. dem sog. Lithographieverfahren bei der Produktion von Halbleiterbauelementen verwendet
wird, wird für
den Zweck einer Übertragung
einer darauf ausgebildeten Struktur auf ein auf einem wafer ausgebildetes
Resistmaterial benutzt. Es ist normalerweise unmöglich, Defekte auf der auf der
Photomaske ausgebildeten Struktur vollständig zu beseitigen, so daß eine Strukturdefektüberprüfung hauptsächlich durch
ein wie folgt beschriebenes Verfahren ausgeführt wird. Bei der folgenden
Beschreibung meint der Begriff „Struktur" eine auf einer Photomaske ausgebildete
Struktur, sofern diese nicht anders definiert ist.
-
Erst
wird die Photomaske mit Lichtstrahlen bestrahlt und die durch die
Struktur übertragenen Lichtstrahlen
werden durch einen Photodetektor wie einen CCD-Sensor oder einen
Photomultiplier erfaßt und
die Struktur als Lichtintensitätsverteilung
wiedergegeben. Wenn irgendein Defekt in der Struktur vorhanden ist,
zeigt die als die Struktur wiedergegebene Lichtintensitätsverteilung
verschiedene Änderungen in
Abhängigkeit
von der Größe oder
der Art des Defektes an. Diese Änderungen
in der Lichtintensitätsverteilung
werden durch die beiden folgenden Defektüberprüfungsverfahren als Defekt erkannt:
Das
erste Defektprüfungsverfahren
(das als „die-to-die"-Verfahren bezeichnet
wird) wird in einem Fall angewandt, in dem mehrere Strukturen derselben
Konfiguration auf einer Photomaske vorhanden sind. Bei diesem ersten
Defektüberprüfungsverfahren
wird die Lichtintensität,
die sich aufgrund der Strukturdefekte geändert hat, mit einer Lichtintensitätsverteilung
verglichen, die durch eine Struktur derselben Konfiguration ohne
Defekt gebildet wird, die in einem anderen Abschnitt der Photomaske
angeordnet ist. Jeder Defekt in der Struktur wird durch die Differenz
zwischen diesen Lichtintensitätsverteilungen erkannt.
-
Bei
dem zweiten Defektprüfungsverfahren (das
als „die-to-data-base"-Verfahren bezeichnet wird),
wird die aufgrund eines Strukturdefekts geänderte Lichtverteilung, wie
in dem Strukturdefektüberprüfungsflußdiagramm
von 1 gezeigt ist, mit Strukturdaten verglichen, und
jeder Defekt in der Struktur wird als solcher erkannt durch die
Differenz zwischen der Lichtintensitätsverteilung und den Strukturdaten.
Hier werden die Strukturdaten zuerst verwendet, um eine Struktur
auf der Photomaske durch einen Elektronenstrahl, einen Laserstrahl
oder dergleichen zu bilden. Bei der Defektprüfung werden diese Strukturdaten
zum Vergleich mit der Lichtintensitätsverteilung verwendet.
-
Die
herkömmlichen
Prüfverfahren
haben die folgenden Nachteile:
Aufgrund der jüngsten Zunahme
der Chipgröße von Halbleiterbauelementen
wird es unmöglich,
mehrere Muster der gleichen Konfiguration auf einer Photomaske anzuordnen,
was bedeutet, daß es
nur möglich
ist, eine einzige Struktur auf einer Photomaske auszubilden. So
wird es praktisch unmöglich,
das erste Defektprüfungsverfahren
anzuwenden. Daher bleibt nichts anderes übrig, als das zweite Defektprüfverfahren
anzuwenden. Jedoch hat das zweite Defektprüfverfahren die folgenden Nachteile:
Erstens
nähert
sich heute die Strukturgröße der Wellenlänge des
Lichts einer Bestrahlungsquelle, wie etwa einem Stepper, an. Wenn
die Strukturgröße so abnimmt,
wird es unmöglich,
daß die
auf der Photomaske ausgebildete Strukturanordnung exakt auf den
Resist auf dem Wafer übertragen
wird aufgrund eines physikalischen Phänomens, das „light
proximity"-Effekt
heißt.
Angesichts dessen wird ein Korrekturverfahren, das im allgemeinen
light proximity effect-Korrektur genannt wird, auf die Struktur
angewandt, um eine Verbesserung der Genauigkeit, mit der die Struktur
auf der Photomaske auf den Resist auf dem Wafer übertragen wird, zu erreichen.
-
Diese
light proximity effect-Korrektur kann auf verschiedene Arten ausgeführt werden.
Normalerweise werden die folgenden Verfahren verwendet: Ein Verfahren,
bei dem eine winzige Struktur zu der Struktur hinzugefügt wird;
ein Verfahren, bei dem eine winzige Struktur von der Struktur entfernt
wird; ein Verfahren, bei dem eine winzige Struktur in der Nähe der Struktur
hinzugefügt
wird; und ein Verfahren, bei dem die Strukturgröße lokal erhöht oder
verringert wird. Diese light proximity effect-Korrektur wird zum
Zweck der so genau wie möglichen Übertragung
einer gewünschten
Strukturanordnung auf den Resist auf dem Wafer durch Korrektur der
Struktur ausgeführt.
Allgemein gesagt, wird die Korrektur in vielen Fällen mit einem winzigen Muster,
das kleiner ist als die Wellenlänge
des Bestrahlungslichts, ausgeführt.
Bei einer Lichtintensitätsverteilung,
die erhalten wird von einer durch die light proximity effect-Korrektur
korrigierten Struktur, wird die winzige Korrekturstruktur und die
lokale Zunahme oder Abnahme der Strukturgröße nicht exakt wiedergegeben aufgrund
der Lichtbrechung. So wird unvermeidlich eine Differenz entsprechend
der Korrektursturktur zwischen den Strukturdaten, die mit einer
winzigen Korrekturstruktur oder einer lokalen Zunahme oder Abnahme
der Strukturgröße exakt wiedergegeben wird
und der Lichtintensitätsverteilung
erzeugt, so daß es
bei dem zweiten herkömmlichen
Defektprüfverfahren
unvermeidlich ist, daß die
winzige Korrekturstruktur oder die lokale Zunahme oder Abnahme der
Strukturgröße fehlerhaft
als imaginärer
Defekt erfaßt
wird.
-
Zweitens
ist heutzutage, um die Auflösung
in der Nähe
der Wellenlängengrenze
des Bestrahlungslichts einer Bestrahlungsquelle wie einem Stepper
zu verbessern, die Verwendung einer Phasenverschiebungsmaske zu
berücksichtigen.
Die Phasenverschiebungsmaske kann verschiedenen Typs sein, einschließlich einem
Typ, bei dem die Phasen abwechselnd angeordnet sind (Revenson Typ),
einem Kantenverstärkungstyp,
einem Hilfsstrukturtyp, einem Halbtontyp, einem Farblostyp usw.
Wenn das zweite herkömmliche
Defektprüfungsverfahren
verwendet wird, wird die Erfassung von transparenten Defekten verschiedener
Phasen bei Verwendung einer dieser Typen schwierig auszuführen. Allgemein ausgedrückt ist
die Wellenlänge
des Bestrahlungslichts im Wellenlängenbereich von nahem Ultraviolett-
bis zu Ultraviolettstrahlen. Die Wellenlänge der zur Defektprüfung verwendeten
Lichtquelle ist normalerweise im sichtbaren Bereich. Auch in dem
Fall, wenn ein Defekt eine relativ große Phasendifferenz im Bereich
des nahen UV bis zum UV hervorruft, nimmt daher die Phasendifferenz
bei der Wellenlänge,
bei der die Defektprüfung
ausgeführt
wird, ab, mit dem Ergebnis, daß es
ziemlich schwierig ist, daß ein derartiger
Defekt in der Struktur reflektiert wird aufgrund der bei dem bei
der Defektprüfung
verwendeten Licht wiedergegebenen Lichtintensitätsverteilung.
-
Ferner
wird bei einer Phasenverschiebungsmaske des Hilfsstrukturtyps die
Hilfsstruktur im allgemeinen mit einer geringeren Größe als der
Wellenlänge
des Bestrahlungslichts zum Zwecke der exakteren Reflexion der durch
Beseitigung der Hilfsstruktur auf dem wafer erhaltenen Konfiguration
ausgebildet. So wird unvermeidlich eine Differenz entsprechend der
Hilfsstruktur zwischen einer von einer solchen Struktur erhaltenen
Intensitätsverteilung
und den Strukturdaten erzeugt, so daß es bei dem zweiten herkömmlichen
Defektprüfverfahren
unvermeidlich ist, daß ein
imaginärer
Defekt fehlerhaft als Defekt erkannt wird, auch wenn kein Defekt
vorhanden ist.
-
Weiterhin
tritt bei einer Phasenverschiebungsmaske, bei der ein Phasenverschiebungsabschnitt
durch Gravieren eines Glassubstrats ausgebildet wird, Reflexion
und Interferenz von Licht ein physikalisches Phänomen, das allgemein als Phasenverschiebungs
(waveguide)-Effekt bezeichnet wird) an der seitlichen Wand des Phasenverschiebungsabschnitts
mit dem Resultat auf, daß eine
Differenz zwischen den Strukturdaten und der als Lichtintensitätsverteilung
wiedergegebenen Struktur erzeugt wird, wodurch eine Defektprüfung erschwert wird.
-
Abgesehen
davon ist die Verwendung einer Phasenverschiebungsmaske des Halbtontyps,
die wirksam für
eine isolierte Struktur ist, insbesondere in Betracht zu ziehen.
Bei einer Phasenverschiebungsmaske des Halbtontyps wird eine Struktur
ausgebildet, die aus einem durchscheinenden Bereich, der eine Transmission
von ungefähr
4 % bis 20 % des Lichts erlaubt und einem Lichtübertragungsbereich besteht.
Der Lichttransmissionsgrad des durchscheinenden Bereiches wird in Übereinstimmung
mit der Wellenlange des Bestrahlungslichts des Steppers oder dgl.
gewählt.
Jedoch nimmt bei der Wellenlänge des
für die
Defektprüfung
verwendeten sichtbaren Lichts der Lichttransmissionsgrad des durchscheinenden
Bereiches zu. Es wird daher bei der Defektprüfung keine Lichtintensitätsverteilung
erhalten, so daß die
Defektprüfung
selbst oft unmöglich
gemacht wird.
-
Drittens
werden heutzutage zur Verbesserung der Auflösung nahe der Wellenlängengrenze des
Bestrahlungslichts eines Bestrahlungsgerätes wie etwa einem Stepper
Verfahren in Betracht gezogen, bei denen die Konfiguration der Bestrahlungslichtquelle
verändert
oder ein Filter in die Pupillenebene der Linse eingefügt wird.
Bei diesen Verfahren erfordert die Struktur oft eine Korrekturstruktur
oder eine Hilfsstruktur, so daß das
gleiche Problem, das oben beschrieben wurde, auftritt.
-
Es
ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Strukturdefektprüfverfahren
vorzuschlagen, das weder durch die Existenz einer Korrekturstruktur
oder einer Hilfsstruktur noch durch den waveguide-Effekt beeinflußt ist,
und das es immer möglich
macht, einen Defekt einer auf einer Photomaske ausgebildeten Struktur
unabhängig
von dem Typ der Photomaske zu erfassen.
-
Um
die obige Aufgabe zu lösen,
schlägt
die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Prüfung von Defekten einer auf
einer Photomaske ausgebildeten Struktur vor, wobei die Lichtintensitätsverteilung
aufgrund des durch die Photomaske übertragenen Lichts mit einer
Lichtintensitätsverteilung
verglichen wird, die auf Basis von Strukturdaten berechnet wird, wobei
jeder Defekt der auf der Photomaske ausgebildeten Struktur erfaßt werden
kann.
-
Die
Berechnung der Lichtintensitätsverteilung
auf Basis der Strukturdaten kann ausgeführt werden durch ein an sich
bekanntes Simulationsverfahren, basierend auf einer skalaren Streutheorie oder
einer Vektorstreutheorie, beispielsweise die Simulation basierend
auf der Teilkohärenztheorie,
vorgeschlagen von H. H. Hopkins oder dem wie in „Understanding High Numerical
Aperture Optical Lithography",
Microelectronic Engineering, Vol. 17 (1992), pp. 105-108 by D. G.
Flagell, A. E. Rosenblush, C. Progler, and J. Armitage beschriebenen
Verfahren.
-
Bei
dem erfindungsgemäßen Strukturdefektprüfverfahren
ist es wünschenswert,
daß die
Wellenlange des durch die Photomaske übertragenen Lichts die gleiche
ist wie die Wellenlänge
des Bestrahlungslichts, das verwendet wird zur Übertragung der Struktur auf
den wafer.
-
Die
Photomaske kann von jedem Typ sein, z.B. kann eine Phasenverschiebungsmaske
oder eine Halbton-Phasenverschiebungsmaske verwendet werden.
-
Bei
dem zweiten herkömmlichen
Defektprüfverfahren,
das oben beschrieben wurde, wird jeder Defekt in einer auf einer
Photomaske ausgebildeten Struktur erfaßt durch Vergleich der Lichtintensitätsverteilung
aufgrund des durch die Photomaske transmittierten Lichts mit Strukturdaten.
Bei dem erfindungsgemäßen Strukturfehlerprüfverfahren
wird im Gegensatz dazu jeder auf einer Photomaske vorhandene Fehler
durch Vergleich der Lichtintensitätsverteilung aufgrund der Lichttransmission
durch die Photomaske mit einer Lichtintensitätsverteilung verglichen, die
auf Basis von Strukturdaten berechnet wird. Wie oben beschrieben
ist, besteht ein großer Unterschied
zwischen Strukturdaten einer Struktur, die einer light proximity
effect-Korrektur, usw. unterworfen wurde und einer Struktur, die
aus einer Lichtintensitätsverteilung
aufgrund des durch die Maske transmittierten Lichts wiedergegeben
wird. Jedoch besteht im wesentlichen kein großer Unterschied zwischen einer
Struktur, die von einer Lichtintensitätsverteilung wiedergegeben
wird, die auf Basis solcher Strukturdaten berechnet wurde und einer Struktur,
die aufgrund der Lichtintensitätsverteilung des
durch eine Photomaske transmittierten Lichts wiedergegeben wird.
So ist es gemäß dem erfindungsgemäßen Strukturdefektprüfverfahren
immer möglich,
jeden Defekt in einer Struktur verläßlich zu erfassen, ohne Beeinträchtigung
durch die Anwesenheit einer Korrekturstruktur oder die Anwesenheit
einer Hilfsstruktur und ohne Beeinträchtigung durch den waveguide-Effekt und ferner
unabhängig
vom Typ der Photomaske, so daß eine
flexible Anpassung an jede Struktur oder jede Photomaske möglich ist.
-
In
den Zeichnungen ist
-
1 ein
Flußdiagramm
zur Illustration des Verfahrensablaufs des erfindungsgemäßen Strukturdefektprüfverfahrens;
und
-
2 ein
Flußdiagramm
zur Illustration des Verfahrensablaufs eines herkömmlichen
Strukturdefektprüfverfahrens.
-
Ein
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnungen
beschrieben.
-
Bei
Ausbildung einer Übertragungsstrukturanordnung,
usw. durch Lichtbestrahlung auf ein Resistmaterial auf einem wafer
wird der Typ der Photomaske, die zur verkleinernden Projektion verwendet
wird, in manchen Fällen
als „reticle" bezeichnet und der Typ
der Photomaske, die für
eins-zu-eins-Projektionen verwendet wird, wird als eine „Photomaske" bezeichnet. In anderen
Fällen
wird das, was der ursprünglichen
Platte entspricht, als „reticle" bezeichnet und was
durch Kopieren erhalten wird, als „Photomaske" bezeichnet. In der
vorliegenden Beschreibung wird das, was durch die Ausdrücke „reticle" und „Photomaske" bezeichnet wird
und somit in verschiedenen Bedeutungen verwendet wird, generell
einfach als „Photomaske" bezeichnet, wenn
es nicht anders definiert ist.
-
1 zeigt
ein Flußdiagramm
zur Illustration des Verfahrensablaufs eines erfindungsgemäßen Strukturdefektprüfverfahrens.
Bei dem erfindungsgemäßen Strukturdefektprüfverfahren
werden die Strukturdaten zuvor präpariert. Die Strukturdaten können durch
ein bekanntes Verfahren präpariert werden.
Beispielsweise wird eine Korrekturstruktur oder eine Hilfsstruktur
zur light proximity effect-Korrektur zur Korrektur der Konfiguration
der auf den Resist zu übertragenden
Struktur, eine Hilfsstruktur für eine
Phasenverschiebungsmaske, eine Hilfsstruktur zur Verwendung bei
einer veränderlichen
Anordnung der Lichtquelle der Bestrahlungseinrichtung, oder eine
Hilfsstruktur, wenn ein Filter in die Linsenpupillenebene einer
Linse eingefügt
wird, wenn erforderlich, dem Muster hinzugefügt.
-
Dann
wird die Lichtintensitätsverteilung
auf Basis der Strukturdaten berechnet. Das heißt, die Lichtintensität der gesamten
Photomaske wird mittels dieser Strukturdaten berechnet. Die Berechnung der
Lichtintensität
der gesamten Photomaske wird geeignet ausgeführt durch Aufteilung des Bereiches der
auf der Photomaske auszubildenden Struktur in Einheiten von 100μm2 auf dem wafer. Bei Ausführung der Lichtintensitätsberechnung
wird der 100μm2-Bereich
weiter in 1024 × 1024
Maschen aufgeteilt. Ferner werden der Lichtintensität jeder
Masche 64 Tönungswerte
zugeordnet. Die durch Berechnung erhaltene Lichtintensitätsverteilung
wird beispielsweise in einem Speicher abgespeichert. Diese Strukturdaten
werden auch in den Schreibprozeß zur
tatsächlichen
Präparierung
der Photomaske übertragen. Nach
der Maskenstrukturierung wird die Photomaske durch das Photomaskenpräparierungsverfahren
präpariert.
-
Die
Lichtintensitätsverteilung
aufgrund des durch die präparierte
Photomaske transmittierten Lichtes wird beispielweise durch einen
CCD-Sensor einer Defektprüfvorrichtung
gemessen. Die Wellenlänge
der Lichtwelle der Defektprüfvorrichtung
ist die gleiche wie die Wellenlänge des
Bestrahlungslichts, das verwendet wird, wenn die Struktur tatsächlich auf den
Resist übertragen
wird, beispielsweise die i-Linie einer Quecksilberlampe (365 Nanometer).
Die gemessene Lichtintensitätsverteilung
wird in die 100μm-Einheiten
auf dem Wafer aufgeteilt und der Bereich von 100μm2 wird
weiter in 2048 × 2048
Maschen aufgeteilt. Ferner werden der Lichtintensität jeder
Masche 64 Tönungswerte
zugeordnet. Die gemessene Lichtintensitätsverteilung wird in einem Speicher
gespeichert. Die Größe jeder
der 2048 × 2048
Maschen beträgt
0, 0488 μm.
Diese Größe entspricht
der Größe von 0,244 μm auf einer
5-fach-Photomaske. Da jedoch die Größe des tatsächlich auf den Resist übertragenen
Strukturdefekts größer ist als
diese Maschengröße, tritt
kein Problem auf durch die Auswahl einer derartigen Maschengröße.
-
Anschließend wird
die Lichtintensitätsverteilung
aufgrund des durch die Photomaske transmittierten Lichtes (im folgenden
auch als gemessene Lichtintensitätsverteilung
bezeichnet) mit einer auf Basis der Strukturdaten berechneten Lichtintensitätsverteilung
(im folgenden auch als berechnete Lichtintensitätsverteilung bezeichnet) bezüglich jedes
100 μm2-Bereiches verglichen. Um die Berechnungszeit zu
verringern, wird die Maschengröße der berechneten
Lichtintensitätsverteilung
größer als
die Maschengröße der gemessenen
Lichtintensitätsverteilung
gewählt.
Wenn jedoch der Lichtintensitätsverteilungsvergleich
ausgeführt
wird, wird eine Interpolation zur Anpassung an die 2048 × 2048-Maschengröße ausgeführt. Nimmt
man an, daß die
Lichtintensität jeder
Masche der berechneten Lichtintensitätsverteilung Ic, und daß die Lichtintensität jeder
Masche der gemessenen Lichtintensitätsverteilung Im ist, so erhält man das
Verhältnis
dieser Lichtintensitäten
als C = (Ic + a)/(Im
+ a) (1)wobei
a eine Konstante ist, die eingeführt
wird um eine Divergenz der Gleichung (1) zu vermeiden, wenn der
Wert von Im in Gleichung (1) null wird.
-
Wenn
kein Defekt in der Struktur enthalten ist, hat C einen konstanten
Wert (c). Wenn ein Defekt in der Struktur vorhanden ist, weicht
C von dem konstanten Wert (c) ab. So kann die Position der Struktur aus
der Position der Masche, wo der Wert der Gleichung (1) von dem konstanten
Wert (c) abweicht, bestimmt werden. Wenn Im < Ic ist, wird ferner festgestellt,
daß es
sich um einen Defekt handelt, der keine Lichttransmission erlaubt,
und wenn Ic < Im
ist, wird festgestellt, daß es
sich um einen Defekt handelt, der Lichttransmission (z.B. durch
ein in einem lichtundurchlässigen
Bereich bestehendes kleines Loch (pinhole)) erlaubt, oder der eine
Transmission von Licht erlaubt, welches eine Phasendifferenz aufweist. Auf
diese Weise kann die Art des Strukturdefektes auch vorhergesagt
werden.
-
Wenn
die Werte von Ic und Im vor der Berechnung der Gleichung (1) im
wesentlichen einander gleichgemacht werden durch Verwendung der
Intensität
des transmittierten Lichtes durch eine relativ große Struktur
von beispielsweise 10μm2 als Referenz, so ist dies vorteilhaft für die Ausführung der
Berechnung. Ferner ist es durch Ableitung des aus Gleichung (1)
erhaltenen Wertes C möglich,
die Größe und Position
des Strukturdefektes deutlicher zu bestimmen.
-
Ein
Muster einer Größe von 1
mm2 bestehend aus einem Lochmuster und einem
Linien-und-Abstands-Muster
mit prgrammangeordneten Defekten wurde tatsächlich ausgebildet und ferner eine
gewöhnliche
Photomaske, bei der eine light-proximity-effect-Korrekturstruktur
und eine Hilfsstruktur einem Abschnitt der Struktur hinzugefügt sind,
wurde präpariert.
Bei der Lichtintensitätsverteilungsberechnung
basierend auf den Strukturdaten wurde NA zu 0,57 und σ zu 0,6 gewählt. Dann
wurde mittels einer Workstation von 125 MIPS die Berechnung der Lichtintensitätsverteilung
basierend auf den Strukturdaten in ungefähr drei Stunden beendet.
-
Bei
der präparierten
Photomaske wurde die Lichtintensitätsverteilung unter den Bedingungen
von NA = 0,57 und σ =
0,6 gemessen. Dann wurde anhand des oben beschriebenen Verfahrens
die Lichtintensitätsverteilung
aufgrund der Lichttransmission durch die Photomaske mit der auf
Basis der Strukturdaten berechneten Lichtintensitätsverteilung verglichen.
Im Ergebnis wurde eine Defekterfassungsempfindlichkeit von 0,2 μm auf einer
Fünffach-Photomaske (0,04μm auf dem
Resist) bestätigt. Die
für die
Messung der Lichtintensitätsverteilung aufgrund
des durch die Photomaske transmittierten Lichts erforderliche Zeit
betrug fünf
Minuten und die für
den Vergleich der Lichtintensitätsverteilung
erforderliche Zeit war nicht länger
als eine Minute.
-
Ähnlich wurde
ein Muster einer Größe von 1 mm2 bestehend aus einem Lochmuster und einem
Linien-und-Abstands-Muster mit programmangeordneten Defekten tatsächlich ausgebildet
und ferner eine Phasenverschiebungsmaske des Halbtontyps präpariert,
in der eine light proximity effect-Korrekturstruktur und eine Hilfsstruktur
einem Abschnitt der Struktur hinzugefügt wurden. Die Lichtintensitätstransmissionsrate
in dem durchscheinenden Bereich wurde zu 4,0 % bestimmt mittels
der Transmissionsrate nach Transmission durch ein Referenz-Quarzsubstrat. Bei der
auf den Strukturdaten basierenden Lichtintensitätsverteilung wurde NA zu 0,57
und σ zu
0,3 gewählt.
Dann wurde mittels einer Workstation von 125 MIPS die Berechnung
der Lichtintensitätsverteilung basierend
auf den Strukturdaten in ungefähr
drei Stunden beendet.
-
Bei
der präparierten
Photomaske wurde die Lichtintensitätsverteilung unter den Bedingungen
von NA = 0,57 und σ =
0,3 gemessen. Dann wurde die Lichtintensitätsverteilung mittels des oben
beschriebenen Verfahrens aufgrund des durch die Photomaske transmittierten
Lichtes mit der auf Basis der Strukturdaten berechneten Lichtintensitätsverteilung
verglichen. Im Ergebnis wurde eine Defekterfassungsempfindlichkeit
von 0,4 μm
bei einer Fünffach
Photomaske (0,08 μm
auf dem Resist) bestätigt.
Die für
die Messung der Lichtintensitätsverteilung
aufgrund des durch die Photomaske transmittierten Lichts erforderliche
Zeit betrug fünf
Minuten und die für
den Vergleich der Lichtintensitätsverteilungen
erforderliche Zeit betrug nicht mehr als eine Minute. Der Grund
für die
Verringerung der Defektprüfempfindlichkeit
verglichen mit der gewöhnlichen
Photomaske liegt daran, daß die
Phasendifferenz zwischen dem durch den durchscheinenden Bereich
transmittierten Licht und dem durch den lichttransmittierenden Bereich transmittierenden
Licht von dem festgelegten Wert um ungefähr 5 Grad abgewichen ist, was
nach der Messung der Lichtintensitätsverteilung bestätigt wurde.
-
Während die
vorliegende Erfindung anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels
beschrieben wurde, ist die Erfindung nicht auf dieses Ausführungsbeispiel
beschränkt.
Die in der Beschreibung des Ausführungsbeispiels
gegebenen Bedingungen und Werte sind nur Beispiele und können, wenn
erforderlich, geändert
werden. Beispielsweise kann der Wert der Maschen, der in dem Ausführungsbeispiel nur
exemplarisch angegeben ist, erforderlichenfalls geändert werden.
Ferner kann das erfindungsgemäße Strukturdefektprüfverfahren
auf Photomasken jedes Typs angewandt werden.
-
Bei
dem erfindungsgemäßen Strukturdefektprüfverfahren
kann die Defektprüfung
flexibel auf jeder Art von Struktur oder Photomaskenstruktur ausgeführt werden,
wie beispielsweise einer Korrekturstruktur, einer Hilfsstruktur
oder einem Substrat-Gravur-Typ. Ferner kann durch vorher ausgeführte Berechnung
der Lichtintensitätsverteilung
die zur Defektprüfung
notwendige Zeit verringert werden. Beispielsweise kann bei der Wiederüberprüfung nach der
Defektkorrektur der Vergleich und die Prüfung der Lichtintensitätsverteilung
nur dort ausgeführt
werden, wo der Defekt bestand, wodurch die zur Defektprüfung erforderliche
Zeit verringert wird. Bei dem erfindungsgemäßen Defektprüfverfahren
ist es möglich, einen
Defekt zu prüfen,
der herkömmlich
nicht prüfbar
war. Ferner kann eine Verringerung der Photomaskenproduktionskosten
erreicht werden.